JP3013446B2 - ドライエッチング方法 - Google Patents
ドライエッチング方法Info
- Publication number
- JP3013446B2 JP3013446B2 JP2416336A JP41633690A JP3013446B2 JP 3013446 B2 JP3013446 B2 JP 3013446B2 JP 2416336 A JP2416336 A JP 2416336A JP 41633690 A JP41633690 A JP 41633690A JP 3013446 B2 JP3013446 B2 JP 3013446B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- wafer
- temperature
- gas
- ice
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 29
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 title claims description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 83
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 230000002633 protecting effect Effects 0.000 claims description 10
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 43
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 41
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 29
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 28
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 19
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 description 14
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 13
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 10
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 238000007348 radical reaction Methods 0.000 description 5
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- -1 SF x + Chemical class 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 3
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 3
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 3
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910000039 hydrogen halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012433 hydrogen halide Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
- H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31127—Etching organic layers
- H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
- H01L21/31138—Etching organic layers by chemical means by dry-etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
- H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
- H01L21/32135—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only
- H01L21/32136—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only using plasmas
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
- H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
- H01L21/32135—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only
- H01L21/32136—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only using plasmas
- H01L21/32137—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only using plasmas of silicon-containing layers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/106—Masks, special
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造分野等
において適用されるドライエッチング方法に関し、特に
いわゆる低温エッチングにおいてウェハ冷却温度の高温
化と対マスク選択性および対下地選択性の向上に関す
る。
において適用されるドライエッチング方法に関し、特に
いわゆる低温エッチングにおいてウェハ冷却温度の高温
化と対マスク選択性および対下地選択性の向上に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年のＶＬＳＩ，ＵＬＳＩ等にみられる
ように半導体装置の高集積化および高性能化が進展する
に伴い、ドライエッチングの分野においても高異方性，
高速性，高選択性という諸要求をいずれかを犠牲にする
ことなく達成する技術が強く望まれている。エッチング
時のウェハ温度を０℃以下に制御しながらエッチングを
行う、いわゆる低温エッチングは、かかる背景から注目
される技術のひとつである。これは、ウェハを低温下に
保持することにより、深さ方向のエッチング速度をイオ
ン・アシスト効果により維持したまま、パターン側壁部
におけるラジカル反応を凍結または抑制してアンダカッ
ト等の形状不良を防止しようとする技術である。たとえ
ば、第３５回応用物理学関連合講演会（１９８８年春季
年会）講演予稿集第４９５ページ演題番号２８ａ−Ｇ−
２には、ウェハを−１３０℃に冷却し、ＳＦ6 ガスを用
いてシリコン・トレンチ・エッチングおよびｎ+ 型多結
晶シリコン層のエッチングを行った例が報告されてい
る。
ように半導体装置の高集積化および高性能化が進展する
に伴い、ドライエッチングの分野においても高異方性，
高速性，高選択性という諸要求をいずれかを犠牲にする
ことなく達成する技術が強く望まれている。エッチング
時のウェハ温度を０℃以下に制御しながらエッチングを
行う、いわゆる低温エッチングは、かかる背景から注目
される技術のひとつである。これは、ウェハを低温下に
保持することにより、深さ方向のエッチング速度をイオ
ン・アシスト効果により維持したまま、パターン側壁部
におけるラジカル反応を凍結または抑制してアンダカッ
ト等の形状不良を防止しようとする技術である。たとえ
ば、第３５回応用物理学関連合講演会（１９８８年春季
年会）講演予稿集第４９５ページ演題番号２８ａ−Ｇ−
２には、ウェハを−１３０℃に冷却し、ＳＦ6 ガスを用
いてシリコン・トレンチ・エッチングおよびｎ+ 型多結
晶シリコン層のエッチングを行った例が報告されてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、低温エ
ッチングには実用化に向けて解決すべき課題も多い。そ
のひとつは、ウェハ冷却温度である。高異方性の達成を
ラジカル反応の凍結または抑制に頼ろうとすると、多く
