JP2003209153A - 基板処理装置、及び半導体デバイスの製造方法 - Google Patents

基板処理装置、及び半導体デバイスの製造方法

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JP2003209153A
JP2003209153A JP2002004612A JP2002004612A JP2003209153A JP 2003209153 A JP2003209153 A JP 2003209153A JP 2002004612 A JP2002004612 A JP 2002004612A JP 2002004612 A JP2002004612 A JP 2002004612A JP 2003209153 A JP2003209153 A JP 2003209153A
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substrate
holder
seat plate
pod
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JP2002004612A
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Kenichi Ishiguro
謙一 石黒
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Hitachi Kokusai Electric Inc
Original Assignee
Hitachi Kokusai Electric Inc
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 ウエハを熱処理するに当たって、リングホル
ダを用いながらスループットの向上を図る。 【解決手段】 ノッチアライナ9は、ウエハWの裏面端
部を支持するウエハ支持部94aを複数備える。これら
ウエハ支持部94aはウエハWを水平に支持できるよう
配設する。リングホルダ20の端縁には、このリングホ
ルダ20上に載置するウエハWのウエハ支持部94aに
よって支持される箇所が裏面視において露出するよう切
り欠きを形成する。ノッチアライナにおいて、各ウエハ
支持部がリングホルダ20の切り欠きを通過する様にこ
れらウエハ支持部94aとリングホルダ20とが鉛直方
向に相対変位する事により、ノッチアライナにてリング
ホルダ20に対するウエハWの着脱が行われる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスな
どを含む半導体装置の製造方法と、その方法の実施に使
用する基板処理装置とに関し、特に半導体ウエハその他
の基板を熱処理するに当たってホルダなどの座板を用い
る技術に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体デバイスの製造において、半導体
からなるウエハに対し酸化膜の形成やドーパントの拡散
その他の熱処理を施す工程がある。近年、ウエハを熱処
理するに当たっては、縦型の熱処理室が多用されてい
る。この縦型の熱処理室にロードされる所謂ボートとし
ては、大略、鉛直方向に立設された3本(または4本)
の支柱の各々に所定ピッチ(間隔)で複数の溝を形成し
てなるものが一般的であった。このボートは、同じ高さ
に形成された3組(または4組)の溝にてウエハを3点
(または4点)支持することにより、これを安定して水
平に保持しようとするものであった。ところが、この種
のボートにあっては、ウエハを点支持するので、各支持
点にかかる荷重が大きく、熱処理時においてウエハの当
該支持点付近にスリップと称される結晶欠陥が生じ易く
なると云う問題を生じていた。
【0003】そこで、この問題を解消するものとして例
えば特開平9−199438号公報に開示されてあるよ
うに、平面視リング状のホルダを使用する技術が提案さ
れている。この技術は、ボートの支柱に所定ピッチで複
数のリングホルダを設け、これらリングホルダの各々に
ウエハを載置できるようにしたものであり、ウエハの自
重をリングホルダに分散させることができるので、3点
(または4点)支持型のボートに比べてウエハの反りや
スリップなどをある程度低減できると云う効果を奏する
ものであった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、この特開平
9−199438号公報記載の技術において、リングホ
ルダへのウエハの移載は、ボートにおいて全てのリング
ホルダの中を通過するように突き上げ機構を上昇させ、
搬送アームに保持させたウエハをその突き上げ機構を介
してリングホルダに載置することにより行われる。しか
しながら、同公報に記載されてあるように、その方法で
はウエハの移載をボートにおいて上段のリングホルダか
ら順次行う必要がある。すなわち、この方法では、所定
枚数のウエハを一括して移載できないので効率が悪い。
【0005】一方、ボートに設けられたリングホルダへ
所定枚数分のウエハを一括して移載するには、各ウエハ
を載置するための例えば爪状のものが必要となる。この
為、ボートにおいて、リングホルダのピッチを少なくと
も当該爪状のものが介在し得る程度に確保する必要があ
る。従って、ボートに搭載できるウエハの枚数、すなわ
