JPH01297818A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPH01297818A JPH01297818A JP12763888A JP12763888A JPH01297818A JP H01297818 A JPH01297818 A JP H01297818A JP 12763888 A JP12763888 A JP 12763888A JP 12763888 A JP12763888 A JP 12763888A JP H01297818 A JPH01297818 A JP H01297818A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrodes
- film
- gas inlet
- semiconductor substrate
- vacuum processing
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 26
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 abstract description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 17
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は真空処理容器内に複数の対向する電極を有し、
この電極対の一方に半導体基板を載置し、前記真空処理
容器に反応ガスを導入しながら電極間に放電を生じさせ
、半導体基板上に成膜を行なうプラズマＣＶＤ装置に関
するものである。
この電極対の一方に半導体基板を載置し、前記真空処理
容器に反応ガスを導入しながら電極間に放電を生じさせ
、半導体基板上に成膜を行なうプラズマＣＶＤ装置に関
するものである。
従来この種のプラズマＣＶＤ装置は第３図に示すように
真空処理容器１内に具備された複数組の対向する電極２
ａ、２ｂの一方に半導体基板３を載せ、真空処理容器１
内に反応ガスをガス導入口４より導入しながら放電用電
源５により両型Ｉ＃１２ａ、２ｂ間に高電圧を印加して
放電を生じさせ、半導体基板３上に気相成長を行なわせ
る構造となっていた。尚、半導体基板３はヒーター６に
よって加熱され、排気ガスは排気ロアから排出される。
真空処理容器１内に具備された複数組の対向する電極２
ａ、２ｂの一方に半導体基板３を載せ、真空処理容器１
内に反応ガスをガス導入口４より導入しながら放電用電
源５により両型Ｉ＃１２ａ、２ｂ間に高電圧を印加して
放電を生じさせ、半導体基板３上に気相成長を行なわせ
る構造となっていた。尚、半導体基板３はヒーター６に
よって加熱され、排気ガスは排気ロアから排出される。
上述した従来のプラズマＣＶＤ装置は複数の対向する電
極に同時に放電用電源により高電圧を印加し、複数の電
極すべてに同時に放電を生じさせ、かつ反応ガスは真空
処理容器の一端より導入するためのガス導入口から導出
されて他端側の排気ロアから流出するため、ガス導入口
に近い反応ガスは半導体基板と反応を開始し、排気ロア
側に流れるため、ガス導入口から遠い所では反応ガス濃
度が薄くなりガス導入口からの距離により半導体基板上
に成長される膜厚に差が生じるという欠点を有している
。
極に同時に放電用電源により高電圧を印加し、複数の電
極すべてに同時に放電を生じさせ、かつ反応ガスは真空
処理容器の一端より導入するためのガス導入口から導出
されて他端側の排気ロアから流出するため、ガス導入口
に近い反応ガスは半導体基板と反応を開始し、排気ロア
側に流れるため、ガス導入口から遠い所では反応ガス濃
度が薄くなりガス導入口からの距離により半導体基板上
に成長される膜厚に差が生じるという欠点を有している
。
本発明は前記問題を解消し、ガス導入口からの距離によ
る膜厚差のない均一な膜を成長することのできるプラズ
マＣＶＤ装置を提供するものである。
る膜厚差のない均一な膜を成長することのできるプラズ
マＣＶＤ装置を提供するものである。
上述した従来のプラズマＣＶＤ装置に対し、本発明は複
数組の電極への通電制御を行って基板への薄膜形成を行
うという相違点を有する。
数組の電極への通電制御を行って基板への薄膜形成を行
うという相違点を有する。
上記目的を達成するため、本発明に係るプラズマＣＶＤ
装置は、真空処理容器内に複数組の対向する電極を有し
、該対をなす電極の一方に半導体基板を載置し、前記真
空処理容器に反応ガスを導入しながら前記電極間に放電
を生じさせ、前記半導体基板上に成膜を行なうプラズマ
ＣＶＤ装置において、前記複数組の電極への通電制御を
行なうスイッチングユニットを電力供給系に設けたもの
である。
装置は、真空処理容器内に複数組の対向する電極を有し
、該対をなす電極の一方に半導体基板を載置し、前記真
空処理容器に反応ガスを導入しながら前記電極間に放電
を生じさせ、前記半導体基板上に成膜を行なうプラズマ
ＣＶＤ装置において、前記複数組の電極への通電制御を
行なうスイッチングユニットを電力供給系に設けたもの
である。
