JP2005235906A - ウェーハ保持具及び気相成長装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は、気相成長後のシリコンエピタキシャルウェーハの裏面に発生する傷を低減することのできるウェーハ保持具及び気相成長装置を提供する。
【解決手段】ウェーハ保持具30は、シリコンエピタキシャルウェーハWの主裏面を保持しながら該シリコンエピタキシャルウェーハWを反応室11から搬出するものであり、座ぐり32は、水平面に対して座ぐり32の外周側から中央側に向かって低くなるように傾斜した支持面322を有し、支持面322でシリコンエピタキシャルウェーハWの裏面側の外周縁を支持する。
【選択図】図3
【解決手段】ウェーハ保持具30は、シリコンエピタキシャルウェーハWの主裏面を保持しながら該シリコンエピタキシャルウェーハWを反応室11から搬出するものであり、座ぐり32は、水平面に対して座ぐり32の外周側から中央側に向かって低くなるように傾斜した支持面322を有し、支持面322でシリコンエピタキシャルウェーハWの裏面側の外周縁を支持する。
【選択図】図3
Description
本発明は、シリコンエピタキシャルウェーハを搬出するウェーハ保持具及び気相成長装置に関する。
シリコンエピタキシャルウェーハは、シリコン単結晶基板の表面に、シリコンエピタキシャル層を気相成長させることによって製造することができる。このような気相エピタキシャル成長は、例えば、枚葉式の気相成長装置によって行われることが知られている。
枚葉式の気相成長装置は、シリコン単結晶基板を1枚ずつ処理する装置であり、シリコン単結晶基板を1枚載置するためのサセプタを内部に有し、周囲にハロゲンランプ等からなる加熱装置を有する透光性の反応室と、該反応室のサセプタ上にシリコン単結晶基板を載置するハンドラ(handler)等の搬送手段とを備えて概略構成されている。
この気相成長装置によって気相成長する場合は、反応室外からハンドラのブレード(blade)によってシリコン単結晶基板の主裏面を保持して反応室内のサセプタに1枚載置し、加熱装置によってシリコン単結晶基板を加熱する。そして、反応室内にシリコン原料ガスやドーパントガスを、所定時間、所定の流量で供給することによりシリコンエピタキシャル層を形成しシリコンエピタキシャルウェーハとする。得られたシリコンエピタキシャルウェーハは、再び主裏面がハンドラのブレードによって保持されながら反応室外に搬出される。
このようなハンドラのブレード100は、図4に示すように、シリコンエピタキシャルウェーハWを位置決め状態で配置するための座ぐり101を有している。座ぐり101は、平坦で環状の支持面を有する外周側座ぐり部102と、この外周側座ぐり部102よりも窪んだ状態に形成された中央側座ぐり部103とを有している(例えば、特許文献1参照)。
特開2002−151567号公報
枚葉式の気相成長装置は、シリコン単結晶基板を1枚ずつ処理する装置であり、シリコン単結晶基板を1枚載置するためのサセプタを内部に有し、周囲にハロゲンランプ等からなる加熱装置を有する透光性の反応室と、該反応室のサセプタ上にシリコン単結晶基板を載置するハンドラ(handler)等の搬送手段とを備えて概略構成されている。
この気相成長装置によって気相成長する場合は、反応室外からハンドラのブレード(blade)によってシリコン単結晶基板の主裏面を保持して反応室内のサセプタに1枚載置し、加熱装置によってシリコン単結晶基板を加熱する。そして、反応室内にシリコン原料ガスやドーパントガスを、所定時間、所定の流量で供給することによりシリコンエピタキシャル層を形成しシリコンエピタキシャルウェーハとする。得られたシリコンエピタキシャルウェーハは、再び主裏面がハンドラのブレードによって保持されながら反応室外に搬出される。
このようなハンドラのブレード100は、図4に示すように、シリコンエピタキシャルウェーハWを位置決め状態で配置するための座ぐり101を有している。座ぐり101は、平坦で環状の支持面を有する外周側座ぐり部102と、この外周側座ぐり部102よりも窪んだ状態に形成された中央側座ぐり部103とを有している(例えば、特許文献1参照)。
