JP3356654B2 - 半導体ウエハ成膜装置 - Google Patents
半導体ウエハ成膜装置Info
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- JP3356654B2 JP3356654B2 JP18852297A JP18852297A JP3356654B2 JP 3356654 B2 JP3356654 B2 JP 3356654B2 JP 18852297 A JP18852297 A JP 18852297A JP 18852297 A JP18852297 A JP 18852297A JP 3356654 B2 JP3356654 B2 JP 3356654B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハに成
膜を行う装置に係り、特に半導体ウエハを収納する真空
チャンバ内に堆積した不要な形成膜を除去する機能を有
する半導体ウエハ成膜装置に関する。
膜を行う装置に係り、特に半導体ウエハを収納する真空
チャンバ内に堆積した不要な形成膜を除去する機能を有
する半導体ウエハ成膜装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体基板上に成膜する装置と
しては、ターゲットとプラズマ放電を用いて半導体ウエ
ハに成膜するスパッタリング装置や、プロセスガス雰囲
気の中で、プラズマ放電や加熱によって半導体基板上に
成膜するＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）装置等
が知られている。
しては、ターゲットとプラズマ放電を用いて半導体ウエ
ハに成膜するスパッタリング装置や、プロセスガス雰囲
気の中で、プラズマ放電や加熱によって半導体基板上に
成膜するＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）装置等
が知られている。
【０００３】図２には、一般的なＣＶＤ装置の概略的な
構成を示す。このＣＶＤ装置は、排気系２７により真空
引きされるチャンバ２１と、そのチャンバ２１内に設け
られる導入されたプロセスガスを整流するための複数の
孔を有する整流板２２と、前記整流板２２と対向して配
置される半導体ウエハを載置する載置台２３と、前記チ
ャンバ２１内の半導体ウエハ載置台２３の周囲に設けら
れたガス排気口２４と、チャンバ２１内にプロセスガス
を導入するガス導入口２５と、所望のプロセスガス等を
供給するためのガス供給部２６とで構成される。また前
記整流板２２及び載置台２３を電極として、放電を行う
ための図示しない電源が設けられているものとする。
構成を示す。このＣＶＤ装置は、排気系２７により真空
引きされるチャンバ２１と、そのチャンバ２１内に設け
られる導入されたプロセスガスを整流するための複数の
孔を有する整流板２２と、前記整流板２２と対向して配
置される半導体ウエハを載置する載置台２３と、前記チ
ャンバ２１内の半導体ウエハ載置台２３の周囲に設けら
れたガス排気口２４と、チャンバ２１内にプロセスガス
を導入するガス導入口２５と、所望のプロセスガス等を
供給するためのガス供給部２６とで構成される。また前
記整流板２２及び載置台２３を電極として、放電を行う
ための図示しない電源が設けられているものとする。
【０００４】この構成において、半導体ウエハが載置台
２３に装填され、排気系により真空引きされるチャンバ
２１内に、整流板２２を経て半導体ウエハの表面に所定
のプロセスガスを供給しつつ、プラズマ放電を行い、そ
の半導体ウエハの表面に成膜する。
２３に装填され、排気系により真空引きされるチャンバ
２１内に、整流板２２を経て半導体ウエハの表面に所定
のプロセスガスを供給しつつ、プラズマ放電を行い、そ
の半導体ウエハの表面に成膜する。
【０００５】このような成膜工程を終了した後、半導体
ウエハをチャンバ外に取り出し、チャンバ２１の内壁に
付着した不要な膜を取り除くためのクリーニング処理を
施す。このクリーニング処理は、ガス供給部２６から所
定のクリーニング用ガスをチャンバ２１内に導入し、プ
ラズマ放電を行い、不要な膜をエッチングしチャンバ外
に排気する。
ウエハをチャンバ外に取り出し、チャンバ２１の内壁に