以下、本発明の実施例を図により説明する。
（実施例１）
第１図において、長さ方向に長尺の真空処理容器１の一
端にガス導入口４を設け、他端に排気ロアを設ける。平
行に向き合せた複数組の電ｆｉ２ ａ 。
端にガス導入口４を設け、他端に排気ロアを設ける。平
行に向き合せた複数組の電ｆｉ２ ａ 。
２ｂの対を真空処理容器１内に配列し、各電極２ａ、２
ｂの対を放電用電源５に、各電極２ａ、２ｂの対への通
電制御を行なうスイッチングユニット８を介して接続す
る。６は真空処理容器１を加熱するヒーターである。
ｂの対を放電用電源５に、各電極２ａ、２ｂの対への通
電制御を行なうスイッチングユニット８を介して接続す
る。６は真空処理容器１を加熱するヒーターである。
実施例において真空処理容器１内に設けられた各組の電
極２ａに半導体基板３をそれぞれ載置し、排気ロアより
真空処理容器１内を排気しながらガス導入口４より反応
ガスを真空処理容器１内に導入する。
極２ａに半導体基板３をそれぞれ載置し、排気ロアより
真空処理容器１内を排気しながらガス導入口４より反応
ガスを真空処理容器１内に導入する。
このとき、各電極２ａ、２ｂの対間に高電圧を放電用電
源５により印加し、各電極２ａ、２ｂ間に放電を生じさ
せることにより、半導体基板３上に成膜か行なわれるか
、各組の電極対２ａ、２ｂの個々にスイッチングユニッ
ト８により電力印加を順次ＯＮ及びＯＦ Ｆをさ庁るこ
とにより、電力印加をＯＮした電極対のみ膜成長が行な
われる。
源５により印加し、各電極２ａ、２ｂ間に放電を生じさ
せることにより、半導体基板３上に成膜か行なわれるか
、各組の電極対２ａ、２ｂの個々にスイッチングユニッ
ト８により電力印加を順次ＯＮ及びＯＦ Ｆをさ庁るこ
とにより、電力印加をＯＮした電極対のみ膜成長が行な
われる。
したがって、膜成長に使用された反応ガスの残ガスは他
の電力印加をＯＮしていない電極上の基板３には影響を
あたえないため、基板３上への■り成長に使用されるガ
スは常に一定の濃度となり、ガス導入口からの距離に関
係なく、同一バッチ内での膜の成長レートか一定となり
、ガス導入口からの距離による膜厚差のない均一な膜を
成長することかできる。
の電力印加をＯＮしていない電極上の基板３には影響を
あたえないため、基板３上への■り成長に使用されるガ
スは常に一定の濃度となり、ガス導入口からの距離に関
係なく、同一バッチ内での膜の成長レートか一定となり
、ガス導入口からの距離による膜厚差のない均一な膜を
成長することかできる。
尚、上記方法で成膜を行なう場合、１つの電極対に電力
を印加し、成膜を行なった後に別の電極対で成膜を行な
うために別の電極対に電力を印加するとき、前の電極で
成膜を行なった際の残ガスが排気ロアより排気されるま
で待ってから次の電極対に電力印加を行なわなくてはな
らないか、電極対への電力印加を排気ロアからガス導入
［１４の方向に沿って順次行なうことにより待ち時間は
無くなる。
を印加し、成膜を行なった後に別の電極対で成膜を行な
うために別の電極対に電力を印加するとき、前の電極で
成膜を行なった際の残ガスが排気ロアより排気されるま
で待ってから次の電極対に電力印加を行なわなくてはな
らないか、電極対への電力印加を排気ロアからガス導入
［１４の方向に沿って順次行なうことにより待ち時間は
無くなる。
（実施例２）
第２図は本発明の第２の実施例の縦断面図である。
本実施例はガス導入口４を真空処理容器ｌの中央部に設
けかつ、排気ロア、７を真空処理容器１の両端に設けた
もので、他は第１の実施例と同様である。
けかつ、排気ロア、７を真空処理容器１の両端に設けた
もので、他は第１の実施例と同様である。
本実施例においても実施例１と同様の効果か得られるが
、排気ロアが真空処理容器１の両端にあるため、ガス導
入口を中心に図上左右２つの電極対に同時に電力を印加
することができ、処理能力を向上できるという利点があ
る。
、排気ロアが真空処理容器１の両端にあるため、ガス導
入口を中心に図上左右２つの電極対に同時に電力を印加
することができ、処理能力を向上できるという利点があ
る。
以上説明したように本発明は電極への通電制御を行なう
べくスイッチング機能を電力供給系に有することにより
、ガス導入口からの距離による膜厚差のない均一な膜を
成長させることかでき、したかつて半導体基板の歩留り
を向上することかできる効果を有する。
べくスイッチング機能を電力供給系に有することにより
、ガス導入口からの距離による膜厚差のない均一な膜を
成長させることかでき、したかつて半導体基板の歩留り
を向上することかできる効果を有する。
第１図は本発明の第１の実施例を示す縦断面図、第２図
は本発明の第２の実施例を示す縦断面図、第３図は従来
のプラズマＣＶＤ装置を示す縦断面図である。 １・・・真空処理容器 ２ａ、２ｂ・・・電極３・
・・半導体基板 ４・・・ガス導入口５・・・放
電用電源 ６・・・ヒーター７・・・排気口 ８・・・スイッチングユニッ１〜 特許出願人 日本電気株式会社
は本発明の第２の実施例を示す縦断面図、第３図は従来
のプラズマＣＶＤ装置を示す縦断面図である。 １・・・真空処理容器 ２ａ、２ｂ・・・電極３・
・・半導体基板 ４・・・ガス導入口５・・・放