しかしながら、気相成長後に上記反応室外に搬出されたシリコンエピタキシャルウェーハは、ブレードの外周側座ぐり部と接触する裏面に傷が発生しやすい。
本発明は、シリコンエピタキシャルウェーハの裏面に発生する傷を低減することのできるウェーハ保持具及び気相成長装置を提供することを課題としている。
本発明は、シリコンエピタキシャルウェーハの裏面に発生する傷を低減することのできるウェーハ保持具及び気相成長装置を提供することを課題としている。
反応室外に搬出されたシリコンエピタキシャルウェーハの裏面に傷が発生するのは、以下の理由に依ると考えられる。
気相成長後のシリコンエピタキシャルウェーハを反応室から搬出する温度は、例えば、約600℃〜900℃と高温環境下で行われるものが多い。一方、従来のハンドラのブレードは、ほぼ室温であるため、約600℃〜900℃に加熱されたシリコンエピタキシャルウェーハを搬出する際に、ブレードが接触することによりシリコンエピタキシャルウェーハが冷却されて上に凸となるように反る。その後、搬送中に徐々に冷却されることによってシリコンエピタキシャルウェーハは平坦な状態となる。
ここで、オートドープの発生防止として、シリコン単結晶基板の主裏面に常圧CVD(Chemical Vapor Deposition;化学的気相成長)法によるシリコン酸化膜(以下、単にCVD酸化膜という)を形成する場合があるが、このように裏面にCVD酸化膜が形成されたシリコン単結晶基板に、シリコンエピタキシャル層が気相成長されたシリコンエピタキシャルウェーハは、常温で下に凸となるように反り易いという特性がある。そのため、裏面にCVD酸化膜が形成されたシリコンエピタキシャルウェーハの場合は、一旦、上述のように冷却されて平坦な状態となった後に、さらに下に凸となるように反る。
このようにシリコンエピタキシャルウェーハが平坦な状態からさらに下に凸となるように形状が変化する際に、シリコンエピタキシャルウェーハの裏面が、ブレード100の外周側座ぐり部102と中央側座ぐり部103との間に形成される角部分に接触することによって傷が形成される。
気相成長後のシリコンエピタキシャルウェーハを反応室から搬出する温度は、例えば、約600℃〜900℃と高温環境下で行われるものが多い。一方、従来のハンドラのブレードは、ほぼ室温であるため、約600℃〜900℃に加熱されたシリコンエピタキシャルウェーハを搬出する際に、ブレードが接触することによりシリコンエピタキシャルウェーハが冷却されて上に凸となるように反る。その後、搬送中に徐々に冷却されることによってシリコンエピタキシャルウェーハは平坦な状態となる。
ここで、オートドープの発生防止として、シリコン単結晶基板の主裏面に常圧CVD(Chemical Vapor Deposition;化学的気相成長)法によるシリコン酸化膜(以下、単にCVD酸化膜という)を形成する場合があるが、このように裏面にCVD酸化膜が形成されたシリコン単結晶基板に、シリコンエピタキシャル層が気相成長されたシリコンエピタキシャルウェーハは、常温で下に凸となるように反り易いという特性がある。そのため、裏面にCVD酸化膜が形成されたシリコンエピタキシャルウェーハの場合は、一旦、上述のように冷却されて平坦な状態となった後に、さらに下に凸となるように反る。
このようにシリコンエピタキシャルウェーハが平坦な状態からさらに下に凸となるように形状が変化する際に、シリコンエピタキシャルウェーハの裏面が、ブレード100の外周側座ぐり部102と中央側座ぐり部103との間に形成される角部分に接触することによって傷が形成される。
そこで、上記課題を解決するため、本発明に係るウェーハ保持具は、シリコンエピタキシャルウェーハの主裏面を保持しながら該シリコンエピタキシャルウェーハを反応室から搬出するウェーハ保持具であって、
下に凸の曲面形状を有する前記シリコンエピタキシャルウェーハを支持する座ぐりを備え、
前記座ぐりは、水平面に対して前記座ぐりの外周側から中央側に向かって低くなるように傾斜した支持面を有し、前記支持面で前記シリコンエピタキシャルウェーハの裏面側の外周縁を支持することを特徴としている。
下に凸の曲面形状を有する前記シリコンエピタキシャルウェーハを支持する座ぐりを備え、
前記座ぐりは、水平面に対して前記座ぐりの外周側から中央側に向かって低くなるように傾斜した支持面を有し、前記支持面で前記シリコンエピタキシャルウェーハの裏面側の外周縁を支持することを特徴としている。