ち1バッチ分のウエハの枚数が少なくなるので、結局ス
ループットの低下を招くこととなる。
【0006】また、半導体ウエハを熱処理するに当たっ
てリングホルダを用いる技術においては、総じてリング
ホルダに対するウエハの着脱を行うための着脱機構が別
途必要となるため、ウエハ処理装置全体が大型化してし
まうと云う課題もあった。
【0007】本発明の目的は、半導体ウエハを熱処理す
るに当たってホルダなどの座板を用いながら、スループ
ットの向上を図る技術を提供することにある。また、本
発明の目的は、ホルダなどの座板を用いながら、ウエハ
処理装置全体の大型化を防止する技術を提供することに
ある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の第1の態様によ
れば、基板を熱処理する処理室と、基板のノッチ又はオ
リフラを揃える基板位置合わせ装置と、前記処理室内で
複数の前記基板をそれぞれ座板上に載置した状態で保持
する保持具と、前記基板または/および座板を、前記基
板位置合わせ装置または前記保持具に搬送する搬送装置
と、を備える基板処理装置であって、前記座板への前記
基板の着脱が前記基板位置合わせ装置にて行われ、この
基板位置合わせ装置と前記保持具との間で、前記搬送装
置により前記基板が前記座板上に載置された状態で移送
されるようにしたことを特徴とする基板処理装置が提供
される。
【0009】第1の態様による基板処理装置によれば、
座板への基板の着脱が保持具以外の場所にて行われるの
で、保持具において、爪などが介在する為の領域を確保
する必要がなくなる。したがって、保持具における座板
間の間隔を従来よりも小さくできる。これにより、保持
具が一括して保持しうる基板の枚数、すなわち1バッチ
分の基板の枚数を増やすことができ、スループットの向
上が図られる。また、座板に対する基板の着脱は位置合
わせ装置にて行われるので、基板の着脱を独立して行う
着脱機構を別途配置する必要がなくなる。これにより、
その分のスペースを節約でき、基板処理装置全体の大型
化が防止される。
【0010】また、本発明の第2の態様によれば、第1
の態様による基板処理装置において、前記座板は、平面
視においてリング状に形成され、且つこのリングには、
当該求心方向に向かって厚みが次第に薄くなるようなテ
ーパ部が形成されてなり、このテーパ部に前記基板が載
置されるようにしたことを特徴する基板処理装置が提供
される。この場合において、前記テーパ部は水平面との
なす角度が5度以下(0度を除く正の角)となるように
形成されているのが好ましい。また、前記テーパ部は、
前記リングの全周にわたって形成するのが好ましい。
【0011】また、本発明の第3の態様によれば、第1
の態様による基板処理装置において、前記座板は、平面
視においてリング状に形成され、且つこのリングには、
当該表面と当該内周面との境部にアールが形成されてあ
ることを特徴とする基板処理装置が提供される。
【0012】また、本発明の第4の態様によれば、第1
の態様による基板処理装置において、前記基板位置合わ
せ装置は、前記基板の裏面端部を支持する支持片を複数
備え、これら支持片は前記基板を水平に支持できるよう
配設されてなり、前記座板の端縁には、この座板上に載
置する前記基板の前記各支持片によって支持される箇所
が裏面視において露出するよう切り欠きが形成されてい
て、前記各支持片が前記座板の切り欠きを通過するよう
にこれら支持片群と座板とが上下方向に相対移動するこ
とにより、当該位置合わせ装置にて前記座板への前記基
板の着脱が行われるようにしたことを特徴とする基板処
理装置が提供される。
【0013】また、本発明の第5の態様によれば、第4
の態様による基板処理装置において、前記保持具は、前
記座板を着脱自在に支持する座板支持部を備え、この座
板保持部は、前記座板を支持した際に、裏面視において
前記座板の切り欠きが隠れるように配設された複数の座
板支持片から成ることを特徴とする基板処理装置が提供
される。
【0014】また、本発明の第6の態様によれば、第5
の態様による基板処理装置において、前記保持具の各座
板支持片は、前記切り欠きの幅よりも大きな幅を有して
なると共に、前記位置合わせ装置の各支持片は、前記切
り欠きの幅よりも小さな幅を有してなることを特徴とす
る基板処理装置が提供される。
【0015】また、本発明の第7の態様によれば、第5
の態様による基板処理装置において、前記各座板支持片
には、前記切り欠きに遊嵌する凸状部が設けられている
ことを特徴とする基板処理装置が提供される。
【0016】また、本発明の第8の態様によれば、第7
の態様による基板処理装置において、前記凸状部は、当
該頂上に向かって先細りとなるよう形成された傾斜面、
及び当該頂上に向かって湾曲し断面略円弧状に形成され
た曲面の少なくとも何れか一方を有することを特徴とす
る基板処理装置が提供される。ここで、前記凸状部は、
略半球状に形成されてなるのが好ましい。
【0017】また、本発明の第9の態様によれば、第7
又は第8の態様による基板処理装置において、前記凸状
部は、その全高が前記座板の厚みよりも低くなるように
形成されてなることを特徴とする基板処理装置が提供さ
れる。
【0018】また、本発明の第10の態様によれば、基
板を熱処理する処理室内で複数の前記基板をそれぞれ座
板上に載置した状態で保持する保持具を用いた半導体装