の場合は液体窒素で達成されるレベルの低温が必要とな
る。たとえば単結晶シリコンや多結晶シリコンでは上述
のように−１２０〜１３０℃、レジスト材料では−１０
０℃、タングステン・シリサイドでは−６０℃程度の冷
却が行われている。このためには、周辺冷却系統として
も相応の冷却能力を有するものが必要となり、装置が大
型化したりコスト高となる等の問題がある。また、かか
る中低温域では反応生成物を側壁保護に用いることは知
られているものの、反応生成物の蒸気圧が低いためにこ
れがパターン側壁部に厚く堆積してパターン幅が増大す
るという懸念もある。さらに、冷却所要時間やエッチン
グ後に結露を防止するために行われる後加熱の所要時間
が延長して経済性やスループットを低下させる原因とも
なる。したがって、ウェハ冷却温度をより高温化し、室
温に近づけることが要望されている。
ッチングには実用化に向けて解決すべき課題も多い。そ
のひとつは、ウェハ冷却温度である。高異方性の達成を
ラジカル反応の凍結または抑制に頼ろうとすると、多く
の場合は液体窒素で達成されるレベルの低温が必要とな
る。たとえば単結晶シリコンや多結晶シリコンでは上述
のように−１２０〜１３０℃、レジスト材料では−１０
０℃、タングステン・シリサイドでは−６０℃程度の冷
却が行われている。このためには、周辺冷却系統として
も相応の冷却能力を有するものが必要となり、装置が大
型化したりコスト高となる等の問題がある。また、かか
る中低温域では反応生成物を側壁保護に用いることは知
られているものの、反応生成物の蒸気圧が低いためにこ
れがパターン側壁部に厚く堆積してパターン幅が増大す
るという懸念もある。さらに、冷却所要時間やエッチン
グ後に結露を防止するために行われる後加熱の所要時間
が延長して経済性やスループットを低下させる原因とも
なる。したがって、ウェハ冷却温度をより高温化し、室
温に近づけることが要望されている。
【０００４】いまひとつの問題は、異なる材料層からな
る積層構造部をエッチングする場合のウェハ温度の設定
である。低温エッチングではエッチング種と被エッチン
グ材料との反応を一部抑制するわけであるから、エッチ
ング・ガスと被エッチング材料層との組合せにより高異
方性が達成される温度は微妙に変化する。したがって、
被エッチング材料層が単層である場合には単一の温度設
定でも構わないが、たとえばタングステン・シリサイド
層とＤＯＰＯＳ層が積層されてなるポリサイド膜の場合
には、両層の低温エッチングの最適温度に約６０℃もの
開きがあるので、単一の温度設定では良好な異方性加工
は困難である。複数の温度設定を安定に行うには、装置
をマルチ・チャンバ化する等の対策が必要となるが、装
置の占有空間、ランニング・コスト、クリーン・ルーム
内のクリーン・ゾーンの維持費等を上昇させ、好ましく
ない。
る積層構造部をエッチングする場合のウェハ温度の設定
である。低温エッチングではエッチング種と被エッチン
グ材料との反応を一部抑制するわけであるから、エッチ
ング・ガスと被エッチング材料層との組合せにより高異
方性が達成される温度は微妙に変化する。したがって、
被エッチング材料層が単層である場合には単一の温度設
定でも構わないが、たとえばタングステン・シリサイド
層とＤＯＰＯＳ層が積層されてなるポリサイド膜の場合
には、両層の低温エッチングの最適温度に約６０℃もの
開きがあるので、単一の温度設定では良好な異方性加工
は困難である。複数の温度設定を安定に行うには、装置
をマルチ・チャンバ化する等の対策が必要となるが、装
置の占有空間、ランニング・コスト、クリーン・ルーム
内のクリーン・ゾーンの維持費等を上昇させ、好ましく
ない。
【０００５】そこで本発明は、低温エッチングにおける
ウェハ冷却温度を従来よりも室温に近づけることを可能
とし、さらに異なる材料層から構成される積層構造部の
エッチングにも単一の温度設定で対応できるドライエッ
チング方法を提供することを目的とする。
ウェハ冷却温度を従来よりも室温に近づけることを可能
とし、さらに異なる材料層から構成される積層構造部の
エッチングにも単一の温度設定で対応できるドライエッ
チング方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述したよう
な目的を達成するため、Ｏを構成元素として有するガス
とＨを構成元素として有するガスを含む混合ガスを用
い、被エッチング基体の温度を０℃以下に制御しながら
エッチングを行うドライエッチング方法において、プラ
ズマ放電により気相中に生成したＨ2Ｏを氷となしてパ
ターン側壁部に被着させることにより上記パターン側壁
部の保護をしつつエッチングを行い、エッチング終了
後、上記被エッチング基体の温度を室温近傍まで上昇さ
せることにより上記氷を除去するようにしたものであ
る。
な目的を達成するため、Ｏを構成元素として有するガス
とＨを構成元素として有するガスを含む混合ガスを用
い、被エッチング基体の温度を０℃以下に制御しながら
エッチングを行うドライエッチング方法において、プラ
ズマ放電により気相中に生成したＨ2Ｏを氷となしてパ
ターン側壁部に被着させることにより上記パターン側壁
部の保護をしつつエッチングを行い、エッチング終了
後、上記被エッチング基体の温度を室温近傍まで上昇さ
せることにより上記氷を除去するようにしたものであ
る。
【０００７】また、本発明は、Ｈ2Ｏを含むエッチング
・ガスを用い、被エッチング基体の温度を０℃以下に制
御しながらエッチングを行うドライエッチング方法にお
いて、上記被エッチング基体の近傍で過飽和となるＨ2
Ｏを氷となしてパターン側壁部に被着させることにより
上記パターン側壁部の保護をしつつエッチングを行い、
エッチング終了後、上記被エッチング基体の温度を室温
近傍まで上昇させることにより上記氷を除去するように
したものである。
・ガスを用い、被エッチング基体の温度を０℃以下に制
御しながらエッチングを行うドライエッチング方法にお
いて、上記被エッチング基体の近傍で過飽和となるＨ2
Ｏを氷となしてパターン側壁部に被着させることにより
上記パターン側壁部の保護をしつつエッチングを行い、
エッチング終了後、上記被エッチング基体の温度を室温
近傍まで上昇させることにより上記氷を除去するように
したものである。
【０００８】
【作用】本発明では、高異方性の達成をラジカル反応の
凍結または抑制に頼るという従来の発想を転換し、ウェ
ハ冷却温度は従来よりも高温域とし、気相中から堆積物
を生成するガスを積極的にエッチング・ガス系に添加す
るか、もしくは被エッチング材料層との反応生成物を堆
積させ得るようなエッチング・ガス系を使用することを
考えた。
凍結または抑制に頼るという従来の発想を転換し、ウェ
ハ冷却温度は従来よりも高温域とし、気相中から堆積物
を生成するガスを積極的にエッチング・ガス系に添加す
るか、もしくは被エッチング材料層との反応生成物を堆
積させ得るようなエッチング・ガス系を使用することを
考えた。
【０００９】ここで、本発明者が上記堆積物として着目
したのは氷（Ｈ2 Ｏ）である。水の露点と水分量につい
ては既に知られているところであり、露点が−２０℃の
際の水分量は７７ｐｐｍ，露点が−４０℃の際の水分量
は２１ｐｐｍという具合に測定データが入手できる。露
点はエッチング系内の水蒸気の分圧が飽和水蒸気圧と等
しくなる時の温度であるから、たとえばウェハが−２０
℃に冷却されているときにエッチング系内にａ（ただし
ａ＞７７）ｐｐｍの水分が存在すれば、ウェハのごく近
傍においては約（ａ−７７）ｐｐｍの水分が過飽和とな
り、ウェハもしくは冷却された他の部材の表面に氷とな
って凝結するはずである。この氷は、イオンの垂直入射
面においてはスパッタ除去されるが、パターンの側壁部
では除去されないため、側壁保護膜として機能し、異方
性形状の達成に寄与する。
したのは氷（Ｈ2 Ｏ）である。水の露点と水分量につい
ては既に知られているところであり、露点が−２０℃の
際の水分量は７７ｐｐｍ，露点が−４０℃の際の水分量
は２１ｐｐｍという具合に測定データが入手できる。露
点はエッチング系内の水蒸気の分圧が飽和水蒸気圧と等
しくなる時の温度であるから、たとえばウェハが−２０
℃に冷却されているときにエッチング系内にａ（ただし
ａ＞７７）ｐｐｍの水分が存在すれば、ウェハのごく近
傍においては約（ａ−７７）ｐｐｍの水分が過飽和とな
り、ウェハもしくは冷却された他の部材の表面に氷とな
って凝結するはずである。この氷は、イオンの垂直入射
面においてはスパッタ除去されるが、パターンの側壁部
では除去されないため、側壁保護膜として機能し、異方
性形状の達成に寄与する。
【００１０】したがって、本発明ではエッチング系内に
何らかの形で水を存在させることが必要となる。そのた
めの手段として、第１の発明ではＯを構成元素として有
するガスとＨを構成元素として有するガスとを含む混合
ガスを用い、プラズマ中でＨ2 Ｏを生成させる。また第
２の発明では、Ｈ2 Ｏを含むエッチング・ガスを使用す