本発明のウェーハ保持具によれば、シリコンエピタキシャルウェーハを支持する座ぐりを備え、座ぐりは、水平面に対して前記座ぐりの外周側から中央側に向かって低くなるように傾斜した支持面となるので、従来、外周側座ぐり部と中央側座ぐり部との間に形成されていた角部分をなくすことが可能となる。これにより、シリコンエピタキシャルウェーハの裏面が前記角部分と接触することがなくなるので、裏面に傷が発生するのを防ぐことができる。
特に、前記傾斜した支持面は、前記シリコンエピタキシャルウェーハの裏面側面取り部と接触していることが好ましい。
この場合、シリコンエピタキシャルウェーハは気相成長後冷却されることによって下に凸となる際に、支持面がシリコンエピタキシャルウェーハの裏面に接触しなくなり、シリコンエピタキシャルウェーハの裏面に傷が発生するのを確実に防ぐことができる。
前記シリコンエピタキシャルウェーハの裏面側面取り部と前記支持面が接触する位置における前記支持面の傾斜角度が水平面に対して0.2〜22°であって、かつ前記シリコンエピタキシャルウェーハの裏面側面取り部と前記支持面が接触する位置と前記ウェーハ保持具の底部表面との間隔が0.3mm以上であることが好ましい。
このように、シリコンエピタキシャルウェーハの裏面側面取り部と支持面が接触する位置における支持面の傾斜角度が水平面に対して0.2°以上あり、かつシリコンエピタキシャルウェーハの裏面側面取り部と支持面が接触する位置とウェーハ保持具の底部表面との間隔が0.3mm以上であれば、支持面とシリコンエピタキシャルウェーハの主裏面との接触を確実に防止することができる。また、シリコンエピタキシャルウェーハの裏面側面取り部と支持面が接触する位置において支持面の傾斜角度が水平面に対して22°以下であれば支持面とシリコンエピタキシャルウェーハの接触部を確実に裏面側面取り部とすることができる。
前記シリコンエピタキシャルウェーハの裏面側面取り部と前記支持面が接触する位置における前記支持面の傾斜角度が水平面に対して0.2〜22°であって、かつ前記シリコンエピタキシャルウェーハの裏面側面取り部と前記支持面が接触する位置と前記ウェーハ保持具の底部表面との間隔が0.3mm以上であることが好ましい。
このように、シリコンエピタキシャルウェーハの裏面側面取り部と支持面が接触する位置における支持面の傾斜角度が水平面に対して0.2°以上あり、かつシリコンエピタキシャルウェーハの裏面側面取り部と支持面が接触する位置とウェーハ保持具の底部表面との間隔が0.3mm以上であれば、支持面とシリコンエピタキシャルウェーハの主裏面との接触を確実に防止することができる。また、シリコンエピタキシャルウェーハの裏面側面取り部と支持面が接触する位置において支持面の傾斜角度が水平面に対して22°以下であれば支持面とシリコンエピタキシャルウェーハの接触部を確実に裏面側面取り部とすることができる。
また、前記シリコン単結晶基板の主裏面にはCVD酸化膜が形成されていることが好ましい。このようにシリコン単結晶基板の主裏面にCVD酸化膜を形成することによって、シリコン単結晶基板の主裏面からのオートドープの影響を防止することができる。
本発明に係る気相成長装置は、前記ウェーハ保持具を備えていることを特徴としている。
本発明によれば、水平面に対して座ぐりの外周側から中央側に向かって低くなるように傾斜した支持面が、シリコンエピタキシャルウェーハの裏面側の外周縁部を支持するので、シリコンエピタキシャルウェーハが気相成長後冷却されることによって下に凸となる際に、支持面がシリコンエピタキシャルウェーハの裏面側面取り部と接触するようになり、支持面はシリコンエピタキシャルウェーハの裏面と接触しなくなるので、裏面に傷が発生するのを防ぐことができる。
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図1及び図2は、本発明に係る気相成長装置の反応室の模式的な正面断面図、図3(a)は本発明に係るウェーハ保持具の平断面図、図3(b)はウェーハ保持具の縦断面図、図3(c)はウェーハ保持具の横断面図である。