電用電源 ６・・・ヒーター７・・・排気口 ８・・・スイッチングユニッ１〜 特許出願人 日本電気株式会社
Claims (1)
- （１）真空処理容器内に複数組の対向する電極を有し、
該対をなす電極の一方に半導体基板を載置し、前記真空
処理容器に反応ガスを導入しながら前記電極間に放電を
生じさせ、前記半導体基板上に成膜を行なうプラズマＣ
ＶＤ装置において、前記複数組の電極への通電制御を行
なうスイッチングユニットを電力供給系に設けたことを
特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12763888A JPH01297818A (ja) | 1988-05-25 | 1988-05-25 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12763888A JPH01297818A (ja) | 1988-05-25 | 1988-05-25 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01297818A true JPH01297818A (ja) | 1989-11-30 |
Family
ID=14965048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12763888A Pending JPH01297818A (ja) | 1988-05-25 | 1988-05-25 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01297818A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02111881A (ja) * | 1988-10-19 | 1990-04-24 | M C Electron Kk | プラズマ処理方法および装置 |
| US5225375A (en) * | 1991-05-20 | 1993-07-06 | Process Technology (1988) Limited | Plasma enhanced chemical vapor processing of semiconductor substrates |
| JP2010520634A (ja) * | 2007-03-08 | 2010-06-10 | ソスル カンパニー， リミテッド | 昇降装置を用いる基板処理装置及び方法 |
| CN102054650A (zh) * | 2009-10-28 | 2011-05-11 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置 |
| JP2013245393A (ja) * | 2012-05-29 | 2013-12-09 | Shimadzu Corp | サンプルホルダ |
| CN103866282A (zh) * | 2012-12-14 | 2014-06-18 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | Pecvd设备 |
-
1988
- 1988-05-25 JP JP12763888A patent/JPH01297818A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02111881A (ja) * | 1988-10-19 | 1990-04-24 | M C Electron Kk | プラズマ処理方法および装置 |
| US5225375A (en) * | 1991-05-20 | 1993-07-06 | Process Technology (1988) Limited | Plasma enhanced chemical vapor processing of semiconductor substrates |
| JP2010520634A (ja) * | 2007-03-08 | 2010-06-10 | ソスル カンパニー， リミテッド | 昇降装置を用いる基板処理装置及び方法 |
| CN102054650A (zh) * | 2009-10-28 | 2011-05-11 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置 |
| JP2013245393A (ja) * | 2012-05-29 | 2013-12-09 | Shimadzu Corp | サンプルホルダ |
| CN103451628A (zh) * | 2012-05-29 | 2013-12-18 | 株式会社岛津制作所 | 样品支持器 |
| CN103866282A (zh) * | 2012-12-14 | 2014-06-18 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | Pecvd设备 |
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