る。いずれにしても、本発明によればラジカル反応が凍
結もしくは抑制される温度までウェハを冷却する必要が
なく、エッチング・ガスと被エッチング材料との組み合
わせとは無関係に、氷が堆積する温度にて異方性加工を
行うことができる。したがって、ウェハの冷却温度を従
来の低温エッチングよりも室温に近づけることが可能と
なる。しかも、通常のエッチングが行われる高真空下で
あれば、堆積した氷はウェハを若干加熱することにより
容易に蒸発除去することができるので、何らパーティク
ル汚染を招く虞れもない。また、本発明では氷をスパッ
タ除去できる程度の入射イオン・エネルギーがあれば異
方性加工が実現されるので、対下地選択性を向上させる
上で有利である。さらに、本発明は反応生成物の堆積を
利用するものではないため、氷は当然マスクの表面にも
堆積し、この堆積とイオンによるスパッタ除去とが競合
することになる。したがって、対マスク選択比が向上す
るというメリットもある。
何らかの形で水を存在させることが必要となる。そのた
めの手段として、第１の発明ではＯを構成元素として有
するガスとＨを構成元素として有するガスとを含む混合
ガスを用い、プラズマ中でＨ2 Ｏを生成させる。また第
２の発明では、Ｈ2 Ｏを含むエッチング・ガスを使用す
る。いずれにしても、本発明によればラジカル反応が凍
結もしくは抑制される温度までウェハを冷却する必要が
なく、エッチング・ガスと被エッチング材料との組み合
わせとは無関係に、氷が堆積する温度にて異方性加工を
行うことができる。したがって、ウェハの冷却温度を従
来の低温エッチングよりも室温に近づけることが可能と
なる。しかも、通常のエッチングが行われる高真空下で
あれば、堆積した氷はウェハを若干加熱することにより
容易に蒸発除去することができるので、何らパーティク
ル汚染を招く虞れもない。また、本発明では氷をスパッ
タ除去できる程度の入射イオン・エネルギーがあれば異
方性加工が実現されるので、対下地選択性を向上させる
上で有利である。さらに、本発明は反応生成物の堆積を
利用するものではないため、氷は当然マスクの表面にも
堆積し、この堆積とイオンによるスパッタ除去とが競合
することになる。したがって、対マスク選択比が向上す
るというメリットもある。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の好適な実施例について説明す
る。ここで、実際のエッチング・プロセスの説明に先立
ち、まず本発明を実施するにあたり使用したエッチング
装置の構成例、およびその使用上の工夫や冷却系統の改
良点について、図１ないし図３を参照しながら説明す
る。なお、ここでは上記エッチング装置として有磁場マ
イクロ波プラズマ・エッチング装置を例示するが、使用
上の工夫および冷却系統の改良点は、平行平板型ＲＩＥ
（反応性エッチング）装置やマグネトロンＲＩＥ装置
等、本発明で使用する他のエッチング装置についても該
当するものである。
る。ここで、実際のエッチング・プロセスの説明に先立
ち、まず本発明を実施するにあたり使用したエッチング
装置の構成例、およびその使用上の工夫や冷却系統の改
良点について、図１ないし図３を参照しながら説明す
る。なお、ここでは上記エッチング装置として有磁場マ
イクロ波プラズマ・エッチング装置を例示するが、使用
上の工夫および冷却系統の改良点は、平行平板型ＲＩＥ
（反応性エッチング）装置やマグネトロンＲＩＥ装置
等、本発明で使用する他のエッチング装置についても該
当するものである。
【００１２】図１（ａ）および（ｂ）は、上記エッチン
グ装置の一構成例を示す概略断面図である。これは、Ｅ
ＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）放電により生成する高
密度のプラズマを利用して各種の加工を行う装置であ
り、２．４５ＧＨｚのマイクロ波を発生するマグネトロ
ン１、マイクロ波を導く矩形導波管２および円形導波管
３、上記マイクロ波を利用してＥＣＲ放電により内部で
プラズマを生成させるための石英製のベルジャー４、上
記円形導波管３と上記ベルジャー４を周回するように配
設され８７５Ｇａｕｓｓの磁場強度を達成できるソレノ
イド・コイル５、上記ベルジャー４に接続され図中矢印
Ａ方向に高真空排気される反応室６、該反応室６と上記
ベルジャー４へ処理に必要なガスを矢印Ｂ1 ，Ｂ2 方向
から供給するガス導入管７、被エッチング基体であるウ
ェハ８を載置するウェハ載置電極９、該ウェハ載置電極
９にＲＦバイアスを印加するためのＲＦ電源１１等を基
本的な構成要素としている。さらに、上述の装置におい
て低温エッチングを可能とするために、上記ウェハ載置
電極９には装置外部に配設されるチラー等の冷却設備か
ら冷媒を導入し、図中矢印Ｃ1 ，Ｃ2 方向に循環させる
ための冷却配管１２が埋設されている。
グ装置の一構成例を示す概略断面図である。これは、Ｅ
ＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）放電により生成する高
密度のプラズマを利用して各種の加工を行う装置であ
り、２．４５ＧＨｚのマイクロ波を発生するマグネトロ
ン１、マイクロ波を導く矩形導波管２および円形導波管
３、上記マイクロ波を利用してＥＣＲ放電により内部で
プラズマを生成させるための石英製のベルジャー４、上
記円形導波管３と上記ベルジャー４を周回するように配
設され８７５Ｇａｕｓｓの磁場強度を達成できるソレノ
イド・コイル５、上記ベルジャー４に接続され図中矢印
Ａ方向に高真空排気される反応室６、該反応室６と上記
ベルジャー４へ処理に必要なガスを矢印Ｂ1 ，Ｂ2 方向
から供給するガス導入管７、被エッチング基体であるウ
ェハ８を載置するウェハ載置電極９、該ウェハ載置電極
９にＲＦバイアスを印加するためのＲＦ電源１１等を基
本的な構成要素としている。さらに、上述の装置におい
て低温エッチングを可能とするために、上記ウェハ載置
電極９には装置外部に配設されるチラー等の冷却設備か
ら冷媒を導入し、図中矢印Ｃ1 ，Ｃ2 方向に循環させる
ための冷却配管１２が埋設されている。
【００１３】この装置の使用上の工夫とは、ベルジャー
４内で所定の処理を行った後に、図１（ｂ）に示される
ようにウェハ８をピン１０で上昇させてウェハ載置電極
９の冷却から熱的に切り離し、この状態で化学的に不活
性なガスを供給しながらプラズマ処理を行うことであ
る。ウェハ８を０℃以下に冷却しながら所定の処理を行
う低温エッチングにおいては、処理後のウェハ８を大気
中に取り出す際の結露防止が重要な技術的課題となって
いる。その対策として、従来からウェハ加熱用のステー
ジを別途設けたり、高温に加熱したガスをウェハに吹き
付ける等の提案がなされているが、いずれも既存の装置
ですぐに対応できるものではなかった。しかし、上述の
方法によればウェハ８のロード／アンロードの便宜を図
るために設けられているピン１０を積極的に利用するの
みである。ウェハ８をウェハ載置電極９から離脱させれ
ば、ウェハ８の温度はプラズマ輻射熱により容易に加熱
されるので、ウェハ温度が室温近傍まで上昇したところ
で外部へ取り出せば良い。このとき、ウェハ載置電極９
も若干昇温されるので、ウェハ接触面９ａに過剰に堆積
物が付着することはなく、またウェハ載置電極９の表面
等に付着した氷（本発明において側壁保護の役目を有す
る。）等も同時に除去することができる。
４内で所定の処理を行った後に、図１（ｂ）に示される
ようにウェハ８をピン１０で上昇させてウェハ載置電極
９の冷却から熱的に切り離し、この状態で化学的に不活
性なガスを供給しながらプラズマ処理を行うことであ
る。ウェハ８を０℃以下に冷却しながら所定の処理を行
う低温エッチングにおいては、処理後のウェハ８を大気
中に取り出す際の結露防止が重要な技術的課題となって
いる。その対策として、従来からウェハ加熱用のステー
ジを別途設けたり、高温に加熱したガスをウェハに吹き
付ける等の提案がなされているが、いずれも既存の装置
ですぐに対応できるものではなかった。しかし、上述の
方法によればウェハ８のロード／アンロードの便宜を図
るために設けられているピン１０を積極的に利用するの
みである。ウェハ８をウェハ載置電極９から離脱させれ
ば、ウェハ８の温度はプラズマ輻射熱により容易に加熱
されるので、ウェハ温度が室温近傍まで上昇したところ
で外部へ取り出せば良い。このとき、ウェハ載置電極９
も若干昇温されるので、ウェハ接触面９ａに過剰に堆積
物が付着することはなく、またウェハ載置電極９の表面
等に付着した氷（本発明において側壁保護の役目を有す
る。）等も同時に除去することができる。
【００１４】ところで、低温エッチングにおいてはウェ
ハ温度がエッチング反応の進行を左右する重要なパラメ
ータとなるため、特にウェハ冷却を行わない通常のエッ
チングに比べて正確な温度管理が必要となる。通常、上
記ウェハ８はクランプ等を用いてウェハ載置電極９に圧