まず、本発明に係るウェーハ保持具を備えた気相成長装置の構成について説明する。ここでは、気相成長装置の好適な一例として、枚葉式の気相成長装置としての機能を備えたものについて説明する。
なお、本実施の形態では、下に凸となる曲面形状を有するシリコン単結晶基板として、主裏面にCVD酸化膜を形成した基板に対してシリコンエピタキシャル層を気相成長させ、シリコンエピタキシャルウェーハを製造する場合を例に挙げる。
図1及び図2は、本発明に係る気相成長装置の反応室の模式的な正面断面図、図3(a)は本発明に係るウェーハ保持具の平断面図、図3(b)はウェーハ保持具の縦断面図、図3(c)はウェーハ保持具の横断面図である。
まず、本発明に係るウェーハ保持具を備えた気相成長装置の構成について説明する。ここでは、気相成長装置の好適な一例として、枚葉式の気相成長装置としての機能を備えたものについて説明する。
なお、本実施の形態では、下に凸となる曲面形状を有するシリコン単結晶基板として、主裏面にCVD酸化膜を形成した基板に対してシリコンエピタキシャル層を気相成長させ、シリコンエピタキシャルウェーハを製造する場合を例に挙げる。
図1及び図2に示すように、気相成長装置1は、シリコン単結晶基板Wが内部に配されて、該シリコン単結晶基板Wにシリコンエピタキシャル層を気相成長させる反応室11と、反応室11から気相成長後のシリコンエピタキシャルウェーハWを保持し搬出する本発明のウェーハ保持具30(図3参照)とを備えている。
反応室11の内部には、シリコン単結晶基板Wを上面で支持するサセプタ20が設けられている。
また、反応室11には、該反応室11内に原料ガス(例えば、トリクロロシラン)及びキャリアガス(例えば、水素)を含む気相成長用ガスをサセプタ20の上側の領域に導入してサセプタ20上のシリコン単結晶基板Wの主表面上に供給する気相成長用ガス導入管15が設けられている。
また、反応室11のうちの、気相成長用ガス導入管15が設けられた側と同じ側には、反応室11内にパージガス(例えば、水素)をサセプタ20の下側の領域に導入するパージガス導入管16が設けられている。
さらに、反応室11のうちの、気相成長用ガス導入管15及びパージガス導入管16が設けられた側と反対側には、反応室11内のガス(気相成長用ガス及びパージガス)が排気される排気管17が設けられている。
また、反応室11の外部には、該反応室11を上側と下側とから加熱する加熱装置14a、14bが設けられている。加熱装置14a、14bとしては、例えば、ハロゲンランプ等が挙げられる。
また、反応室11には、該反応室11内に原料ガス(例えば、トリクロロシラン)及びキャリアガス(例えば、水素)を含む気相成長用ガスをサセプタ20の上側の領域に導入してサセプタ20上のシリコン単結晶基板Wの主表面上に供給する気相成長用ガス導入管15が設けられている。
また、反応室11のうちの、気相成長用ガス導入管15が設けられた側と同じ側には、反応室11内にパージガス(例えば、水素)をサセプタ20の下側の領域に導入するパージガス導入管16が設けられている。
さらに、反応室11のうちの、気相成長用ガス導入管15及びパージガス導入管16が設けられた側と反対側には、反応室11内のガス(気相成長用ガス及びパージガス)が排気される排気管17が設けられている。
また、反応室11の外部には、該反応室11を上側と下側とから加熱する加熱装置14a、14bが設けられている。加熱装置14a、14bとしては、例えば、ハロゲンランプ等が挙げられる。
サセプタ20は、例えば炭化ケイ素で被覆されたグラファイトにより構成されている。このサセプタ20は、例えば略円板状に形成され、その主表面には、該主表面上にシリコン単結晶基板Wを位置決めするための平面視略円形状の凹部である座ぐり21が形成されている。
座ぐり21の底面には、座ぐり21に載置されたシリコン単結晶基板Wを裏面から支持するとともに、シリコン単結晶基板Wを上下方向に移動するためのリフトピン13が挿通されるリフトピン用孔部22が形成されている。
座ぐり21の底面には、座ぐり21に載置されたシリコン単結晶基板Wを裏面から支持するとともに、シリコン単結晶基板Wを上下方向に移動するためのリフトピン13が挿通されるリフトピン用孔部22が形成されている。