置の製造方法であって、前記基板を基板位置合わせ装置
に搬送する基板搬送工程と、前記基板位置合わせ装置に
て前記基板のノッチ又はオリフラ合わせを行う基板位置
合わせ工程と、前記基板位置合わせ工程と並行して前記
座板を取り出す座板取り出し工程と、前記基板位置合わ
せ工程の後、前記取り出した座板を、前記基板位置合わ
せ装置にて支持されている前記基板の下方へ挿入し、こ
れら基板と座板との上下方向の相対移動により前記基板
を前記座板上に載置する基板載置工程と、前記基板が載
置された座板を前記保持具に搬送する座板搬送工程とを
含むことを特徴とする半導体装置の製造方法も提供され
る。
【0019】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の実施の形態について説明する。図1は、実施の形態に
よる基板処理装置を示す。この基板処理装置1は、半導
体デバイスを含む半導体装置の製造においてウエハに熱
処理を施すものであり、その主要部は筐体2内に収めら
れている。筐体2には、基板としてのウエハWを投入す
る為の投入部が設けられており、該投入部にはポッドス
テージ3が配置されている。
【0020】すなわち、この基板処理装置1においてウ
エハWの投入はポッド(POD)Pを用いて行う。ポッ
ドPには、所要枚数のウエハWを収納できる。ここで
は、ポッドPに収容できるウエハWの数を25枚とし、
それらはポッドPの中に多段に整列されて格納される。
また、ポッドPは蓋を備えており、このポッドPを基板
処理装置1へ投入する際には、当該蓋を閉じた状態でポ
ッドステージ3にセットする。
【0021】筐体2内において、ポッドステージ3に対
向した位置には、ポッド搬送装置4が配置されている。
更に、ポッド搬送装置4の近傍には、複数のポッドPを
保管するポッド棚5、各ポッドPの蓋を開けるポッドオ
ープナ6、及びポッドオープナ6によって開蓋されたポ
ッドPに収容されているウエハWの枚数を検知する検出
器7などが配置されている。
【0022】ポッド搬送装置4は、ポッドステージ3、
ポッド棚5、及びポッドオープナ6の3者間で相互にポ
ッドPを移送する。具体的には、ポッド搬送装置4は、
ポッドステージ3にセットされたポッドPをポッド棚5
へ格納したり、或いはポッド棚5に格納されているポッ
ドPをポッドオープナ6にセットする動作などを行う。
【0023】また、筐体2内には、ウエハ移載機8、基
板位置合わせ装置としてのノッチアライナ9、保持具と
してのボート10、及び処理炉12なども所定位置に配
されている。
【0024】ウエハ移載機8は、ポッドオープナ6、ノ
ッチアライナ9、及びボート10の3者間で相互にウエ
ハWを移載する。具体的には、ウエハ移載機8は、ポッ
ドオープナ6によって開蓋されたポッドPから複数のウ
エハWを取得し、取得したウエハWをノッチアライナ9
にセットしたり、或いはノッチアライナ9によってノッ
チの揃えられた複数のウエハWを、座板としてのホルダ
20(図5参照)を用いて取得し、取得したウエハWを
ホルダ20と共にボート10に移載する動作などを行
う。
【0025】また、ウエハ移載機8はアーム部81を備
えており、このアーム部81によって、所定枚数のウエ
ハW又はホルダ20を一括して保持できる様に成ってい
る。ここでは、アーム部81が一度に保持できるウエハ
W又はホルダ20の枚数を5枚としている。
【0026】ノッチアライナ9は、ノッチ合わせ部と、
移載機構部とを備えている。これらノッチ合わせ部と移
載機構部とは、互いに鉛直方向(図2中、上下方向)に
相対変位するよう構成されてなる。ここでは、移載機構
部のみが鉛直方向に変位するよう構成されている。
【0027】ノッチ合わせ部は、アーム部81が一度に
保持し得る枚数(ここでは5枚)のウエハWを一括して
ノッチ合わせする。具体的には、ノッチ合わせ部は、図
2(a)に示す様に、縦方向(図2中、上下方向)に所
定間隔を隔てて積層状に配設された5段の支持具91,
91…と、各支持具91,91…によって支持された5
つのターンテーブル92,92…と、各ターンテーブル
92,92…にセットされたウエハWのノッチn(図3
参照)を検出するノッチセンサ93とを具備している。
【0028】ノッチ合わせ部において、ターンテーブル
92,92…の各々は、図示せぬモータ及び制御部など
によって独立に回転するよう構成されてあり、ノッチセ
ンサ93は各ターンテーブル92が回転する過程で、そ
のターンテーブル92にセットされているウエハWのノ
ッチnを光学的に検出し、ノッチnを検出した場合は、
当該ノッチnを所定位置で停止させる制御信号を制御部
へ出力する。この様にして、ノッチ合わせ部は、5段全
てのウエハWのノッチを揃える。尚、各々のターンテー
ブル92は、ウエハWの周方向に配置された3つの係止
部92a,92b,92cを備えており、ノッチ合わせ
に際してはウエハWの周縁がそれら3つの係止部92
a,92b,92cによって係止される。
【0029】一方、移載機構部は、図示せぬエアシリン
ダなどによって鉛直方向(図2中、上下方向)に昇降可
能に構成されている。具体的には、移載機構部は、5段
に積まれたターンテーブル92,92…の周囲を取り囲
む様に配設されたそれぞれ鉛直方向に延びる少なくとも
3本の支柱94,94,94を有して成る。各々の支柱
94には、当該長手方向に等間隔を隔てて5つのウエハ
支持部94a…が設けられている。各ウエハ支持部94