接保持されるが、さらにその冷却効果を補うためウェハ
載置電極８の内部に冷却用ガスを導入するための冷却ガ
ス管１３が埋設されている。この冷却ガス管１３の端部
はウェハ８の背面に向けて開口されており、図示されな
いガス供給源から矢印Ｄ方向に送入される冷却用ガスが
流出されるようになされている。従来の装置では、この
冷却ガス管１３が単にウェハ載置電極９をほぼ直線的に
貫通するのみで管路長が短いため、室温で導入される冷
却用ガスが電極温度と平衡となる前に流出し、十分な冷
却効果が得られないという問題があった。そこで今回使
用する装置においては、図示されるように冷却ガス管１
３をウェハ載置電極９内部で折り畳んだ構造とすること
により、冷却ガス管の管路を延長し、管壁とウェハ載置
電極の接触面積を増大させた。
ハ温度がエッチング反応の進行を左右する重要なパラメ
ータとなるため、特にウェハ冷却を行わない通常のエッ
チングに比べて正確な温度管理が必要となる。通常、上
記ウェハ８はクランプ等を用いてウェハ載置電極９に圧
接保持されるが、さらにその冷却効果を補うためウェハ
載置電極８の内部に冷却用ガスを導入するための冷却ガ
ス管１３が埋設されている。この冷却ガス管１３の端部
はウェハ８の背面に向けて開口されており、図示されな
いガス供給源から矢印Ｄ方向に送入される冷却用ガスが
流出されるようになされている。従来の装置では、この
冷却ガス管１３が単にウェハ載置電極９をほぼ直線的に
貫通するのみで管路長が短いため、室温で導入される冷
却用ガスが電極温度と平衡となる前に流出し、十分な冷
却効果が得られないという問題があった。そこで今回使
用する装置においては、図示されるように冷却ガス管１
３をウェハ載置電極９内部で折り畳んだ構造とすること
により、冷却ガス管の管路を延長し、管壁とウェハ載置
電極の接触面積を増大させた。
【００１５】あるいは、図２に示されるように、冷却ガ
ス管１３ａを螺旋型としても良い。さらに、ウェハ載置
電極９の内部構造上の制約から管路を長くできない場合
には、図３に示されるように冷却ガス管１３ｂを従来ど
おり直線型とし、図示されない冷却ガス供給源からウェ
ハ載置電極９に至るまでの管路上の適当な部位に熱交換
器１４を設けても良い。
ス管１３ａを螺旋型としても良い。さらに、ウェハ載置
電極９の内部構造上の制約から管路を長くできない場合
には、図３に示されるように冷却ガス管１３ｂを従来ど
おり直線型とし、図示されない冷却ガス供給源からウェ
ハ載置電極９に至るまでの管路上の適当な部位に熱交換
器１４を設けても良い。
【００１６】次に、実際の幾つかのプロセス例について
説明する。 実施例１ 本実施例は、本発明の第１の発明を適用し、Ｏ2 とＨ2
の混合ガスを用いてレジスト・パターンの加工を行った
例である。まず、被エッチング・サンプルとして、シリ
コン基板上にノボラック系ポジ型フォトレジストＯＦＰ
Ｒ−８００（商品名；東京応化工業社製）を塗布してレ
ジスト層を形成し、さらに所定の形状にパターニングさ
れた酸化シリコンのマスクが形成されたウェハを作成
し、これを図１（ａ）に示される状態の有磁場マイクロ
波プラズマ・エッチング装置のウェハ載置電極９にセッ
トした。ここで、冷却配管１２には外部のチラーからエ
タノール冷媒を循環させ、エッチング中のウェハ８の温
度が−４０℃に維持されるようにした。また、冷却用ガ
スとしてはＨｅを流量１０ＳＣＣＭにて冷却ガス管１３
から供給した。Ｏ2 流量５０ＳＣＣＭ，Ｈ2 流量１ＳＣ
ＣＭ，ガス圧１．３Ｐａ（１０ｍＴｏｒｒ）、マイクロ
波パワー８５０Ｗ、ＲＦバイアス・パワー１０Ｗの条件
で上記レジスト層のエッチングを行った。
説明する。 実施例１ 本実施例は、本発明の第１の発明を適用し、Ｏ2 とＨ2
の混合ガスを用いてレジスト・パターンの加工を行った
例である。まず、被エッチング・サンプルとして、シリ
コン基板上にノボラック系ポジ型フォトレジストＯＦＰ
Ｒ−８００（商品名；東京応化工業社製）を塗布してレ
ジスト層を形成し、さらに所定の形状にパターニングさ
れた酸化シリコンのマスクが形成されたウェハを作成
し、これを図１（ａ）に示される状態の有磁場マイクロ
波プラズマ・エッチング装置のウェハ載置電極９にセッ
トした。ここで、冷却配管１２には外部のチラーからエ
タノール冷媒を循環させ、エッチング中のウェハ８の温
度が−４０℃に維持されるようにした。また、冷却用ガ
スとしてはＨｅを流量１０ＳＣＣＭにて冷却ガス管１３
から供給した。Ｏ2 流量５０ＳＣＣＭ，Ｈ2 流量１ＳＣ
ＣＭ，ガス圧１．３Ｐａ（１０ｍＴｏｒｒ）、マイクロ
波パワー８５０Ｗ、ＲＦバイアス・パワー１０Ｗの条件
で上記レジスト層のエッチングを行った。
【００１７】この過程では、ウェハ８のごく近傍におい
てはプラズマ放電により気相中に生成したＨ2 Ｏのうち
２１ｐｐｍを越えた分がウェハ８も含めて装置内の冷却
された部材の表面に氷となって凝結する。このとき、Ｏ
+ ，Ｏ2 + 等のイオンが入射する面では氷はスパッタ除
去されるのでレジスト層のエッチングが進行するが、イ
オンの入射が少ないパターン側壁部では氷がラジカルの
攻撃に対する側壁保護の役目を果たした。したがって、
エッチング速度を低下させることなく異方性加工が実現
された。なお、ウェハ８上に効率良く氷を凝結させるた
めには、ウェハ載置電極９以外に低温冷却される部材を
極力減らす工夫をすれば良いことは言うまでもない。
てはプラズマ放電により気相中に生成したＨ2 Ｏのうち
２１ｐｐｍを越えた分がウェハ８も含めて装置内の冷却
された部材の表面に氷となって凝結する。このとき、Ｏ
+ ，Ｏ2 + 等のイオンが入射する面では氷はスパッタ除
去されるのでレジスト層のエッチングが進行するが、イ
オンの入射が少ないパターン側壁部では氷がラジカルの
攻撃に対する側壁保護の役目を果たした。したがって、
エッチング速度を低下させることなく異方性加工が実現
された。なお、ウェハ８上に効率良く氷を凝結させるた
めには、ウェハ載置電極９以外に低温冷却される部材を
極力減らす工夫をすれば良いことは言うまでもない。
【００１８】このプロセスでは、イオンの入射面におい
て氷をスパッタ除去し得る程度のイオン入射エネルギー
があれば良いので、上述のように低いＲＦバイアス・パ
ワーで十分である。したがって、オーバーエッチング時
における下地のスパッタリングや損傷等も抑制すること
ができた。
て氷をスパッタ除去し得る程度のイオン入射エネルギー
があれば良いので、上述のように低いＲＦバイアス・パ
ワーで十分である。したがって、オーバーエッチング時
における下地のスパッタリングや損傷等も抑制すること
ができた。
【００１９】エッチング終了後、図１（ｂ）に示される
ようにピン１０でウェハ８を上昇させ、Ａｒ流量１００
ＳＣＣＭ，ガス圧２．７Ｐａ（２０ｍＴｏｒｒ）、マイ
クロ波パワー８５０Ｗ、ＲＦバイアス・パワー０Ｗの条
件で１０秒間のプラズマ処理を行った。これによりウェ
ハ８は速やかに室温付近まで加熱され、大気中に取り出
しても表面に結露を生ずることはなかった。本発明で
は、ウェハ８の冷却温度が従来の一般的な低温エッチン
グにおけるよりも室温に近いので、加熱が上述のように
短時間で済み、スループットを低下させることはなかっ
た。また、ウェハ載置電極９には冷媒が循環されている
ものの、プラズマ輻射熱により若干昇温されるので、表
面に付着した氷も除去することができた。上記プラズマ
処理は、後述の各実施例でも上述の方法に準じて行う
が、以後、明細書中では特に言及しない。
ようにピン１０でウェハ８を上昇させ、Ａｒ流量１００
ＳＣＣＭ，ガス圧２．７Ｐａ（２０ｍＴｏｒｒ）、マイ
クロ波パワー８５０Ｗ、ＲＦバイアス・パワー０Ｗの条
件で１０秒間のプラズマ処理を行った。これによりウェ
ハ８は速やかに室温付近まで加熱され、大気中に取り出
しても表面に結露を生ずることはなかった。本発明で
は、ウェハ８の冷却温度が従来の一般的な低温エッチン
グにおけるよりも室温に近いので、加熱が上述のように
短時間で済み、スループットを低下させることはなかっ
た。また、ウェハ載置電極９には冷媒が循環されている
ものの、プラズマ輻射熱により若干昇温されるので、表
面に付着した氷も除去することができた。上記プラズマ
処理は、後述の各実施例でも上述の方法に準じて行う
が、以後、明細書中では特に言及しない。
【００２０】なお、本発明は上述の実施例に何ら限定さ
れるものではなく、たとえばエッチング終了後のプラズ
マ処理用に供給するガスとしては、上述のＡｒの他にも
エッチング反応系に影響しないガスを適宜使用すること
ができ、たとえば本実施例の反応系ではＨｅ，Ｎ2 等を
使用しても良い。さらに、ウェハの補助冷却を行うため
の冷却用ガスも上述のＨｅに限られるものではなく、エ
ッチング反応に悪影響を与えない希ガス、あるいはエッ
チングに・ガスと同じ組成のガスを使用することができ
る。
れるものではなく、たとえばエッチング終了後のプラズ
マ処理用に供給するガスとしては、上述のＡｒの他にも