リフトピン13は、丸棒状に形成された胴体部13aと、該胴体部13aの上端部に形成されてシリコン単結晶基板Wを支持する頭部13bとを備えている。頭部13bは、シリコン単結晶基板Wを支持しやすいように胴体部13aの径に比べて大きく形成されている。
また、サセプタ20の裏面には、該裏面からサセプタ20を支持するサセプタ支持部材12が設けられている。このサセプタ支持部材12は、矢印Aで示す上下方向に移動可能で、かつ、矢印Bで示す方向に回転可能とされている。サセプタ支持部材12の先端部には、放射状に分岐した複数の支持アーム12aが設けられている。
そして、支持アーム12aの先端部は、サセプタ20をその上面が略水平となるようにサセプタ20の裏面に形成された凹部23に嵌合されている。また、支持アーム12aには、リフトピン13の胴体部13aが貫通する貫通孔12bが形成されている。
そして、支持アーム12aの先端部は、サセプタ20をその上面が略水平となるようにサセプタ20の裏面に形成された凹部23に嵌合されている。また、支持アーム12aには、リフトピン13の胴体部13aが貫通する貫通孔12bが形成されている。
本発明に係るウェーハ保持具30は、いわゆるハンドラ(図示しない)と言われる搬送手段に備えられており、支点部を軸に水平方向に回動可能な棒状の回動部材(図示しない)の一端に設けられ、シリコン単結晶基板WあるいはシリコンエピタキシャルウェーハWの主裏面の一部を保持する。
また、ウェーハ保持具30は、図3(a)〜(c)に示すように、長手方向両端部に平断面視コ字型状の切欠部30a、30bがそれぞれ形成された平断面視略H型の板状をなしており、透明石英製である。
ウェーハ保持具30の一方の端部には、回動部材との接続部31が設けられており、他方の端部の縁部は円弧状に形成されている。また、ウェーハ保持具30の他方の端部側の切欠部30bは、一方の端部側の切欠部30aよりも大きく形成されており、他方の端部側に形成された切欠部30b内、及び、ウェーハ保持具30の短手方向の両外側には、上述のリフトピン13が配置されるようになっている。
さらに、ウェーハ保持具30の中央には、シリコン単結晶基板W又はシリコンエピタキシャルウェーハWを支持する座ぐり32を備えている。
また、ウェーハ保持具30は、図3(a)〜(c)に示すように、長手方向両端部に平断面視コ字型状の切欠部30a、30bがそれぞれ形成された平断面視略H型の板状をなしており、透明石英製である。
ウェーハ保持具30の一方の端部には、回動部材との接続部31が設けられており、他方の端部の縁部は円弧状に形成されている。また、ウェーハ保持具30の他方の端部側の切欠部30bは、一方の端部側の切欠部30aよりも大きく形成されており、他方の端部側に形成された切欠部30b内、及び、ウェーハ保持具30の短手方向の両外側には、上述のリフトピン13が配置されるようになっている。
さらに、ウェーハ保持具30の中央には、シリコン単結晶基板W又はシリコンエピタキシャルウェーハWを支持する座ぐり32を備えている。
座ぐり32は、水平面に対して、前記座ぐり32の外周側から中央側に向かって低くなるように傾斜した支持面322と、座ぐり32の中央に位置し、略水平な面を有する底部321とを備えている。
また、シリコンエピタキシャルウェーハWの裏面側面取り部と支持面322が接触する位置における支持面322の傾斜角度が水平面に対して0.2〜22°であって、かつシリコンエピタキシャルウェーハWの裏面側面取り部と支持面322が接触する位置とウェーハ保持具30の底部321表面との間隔dが0.3mm以上であることが好ましい。
シリコンエピタキシャルウェーハWが気相成長後冷却されることによって、下に凸となるシリコンエピタキシャルウェーハWの反り量は、直径200mmの場合最大0.3mmに達する。このときシリコンエピタキシャルウェーハWの裏面側面取り部と支持面322との接触部における水平面に対するシリコンエピタキシャルウェーハWの傾斜角度は0.2°に相当する。従って、シリコンエピタキシャルウェーハWの裏面側面取り部と支持面322が接触する位置における支持面322の傾斜角度が水平面に対して0.2°以上であって、かつシリコンエピタキシャルウェーハWの裏面側面取り部と支持面322が接触する位置とウェーハ保持具30の底部321表面との間隔dが0.3mm以上あれば、シリコンエピタキシャルウェーハWが支持面322又は底部321と接触することを防止することができる。
