JP2010520634A - 昇降装置を用いる基板処理装置及び方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】複数のチャックが工程チャンバー内で相互平行に配置される。前記チャックは基板の裏面を全体的に支持し、多数の貫通ホールを有する。サポーターは、前記貫通ホールを通じて、移動可能に配置され、前記基板は前記チャックと前記サポーターの間の相対的な運動によって、前記チャック上にロードされるか前記チャックからアンロードされる。よって、前記基板を処理する期間、前記基板の裏面上に不希望の膜が形成されることを防止することができる。
Description
本発明の他の目的は、前記昇降装置を用いて、複数の基板を同時に処理し、前記基板の裏面上に不希望の膜が形成されることを防止できる基板処理装置を提供することにある。
本発明の実施例によると、前記駆動ユニットは、前記第1フランジと第2フランジとの間で前記第2駆動軸を囲むベローズを更に含むことができる。
本発明の実施例によると、前記チャックは、前記基板を支持するために、そして前記支持された基板をアンロードするために垂直方向に移動可能に配置されることが可能である。
本発明の実施例によると、前記基板処理装置は、前記チャックを同時に垂直方向に移動させる駆動ユニットを更に含むことができる。
本発明の実施例によると、前記プレートは、伝導性物質を含むことができる。
本発明の実施例によると、前記基板処理装置は、前記プレートを垂直方向に移動させる駆動ユニットを更に含むことができる。
本発明の実施例によると、前記第2貫通ホールは、0.05mm〜5mmの直径を有することができる。
本発明の実施例によると、前記プレートは、金属酸化物または金属窒化物を含むことができる。
本発明の実施例によると、それぞれのプレートは、導電膜及び前記導電膜上の絶縁膜を含むことができる。
本発明の実施例によると、それぞれのプレートは、冷媒を循環させるように構成された冷却ラインを有することができる。
本発明の実施例によると、前記基板処理装置は、前記工程チャンバーの内部の温度を調節するためのヒーターを更に含むことができる。
本発明の実施例によると、前記基板は、前記サポーターを上方に移動させることによって前記サポーターによって支持されることが可能である。
図1及び図2を参照すると、本発明の一実施例による昇降装置100は、第1支持台111、第2支持台113、第1駆動軸121、第2駆動軸126、及び駆動ユニット150を含むことができる。
本発明の一実施例において、第1駆動軸121はシリンダー形状を有する。この場合、第1駆動軸121は第1直径を有する。
本発明の一実施例において、第2駆動軸126はシリンダー形状を有する。この場合、第2駆動軸126は第1駆動軸121の第1直径より小さい第2直径を有する。また、第2駆動軸126は第1駆動軸121より長い高さを有する。よって、第2駆動軸126は第1駆動軸121の中空125を貫通する。
第1フランジ151は、第1駆動軸121の下段部と機械的に連結する。よって、第1フランジ151が上下に移動する場合、第1駆動軸121と機械的に連結された第1支持台111が上下に移動する。第1フランジ151には第2駆動軸126が貫通可能な貫通ホールが形成される。よって、第2駆動軸126は第1フランジ151を貫通して、下方に突出される。
間隔調節部材155は、第1フランジ151及び第2フランジ153を相互機械的に連結させる。間隔調節部材155は、第1フランジ151及び第2フランジ153間の間隔を一定に維持するか、第1フランジ151及び第2フランジ153間の間隔を減少させることができる。よって、第1フランジ151及び第2フランジ153間の間隔が一定に維持され、前記駆動部157により第2フランジ153が上下に移動する場合、第1フランジ151も同時に上下に移動することができる。また、間隔調節部材155により前記第1フランジ151と第2フランジ153との間の間隔が変わる場合、第1フランジ151と機械的に連結された第1支持台111を垂直方向に移動させることができる。これとは反対に、第2フランジ153が第1フランジ151に対し相対的に移動することもできる。