エッチング反応系に影響しないガスを適宜使用すること
ができ、たとえば本実施例の反応系ではＨｅ，Ｎ2 等を
使用しても良い。さらに、ウェハの補助冷却を行うため
の冷却用ガスも上述のＨｅに限られるものではなく、エ
ッチング反応に悪影響を与えない希ガス、あるいはエッ
チングに・ガスと同じ組成のガスを使用することができ
る。
【００２１】実施例２ 本実施例は、本発明の第２の発明を適用し、Ｏ2 に微量
のＨ2 Ｏを添加してなる混合ガスを用いてレジスト層の
加工を行った例である。実施例１と同様のウェハを図１
（ａ）に示される状態の有磁場マイクロ波プラズマ・エ
ッチング装置のウェハ載置電極９にセットし、ウェハ冷
却温度−４０℃、Ｏ2 流量５０ＳＣＣＭ，Ｈ2 Ｏ添加量
１００ｐｐｍ，ガス圧１．３Ｐａ（１０ｍＴｏｒｒ）、
マイクロ波パワー８５０Ｗ、ＲＦバイアス・パワー１０
Ｗの条件で上記レジスト層のエッチングを行った。ここ
で、上述のように微量のＨ2 Ｏは、流量として独立に制
御することは実際には困難であるため、予めＯ2 に不純
物として混入させる方法で供給した。
のＨ2 Ｏを添加してなる混合ガスを用いてレジスト層の
加工を行った例である。実施例１と同様のウェハを図１
（ａ）に示される状態の有磁場マイクロ波プラズマ・エ
ッチング装置のウェハ載置電極９にセットし、ウェハ冷
却温度−４０℃、Ｏ2 流量５０ＳＣＣＭ，Ｈ2 Ｏ添加量
１００ｐｐｍ，ガス圧１．３Ｐａ（１０ｍＴｏｒｒ）、
マイクロ波パワー８５０Ｗ、ＲＦバイアス・パワー１０
Ｗの条件で上記レジスト層のエッチングを行った。ここ
で、上述のように微量のＨ2 Ｏは、流量として独立に制
御することは実際には困難であるため、予めＯ2 に不純
物として混入させる方法で供給した。
【００２２】このエッチング過程では、ウェハ８近傍に
おいて約８０ｐｐｍのＨ2 Ｏが過飽和となり、これが氷
となって側壁保護効果を発揮することにより、良好な異
方性形状が得られた。
おいて約８０ｐｐｍのＨ2 Ｏが過飽和となり、これが氷
となって側壁保護効果を発揮することにより、良好な異
方性形状が得られた。
【００２３】なお、本発明におけるＨ2 Ｏの添加範囲は
１ｐｐｍを下限、ウェハの冷却温度における飽和水分量
を上限の目安として、適宜設定すれば良い。下限を１ｐ
ｐｍより低くするとウェハの極低温冷却が必要となり、
本発明において室温に近い温度域での低温エッチングを
目指した意味が薄れてしまう。
１ｐｐｍを下限、ウェハの冷却温度における飽和水分量
を上限の目安として、適宜設定すれば良い。下限を１ｐ
ｐｍより低くするとウェハの極低温冷却が必要となり、
本発明において室温に近い温度域での低温エッチングを
目指した意味が薄れてしまう。
【００２４】実施例３ 本実施例は、本発明の第２の発明を適用し、ＳＦ6 に微
量のＨ2Ｏを添加してなる混合ガスを用いてゲート加工
を想定したＤＯＰＯＳ層の加工を行った例である。ま
ず、シリコン基板上に酸化シリコンからなるゲート酸化
膜とｎ+ 型のＤＯＰＯＳ層とが順次積層され、所定の形
状にパターニングされたフォトレジスト・マスクが形成
されてなるウェハを用意し、図１（ａ）に示される状態
の有磁場マイクロ波プラズマ・エッチング装置のウェハ
載置電極９にセットした。ウェハ冷却温度−４０℃、Ｓ
Ｆ6 流量５０ＳＣＣＭ，Ｈ2 Ｏ添加量１００ｐｐｍ，ガ
ス圧１．３Ｐａ（１０ｍＴｏｒｒ）、マイクロ波パワー
８５０Ｗ、ＲＦバイアス・パワー３０Ｗの条件で上記Ｄ
ＯＰＯＳ層のエッチングを行った。ここでも実施例２と
同様、Ｈ2 Ｏは予めＳＦ6 に混入させる方法で供給し
た。
量のＨ2Ｏを添加してなる混合ガスを用いてゲート加工
を想定したＤＯＰＯＳ層の加工を行った例である。ま
ず、シリコン基板上に酸化シリコンからなるゲート酸化
膜とｎ+ 型のＤＯＰＯＳ層とが順次積層され、所定の形
状にパターニングされたフォトレジスト・マスクが形成
されてなるウェハを用意し、図１（ａ）に示される状態
の有磁場マイクロ波プラズマ・エッチング装置のウェハ
載置電極９にセットした。ウェハ冷却温度−４０℃、Ｓ
Ｆ6 流量５０ＳＣＣＭ，Ｈ2 Ｏ添加量１００ｐｐｍ，ガ
ス圧１．３Ｐａ（１０ｍＴｏｒｒ）、マイクロ波パワー
８５０Ｗ、ＲＦバイアス・パワー３０Ｗの条件で上記Ｄ
ＯＰＯＳ層のエッチングを行った。ここでも実施例２と
同様、Ｈ2 Ｏは予めＳＦ6 に混入させる方法で供給し
た。
【００２５】このエッチング過程では、約８０ｐｐｍの
Ｈ2 Ｏが過飽和となるが、ＳＦx + ，Ｏ+ ，Ｏ2 + 等の
イオンが入射する面では凝結した氷がスパッタ除去され
るのでＤＯＰＯＳ層のエッチングが進行した。また、−
４０℃程度の冷却温度ではラジカル反応が抑制されるに
は至らないが、パターン側壁部は氷で保護されるため、
Ｆ* （フッ素ラジカル）によりアンダカットが発生する
ことはなかった。さらに、この反応系では放電分解で発
生するＯ2 により被エッチング面に酸化膜が形成される
が、該酸化膜に対して高い反応性を有するＦ* がこれを
容易に除去するので、特にエッチング速度が低下する等
の問題は生じない。かかるエッチングにより、従来は−
１２０〜１３０℃もの低温が必要であったＤＯＰＯＳ層
の異方性加工が、わずか−４０℃で達成された。
Ｈ2 Ｏが過飽和となるが、ＳＦx + ，Ｏ+ ，Ｏ2 + 等の
イオンが入射する面では凝結した氷がスパッタ除去され
るのでＤＯＰＯＳ層のエッチングが進行した。また、−
４０℃程度の冷却温度ではラジカル反応が抑制されるに
は至らないが、パターン側壁部は氷で保護されるため、
Ｆ* （フッ素ラジカル）によりアンダカットが発生する
ことはなかった。さらに、この反応系では放電分解で発
生するＯ2 により被エッチング面に酸化膜が形成される
が、該酸化膜に対して高い反応性を有するＦ* がこれを
容易に除去するので、特にエッチング速度が低下する等
の問題は生じない。かかるエッチングにより、従来は−
１２０〜１３０℃もの低温が必要であったＤＯＰＯＳ層
の異方性加工が、わずか−４０℃で達成された。
【００２６】実施例４ 本実施例は、本発明の第２の発明を適用し、ＳＦ6 に微
量のＨ2Ｏを添加してなる混合ガスを用いてシリコン・
トレンチ・エッチングを行った例である。まず、シリコ
ン基板上に所定の形状にパターニングされた酸化シリコ
ンのマスクが形成されたウェハを用意し、これを平行平
板型ＲＩＥ装置のウェハ載置電極上にセットした。ウェ
ハ冷却温度−４０℃、ＳＦ6 流量５０ＳＣＣＭ，Ｈ2 Ｏ
添加量１００ｐｐｍ，ガス圧８Ｐａ（６０ｍＴｏｒ
ｒ）、ＲＦパワー密度０．３Ｗ／ｃｍ2 の条件で上記シ
リコン基板のエッチングを行った。このエッチング機構
は、前述の実施例３とほぼ同様であり、良好な異方性形
状を有するトレンチが形成された。
量のＨ2Ｏを添加してなる混合ガスを用いてシリコン・
トレンチ・エッチングを行った例である。まず、シリコ
ン基板上に所定の形状にパターニングされた酸化シリコ
ンのマスクが形成されたウェハを用意し、これを平行平
板型ＲＩＥ装置のウェハ載置電極上にセットした。ウェ
ハ冷却温度−４０℃、ＳＦ6 流量５０ＳＣＣＭ，Ｈ2 Ｏ
添加量１００ｐｐｍ，ガス圧８Ｐａ（６０ｍＴｏｒ
ｒ）、ＲＦパワー密度０．３Ｗ／ｃｍ2 の条件で上記シ
リコン基板のエッチングを行った。このエッチング機構
は、前述の実施例３とほぼ同様であり、良好な異方性形
状を有するトレンチが形成された。
【００２７】実施例５ 本実施例は、本発明の第２の発明を適用し、ＳＦ6 とＨ
Ｂｒにさらに微量のＨ2 Ｏを添加してなる混合ガスを用
いてゲート加工を想定したポリサイド膜の加工を行った
例である。まず、シリコン基板上に酸化シリコンからな
るゲート酸化膜を介してｎ+ 型ＤＯＰＯＳ層とおよびタ
ングステン・シリサイド層（以下、ＷＳｉx 層と称す
る。）とが順次積層されてなるポリサイド膜が形成さ
れ、該ポリサイド膜上に所定の形状にパターニングされ
たフォトレジスト・マスクが形成されてなるウェハを用
意した。このウェハを、図１（ａ）に示される状態の有
磁場マイクロ波プラズマ・エッチング装置のウェハ載置
電極９にセットした。ウェハ冷却温度−４０℃、ＳＦ6
流量３０ＳＣＣＭ，ＨＢｒ流量２０ＳＣＣＭ，Ｈ2 Ｏ添
加量１００ｐｐｍ，ガス圧１．３Ｐａ（１０ｍＴｏｒ
ｒ）、マイクロ波パワー８５０Ｗ、ＲＦバイアス・パワ
ー１０Ｗの条件で上記ポリサイド膜のエッチングを行っ
た。ここでも実施例２と同様、Ｈ2 Ｏは予めＳＦ6 に混
入させる方法で供給した。
Ｂｒにさらに微量のＨ2 Ｏを添加してなる混合ガスを用
いてゲート加工を想定したポリサイド膜の加工を行った
例である。まず、シリコン基板上に酸化シリコンからな
るゲート酸化膜を介してｎ+ 型ＤＯＰＯＳ層とおよびタ
ングステン・シリサイド層（以下、ＷＳｉx 層と称す
る。）とが順次積層されてなるポリサイド膜が形成さ
れ、該ポリサイド膜上に所定の形状にパターニングされ
たフォトレジスト・マスクが形成されてなるウェハを用
意した。このウェハを、図１（ａ）に示される状態の有