また、シリコンエピタキシャルウェーハWに反りがない場合、シリコンエピタキシャルウェーハWの裏面側面取り部が支持面322と接触することのできる支持面322の水平面に対する最大傾斜角度は22°である。従って、シリコンエピタキシャルウェーハWの裏面側面取り部と支持面322が接触する位置において支持面322の傾斜角度が水平面に対して22°以下であれば、支持面322とシリコンエピタキシャルウェーハWの接触部を確実に裏面側面取り部とすることができる。
シリコンエピタキシャルウェーハWが気相成長後冷却されることによって、下に凸となるシリコンエピタキシャルウェーハWの反り量は、直径200mmの場合最大0.3mmに達する。このときシリコンエピタキシャルウェーハWの裏面側面取り部と支持面322との接触部における水平面に対するシリコンエピタキシャルウェーハWの傾斜角度は0.2°に相当する。従って、シリコンエピタキシャルウェーハWの裏面側面取り部と支持面322が接触する位置における支持面322の傾斜角度が水平面に対して0.2°以上であって、かつシリコンエピタキシャルウェーハWの裏面側面取り部と支持面322が接触する位置とウェーハ保持具30の底部321表面との間隔dが0.3mm以上あれば、シリコンエピタキシャルウェーハWが支持面322又は底部321と接触することを防止することができる。
また、シリコンエピタキシャルウェーハWに反りがない場合、シリコンエピタキシャルウェーハWの裏面側面取り部が支持面322と接触することのできる支持面322の水平面に対する最大傾斜角度は22°である。従って、シリコンエピタキシャルウェーハWの裏面側面取り部と支持面322が接触する位置において支持面322の傾斜角度が水平面に対して22°以下であれば、支持面322とシリコンエピタキシャルウェーハWの接触部を確実に裏面側面取り部とすることができる。
また、支持面322のうち、シリコンエピタキシャルウェーハWの少なくとも裏面側の外周縁に接触するエッジ部分323、すなわち、幅方向に位置する両側縁部及び切欠部30a、30bを形成する縁部(平断面視コ字型部分)が曲面形状に形成されている(図3(a)中、斜線部分で示した箇所)。
また、底部321には、シリコンエピタキシャルウェーハWの主裏面を保持した際の空気抜きとしての平断面視だるま形状の空気抜き用穴324が形成されている。
次に、上述した構成の気相成長装置1を用いて、シリコン単結晶基板Wにシリコンエピタキシャル層を気相成長することによってシリコンエピタキシャルウェーハWを製造する方法について説明する。
まず、主裏面にCVD酸化膜が形成された未処理のシリコン単結晶基板Wの主裏面をハンドラのウェーハ保持具30によって保持させて、回動部材の収縮・回動によってウェーハ保持具30を反応室11のサセプタ20上に移動する。
ここで、図2に示すように、サセプタ支持部材12を下降させることによってサセプタ20を下降させ、リフトピン13を、サセプタ20に対して相対的に上昇させておく。この状態で、ハンドラのウェーハ保持具30を2つのリフトピン13の間に挿入させ、かつ、ウェーハ保持具30の前記切欠部30b内に1つのリフトピン13を挿入させて、上面で保持したシリコン単結晶基板Wを各リフトピン13の頭部13b上に搭載して、シリコン単結晶基板Wの主表面を上にして支持させる。
まず、主裏面にCVD酸化膜が形成された未処理のシリコン単結晶基板Wの主裏面をハンドラのウェーハ保持具30によって保持させて、回動部材の収縮・回動によってウェーハ保持具30を反応室11のサセプタ20上に移動する。
ここで、図2に示すように、サセプタ支持部材12を下降させることによってサセプタ20を下降させ、リフトピン13を、サセプタ20に対して相対的に上昇させておく。この状態で、ハンドラのウェーハ保持具30を2つのリフトピン13の間に挿入させ、かつ、ウェーハ保持具30の前記切欠部30b内に1つのリフトピン13を挿入させて、上面で保持したシリコン単結晶基板Wを各リフトピン13の頭部13b上に搭載して、シリコン単結晶基板Wの主表面を上にして支持させる。