aは、ウエハWの裏面端部を支持するものであり、平面
方向投影視において支柱94からウエハWの周縁部と重
なる位置まで突出している。詳細には、同じ高さに設け
られた3組のウエハ支持部94a…は、ウエハWを略水
平に支持できるように配設されてなる。尚、移載機構部
が昇降する際に、ウエハ支持部94a…と、ターンテー
ブル92…の係止部92a,92b,92cとは干渉し
ないようになっている。
【0030】ボート10は、例えば、SiC(シリコン
炭化物)、単結晶若しくは多結晶のSi(シリコン)、
又は石英を用いて構成されている。ボート10は、大
略、図4(a)に示す様に、上下一対の端板101,1
02と、当該各端板101,102を繋ぐように鉛直方
向に架け渡された柱状の少なくとも3本の保持部材10
3,103,103とを備えてなる。保持部材103…
の各々には、その長手方向に所定間隔(ピッチ)を隔て
て、ホルダ20の裏面を支持する支持部103aが複数
設けられている。これら3本の保持部材103,10
3,103における同じ高さに形成された3組の支持部
103a,103a,103aは、ホルダ20を水平に
保持できる様に配されている。
【0031】ここで、ホルダ20について説明する。ホ
ルダ20は、ボート10と同様に、SiC(シリコン炭
化物)、単結晶若しくは多結晶のSi(シリコン)、又
は石英などによって構成できる。ホルダ20は図5
(a)に示す様に、平面視においてリング状を成してお
り、その周縁には所定間隔を隔てて少なくとも3つの切
り欠き20a,20b、20cが形成されている。切り
欠き20a,20b,20cの各々は、その端縁に尖っ
た箇所がないように形成されている。具体的には、各々
の切り欠きには、そのエッジ部分などを面取りしてアー
ルを設けている。
【0032】図5(a)中、2点鎖線で示すものはウエ
ハWであり、当該ウエハWは、その中心がホルダ20の
中心と一致する様に、ホルダ20上に載置した状態を示
したものである。同図に示す様に、ホルダ20の外径は
ウエハWの外径よりも大きく、ホルダ20の内径はウエ
ハWの外径よりも小さい。但し、切り欠き20a,20
b,20cは、ウエハWの周縁に対応する位置よりも内
側(ウエハWの中心側)まで深く形成されている。従っ
て、このホルダ20上にウエハWを載置すると、ホルダ
20の裏面視において、切り欠き20a,20b,20
cが形成されている部分からウエハWが露出する。
【0033】図5(b)は、ホルダ20の断面概略図を
示す。図5(b)に示す様に、ホルダ20には、ウエハ
Wのエッジ部と接触する部分にテーパ部21が形成され
ている。テーパ部21は、ホルダ20の外周側から内周
側にゆくに従って当該厚みが次第に薄くなるよう形成さ
れてなる。ホルダ20は、このテーパ部21においてウ
エハWを支持するので、ホルダ20とウエハWとを線接
触にできる。
【0034】このテーパ部21は、ウエハWを均等に支
持できる様に形成されている。これにより、ホルダ20
上に載置されたウエハWのすわりを良好にできる。具体
的には、テーパ部21はホルダ20の全周にわたって設
けられてある。これにより、ウエハWの重みがホルダ2
0の全周にわたって広く均等に分散されるので、スリッ
プや反りなどの発生が抑制されると共に、従来よりも高
温でウエハWを熱処理できるようになる。
【0035】尚、テーパ部21におけるテーパの角度は
限定されない。但し、あまりにテーパ角を大きくする
と、ウエハWがホルダ20に嵌まり込むようになる。そ
うすると、ウエハWが熱膨張した際に当該ウエハWに余
計な力が加わるので好ましくない。そこで、テーパの角
度は、5度以下(0度を除く正の角)とするのが好まし
い。
【0036】図5(c)は、テーパ部21を拡大して示
したもので、同図に示す様にホルダ20は、その表面
(テーパ部21)と内周面との境部に、アールが形成さ
れてなる。これにより、仮にウエハWが熱に起因して図
5(c)中想像線(2点鎖線)で示す如く反って、当該
ウエハWとアール部22とが接触しても、このアール部
22で力が分散されるので、ウエハWが損傷することは
ない。また、ウエハWの反り具合の如何によらず、当該
ウエハWとアール部22との接触角を一定にできるの
で、ウエハWの反り具合が変化する過程においても、ウ
エハWに極端な力がかかる事は無く、ウエハWの損傷を
回避できる。
【0037】さて、図6(a)は、ボート10において
同じ高さに形成された3組の支持部103a,103
a,103aによってホルダ20が支持されている状態
を平面方向から見た図である。同図に示す様に、同一の
ホルダ20を支持する3組の支持部103a,103
a,103aは、ホルダ20を支持した際に、裏面視に
おいて切り欠き20a,20b,20cが隠れるように
配設されてなる。すなわち、3組の支持部103a,1
03a,103aはそれぞれ、ホルダ20の切り欠き2
0a,20b,20cの部分を丁度支持するように配置
されている。各支持部103aの幅Cは、切り欠き20
a,20b,20cの幅Bよりも広い(B<C)。
【0038】この様に、ホルダ20における切り欠き2
0a,20b,20cが形成されている部分と、支持部
103a…とがそれぞれ接触するので、ウエハWの処理
中において切り欠き20a,20b,20cの部分の温
度が極端に上昇してしまうのが回避され、ウエハW全体
に均一に熱が与えられる。また、各支持部103aの幅