付着した不要な膜を取り除くためのクリーニング処理を
施す。このクリーニング処理は、ガス供給部２６から所
定のクリーニング用ガスをチャンバ２１内に導入し、プ
ラズマ放電を行い、不要な膜をエッチングしチャンバ外
に排気する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】前述した従来の成膜装
置の構造では、半導体ウエハへの成膜時にプロセスガス
がチャンバ２１内の全体に広がり、半導体ウエハ上への
成膜の効率が悪い。また、チャンバ２１が大きいほど、
プロセスガスの流れが影響して濃度分布が異なり、成膜
されたウエハ内の膜厚分布に差が生じる。
置の構造では、半導体ウエハへの成膜時にプロセスガス
がチャンバ２１内の全体に広がり、半導体ウエハ上への
成膜の効率が悪い。また、チャンバ２１が大きいほど、
プロセスガスの流れが影響して濃度分布が異なり、成膜
されたウエハ内の膜厚分布に差が生じる。
【０００７】また、チャンバ２１の内壁に付着した不要
な膜を除去する際に、チャンバ内全体にその不要な膜が
付着していると、その全体をクリーニングエッチングす
るこことなり、時間を要したり、クリーニングの効率が
悪くなる。
な膜を除去する際に、チャンバ内全体にその不要な膜が
付着していると、その全体をクリーニングエッチングす
るこことなり、時間を要したり、クリーニングの効率が
悪くなる。
【０００８】また、プロセスガスがチャンバ内全体に広
がると、プロセスガスの回り込みにより、クリーニング
されづらい箇所に不要な膜が付着されこともあり、クリ
ーニングエッチングで除去できない場合には、ゴミとな
ってチャンバ内に残ってしまいう。この様な場合には、
作業者がチャンバを開けて、部品交換や薬液による洗浄
等のクリーニング作業を行っていた。
がると、プロセスガスの回り込みにより、クリーニング
されづらい箇所に不要な膜が付着されこともあり、クリ
ーニングエッチングで除去できない場合には、ゴミとな
ってチャンバ内に残ってしまいう。この様な場合には、
作業者がチャンバを開けて、部品交換や薬液による洗浄
等のクリーニング作業を行っていた。
【０００９】そこで本発明は、チャンバ内でプロセスガ
スを半導体ウエハに集中させてプラズマを発生させるこ
とにより、効率的に半導体ウエハに成膜して、チャンバ
内に付着する不要な膜を減少させつつ、且つチャンバク
リーニングを効率的に行うことによって、スループット
向上及び低生産コスト化を実現する半導体ウエハ成膜装
置を提供することを目的とする。
スを半導体ウエハに集中させてプラズマを発生させるこ
とにより、効率的に半導体ウエハに成膜して、チャンバ
内に付着する不要な膜を減少させつつ、且つチャンバク
リーニングを効率的に行うことによって、スループット
向上及び低生産コスト化を実現する半導体ウエハ成膜装
置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、排気系により真空引きされるチャンバと、
前記チャンバ内に配置され、半導体ウエハを載置装着
し、下部電極を兼ねる載置手段と、前記載置手段と対向
して配置され、外部から導入されたプロセスガスを均一
に前記半導体ウエハに供給し、上部電極を兼ねるガス整
流手段と、前記プロセスガスを前記ガス整流手段に供給
するガス供給手段と、前記載置手段とガス整流手段との
間に放電を生じさせる電源とを備え、半導体ウエハ表面
に膜を形成する半導体ウエハ成膜装置において、前記載
置手段に載置される前記半導体ウエハの周囲を囲むよう
に配置される壁と、前記壁を前記ガス整流手段の近傍ま
で移動させる移動機構とを具備し、前記半導体ウエハへ
成膜時に前記壁を前記ガス整流手段の近傍まで移動させ
て前記プロセスガスの流れを制御する半導体ウエハ成膜
装置を提供する。
するために、排気系により真空引きされるチャンバと、
前記チャンバ内に配置され、半導体ウエハを載置装着
し、下部電極を兼ねる載置手段と、前記載置手段と対向
して配置され、外部から導入されたプロセスガスを均一
に前記半導体ウエハに供給し、上部電極を兼ねるガス整
流手段と、前記プロセスガスを前記ガス整流手段に供給
するガス供給手段と、前記載置手段とガス整流手段との
間に放電を生じさせる電源とを備え、半導体ウエハ表面
に膜を形成する半導体ウエハ成膜装置において、前記載