次いで、ハンドラを待避させる一方で、図1に示すようにサセプタ支持部材12を上昇させることによってサセプタ20を上昇させ、リフトピン13を、サセプタ20に対して相対的に下降させる。このサセプタ20上昇の過程で、座ぐり21の底面がシリコン単結晶基板Wの主裏面に到達すると、それまでリフトピン13の頭部13b上に支持されていたシリコン単結晶基板Wが座ぐり21の底面に支持された状態へと移行する。
次に、反応室11内のシリコン単結晶基板Wに水素雰囲気下で熱処理を施して、シリコン単結晶基板Wの主表面上にシリコンエピタキシャル層を気相成長させる。
すなわち、サセプタ支持部材12を鉛直軸回りに回転駆動させることによりサセプタ20及びシリコン単結晶基板Wを回転させる。そして、加熱装置14a、14bに電力を供給し、サセプタ20上のシリコン単結晶基板Wを所望の温度(例えば、1100℃〜1200℃)に加熱し、この温度を保持するとともに、気相成長用ガス導入管15を介してシリコン単結晶基板Wの主表面上に気相成長用ガスを略水平に供給する。一方、パージガス導入管16を介してサセプタ11の下側に水素ガスを導入する。したがって、気相成長中、サセプタ20の上側には気相成長用ガス流が、下側にはパージガス流がそれぞれサセプタ20及びシリコン単結晶基板Wと略平行に形成される。
このようにシリコン単結晶基板Wの主表面上にシリコンエピタキシャル層を形成してシリコンエピタキシャルウェーハWを製造する。気相成長後、加熱装置14a、14bの出力を止め、加熱処理を終了する。
すなわち、サセプタ支持部材12を鉛直軸回りに回転駆動させることによりサセプタ20及びシリコン単結晶基板Wを回転させる。そして、加熱装置14a、14bに電力を供給し、サセプタ20上のシリコン単結晶基板Wを所望の温度(例えば、1100℃〜1200℃)に加熱し、この温度を保持するとともに、気相成長用ガス導入管15を介してシリコン単結晶基板Wの主表面上に気相成長用ガスを略水平に供給する。一方、パージガス導入管16を介してサセプタ11の下側に水素ガスを導入する。したがって、気相成長中、サセプタ20の上側には気相成長用ガス流が、下側にはパージガス流がそれぞれサセプタ20及びシリコン単結晶基板Wと略平行に形成される。
このようにシリコン単結晶基板Wの主表面上にシリコンエピタキシャル層を形成してシリコンエピタキシャルウェーハWを製造する。気相成長後、加熱装置14a、14bの出力を止め、加熱処理を終了する。
上記気相成長工程後、回動部材を収縮・回動させて、ウェーハ保持具30をシリコンエピタキシャルウェーハWの位置へ移動させて、ウェーハ保持具30でシリコンエピタキシャルウェーハWの主裏面を保持する。
ここで、予めサセプタ20の回転を止めた後に、図2に示すようにサセプタ支持部材12を下降させて、各リフトピン13を互いに略等量だけサセプタ20上方に突出させ、これによってシリコンエピタキシャルウェーハWをサセプタ20の座ぐり21上方に上昇させておく。そして、この状態で、ハンドラのウェーハ保持具30を座ぐり21とシリコンエピタキシャルウェーハWとの間に挿入させて、ウェーハ保持具30でシリコンエピタキシャルウェーハWの主裏面の一部に接触して保持する。
ここで、予めサセプタ20の回転を止めた後に、図2に示すようにサセプタ支持部材12を下降させて、各リフトピン13を互いに略等量だけサセプタ20上方に突出させ、これによってシリコンエピタキシャルウェーハWをサセプタ20の座ぐり21上方に上昇させておく。そして、この状態で、ハンドラのウェーハ保持具30を座ぐり21とシリコンエピタキシャルウェーハWとの間に挿入させて、ウェーハ保持具30でシリコンエピタキシャルウェーハWの主裏面の一部に接触して保持する。
上記保持工程後、反応室11からシリコンエピタキシャルウェーハWをハンドラによって搬出する。
搬出されたシリコンエピタキシャルウェーハWは、例えばロードロック室(図示しない)のカセット内へと収納され、収納後、ハンドラは元の所定の位置に戻る。
搬出されたシリコンエピタキシャルウェーハWは、例えばロードロック室(図示しない)のカセット内へと収納され、収納後、ハンドラは元の所定の位置に戻る。
以上のように反応室11から取り出されたシリコンエピタキシャルウェーハWは約600〜900℃に加熱されていることから、ウェーハ保持具30に接触することによって冷却されて上に凸となるように反る。その後、搬送中に徐々に冷却されて一旦、平坦な状態となり、さらに下に凸となるように形状が変化する。
一方、ウェーハ保持具30の支持面322は座ぐり32の外周側から中央側に向かって低くなるように傾斜しており、支持面322でシリコンエピタキシャルウェーハWの裏面側の外周縁を支持するので、シリコンエピタキシャルウェーハWは平坦な状態から下に凸となるように形状が変化する際に、支持面322がシリコンエピタキシャルウェーハWの裏面側面取り部と接触する。よって、支持面322はシリコンエピタキシャルウェーハWの裏面と接触しなくなり、裏面に傷が発生するのを防ぐことができる。
一方、ウェーハ保持具30の支持面322は座ぐり32の外周側から中央側に向かって低くなるように傾斜しており、支持面322でシリコンエピタキシャルウェーハWの裏面側の外周縁を支持するので、シリコンエピタキシャルウェーハWは平坦な状態から下に凸となるように形状が変化する際に、支持面322がシリコンエピタキシャルウェーハWの裏面側面取り部と接触する。よって、支持面322はシリコンエピタキシャルウェーハWの裏面と接触しなくなり、裏面に傷が発生するのを防ぐことができる。
また、支持面322のうち、シリコンエピタキシャルウェーハWの少なくとも裏面側の外周縁に接触するエッジ部分323が曲面形状に形成されているので、エッジ部分323にシリコンエピタキシャルウェーハWが接触した場合でも、シリコンエピタキシャルウェーハWの裏面に傷が発生することがない。
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
例えば、本発明の気相成長装置1は、上述した枚葉式に限定されるものではなく、例えば、縦型(パンケーキ型)、バレル型(シリンダ型)等にも適用可能である。
例えば、本発明の気相成長装置1は、上述した枚葉式に限定されるものではなく、例えば、縦型(パンケーキ型)、バレル型(シリンダ型)等にも適用可能である。
1 気相成長装置
11 反応室
30 ウェーハ保持具
32 座ぐり
322 支持面
W シリコン単結晶基板、シリコンエピタキシャルウェーハ
11 反応室
30 ウェーハ保持具
32 座ぐり
322 支持面
W シリコン単結晶基板、シリコンエピタキシャルウェーハ
Claims (5)
- シリコンエピタキシャルウェーハの主裏面を保持しながら該シリコンエピタキシャルウェーハを反応室から搬出するウェーハ保持具であって、
下に凸の曲面形状を有する前記シリコンエピタキシャルウェーハを支持する座ぐりを備え、
前記座ぐりは、水平面に対して前記座ぐりの外周側から中央側に向かって低くなるように傾斜した支持面を有し、前記支持面で前記シリコンエピタキシャルウェーハの裏面側の外周縁を支持することを特徴とするウェーハ保持具。 - 前記傾斜した支持面は、前記シリコンエピタキシャルウェーハの裏面側面取り部と接触することを特徴とする請求項1に記載のウェーハ保持具。
- 前記シリコンエピタキシャルウェーハの裏面側面取り部と前記支持面が接触する位置における前記支持面の傾斜角度が水平面に対して0.2〜22°であって、かつ前記シリコンエピタキシャルウェーハの裏面側面取り部と前記支持面が接触する位置と前記ウェーハ保持具の底部表面との間隔が0.3mm以上であることを特徴とする請求項1又は2に記載のウェーハ保持具。
- 前記シリコン単結晶基板は、主裏面にCVD酸化膜が形成されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のウェーハ保持具。
- 請求項1〜4のいずれか一項に記載のウェーハ保持具を備えることを特徴とする気相成長装置。
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JP2004041188A JP2005235906A (ja) | 2004-02-18 | 2004-02-18 | ウェーハ保持具及び気相成長装置 |
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-
2004
- 2004-02-18 JP JP2004041188A patent/JP2005235906A/ja active Pending
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