磁場マイクロ波プラズマ・エッチング装置のウェハ載置
電極９にセットした。ウェハ冷却温度−４０℃、ＳＦ6
流量３０ＳＣＣＭ，ＨＢｒ流量２０ＳＣＣＭ，Ｈ2 Ｏ添
加量１００ｐｐｍ，ガス圧１．３Ｐａ（１０ｍＴｏｒ
ｒ）、マイクロ波パワー８５０Ｗ、ＲＦバイアス・パワ
ー１０Ｗの条件で上記ポリサイド膜のエッチングを行っ
た。ここでも実施例２と同様、Ｈ2 Ｏは予めＳＦ6 に混
入させる方法で供給した。
【００２８】このエッチング過程では、約８０ｐｐｍの
Ｈ2 Ｏが過飽和となるが、ＳＦx + ，Ｂｒ+ ，Ｂ
ｒ2 + ，Ｏ+ ，Ｏ2 + 等のイオンが入射する面では凝結
した氷がスパッタ除去されるのでポリサイド膜のエッチ
ングが進行した。また、パターン側壁部は氷で保護され
るため、Ｆ* （フッ素ラジカル）によりアンダカットが
発生することはなかった。
Ｈ2 Ｏが過飽和となるが、ＳＦx + ，Ｂｒ+ ，Ｂ
ｒ2 + ，Ｏ+ ，Ｏ2 + 等のイオンが入射する面では凝結
した氷がスパッタ除去されるのでポリサイド膜のエッチ
ングが進行した。また、パターン側壁部は氷で保護され
るため、Ｆ* （フッ素ラジカル）によりアンダカットが
発生することはなかった。
【００２９】従来、ポリサイド膜のエッチングは、積層
された２種類の材料層について最適なエッチング条件が
それぞれ異なっていることから、ドライエッチング技術
に新たな困難をもたらしてきた。特に、ＤＯＰＯＳ層に
アンダカット等の形状異常が発生し易いため、ＷＳｉx
層とＤＯＰＯＳ層との界面にてエッチング条件を切り換
える等の工夫が種々提案されている。しかし本発明は、
エッチング系内の水分量と露点との関係により一義的な
量で凝結する氷を利用して側壁保護を行っているため、
異なる種類の膜が積層されてなる多層膜のエッチングに
おいても単一の温度設定により良好な異方性加工を行う
ことができる。これは、本発明の重要なメリットであ
る。
された２種類の材料層について最適なエッチング条件が
それぞれ異なっていることから、ドライエッチング技術
に新たな困難をもたらしてきた。特に、ＤＯＰＯＳ層に
アンダカット等の形状異常が発生し易いため、ＷＳｉx
層とＤＯＰＯＳ層との界面にてエッチング条件を切り換
える等の工夫が種々提案されている。しかし本発明は、
エッチング系内の水分量と露点との関係により一義的な
量で凝結する氷を利用して側壁保護を行っているため、
異なる種類の膜が積層されてなる多層膜のエッチングに
おいても単一の温度設定により良好な異方性加工を行う
ことができる。これは、本発明の重要なメリットであ
る。
【００３０】実施例６ 本実施例は、本発明の第２の発明を適用し、Ｃ3 Ｆ8 に
微量のＨ2 Ｏを添加してなる混合ガスを用いて酸化シリ
コン層のエッチングを行った例である。まず、シリコン
基板上にＣＶＤ等の手法により酸化シリコン層が形成
し、さらにその上に所定の形状にパターニングされたフ
ォトレジスト・マスクが形成されてなるウェハを用意
し、これをマグネトロンＲＩＥ装置のウェハ載置電極に
セットした。ウェハ冷却温度−４０℃、Ｃ3 Ｆ8 流量５
０ＳＣＣＭ，Ｈ2 Ｏ添加量１００ｐｐｍ，ガス圧２Ｐａ
（１５ｍＴｏｒｒ）、ＲＦパワー６００Ｗの条件で上記
酸化シリコン層のエッチングを行った。
微量のＨ2 Ｏを添加してなる混合ガスを用いて酸化シリ
コン層のエッチングを行った例である。まず、シリコン
基板上にＣＶＤ等の手法により酸化シリコン層が形成
し、さらにその上に所定の形状にパターニングされたフ
ォトレジスト・マスクが形成されてなるウェハを用意
し、これをマグネトロンＲＩＥ装置のウェハ載置電極に
セットした。ウェハ冷却温度−４０℃、Ｃ3 Ｆ8 流量５
０ＳＣＣＭ，Ｈ2 Ｏ添加量１００ｐｐｍ，ガス圧２Ｐａ
（１５ｍＴｏｒｒ）、ＲＦパワー６００Ｗの条件で上記
酸化シリコン層のエッチングを行った。
【００３１】本実施例の効果は以上の５つの実施例とは
若干異なり、異方性加工が達成できる冷却温度の高温化
と言うよりは、むしろ対レジスト選択比の向上にある。
それは、酸化シリコン層のエッチングがイオン・アシス
ト反応にもとづいており、側壁保護の必要性が元来少な
いからである。このエッチング過程においても、約８０
ｐｐｍのＨ2 Ｏが過飽和となり、氷がウェハ表面に凝結
する。ここで、被エッチング面である酸化シリコンの表
面ではイオン入射があること、およびエッチング種と酸
化シリコンとの反応熱によりウェハ温度が局部的に上昇
していること等の理由により、付着した氷は除去され易
い状態にある。これに対し、フォトレジスト・マスクの
表面では、反応熱が生成しないこと、およびプラズマ中
の水素とフォトレジスト材料との反応によってもＨ2 Ｏ
が生成すること等の理由により、氷が付着し易い状態と
なっている。したがって、対レジスト選択比が向上する
わけである。もちろん、パターン側壁部に付着した氷
は、炭素系ポリマーと共に側壁保護の役目を果たす。
若干異なり、異方性加工が達成できる冷却温度の高温化
と言うよりは、むしろ対レジスト選択比の向上にある。
それは、酸化シリコン層のエッチングがイオン・アシス
ト反応にもとづいており、側壁保護の必要性が元来少な
いからである。このエッチング過程においても、約８０
ｐｐｍのＨ2 Ｏが過飽和となり、氷がウェハ表面に凝結
する。ここで、被エッチング面である酸化シリコンの表
面ではイオン入射があること、およびエッチング種と酸
化シリコンとの反応熱によりウェハ温度が局部的に上昇
していること等の理由により、付着した氷は除去され易
い状態にある。これに対し、フォトレジスト・マスクの
表面では、反応熱が生成しないこと、およびプラズマ中
の水素とフォトレジスト材料との反応によってもＨ2 Ｏ
が生成すること等の理由により、氷が付着し易い状態と
なっている。したがって、対レジスト選択比が向上する
わけである。もちろん、パターン側壁部に付着した氷
は、炭素系ポリマーと共に側壁保護の役目を果たす。
【００３２】以上、６種類のプロセス例について説明し
たが、本発明は何らこれらに限定されるものではなく、
エッチングに使用するガス，エッチング条件等は被エッ
チング材料や使用する装置に応じて適宜選択あるいは設
定すれば良い。たとえば、Ｏを構成元素として有するガ
スとしては、実施例１で述べたＯ2 の他、ＮＯ，Ｎ
Ｏ2 ，Ｎ2 Ｏ等を使用することができる。また、Ｈを構
成元素として有するガスとしては、実施例１で述べたＨ
2の他、ＨＣｌ，ＨＦ，ＨＢｒ等のハロゲン化水素、Ｃ
Ｈ4 ，Ｃ2 Ｈ4 ，ＣＨ3 ＯＨ等の低分子の有機化合物、
およびＮＨ3 等を使用することができる。
たが、本発明は何らこれらに限定されるものではなく、
エッチングに使用するガス，エッチング条件等は被エッ
チング材料や使用する装置に応じて適宜選択あるいは設
定すれば良い。たとえば、Ｏを構成元素として有するガ
スとしては、実施例１で述べたＯ2 の他、ＮＯ，Ｎ
Ｏ2 ，Ｎ2 Ｏ等を使用することができる。また、Ｈを構
成元素として有するガスとしては、実施例１で述べたＨ
2の他、ＨＣｌ，ＨＦ，ＨＢｒ等のハロゲン化水素、Ｃ
Ｈ4 ，Ｃ2 Ｈ4 ，ＣＨ3 ＯＨ等の低分子の有機化合物、
およびＮＨ3 等を使用することができる。
【００３３】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の第１の発明および第２の発明によれば、共にエッチ
ング系内にＨ2 Ｏを存在せしめることにより、水分量と
露点との関係により氷をウェハ上に凝結させ、これを側
壁保護に利用する。したがって、従来の低温エッチング
よりもウェハ冷却温度を室温に近づけることができる。
また、異なる種類の材料層からなる多層膜構造部も単一
の温度における異方性加工が可能となる他、対下地選択
比および対レジスト選択比も向上させることができる。
凝結した氷は加熱や真空引きにより容易に蒸発除去で
き、何らパーティクル汚染を招く虞れはない。しかも、
本発明はエッチング装置の種類を選ばず、あらゆる種類
の低温エッチング・プロセスに適用できる。したがって
本発明は、微細なデザイン・ルールにもとづく半導体装
置の信頼性、およびその製造における経済性，生産性を
向上させるに極めて有効である。
明の第１の発明および第２の発明によれば、共にエッチ
ング系内にＨ2 Ｏを存在せしめることにより、水分量と
露点との関係により氷をウェハ上に凝結させ、これを側
壁保護に利用する。したがって、従来の低温エッチング
よりもウェハ冷却温度を室温に近づけることができる。
また、異なる種類の材料層からなる多層膜構造部も単一
の温度における異方性加工が可能となる他、対下地選択
比および対レジスト選択比も向上させることができる。
凝結した氷は加熱や真空引きにより容易に蒸発除去で
き、何らパーティクル汚染を招く虞れはない。しかも、
本発明はエッチング装置の種類を選ばず、あらゆる種類
の低温エッチング・プロセスに適用できる。したがって
本発明は、微細なデザイン・ルールにもとづく半導体装
置の信頼性、およびその製造における経済性，生産性を