置手段に載置される前記半導体ウエハの周囲を囲むよう
に配置される壁と、前記壁を前記ガス整流手段の近傍ま
で移動させる移動機構とを具備し、前記半導体ウエハへ
成膜時に前記壁を前記ガス整流手段の近傍まで移動させ
て前記プロセスガスの流れを制御する半導体ウエハ成膜
装置を提供する。
【００１１】前記半導体ウエハ成膜装置において、前記
載置手段が前記ガス整流手段に対して半導体ウエハを載
置する部位を遠近方向に移動する移動手段と、前記ガス
供給手段がクリーニング用エッチングガスを供給する手
段とをさらに備え、前記載置手段を前記移動手段でガス
整流手段から遠ざけ、前記壁を前記ガス整流手段の近傍
まで移動させた状態で、前記チャンバ内に前記クリーニ
ング用エッチングガスを供給して放電し、前記壁に堆積
した膜を除去した後、前記壁を前記ガス整流手段から遠
ざけるように移動させて、前記チャンバ内に堆積した膜
を除去することにより前記チャンバ内をクリーニングす
る。
載置手段が前記ガス整流手段に対して半導体ウエハを載
置する部位を遠近方向に移動する移動手段と、前記ガス
供給手段がクリーニング用エッチングガスを供給する手
段とをさらに備え、前記載置手段を前記移動手段でガス
整流手段から遠ざけ、前記壁を前記ガス整流手段の近傍
まで移動させた状態で、前記チャンバ内に前記クリーニ
ング用エッチングガスを供給して放電し、前記壁に堆積
した膜を除去した後、前記壁を前記ガス整流手段から遠
ざけるように移動させて、前記チャンバ内に堆積した膜
を除去することにより前記チャンバ内をクリーニングす
る。
【００１２】以上のような構成の半導体ウエハ成膜装置
により、チャンバ内で導入されたプロセスガスを均一化
する整流板と対向して配置する半導体ウエハを載置する
半導体ウエハ載置台の周囲に、上下移動可能な壁を設
け、成膜時には、壁の上端を整流板に近接させ、プロセ
スガスが半導体ウエハ上に多く溜まらせて効率的に成膜
する。
により、チャンバ内で導入されたプロセスガスを均一化
する整流板と対向して配置する半導体ウエハを載置する
半導体ウエハ載置台の周囲に、上下移動可能な壁を設
け、成膜時には、壁の上端を整流板に近接させ、プロセ
スガスが半導体ウエハ上に多く溜まらせて効率的に成膜
する。
【００１３】前記壁によりプロセスガスの流れとプラズ
マを制限することにより、チャンバ内壁等への不要な膜
の付着を低減し、クリーニング処理の際に、上昇させた
状態の壁に付着した不要な膜を集中的に除去し、壁に付
着した不要な膜が除去された時を見計らって、壁を下降
させて、クリーニング用のプラズマがチャンバ全体に広
がるようにして、チャンバ壁面やその他の箇所に堆積し
た不要な膜を除去する。
マを制限することにより、チャンバ内壁等への不要な膜
の付着を低減し、クリーニング処理の際に、上昇させた
状態の壁に付着した不要な膜を集中的に除去し、壁に付
着した不要な膜が除去された時を見計らって、壁を下降
させて、クリーニング用のプラズマがチャンバ全体に広
がるようにして、チャンバ壁面やその他の箇所に堆積し
た不要な膜を除去する。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態について詳細に説明する。図１には、本発明によ
る半導体ウエハ成膜装置の一実施形態としての構成例を
示し説明する。本実施形態における半導体ウエハ成膜装
置は、ＣＶＤ装置を例とする。
施形態について詳細に説明する。図１には、本発明によ
る半導体ウエハ成膜装置の一実施形態としての構成例を
示し説明する。本実施形態における半導体ウエハ成膜装
置は、ＣＶＤ装置を例とする。
【００１５】図１（ａ）に示す半導体ウエハ成膜装置
は、排気系２により真空引きされるチャンバ１と、その
チャンバ１内に設けられ導入されたプロセスガスを整流
するための複数の孔を有する整流板３（上部電極）と、
前記整流板３と対向して配置され半導体ウエハ４を載置
装着し、上下移動可能な半導体ウエハ載置台５（下部電
極）と、前記チャンバ１内の半導体ウエハ載置台５の周
囲のチャンバ壁に設けられたガス排気口６と、チャンバ
１内にプロセスガスを導入するガス導入口７と、チャン
バ１までの配管やバルブ等を備え、所望のプロセスガス
等や後述するクリーニング用エッチングガスを供給する
ためのガス供給部８と、また前記整流板３及び半導体ウ
エハ載置台５を電極として、放電を行うための電源９