本発明の一実施例において、後述するプレート240が上昇する場合、前記サポーター220は基板(W)を上昇させ、基板(W)をチャック210からアンロードさせる。移送ユニット(図示せず)は、前記離隔された基板(W)及びチャック210の間の空間に移動することができ、前記移送ユニットによって、基板(W)がチャンバー201から搬出されることが可能である。これとは反対に、前記移送ユニットは、前記上昇されたサポーター220上に基板(W)をロードすることができる。
図10を参照すると、プレート440は、多重膜構造を有することができる。例えば、導電膜441、前記導電膜441上の絶縁膜443、及び前記絶縁膜443上の断熱膜445を含むことができる。
図3及び図11を参照すると、工程チャンバー201の内部に相互平行に配置され、複数の貫通ホール215がそれぞれ形成された複数のチャック210上に前記基板(W)をそれぞれロードする(S10)。この際、前記基板(W)の裏面が前記チャック210の上部面と接することができる。
例えば、間隔調節部材295により第1フランジ291と第1駆動軸270が下方に移動することができ、これによって前記第1駆動軸270と連結された第1支持台250及びチャック210が下方に移動することができる。結果的に、前記サポーター220が前記チャック210に対して相対的に上方に移動し、これによって前記基板(W)は、前記サポーター220により支持され、また前記チャック210からアンロードされることが可能である。
101 第1プレート
103 第2プレート
111 第1支持台
113 第2支持台
121 第1駆動軸
125 中空
126 第2駆動軸
150 駆動ユニット
151 第1フランジ
153 第2フランジ
155 間隔調節部材
157 駆動部
200 基板処理装置
201 工程チャンバー
210 チャック
220 サポーター
250 第1支持台
251 第1支持柱
253 第1突出部
240 プレート
260 第2支持台
261 第2支持柱
263 第2突出部
270 第1駆動軸
275 中空
280 第2駆動軸
290 駆動ユニット
291 第1フランジ
293 第2フランジ
295 間隔調節部材
297 ベローズ
299 駆動部
340 プレート
341 導電膜
343 絶縁膜
440 プレート
441 導電膜
443 絶縁膜
445 断熱膜
Claims (28)
- 水平方向に相互平行に配置された第1プレートと、
第1プレートを支持する第1支持台と、
前記第1プレートの間で前記第1プレートと平行に配置された第2プレートと、
前記第2プレートを支持する第2支持台と、
前記第1支持台と連結され、内部に中空を有して垂直方向に延長する第1駆動軸と、
前記第2支持台と連結され、前記第1駆動軸の中空を通じて延長する第2駆動軸と、
前記第1及び第2駆動軸と機械的に連結され、前記第1及び第2駆動軸を垂直方向に移動させる駆動ユニットと、を含むことを特徴とする昇降装置。 - 前記駆動ユニットは、
前記第1駆動軸の端部と連結される第1フランジと、
前記第1フランジの下で、前記第1フランジと平行に配置され、前記第2駆動軸の端部と連結される第2フランジと、
前記第2フランジを垂直方向に移動させる駆動部と、
前記第1フランジと第2フランジとを相互連結させ、前記第1フランジと第2フランジとの間の間隔を調節する間隔調節部材と、を含むことを特徴とする請求項1に記載の昇降装置。 - 前記駆動ユニットは、前記第1フランジと第2フランジとの間で、前記第2駆動軸を囲むベローズを更に含むことを特徴とする請求項2に記載の昇降装置。
- 工程チャンバーと、
前記工程チャンバーの内部に相互平行に配置され、複数の基板の裏面とそれぞれ接触して前記基板をそれぞれ支持し、複数の貫通ホールがそれぞれ有する複数のチャックと、
前記貫通ホールを通じて移動可能に配置され、前記基板を前記チャックにロードし、前記チャックからアンロードするための複数のサポーターと、を含むことを特徴とする基板処理装置。 - それぞれのチャックは、それぞれの基板の裏面と全体的に接触することを特徴とする請求項4に記載の基板処理装置。
- 前記チャックは、前記基板を支持するために、また、前記支持された基板をアンロードするために垂直方向に移動可能に配置されることを特徴とする請求項4に記載の基板処理装置。
- 前記チャックの内部に配置され、前記基板の温度を調節するためのヒーターを更に含むことを特徴とする請求項4に記載の基板処理装置。