向上させるに極めて有効である。
【図１】本発明のドライエッチング方法を実施するにあ
たり使用される有磁場マイクロ波プラズマ・エッチング
装置の使用例を示す概略断面図であり、（ａ）は低温エ
ッチング中の使用状態、（ｂ）は低温エッチング後のプ
ラズマ処理における使用状態をそれぞれ示す。
たり使用される有磁場マイクロ波プラズマ・エッチング
装置の使用例を示す概略断面図であり、（ａ）は低温エ
ッチング中の使用状態、（ｂ）は低温エッチング後のプ
ラズマ処理における使用状態をそれぞれ示す。
【図２】図１に示される有磁場マイクロ波プラズマ・エ
ッチング装置においてウェハ載置電極の他の構成例を示
す概略断面図である。
ッチング装置においてウェハ載置電極の他の構成例を示
す概略断面図である。
【図３】図１に示される有磁場マイクロ波プラズマ・エ
ッチング装置においてウェハ載置電極のさらに他の構成
例を示す概略断面図である。
ッチング装置においてウェハ載置電極のさらに他の構成
例を示す概略断面図である。
８ ・・・ウェハ ９ ・・・ウェハ載置電極 １０ ・・・ピン １３，１３ａ，１３ｂ・・・冷却ガス管
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｏを構成元素として有するガスとＨを構
成元素として有するガスを含む混合ガスを用い、被エッ
チング基体の温度を０℃以下に制御しながらエッチング
を行うドライエッチング方法において、 プラズマ放電により気相中に生成したＨ 2 Ｏを氷となし
てパターン側壁部に被着させることにより上記パターン
側壁部の保護をしつつエッチングを行い、エッチング終
了後、上記被エッチング基体の温度を室温近傍まで上昇
させることにより上記氷を除去する ことを特徴とするド
ライエッチング方法。 - 【請求項２】 Ｈ2Ｏを含むエッチング・ガスを用い、
被エッチング基体の温度を０℃以下に制御しながらエッ
チングを行うドライエッチング方法において、 上記被エッチング基体の近傍で過飽和となるＨ 2 Ｏを氷
となしてパターン側壁部に被着させることにより上記パ
ターン側壁部の保護をしつつエッチングを行い、エッチ
ング終了後、上記被エッチング基体の温度を室温近傍ま
で上昇させることにより上記氷を除去する ことを特徴と
するドライエッチング方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2416336A JP3013446B2 (ja) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | ドライエッチング方法 |
| US07/816,383 US5194118A (en) | 1990-12-28 | 1991-12-27 | Dry etching method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2416336A JP3013446B2 (ja) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | ドライエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04233728A JPH04233728A (ja) | 1992-08-21 |
| JP3013446B2 true JP3013446B2 (ja) | 2000-02-28 |
Family
ID=18524565
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2416336A Expired - Fee Related JP3013446B2 (ja) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | ドライエッチング方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5194118A (ja) |
| JP (1) | JP3013446B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8209778B2 (en) | 2004-12-07 | 2012-07-03 | Yamamoto Kogaku Co., Ltd. | Headgear |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0729175A1 (en) * | 1995-02-24 | 1996-08-28 | International Business Machines Corporation | Method for producing deep vertical structures in silicon substrates |
| JP3351183B2 (ja) * | 1995-06-19 | 2002-11-25 | 株式会社デンソー | シリコン基板のドライエッチング方法及びトレンチ形成方法 |
| US5693241A (en) * | 1996-06-18 | 1997-12-02 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Atmospheric pressure method and apparatus for removal of organic matter with atomic and ionic oxygen |
| FR2789804B1 (fr) * | 1999-02-17 | 2002-08-23 | France Telecom | Procede de gravure anisotrope par plasma gazeux d'un materiau polymere dielectrique organique et application a la microelectronique |
| DE19910984C2 (de) * | 1999-03-12 | 2001-05-10 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Herstellung von Polymerstrukturen auf einem Substrat mittels eines Ätzprozesses |
| JP3527901B2 (ja) * | 2001-07-24 | 2004-05-17 | 株式会社日立製作所 | プラズマエッチング方法 |
| KR100425467B1 (ko) * | 2001-09-29 | 2004-03-30 | 삼성전자주식회사 | 반도체소자를 위한 건식 식각방법 |
| TW561515B (en) * | 2001-11-30 | 2003-11-11 | Tokyo Electron Ltd | Processing device, and gas discharge suppressing member |
| JP3921234B2 (ja) * | 2002-02-28 | 2007-05-30 | キヤノンアネルバ株式会社 | 表面処理装置及びその製造方法 |
| US7524431B2 (en) | 2004-12-09 | 2009-04-28 | President And Fellows Of Harvard College | Lift-off patterning processing employing energetically-stimulated local removal of solid-condensed-gas layers |
| US7435353B2 (en) * | 2004-12-09 | 2008-10-14 | President And Fellows Of Harvard College | Patterning by energetically-stimulated local removal of solid-condensed-gas layers and solid state chemical reactions produced with such layers |
| US20060166416A1 (en) * | 2005-01-27 | 2006-07-27 | International Business Machines Corporation | Addition of ballast hydrocarbon gas to doped polysilicon etch masked by resist |
| US7465680B2 (en) * | 2005-09-07 | 2008-12-16 | Applied Materials, Inc. | Post deposition plasma treatment to increase tensile stress of HDP-CVD SIO2 |