と、半導体ウエハ載置台５の周囲で半導体ウエハ４を取
り囲むような壁１０ａを有し、その壁１０ａを上下駆動
機構１０ｂにより、上下に移動可能な発明の特徴となる
気流制御部１０とで構成される。
は、排気系２により真空引きされるチャンバ１と、その
チャンバ１内に設けられ導入されたプロセスガスを整流
するための複数の孔を有する整流板３（上部電極）と、
前記整流板３と対向して配置され半導体ウエハ４を載置
装着し、上下移動可能な半導体ウエハ載置台５（下部電
極）と、前記チャンバ１内の半導体ウエハ載置台５の周
囲のチャンバ壁に設けられたガス排気口６と、チャンバ
１内にプロセスガスを導入するガス導入口７と、チャン
バ１までの配管やバルブ等を備え、所望のプロセスガス
等や後述するクリーニング用エッチングガスを供給する
ためのガス供給部８と、また前記整流板３及び半導体ウ
エハ載置台５を電極として、放電を行うための電源９
と、半導体ウエハ載置台５の周囲で半導体ウエハ４を取
り囲むような壁１０ａを有し、その壁１０ａを上下駆動
機構１０ｂにより、上下に移動可能な発明の特徴となる
気流制御部１０とで構成される。
【００１６】このように構成された半導体ウエハ成膜装
置において図１（ａ）を参照して、半導体ウエハ３に成
膜する状態における前記気流制御部１０の作用について
説明する。
置において図１（ａ）を参照して、半導体ウエハ３に成
膜する状態における前記気流制御部１０の作用について
説明する。
【００１７】本実施形態の初期状態として、気流制御部
１０の壁１０ａは下降した状態であり、半導体ウエハ載
置台５は、半導体ウエハ４が載置可能な状態で有れば上
昇しててもよいし下降しててもよい。
１０の壁１０ａは下降した状態であり、半導体ウエハ載
置台５は、半導体ウエハ４が載置可能な状態で有れば上
昇しててもよいし下降しててもよい。
【００１８】まず、半導体ウエハ４を半導体ウエハ載置
台５に載置装着した後、チャンバ１を所定真空度まで真
空引きする。次にチャンバ１内で上下駆動機構１０ｂを
駆動して、壁１０ａを上昇させて、壁１０ａの上端を整
流板３にプロセスガスが排気可能な隙間になる程度まで
近接させる。この壁１０ａの上昇により、導入されたプ
ロセスガスが半導体ウエハ４上に多く溜まることとな
る。
台５に載置装着した後、チャンバ１を所定真空度まで真
空引きする。次にチャンバ１内で上下駆動機構１０ｂを
駆動して、壁１０ａを上昇させて、壁１０ａの上端を整
流板３にプロセスガスが排気可能な隙間になる程度まで
近接させる。この壁１０ａの上昇により、導入されたプ
ロセスガスが半導体ウエハ４上に多く溜まることとな
る。
【００１９】次に、真空引きされるチャンバ１内にガス
供給部８によりガス導入口７からプロセスガスを導入
し、整流板３の孔により均一に半導体ウエハ４に供給す
る。そして電源９により、上部電極及び下部電極となる
整流板３と半導体ウエハ載置台５との間に高周波電流を
印加し、プラズマ放電を行い、プロセスガスによる堆積
膜を半導体ウエハ４上に成膜する。
供給部８によりガス導入口７からプロセスガスを導入
し、整流板３の孔により均一に半導体ウエハ４に供給す
る。そして電源９により、上部電極及び下部電極となる
整流板３と半導体ウエハ載置台５との間に高周波電流を
印加し、プラズマ放電を行い、プロセスガスによる堆積
膜を半導体ウエハ４上に成膜する。
【００２０】この成膜時には、気流制御部１０の壁１０
ａを上昇させて、半導体ウエハ４により多くのプロセス
ガスが集まるように、半導休ウエハ４上への成膜効率を
高めている。
ａを上昇させて、半導体ウエハ４により多くのプロセス
ガスが集まるように、半導休ウエハ４上への成膜効率を
高めている。
【００２１】特に、壁１０ａを上昇させている状態によ
り、プロセスガスやプラズマがチャンバ１内の他の箇所
に回り込むことが少なくなり、不要な膜が付着し難くな
っている。
り、プロセスガスやプラズマがチャンバ１内の他の箇所
に回り込むことが少なくなり、不要な膜が付着し難くな
っている。
【００２２】尚、壁１０ａを整流板３に近接させてプラ
ズマ放電を行うと、壁１０ａが導電性の部材の場合、プ
ラズマ放電に影響を与えるため、壁１０ａは、アルミナ
セラミックス等の絶縁材で形成されている。
ズマ放電を行うと、壁１０ａが導電性の部材の場合、プ
ラズマ放電に影響を与えるため、壁１０ａは、アルミナ
セラミックス等の絶縁材で形成されている。
【００２３】次に図１（ｂ）を参照して、チャンバー内
に堆積した不要な膜を除去するクリーニング処理を行う
場合について説明する。まず、成膜された半導体ウエハ
４をチャンバ外に取り出した後、気流制御部１０の壁１
０ａを上昇させた状態で、半導体ウエハ載置台５を下降
させる。そして、フッ素系のクリーニング用のエッチン
グガス例えば、ＣＦ4 、Ｃ2 Ｆ6 、ＮＦ3 等のいずれか
が、若しくは他のガスとの混合によりガス供給部８から
チャンバ１内に導入され、放電が開始される。
に堆積した不要な膜を除去するクリーニング処理を行う
場合について説明する。まず、成膜された半導体ウエハ
４をチャンバ外に取り出した後、気流制御部１０の壁１
０ａを上昇させた状態で、半導体ウエハ載置台５を下降
させる。そして、フッ素系のクリーニング用のエッチン
グガス例えば、ＣＦ4 、Ｃ2 Ｆ6 、ＮＦ3 等のいずれか
が、若しくは他のガスとの混合によりガス供給部８から
チャンバ１内に導入され、放電が開始される。
【００２４】この放電により、壁１０ａに付着する不要
な膜は除去されて、チャンバ外に排気される。前記壁１
０ａに付着した不要な膜が除去された時を見計らって、
上下駆動機構１０ｂにより、壁１０ａを下降させて、ク
リーニング用のエッチングガスによるプラズマがチャン
バ１全体に広がるようにして、チャンバ１の壁面やその
他の箇所に付着した不要な膜を除去する。尚、本実施形
態における半導体ウエハ載置台５や、気流制御部１０の
位置や形状は、チャンバ内の形状や圧カ、使用ガスの種
類、流量等によって決まるのでここでは限定されない。
な膜は除去されて、チャンバ外に排気される。前記壁１
０ａに付着した不要な膜が除去された時を見計らって、
上下駆動機構１０ｂにより、壁１０ａを下降させて、ク
リーニング用のエッチングガスによるプラズマがチャン
バ１全体に広がるようにして、チャンバ１の壁面やその
他の箇所に付着した不要な膜を除去する。尚、本実施形
態における半導体ウエハ載置台５や、気流制御部１０の
位置や形状は、チャンバ内の形状や圧カ、使用ガスの種
類、流量等によって決まるのでここでは限定されない。
【００２５】以上説明したように本実施形態によれば、
半導体ウエハに膜を形成する時、プロセスガスを半導体
ウエハ上により多く集めることができ、膜形成が効率的
となり、成膜時間を短くすることができ、若しくはプロ
セスガス使用量を削減することができる。
半導体ウエハに膜を形成する時、プロセスガスを半導体
ウエハ上により多く集めることができ、膜形成が効率的
となり、成膜時間を短くすることができ、若しくはプロ
セスガス使用量を削減することができる。
【００２６】また、本実施形態では、成膜時に壁で半導
体ウエハの周囲を囲むことで、従来に比べてチャンバ内
壁等に付着する不要な膜の量（厚さ）が減少でき、クリ
ーニング処理の際は、壁に付着した不要な膜を集中的に
エッチングする事が可能で、クリーニング（メンテナン
ス）時間の短縮化を実現し、さらにエッチングガス使用
量も削減する事が容易にできる。
体ウエハの周囲を囲むことで、従来に比べてチャンバ内
壁等に付着する不要な膜の量（厚さ）が減少でき、クリ
ーニング処理の際は、壁に付着した不要な膜を集中的に
エッチングする事が可能で、クリーニング（メンテナン
ス）時間の短縮化を実現し、さらにエッチングガス使用
量も削減する事が容易にできる。
【００２７】尚、本実施形態では、クリーニング処理の
エッチングの際に、半導体ウエハ載置台を下降させて、
退避させたが、ダミーウエハを半導体ウエハ載置台に載
置して、クリーニングを実施しても良い。
エッチングの際に、半導体ウエハ載置台を下降させて、
退避させたが、ダミーウエハを半導体ウエハ載置台に載
置して、クリーニングを実施しても良い。
【００２８】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、チ
ャンバ内でプロセスガスを半導体ウエハに集中させるプ
ラズマを発生させることにより、プロセスガスを効率的
に半導体ウエハに用いることができ、半導体ウエハへの
成膜効率を高め、チャンバ内に付着する不要な膜を減少
させつつ、且つチャンバクリーニングを効率的に行うこ
とによって、スループット向上及び低生産コスト化を実
現する半導体ウエハ成膜装置を提供することができる。
ャンバ内でプロセスガスを半導体ウエハに集中させるプ
ラズマを発生させることにより、プロセスガスを効率的
に半導体ウエハに用いることができ、半導体ウエハへの
成膜効率を高め、チャンバ内に付着する不要な膜を減少
させつつ、且つチャンバクリーニングを効率的に行うこ
とによって、スループット向上及び低生産コスト化を実
現する半導体ウエハ成膜装置を提供することができる。
【図１】本実施形態の半導体ウエハ成膜装置の構成例を
示す図である。
示す図である。
【図２】従来の成膜装置（ＣＶＤ装置）の概略的な構成
を示す図である。
を示す図である。
１…チャンバ ２…排気系 ３…整流板（上部電極） ４…半導体ウエハ ５…半導体ウエハ載置台（下部電極） ６…ガス排気口 ７…ガス導入口 ８…ガス供給部 ９…電源 １０…気流制御部 １０ａ…壁 １０ｂ…上下駆動機構
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 本間 勉 神奈川県川崎市川崎区駅前本町25番地１ 東芝マイクロエレクトロニクス株式会 社内 (72)発明者 土屋 忠利 神奈川県川崎市川崎区駅前本町25番地１ 東芝マイクロエレクトロニクス株式会 社内 (72)発明者 井口 幸治 神奈川県川崎市川崎区駅前本町25番地１ 東芝マイクロエレクトロニクス株式会 社内 (72)発明者 山田 明弘 神奈川県川崎市川崎区駅前本町25番地１ 東芝マイクロエレクトロニクス株式会 社内 (56)参考文献 特開 平３−183128（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−235523（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−260158（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/205 C23C 16/44 C23C 16/455
Claims (2)
- 【請求項１】 排気系により真空引きされるチャンバ
と、 前記チャンバ内に配置され、半導体ウエハを載置装着
し、下部電極を兼ねる載置手段と、 前記載置手段と対向して配置され、外部から導入された
プロセスガスを均一に前記半導体ウエハに供給し、上部
電極を兼ねるガス整流手段と、 前記プロセスガスを前記ガス整流手段に供給するガス供
給手段と、 前記載置手段とガス整流手段との間に放電を生じさせる
電源と、を備え、半導体ウエハ表面に膜を形成する半導
体ウエハ成膜装置において、 前記載置手段に載置される前記半導体ウエハの周囲を囲
むように配置される壁と、 前記壁を前記ガス整流手段の近傍まで移動させる移動機
構とを具備し、 前記半導体ウエハへ成膜時に前記壁を前記ガス整流手段
の近傍まで移動させて前記プロセスガスの流れを制御す
ることを特徴とする半導体ウエハ成膜装置。 - 【請求項２】 前記半導体ウエハ成膜装置において、 前記載置手段が前記ガス整流手段に対して、半導体ウエ
ハを載置する部位を遠近方向に移動させる移動手段と、 前記ガス供給手段がクリーニング用エッチングガスを供
給する手段と、をさらに具備し、 前記載置手段を前記移動手段でガス整流手段から遠ざ
け、前記壁を前記ガス整流手段の近傍まで移動させた状
態で、前記チャンバ内に前記クリーニング用エッチング
ガスを供給して放電し、前記壁に堆積した膜を除去した
後、前記壁を前記ガス整流手段から遠ざけるように移動
させて、前記チャンバ内に堆積した膜を除去することに
より前記チャンバ内をクリーニングすることを特徴とす
る請求項１に記載の半導体ウエハ成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18852297A JP3356654B2 (ja) | 1997-07-14 | 1997-07-14 | 半導体ウエハ成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18852297A JP3356654B2 (ja) | 1997-07-14 | 1997-07-14 | 半導体ウエハ成膜装置 |
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