- 前記チャックを同時に垂直方向に移動させる駆動ユニットを更に含むことを特徴とする請求項4に記載の基板処理装置。
- 前記チャックを支持して垂直方向に延長する支持台と、前記支持台と前記駆動ユニットを連結する駆動軸を更に含むことを特徴とする請求項8に記載の基板処理装置。
- 前記チャックの下で前記チャックと平行に配置され、前記基板が独立した空間で処理されるように、前記工程チャンバーの内部空間を分割する多数のプレートを更に含むことを特徴とする請求項4に記載の基板処理装置。
- 前記プレートは、前記サポーターの端部を支持し、垂直方向に移動可能に配置されることを特徴とする請求項10に記載の基板処理装置。
- 前記プレートは、伝導性物質を含むことを特徴とする請求項10に記載の基板処理装置。
- 前記プレートは、前記チャックより大きい直径を有することを特徴とする請求項10に記載の基板処理装置。
- 前記プレートを垂直方向に移動させる駆動ユニットを更に含むことを特徴とする請求項10に記載の基板処理装置。
- 前記プレートを支持して垂直方向に延長する支持台と、前記支持台と前記駆動ユニットとを連結する駆動軸と、を更に含むことを特徴とする請求項14に記載の基板処理装置。
- それぞれのプレートは、前記基板を処理するためのガスを通過させるための複数の第2貫通ホールを有することを特徴とする請求項10に記載の基板処理装置。
- 前記第2貫通ホールは0.05mm〜5mmの直径を有することを特徴とする請求項16に記載の基板処理装置。
- 前記プレートは、アルミニウム、タンタリウム、チタニウム、及び銀からなる群より選択された一種を含むことを特徴とする請求項10に記載の基板処理装置。
- 前記プレートは、多重膜構造を有することを特徴とする請求項10に記載の基板処理装置。
- それぞれのプレートは、導電膜及び前記導電膜上の絶縁膜を含むことを特徴とする請求項19に記載の基板処理装置。
- それぞれのプレートは、導電膜、前記導電膜上の絶縁膜、及び前記絶縁膜上の断熱膜を含むことを特徴とする請求項19に記載の基板処理装置。
- それぞれのプレートは、冷媒を循環させるように構成された冷却ラインを有することを特徴とする請求項10に記載の基板処理装置。
- 前記チャックは、伝導性物質を含むことを特徴とする請求項4に記載の基板処理装置。
- 前記工程チャンバーの内部の温度を調節するためのヒーターを更に含むことを特徴とする請求項4に記載の基板処理装置。
- 工程チャンバーと、
前記工程チャンバーの内部に相互平行に配置され、複数の基板の裏面とそれぞれ接触して前記基板をそれぞれ支持し、複数の貫通ホールがそれぞれ形成された複数のチャックと、
前記複数の貫通ホールを通じて、垂直方向に移動可能に配置された複数のサポーターと、
前記チャックを支持して垂直方向に延長する第1支持台と、
前記チャックの下で前記チャックと平行に配置されて前記サポーターの下段部を支持するプレートと、
前記プレートを支持して垂直方向に延長する第2支持台と、
前記第1支持台と連結され、内部に中空を有して垂直方向に延長する第1駆動軸と、
前記第2支持台と連結され、前記第1駆動軸の中空を通じて延長する第2駆動軸と、
前記第1及び第2駆動軸と機械的に連結され、前記第1及び第2駆動軸を垂直方向に移動させる駆動ユニットと、を含むことを特徴とする基板処理装置。 - 工程チャンバーの内部に相互平行に配置されて複数の貫通ホールがそれぞれ形成された複数のチャック上に複数の基板をそれぞれロードする段階と、
工程ガスを用いて前記基板を処理する段階と、
前記複数の貫通ホールを通じて移動可能に配置されたサポーター上に前記基板が支持されるようにすることによって、前記基板を前記チャックからアンロードする段階と、
前記チャックから離隔された前記基板を前記工程チャンバーから搬出させる段階と、を含むことを特徴とする基板処理方法。 - 前記基板は、前記チャックを下方に移動させることによって前記サポーターによって支持されることを特徴とする請求項26に記載の基板処理方法。
- 前記基板は、前記サポーターを上方に移動させることによって前記サポーターによって支持されることを特徴とする請求項26に記載の基板処理方法。
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