Cを切り欠き20a,20b,20cの幅Bよりも充分
広くしたり、或いは各保持部材103の太さをBよりも
充分太くする事により、熱処理中においてウエハWが、
熱的に切り欠きのない完全なホルダ20に載っていると
みなす事ができ、ウエハW全体に均一に熱が与えられ
る。
【0039】また、図6(a)に示す様に、各支持部1
03aの幅方向略中央部には、それぞれ凸状部103b
が設けられている。この凸状部103bの形状は特に限
定されない。但し、凸状部103bの高さがホルダ20
の厚みより高いと、凸状部103bの頂上とウエハWと
が点接触を起こす懸念がある。この場合は、その接触点
においてスリップが発生し易くなる。そこで、図6
(b)に示す様に、凸状部103bの高さはホルダ20
の厚みより低くする。また、図6(b)に示す様に、凸
状部103の幅は切り欠き20a,20b,20cの幅
よりも僅かに狭い。したがって、凸状部103…と切り
欠き20a,20b,20cとがそれぞれ嵌合するよう
になっている。図6(c)は、支持部103aの平面
図、正面図、及び側面図を便宜上同時に示したもので、
同図に示す様に、凸状部103aは概ね半球状をなして
いる。
【0040】これら凸状部103b…によって、ホルダ
20が係止されるので、処理中などにおいて、ホルダ2
0がズレてしまうのを回避できる。また、凸状部103
b…は半球状をなしているので、ホルダ20をボート1
0にセットする際に仮に多少のズレが生じていたとして
も、切り欠き20a…の下端縁が凸状部103bの球面
に案内されながら、当該各切り欠き20a及び凸状部1
03bが確実に嵌まり合う。これにより、ホルダ20を
確実且つ正確に位置決めできる。
【0041】以上の如く構成されたボート10,10
は、それぞれ処理炉12に入退可能に構成されている。
一方のボート10は、ウエハWが載置されたホルダ20
を複数枚搭載した状態で処理炉12に入室する。このと
き、他方のボート10は、処理済みウエハWをホルダ2
0と共に搭載した状態でウエハWなどの温度が充分下が
るまで待機したり、或いはこの基板処理装置1の初期状
態においては、ホルダ20のみを複数枚搭載した状態で
待機すると云った役目を果たす。
【0042】処理炉12は、図7に示す様に、この処理
炉12を加熱する加熱源としての抵抗加熱ヒータ121
と、このヒータ121の内部に設けられ、処理炉12の
温度を均一化すると共に汚染を低減する均熱管122
と、この均熱管122の内部に設けられ、ウエハWを処
理する反応管123と、この反応管123内へウエハW
を処理する為のガスを導入する導入管124と、ガスを
排気するガス排気管125と、処理室の温度を検出する
熱電対126と、複数のウエハWを搭載したボート10
を支持すると共に炉口部を閉塞するシールキャップ12
7と、熱電対126の検出結果に基づいて抵抗加熱ヒー
タ121を制御し、処理室内の温度を制御する温度制御
手段(図示せず)と、を備えて構成されている。
【0043】次に、前述したウエハ移載機8のアーム部
81について詳細に説明する。アーム部81は、5段の
アーム811,811…を備えており、このアーム部8
1全体として5つのホルダ20及び/又はウエハWを一
括して保持できる。図8(a)は、ホルダ20を保持し
ているアーム811を、平面方向からみた状態を示す。
図示のように、アーム部81は、各アーム811上にホ
ルダ20を載置した状態で保持する。
【0044】各アーム811は、ホルダ20を保持した
際に、全ての切り欠き20a,20b,20cをふさが
ないように形成されてなる。具体的には、各々のアーム
811は、平面視において、幅が切り欠き20b,20
c間の距離よりも短く、長さがホルダ20の外径よりも
充分に長い短冊状を成しており、当該短冊の先端には、
切り欠き20aをふさがないように凹部811aが形成
されている。
【0045】図8(b)は、アーム811の断面を示
す。同図に示す様に、アーム811には、上下2段の段
差811b,811cが形成されている。下段の段差8
11bは、ウエハWが嵌まりうるように形成されてい
る。この段差811bは、アーム811がウエハWのみ
を搬送する際に、搬送中にウエハWがズレるのを防止す
る機能を果たす。この段差811bの部分にはテーパを
形成するのが好ましい。一方、上段の段差811cは、
ホルダ20が嵌まりうるように形成されている。この段
差811cは、アーム811がホルダ20を搬送する際
に、搬送中にホルダ20がズレるのを防止する機能を果
たす。すなわち、各アーム811は、ウエハWのみを保
持して搬送することもできるし、ウエハWの載置された
ホルダ20を保持して搬送することもできる。
【0046】次に、ノッチアライナ9における支柱94
のウエハ支持部94aと、ホルダ20とについて詳細に
説明する。図9は、ノッチアライナ9におけるウエハ支
持部94aとホルダ20との位置関係を示す。同図に示
す様に、ホルダ20の切り欠き20a,20b,20c
は、このホルダ20と、3組のウエハ支持部94a,9
4a,94aとが干渉しあわぬように配されている。ま
た、各ウエハ支持部94aの幅Aは、切り欠き20a,
20b,20cの幅Bよりも小さい(A<B)。
【0047】以下、基板処理装置1の動作について説明
する。先ず、人手或いは図示せぬ搬送装置などにより、
ポッドステージ3に所定枚数のウエハWが格納されたポ
ッドPをセットする。すると、カセットローダ4が、セ
ットされたポッドPをポッド棚5にストックする。次い
で、カセットローダ4は、ポッド棚5にストックされて
いるポッドPをポッドオープナ6にセットする。ポッド
オープナ6は、セットされたポッドPの蓋を開ける。次
いで、検出器7は開蓋されたポッドPに収容されている
ウエハWの枚数を検知する。
【0048】次いで、ウエハ移載機8は、検出器7の検
出結果に応じた枚数(ここでは5枚とする。)のウエハ
Wを、ポッドオープナ6にセットされているポッドPか
ら一括して抜き取って、抜き取ったウエハWをそれぞれ
ノッチアライナ9のターンテーブル92…に移載する
(基板搬送工程)。尚、ウエハ移載機8によってポッド
Pから抜き取られた5枚のウエハWはそれぞれアーム8
11に形成された段差811bに嵌まるので、搬送及び
移載の際にウエハWがズレることはない。
【0049】次いで、ノッチアライナ9は、ウエハWが
載置されたターンテーブル92…を回転させながら、ノ
ッチセンサ93によりノッチ位置を検出し、検出した情
報を基にターンテーブル92を静止させて全てのウエハ
Wのノッチ位置を同じ位置に整列させる(基板位置合わ
せ工程)(図2(a)参照)。このとき、ノッチアライ
ナ9においてウエハ支持部94a…は、ターンテーブル
92の下方で待機している(図2(a)参照)。
【0050】次いで、ノッチアライナ9の移載機構部が
上昇する。これにより、同じ高さに配された3組のウエ
ハ支持部94a,94a,94aによって、同一のウエ
ハWがすくい上げられる。このとき、各ウエハWは、3
組のウエハ支持部94a…によって、その裏面端部を支
持されながら水平を保った状態で持ち上げられる(図2
(b)参照)。
【0051】一方、ウエハ移載機8は、ウエハWのター
ンテーブル92…への移載が完了し、ノッチ合わせが行
われている間、ボート10から、それに予め載置されて
いたホルダ20を5枚取り出して、ノッチアライナ9の
前で待機する(座板取り出し工程)。尚、ウエハ移載機
8によってボート10から取得されたホルダ20はそれ
ぞれアーム81の段差811cに嵌まるので、移載或い
は搬送の際にホルダ20がズレることはない。このよう
に、ホルダ20の取得を基板位置合わせ工程と並行して
行うので、結果的にスループットを向上できる。
【0052】次いで、ノッチアライナ9の前で待機して
いたウエハ移載機8は、ノッチ合わせが完了した後、支
持部94a,94a,94aによってすくい上げられた
ウエハWとターンテーブル92との間に、アーム部81
と共にホルダ20を挿入させる(図2(c)参照)。
【0053】この状態で、ノッチアライナ9の移載機構
部が下降する。これにより、支持部94a…によってす
くい上げられていた各々のウエハWが、それぞれホルダ
20の上に移載される(基板載置工程)(図2(d)参
照)。尚、各ホルダ20には支持部94a…を避けるよ
う切り欠き20a,20b,20cが配されているの
で、移載機構部が下降する際に、ホルダ20と支持部9
4a…とがぶつかることはない。
【0054】かくして、ウエハ移載機8は、アーム部8
1に保持している5枚のホルダ20上にそれぞれノッチ
合わせされたウエハWを取得する。次いで、ウエハ移載
機8は、取得したウエハWをホルダ20と共にボート1
0に移載する(座板搬送工程)。移載の際には、ホルダ
20は、切り欠き20a,20b,20cがそれぞれ支
持部103a上に重なるように支持部103a上に載置
される。このとき、ボート10において同じ高さに設け
られた3組の凸状部103b…が、それぞれホルダ20
の切り欠き20a,20b,20cに嵌まる。これによ
り、ホルダ20の位置決めを確実に行える。また、凸状
部103b…の各々は半球状に形成されているので、移
載の際に仮に凸状部103b…と切り欠き20a,20
b,20cとに位置ズレがあったとしても、切り欠き2
0a,20b,20cの縁が凸状部の球面に案内されな
がら、スムースに当該ズレが修正されて位置決めされ
る。
【0055】このようにして、1バッチ分のウエハW
が、それぞれホルダ20に載置された状態でボート10
に移載されると、処理炉12を閉塞していた図示せぬ炉
口ゲートバルブが開き、当該ボート10が処理炉12内
に挿入する。すると、ガスボックス13により制御され
た処理ガスが、導入管124を経由して処理炉12内に
導入され、各ウエハWが例えば摂氏800℃以上で成膜
又は熱処理される。尚、処理ガスとしては、例えば、N
2(窒素)、Ar(アルゴン)、H2(水素)、若しくは
2(酸素)等が挙げられる。
【0056】このとき、ボートの凸状部103b…とホ
ルダ20の切り欠き20a,20b,20cとが嵌まっ
ているので、熱処理中に、ボート10においてホルダ2
0がズレることはない。また、ウエハWはホルダ20の
テーパ部21にすわりよく載置されているので、ホルダ
20に対してウエハWがずれることもない。
【0057】多ボート仕様の装置の場合は、ウエハWの
熱処理中に、上記と同様にして、次に熱処理する未処理
ウエハWをそれぞれ、ホルダ20に載置して他のボート
10にセットする動作が並行して行われる。
【0058】ウエハWの熱処理が終了すると、ボート1
0が処理炉12からアンロードされ、炉口ゲートバルブ
が閉まる。処理済ウエハWを搭載したボート10は全て
のウエハWが冷えるまで所定位置で待機する。多ボート
仕様の装置の場合は、処理済ウエハWを搭載したボート
10がアンロードされた後、未処理ウエハWを搭載した
他のボート10は処理炉12にロードされ、同様にして
ウエハWが熱処理される。このようにして連続的にバッ
チ処理が行われるのでスループットを向上できる。
【0059】次いで、待機していたボート10にてウエ
ハWが所定温度にまで冷えると、ウエハ移載機8は当該
ボート10から5枚のウエハWをそれぞれホルダ20と
共に取得して、ノッチアライナ9まで搬送する。そし
て、ノッチアライナ9にて、上記と逆の手順でホルダ2
0から熱処理されたウエハWが取得される。すなわち、
ウエハ移載機8は、処理済みウエハWの載置されたホル
ダ20を、支持部94a…の上方に配置させる(図2
(d)参照)。この状態で、ノッチアライナ9の移載機
構部が上昇する。これにより、ホルダ20上に載置され
ていた処理済みウエハWが、それぞれ3組の支持部94
a…によってすくい上げられる(図2(c)参照)。
【0060】次いで、ウエハ移載機8は、保持している
ホルダ20を例えば空きのボート10などのバッファ領
域に一旦搬送する。そして、再び支持部94a…の下方
にアーム811を挿入させる。この状態で、支持部94
a…が下降する。これにより、支持部94a…によって
すくい上げられていた処理済みウエハWがアーム811
に移載される。次いで、ウエハ移載機8は受け取ったウ
エハWを、ポッドオープナ6にセットされている空のポ
ッドPに格納する。処理済みウエハWか格納されたポッ
ドPは、ポッド搬送装置4によってポッド棚5やポッド
ステージ3に排出される。
【0061】基板処理装置1によれは、次のような効果
が得られる。 (1)ウエハWをリング状のホルダ20の上に載置した
状態で熱処理するので、ウエハWにおいて熱の極端に違
う場所ができない。また、ウエハWの自重がホルダ20
に分散されるので、局所的に過重がかかる箇所がない。
従って、ウエハWを比較的高温で熱処理しても、スリッ
プ或いは反りの発生が抑制される。これにより、製造す
る半導体デバイスの歩留まりを向上できると共に、その
品質を向上できる。
【0062】(2)従来ホルダにウエハを載置するのに
必要であった爪などを用いずに、複数のホルダ20に対
してウエハWを一括して着脱できるので、ボート10に
おけるウエハW(ホルダ20)のピッチを小さくでき
る。従って、爪によりウエハを支持するタイプのホルダ
型のボートよりも多くのウエハWを一度に搭載できるの
でスループットを向上できる。
【0063】(3)ノッチアライナ9にて、ホルダ20
に対するウエハWの着脱を行うようにしたので、従来必
要であった着脱機構を別途配置する必要がなくなる。こ
れにより、コストダウンが図れると共に、フットプリン
トを低減できる。
【0064】(4)年々配線の微細化および高性能化の
勢いが早まっており、それに伴いSi基板へ要求される
品質等についても年々厳しくなっている。例えば基板表
面および表層部分の無欠陥化、十分な金属不純物の捕獲
能力など、このような特性を持つSi基板は水素やアル
ゴン雰囲気でSi基板を高温で処理することにより作成
できる。この処理を基板処理装置1を用いることによ
り、同時に多数の基板を処理することができるので、低
コストで高品質の基板を提供できるようになる。
【0065】以上、本発明の好適な実施の形態について
説明した。本発明はこれに限られない。例えば、ホルダ
20にテーパ部21を設ける場合には、その表面と内周
面との境部に必ずしもアールを形成しなくてもよい。
【0066】また、ホルダ20のサイズは、特に限定さ
れない。変形例として、ホルダ20を、その外径がウエ
ハWの外径よりも小さくなるようにしてもよい。この場
合、アームは図10(a)に示すように構成するとよ
い。同図において符号100は、変形例としてのアーム
を示す。このアーム100にも上下2段の段差100
a,100bを形成するが、同図(b)に示す様に、上
段の段差100aがウエハW´の搬送ズレ防止機能を発
揮し、下段の段差100bがホルダ20´の搬送ズレ防
止機能を発揮する。
【0067】また、別の変形例として、ホルダ20を、
その外径がウエハWの外径と略等しくなるようにしても
よい。この場合、アームは図11に示すように構成する
とよい。同図において符号110は、別の変形例として
のアームを示す。このアーム110には1段の段差11
0aを形成する。但し、段差110aの高さは、同図
(b)に示す様に、ウエハW´とホルダ20´の厚みを
それぞれ足した高さとする。そして、この段差110a
が、ウエハW´の搬送ズレ防止機能とホルダ20´の搬
送ズレ防止機能とを発揮する。
【0068】また、ホルダ20にはテーパ部21を形成
しないこととしてもよい。すなわち、テーパ部21の傾
斜角を0度としてもよい。図12において、符号120
は、テーパを形成しない変形例としてのホルダを示す。
テーパ部を形成しない場合は、ホルダ120上のウエハ
Wのすわりが悪くなるので、同図(a)に示す様に、ウ
エハWのズレを防止用の突起121を設けるとよい。こ
の突起121は、ホルダ120表面のウエハWの周縁が
位置することとなる箇所に複数配置するとよい。また、
突起の高さは、ウエハWの厚みと同程度とするのが好ま
しい。尚、このような突起はテーパ部21を有するホル
ダ20に設けてもよい。また、テーパ部21を形成しな
い場合においても、図12(a),(b)に示すよう
に、ホルダ120の表面と内周面との境部にアールを形
成するのが好ましい。
【0069】また、ボート10の支持部103aの凸状
部103bの形状は特に半球状に限定されない。変形例
をそれぞれ図13(a)〜(f)に示した。同図(a)
は凸状部を、直方体部130で構成したもので、支持部
103aの上に、直方体部130が載っているような状
態で構成されている。同図(b)は凸状部を、正面視略
3角形且つ平面視略矩形に形成された先細り部132で
構成したもので、先細り部132が支持部103aに載
っているような状態で構成されている。同図(c)は、
凸状部を、正面視において上底が下底よりも短い略台形
且つ平面視略矩形に形成された先細り部134で構成し
たもので、先細り部134が支持部103aに載ってい
るような状態で構成されている。同図(d)は、凸状部
を無くしたものであり、凸状部は無くても差し支えな
い。同図(e)は、凸状部を、正面視半円形且つ平面視
矩形に形成された半円筒部137で構成したもので、半
円筒部137が支持部103aに載っているような状態
で構成されている。同図(f)は、凸状部を、先細り部
139で構成したもので、先細り部139が支持部10
3aに載っているような状態で構成されている。先細り
部139は、正面視略三角形且つ平面視矩形に形成され
ているが、その頂上部分に滑らかなアールが形成されて
いる。
【0070】
【発明の効果】本発明によれば、基板を熱処理するに当
たってウエハの支持にホルダなどの座板を用いながら、
スループットの向上が図られる。また、本発明によれ
ば、ウエハの支持にホルダなどの座板を用いながら、ウ
エハ処理装置全体の大型化を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施の形態による基板処理装置を示す図であ
る。
【図2】ノッチアライナにて行われるホルダとウエハと
の着脱を説明する為の図である。
【図3】ウエハとを示す平面図である。
【図4】ボートを示す図であり、(a)はその断面概略
図を示し、(b)はボートによってホルダが支持されて
いる様子を一部拡大して示す。
【図5】ホルダを示す図であり、(a)はその平面図、
(b)はその断面図、(c)はテーパ部を一部拡大して
示した断面図である。
【図6】ボートの支持部を示す図であり、(a)は支持
部によってホルダが支持されている様子を示し、(b)
は支持部の断面図を示し、(c)は凸状部の形状を示
す。
【図7】熱処理炉を示す断面概略図である。
【図8】アームを示す図であり、(a)はその平面図、
(b),(c)はその断面図を示す。
【図9】ノッチアライナにおけるウエハ支持部とホルダ
との位置関係を示す図である。
【図10】アームの変形例を示す図である。
【図11】アームの別の変形例を示す図である。
【図12】ホルダの変形例を示す図である。
【図13】凸状部の変形例を示す図である。
【符号の説明】
1 基板処理装置 9 ノッチアライナ(基板位置合わせ装置) 10 ボート(保持具) 12 熱処理炉(処理室) 20 ホルダ(座板) W ウエハ(基板) n ノッチ
フロントページの続き Fターム(参考) 5F031 CA02 FA01 FA05 FA09 FA11 FA12 GA03 GA05 GA38 GA40 HA02 HA05 HA07 HA12 HA42 HA59 HA62 HA64 JA01 JA02 JA15 JA19 JA23 JA35 JA45 KA03 KA14 KA20 LA15 MA30 PA20

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】基板を熱処理する処理室と、 基板のノッチ又はオリフラを揃える基板位置合わせ装置
    と、 前記処理室内で複数の前記基板をそれぞれ座板上に載置
    した状態で保持する保持具と、 前記基板または/および座板を、前記基板位置合わせ装
    置または前記保持具に搬送する搬送装置と、を備える基
    板処理装置であって、 前記座板への前記基板の着脱が前記基板位置合わせ装置
    にて行われ、 この基板位置合わせ装置と前記保持具との間で、前記搬
    送装置により前記基板が前記座板上に載置された状態で
    移送されるようにしたことを特徴とする基板処理装置。
  2. 【請求項2】基板を熱処理する処理室内で複数の前記基
    板をそれぞれ座板上に載置した状態で保持する保持具を
    用いた半導体装置の製造方法であって、 前記基板を基板位置合わせ装置に搬送する基板搬送工程
    と、 前記基板位置合わせ装置にて前記基板のノッチ又はオリ
    フラ合わせを行う基板位置合わせ工程と、 前記基板位置合わせ工程と並行して前記座板を取り出す
    座板取り出し工程と、 前記基板位置合わせ工程の後、前記取り出した座板を、
    前記基板位置合わせ装置にて支持されている前記基板の
    下方へ挿入し、これら基板と座板との上下方向の相対移
    動により前記基板を前記座板上に載置する基板載置工程
    と、 前記基板が載置された座板を前記保持具に搬送する座板
    搬送工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方
    法。
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