| US7749400B2 (en) * | 2005-12-16 | 2010-07-06 | Jason Plumhoff | Method for etching photolithographic substrates |
| KR20080038503A (ko) * | 2006-10-30 | 2008-05-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 리세스 게이트를 갖는 반도체 소자의 제조 방법 |
| JP4755963B2 (ja) * | 2006-10-30 | 2011-08-24 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
| JP6408903B2 (ja) * | 2014-12-25 | 2018-10-17 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング処理方法及びエッチング処理装置 |
| JP6449141B2 (ja) * | 2015-06-23 | 2019-01-09 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング処理方法及びプラズマ処理装置 |
| JP2019179889A (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-17 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法及びプラズマ処理装置 |
| WO2022164760A1 (en) * | 2021-01-29 | 2022-08-04 | The Regents Of The University Of California | Mask absorber layers for extreme ultraviolet lithography |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3773578A (en) * | 1970-12-01 | 1973-11-20 | Us Army | Method of continuously etching a silicon substrate |
| US4028155A (en) * | 1974-02-28 | 1977-06-07 | Lfe Corporation | Process and material for manufacturing thin film integrated circuits |
| US4207105A (en) * | 1975-01-27 | 1980-06-10 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Plasma-etching image in exposed AgX emulsion |
| US4292384A (en) * | 1977-09-30 | 1981-09-29 | Horizons Research Incorporated | Gaseous plasma developing and etching process employing low voltage DC generation |
| US4229247A (en) * | 1978-12-26 | 1980-10-21 | International Business Machines Corporation | Glow discharge etching process for chromium |
| US4529860A (en) * | 1982-08-02 | 1985-07-16 | Motorola, Inc. | Plasma etching of organic materials |
| JPS63128630A (ja) * | 1986-11-19 | 1988-06-01 | Hitachi Ltd | 低温ドライエツチング装置 |
| US4956043A (en) * | 1987-05-25 | 1990-09-11 | Hitachi, Ltd. | Dry etching apparatus |
| US4961820A (en) * | 1988-06-09 | 1990-10-09 | Fujitsu Limited | Ashing method for removing an organic film on a substance of a semiconductor device under fabrication |
-
1990
- 1990-12-28 JP JP2416336A patent/JP3013446B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-12-27 US US07/816,383 patent/US5194118A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8209778B2 (en) | 2004-12-07 | 2012-07-03 | Yamamoto Kogaku Co., Ltd. | Headgear |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5194118A (en) | 1993-03-16 |
| JPH04233728A (ja) | 1992-08-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3013446B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JP3259380B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US5380397A (en) | Method of treating samples | |
| US5266154A (en) | Dry etching method | |
| JP3044824B2 (ja) | ドライエッチング装置及びドライエッチング方法 | |
| JP3220992B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| TWI684201B (zh) | 被處理體之處理方法 | |
| JPH04257227A (ja) | 配線形成方法 | |
| JP3018532B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JPH0722393A (ja) | ドライエッチング装置及びドライエッチング方法 | |
| JP2002299316A (ja) | プラズマ処理方法 | |
| JPH10116822A (ja) | ドライエッチング装置およびドライエッチング方法 | |
| JP3263852B2 (ja) | プラズマ装置およびこれを用いたドライエッチング方法 | |
| JP3072651B2 (ja) | 半導体装置の製造方法およびチャンバ・システム | |
| JP3225559B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JP3303375B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JP3038984B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JPH1180961A (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
| JP3120513B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JP2855898B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JP2684868B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JPH0491432A (ja) | マグネトロンｒｉｅ装置 | |
| JPH09260350A (ja) | 酸化シリコン系絶縁膜のプラズマエッチング方法 | |
| JPH0653185A (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JPH04369835A (ja) | ドライエッチング方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |