JPWO2002097872A1 - 半導体ウェーハの製造方法及びそれに用いられるサセプタ - Google Patents
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Abstract
サセプタ（１０）に設けられた座ぐり（１１）内にシリコン単結晶ウェーハ（Ｗ）を載置し、シリコン単結晶ウェーハ（Ｗ）に熱処理を施して半導体ウェーハを製造する、半導体ウェーハの製造方法において、座ぐり（１１）とシリコン単結晶ウェーハ（Ｗ）との接触率を、０．１％以上１．１％以下とする。
Description
技術分野
本発明は、サセプタ上にシリコン単結晶ウェーハを載置して熱処理を施し、半導体ウェーハを製造する、半導体ウェーハの製造方法及びそれに用いられるサセプタに関する。
背景技術
シリコン単結晶ウェーハ（以降、ウェーハと記載する）から半導体を製造する過程では、各種の装置によって、ウェーハに様々な熱処理が施される。このような装置内にウェーハを載置する主な方法には、ウェーハの周縁部を支持して該ウェーハを立てた状態で装置内に並べる方式と、ウェーハの裏面側を支持して装置内のサセプタに載置する方式とがある。この後者の方式では、熱処理が例えば気相成長の場合、ウェーハを一枚ずつサセプタに載置して処理する枚葉型の装置と、一度に複数枚のウェーハをサセプタに並べて処理するパンケーキ型またはバレル型（シリンダー型）とよばれる装置が知られている。これら枚葉型、パンケーキ型およびバレル型の装置では、サセプタ上のウェーハを載置する位置に、円形の窪み（座ぐり）が形成されている。この座ぐりは、一般的に炭化珪素で被覆されたカーボンで形成されており、その径および深さは、処理するウェーハの径や厚み、また気相成長等のウェーハに施す熱処理が、適切になされる条件等を鑑みて設計されている。
この座ぐりの底部が平坦面に形成された場合、ウェーハＷを載置する際に、ウェーハが座ぐり上で滑り易い。
そのため、この座ぐり底部の表面には、図１Ａのように、例えば格子状の溝を刻み、台形状の凸部が多数配列するような形状に形成するなどしている。そして、ウェーハを座ぐりの底部に載置した際には、ウェーハが裏面側から多数の凸部で支持される。
このような装置において、ウェーハは、熱処理が施される前の待機位置から処理を行う場所のサセプタまで、ベルヌーイチャック等の搬送手段によって搬送され、サセプタに設けられた座ぐり上に載置される。そして、熱処理が行われた後、ウェーハは装置外部へ搬出するための待機位置まで搬送される。この一連の作業は装置内において連続して行われるようになっており、一連の処理作業終了後は、次の未処理ウェーハに対する熱処理作業が開始されるようになっている。
半導体ウェーハを製造するためのウェーハに対する熱処理は、高温環境下で行われるものが多い。そしてサセプタも、ウェーハを所定の温度にするため、座ぐり自身が高周波やランプ等の手段によって高温に加熱される。
このような装置において、ウェーハの熱処理を連続して行う場合、未処理のウェーハを反応炉に搬送した時に、既に高温に加熱されているサセプタ上にウェーハを載置することになる。その際、ウェーハがサセプタに設けられた座ぐりの底部に接触した瞬間に、下面側が急激に熱せられることによって、ウェーハが図６のように上方に反り上がる。例えば、直径２００ｍｍのウェーハＷを約６００℃のサセプタ１０に載置する際、ウェーハの反り上がりの瞬間を観察すると、ウェーハの下面の端部から、座ぐりの底部までの距離（ウェーハの反り量Ｄ）は、瞬間的に約３．２ｍｍにもなる。
この反りは一時的なものであるが、例えばベルヌーイチャックなどの搬送手段がウェーハと近接した位置に存在すると、反り上がりの瞬間にウェーハが搬送手段と接触してウェーハＷの表面にキズが発生することがあり、問題である。
本発明の課題は、半導体ウェーハの製造過程において、シリコン単結晶ウェーハをサセプタに載置する瞬間に発生するシリコン単結晶ウェーハの反りを低減できる、半導体ウェーハの製造方法及びそれに用いられるサセプタを提供することである。
発明の開示
以上の課題に基き、本発明者等は、装置内でのウェーハＷの搬送・載置に関する検討を行った。その結果、サセプタの座ぐりに形成する凸部の間隔を大きくすることにより、座ぐり上に載置した瞬間においても、図２のように、ウェーハの反りが軽減され、安定した状態で載置できることが分かった。
このように、座ぐり底部の凸部の間隔を変えた場合、座ぐり上において、ウェーハＷが接触する単位面積当たりの凸部の数が変化して、座ぐりとウェーハとの接触率が変化する。そこで、この接触率を調整することによって、ウェーハの反り量が低減できると考えた。
そして検討の結果、例えば６００℃のサセプタの座ぐりにウェーハを載置する際、接触率を１．１％以下、より好ましくは１％以下（溝幅１．８ｍｍ以上）とすると、ウェーハの反り量が大幅に低減でき、傷の発生を防止できることが分かった。
ただし、凸部間隔をある程度以上に大きくしてしまうと、座ぐりからウェーハに十分に熱が伝達されなくなるため、スリップ転位が発生する。そこで、座ぐりとウェーハとの接触率の下限については、スリップ転位の発生を抑えるため０．１％以上とすると好ましい。
そこで、本発明の第１の側面によれば、本発明による半導体ウェーハの製造方法は、サセプタに設けられた座ぐり内にシリコン単結晶ウェーハを載置し、該シリコン単結晶ウェーハに熱処理を施して半導体ウェーハを製造する、半導体ウェーハの製造方法において、前記座ぐりと前記シリコン単結晶ウェーハとの接触率を、０．１％以上１．１％以下とすることを特徴とする。
この座ぐりとシリコン単結晶ウェーハとの接触率は、例えば座ぐりに格子状の溝などを形成し、その溝幅を大きくすることによって調整することができる。
その場合、座ぐりに形成される溝幅は、１．８ｍｍ以上とすると好ましい。
より好ましくは、接触率は０．１％以上１％以下とする。
なお、この座ぐりは、気相エピタキシャル成長を行う装置やＣＶＤ装置など、ウェーハを熱処理する各種装置において用いられるサセプタのうち、シリコン単結晶ウェーハの裏面を接触させて載置させる形式の、例えば枚葉型、パンケーキ型、バレル型等のサセプタに設けられる座ぐりとして適用される。また、座ぐりに形成される溝は、例えば、機械加工によって形成させることができる。サセプタの材質としては、炭化珪素で被覆されたカーボンが好ましく、場合によっては石英やシリコン等を用いてもよい。
本発明の半導体ウェーハの製造方法によれば、サセプタに載置した際のウェーハの反りを大幅に低減できるので、搬送手段などウェーハと近接した位置にある部材と、ウェーハとが接触することを防止でき、反りによってウェーハの表面に傷が発生することも防止できる。
また、本発明の第２の側面によれば、本発明による半導体ウェーハの製造方法は、サセプタに設けられた座ぐり内にシリコン単結晶ウェーハを載置し、該シリコン単結晶ウェーハに熱処理を施して半導体ウェーハを製造する、半導体ウェーハの製造方法において、前記サセプタ内の温度が９００℃の場合、前記座ぐりと前記シリコン単結晶ウェーハとの接触率を、０．１％以上０．３％以下とすることを特徴とする。
さらに、本発明の第３の側面によれば、本発明による半導体ウェーハの製造に用いられるサセプタは、シリコン単結晶ウェーハを載置するための座ぐりを有する、半導体ウェーハを製造するためのサセプタにおいて、前記座ぐりと前記シリコン単結晶ウェーハとの接触率を、０．１％以上１．１％以下とすることを特徴とする。
また、本発明の第４の側面によれば、本発明による半導体ウェーハの製造に用いられるサセプタは、前記サセプタ内の温度が９００℃の場合、前記座ぐりと前記シリコン単結晶ウェーハとの接触率を、０．１％以上０．３％以下とすることを特徴とする。
発明を実施するための最良の形態
本実施の形態では、本発明の熱処理の一例として、ウェーハＷの主表面に気相エピタキシャル成長を行って単結晶薄膜を形成する半導体ウェーハの製造方法について説明する。この気相エピタキシャル成長は、図３に示す、枚葉式の気相成長装置１００によって行う。
気相成長装置１００は、反応炉１０１と、ロードロック室１０２、１０３と、反応炉１０１とロードロック室１０２、１０３との間の搬送室１０４とから概略構成されている。搬送室１０４と反応炉１０１との間は、開閉可能なゲートバルブ１０５によって仕切られている。
ロードロック室１０２、１０３は、ウェーハＷの気相成長装置１００内への投入・取り出しを行う場所であって、気相エピタキシャル成長前（以下、処理前と記載する）のウェーハＷがカセット（図示略）に、主表面を上にした状態で上下方向に通常複数枚載置されている。これらのウェーハＷは一枚ずつ搬送室１０４へと搬出され、気相エピタキシャル成長が行われた後（以下、処理後と記載する）、もとのロードロック室１０２、１０３に搬送され、カセット内に再び戻されるようになっている。
搬送室１０４は、ロードロック室１０２、１０３と、反応炉１０１との間で、ウェーハＷの搬送を行う場所であって、ウェーハＷの保持・搬送手段であるハンドラ１１０が備え付けられている。
ハンドラ１１０は、搬送室１０４のほぼ中央に位置する支点部１１１を中心に、水平方向に回動自在・伸縮自在に取り付けられたアーム１１２と、アーム１１２先端に設けられた、ウェーハＷを保持するための円盤状のチャック１１３とから構成されている。アーム１１２は、第１のリンク１１２ａ、１１２ａと第２のリンク１１２ｂ、１１２ｂとから構成され、それぞれ対応する第１のリンク１１２ａ、１１２ａおよび第２のリンク１１２ｂ、１１２ｂがそれらをつなぐ支点部１１２ｃ、１１２ｃを中心に互いに離れる方向あるいは互いに重なる方向に移動することにより、アーム１１２は伸縮可能となっている。
ハンドラ１１０によるシリコン単結晶ウェーハの搬送は、ベルヌーイチャック式である。すなわち、チャック１１３の中央部から外周部へ、例えば窒素のようなガスが勢いよく吹き出されるようになっており、このガスのベルヌーイ効果により、ウェーハＷがチャック１１３の下面近傍において、非接触的に吸着・保持される。そして、この保持状態を保ったままアーム１１２が伸縮・回動することでチャック１１３が移動し、それに伴ってウェーハＷが移動する。チャック１１３が、例えば反応炉１０１のウェーハＷを載置する位置に到達した場合、チャック１１３のガス流を変化させて、ウェーハＷの保持状態を解除する。すると、ウェーハＷがチャック１１３を離れ、チャック１１３下方の所定の位置に載置される。
反応炉１０１は、ハンドラ１１０によって搬送されてくるウェーハＷを一枚内部に配して、その主表面上に単結晶薄膜の気相エピタキシャル成長を行う場所である。反応炉１０１には、図３、図４Ａおよび図４Ｂに示すように、ウェーハＷを載置する座ぐり１１が形成されたサセプタ１０が設けられている。
座ぐり１１の底部１１ａには、図１Ａに示すように、格子状の溝１が多数形成されており、溝１で囲まれた部分は、図１Ｂに示すように、凸部２となっている。ウェーハＷが座ぐり１１に載置された際、ウェーハＷはこの凸部上面２ａと接触する。
座ぐり１１底部１１ａの単位面積当りの、凸部上面２ａの総面積の割合（％）を、ウェーハＷと座ぐり１１との接触率とした場合、この接触率が、０．１％以上、１．１％以下、より好ましくは１％以下となるように、座ぐり１１の底部１１ａを形成する。
接触率を前記の範囲に調整するための第１の方法は、図１Ｂに示す凸部上面２ａの大きさＣ（図では、便宜的に凸部断面上部の一辺で示している）を一定とした状態で、凸部２の間隔Ａを調整する（溝幅Ｂを調整する）ことにより、単位面積当たりの凸部２の数を増減させる。
また、第２の方法は、凸部２の間隔Ａを一定とし、溝幅Ｂの大きさを調整して、凸部２の大きさ、すなわち凸部上面２ａの大きさＣを調整する。
さらに、第３の方法は、これら凸部２の間隔Ａ（溝幅Ｂ）と、凸部上面２ａの大きさＣの両方を調整する。
次に、ウェーハＷに気相エピタキシャル成長を行う半導体ウェーハの製造方法を、気相成長装置１００の動作とともに説明する。
まず、図３に示すロードロック室１０２、１０３のいずれか一方に載置されている未処理のウェーハＷを、図示しない一時載置場所に仮置きした後、該ウェーハＷの主表面上方にチャック１１３を到達させ、ガス噴射によってウェーハＷを保持させる。その後、アーム１１２の収縮・回動によってチャック１１３を反応炉１０１方向へ移動させ、ゲートバルブ１０５の開閉部１０５ａを開放後、アーム１１２を伸長させて、チャック１１３をサセプタ１０の座ぐり１１の上方に到達させる（図４Ａ、図４Ｂ）。そして、ウェーハＷの保持状態を解除して、ウェーハＷを座ぐり１１上に載置する（図２）。
ウェーハＷを載置した後、アーム１１２を収縮させてチャック１１３を搬送室１０４に戻す。そしてゲートバルブ１０５の開閉部１０５ａを閉鎖し、反応炉１０１でのウェーハＷに対する気相エピタキシャル成長（熱処理）を開始する。
気相エピタキシャル成長処理は、反応炉１０１内をおよそ１１００℃〜１２００℃程度に加熱した状態で、ジクロロシランやトリクロロシラン等の原料ガスをドーパントガスとともにウェーハＷの主表面上に流通させることによって行う。これらのガス組成やガスの流量、また流通時間、また温度の詳細な設定は、所望のシリコンエピタキシャルウェーハ（半導体ウェーハ）の膜厚等を鑑みて、適宜設定する。
また、気相エピタキシャル成長後、次の未処理ウェーハを載置する際の炉内温度は、およそ６００℃〜９００℃の所望の温度とする。
気相エピタキシャル成長後、ゲートバルブ１０５の開閉部１０５ａを開放し、ハンドラ１１０によって、処理後のウェーハＷをロードロック室１０２、１０３の一方に搬送する。この搬送後、ロードロック室１０２、１０３内の未処理ウェーハＷを同様に反応炉１０１に搬送して、一連のエピタキシャル成長処理動作を開始する。
なお、前記のように気相エピタキシャル成長後、次の未処理ウェーハを載置する際の炉内温度は、およそ６００℃〜９００℃の所望の温度とされるが、後述する実施例、比較例に記載のように炉内温度が比較的高温の場合には座ぐりとウェーハとの接触率を小さくすることが好ましく、比較的低温の場合には大きめの値でも十分な効果が得られる。操業条件に応じて０．１％〜１．１％の範囲で適宜選択すればよく、例えば９００℃では０．１〜０．３％とすることが好ましい。
また、本実施の形態や後述する実施例、比較例では、シリコンウェーハにシリコン単結晶薄膜をエピタキシャル成長する半導体ウェーハの製造方法を例に説明しているが、本発明はＳｉＧｅのような歪半導体層の薄膜をシリコンウェーハ上に形成する工程や他の薄膜形成工程にも有効である。
（実施例１）
本実施例においては、前記実施の形態における枚葉式の気相成長装置１００を用いて、ウェーハＷに対する熱処理として気相エピタキシャル成長を行い、半導体ウェーハの一種であるシリコンエピタキシャルウェーハを製造する。
気相成長装置１００の反応炉１０１内に配設させたサセプタ１０には、炭化珪素で被覆されたカーボン製の座ぐり１１が設けられている。座ぐり１１としては、底部１１ａの溝幅Ｂが、（１）３．６４ｍｍ（凸部２の間隔Ａとして３．８４ｍｍ）、または（２）１．７２ｍｍ（凸部２の間隔Ａとして１．９２ｍｍ）となるように、格子状の溝１を一様に形成した座ぐり２種類を用意する。そして、それらの座ぐり１１にウェーハＷを載置して気相エピタキシャル成長を行う。
ここで、この座ぐり１１の凸部２の形状と大きさは、底部１１ａにおいて一様の台形状であって、凸部の上面２ａは、一辺が約０．２ｍｍの略正方形とする。従って、各々の座ぐり１１とウェーハＷとの接触率は、（１）０．３％、（２）１．１％である。
反応炉１０１内およびサセプタ１０内の温度は、ウェーハＷの搬入時において６００℃とする。直径２００ｍｍのウェーハＷをチャック１１３で搬送して、サセプタ１０の座ぐり１１に載置する。なお、本実施例において、チャック１１３と、座ぐり底部１１ａとの距離（凸部上面２ａからチャック１１３までの距離）は５ｍｍである。
ウェーハＷを座ぐり１１内に載置後、チャック１１３を搬送室１０４に戻し、ゲートバルブ１０５の開閉部１０５ａを閉鎖して、気相エピタキシャル成長を開始させる。気相成長終了後、ゲートバルブ１０５の開閉部１０５ａを開き、ハンドラ１１０によってサセプタ１０上の単結晶薄膜が形成されたウェーハＷを保持し、ロードロック室１０２に搬出する。
これら２種類のサセプタ１０を用いて処理を行ったところ、座ぐり１１に載置した瞬間のウェーハＷの反り量Ｄは、（１）０．０１ｍｍ、（２）０．０５ｍｍであった。また、この気相成長によって製造されたシリコンエピタキシャルウェーハの表面には、傷の発生は認められない。
このように、ウェーハ反り量が０．０５ｍｍ程度の場合、傷の発生など、ウェーハに対する影響はほとんど見られない。すなわち、座ぐりの溝幅Ｂを１．７２ｍｍ以上に形成し、座ぐり１１とウェーハＷとの接触率を１．１％以下とすれば、ウェーハＷが載置された瞬間に反り上がることを抑止できる。また、座ぐりの溝幅Ｂを１．８ｍｍ以上に形成し、座ぐり１１とウェーハＷとの接触率を１％以下とすれば、ウェーハＷが載置された瞬間に反り上がることを十分に抑止できる。
＜比較例１＞
比較例においては、前記実施例１と同様にして、溝幅Ｂを（３）１．０８ｍｍ（凸部２の間隔Ａとして１．２８ｍｍ）、または（４）０．４４ｍｍ（凸部２の間隔Ａとして０．６４ｍｍ）に形成した座ぐり１１を用意する。これらの座ぐり１１にウェーハＷを載置し、上記実施例１と同様の条件下において、ウェーハＷに対する気相エピタキシャル成長を実施する。尚、これらの座ぐり１１とウェーハＷとの接触率は、（３）２．４％、（４）９．８％である。
この比較例では、サセプタ１０に載置した瞬間のウェーハＷの反り量Ｄが、（３）２．９ｍｍ、（４）３．２ｍｍとなるなど、顕著な反り上がりが観察された。
冷たいウェーハＷを６００℃程度に加熱されたサセプタ１０に載置すると、ウェーハＷは２ｍｍ程度飛びはねるので、本比較例で使用した座ぐり１１を用いて気相エピタキシャル成長を行う場合、上方のチャック１１３と接触してウェーハＷ表面にキズが発生する可能性は非常に大きい。
前記実施例１と比較例１の気相エピタキシャル成長方法を比較するために、座ぐり（１）〜（４）について、ウェーハＷと座ぐりとの接触率（％）、および、それぞれを用いて測定したウェーハＷの反り量Ｄ（ｍｍ）を表１に示す。
また、表１より、溝幅Ｂに対するウェーハ反り量Ｄのグラフを図５Ａに、また、各接触率に対するウェーハ反り量Ｄのグラフを図５Ｂに示す。
これらより、接触率を２．４％から１．１％（凸部間隔Ａを１．２８ｍｍから１．９２ｍｍ、溝幅Ｂを１．０８ｍｍから１．７２ｍｍ）とすると、ウェーハ反り量が２．９ｍｍから０．０５ｍｍへと急激に減少したことが分かる。
従って、座ぐり１１とウェーハＷとの接触率を１．１％以下、より好ましくは１％以下（溝幅１．８ｍｍ以上）とすれば、載置した瞬間のウェーハＷの瞬間的な反り量を大幅に小さくでき、反りによるキズの発生を防止できるので、シリコンエピタキシャルウェーハの製造において有効である。
＜比較例２＞
本比較例では、溝幅Ｂをさらに大きくし、ウェーハＷとの接触率をより小さくした座ぐり１１をサセプタ１０に設け、他は前記実施例１と同様の条件下でウェーハＷに対する気相エピタキシャル成長を行い、シリコンエピタキシャルウェーハを製造する。
その結果、ウェーハＷと座ぐりとの接触率を０．１％未満（溝幅Ｂが約６．１ｍｍより大）とした場合に、ウェーハＷにスリップ転位の発生が見られる。
従って、ウェーハＷと座ぐり１１との接触率は、０．１％以上とすると好ましい。
（実施例２）
本実施例においては、溝幅Ｂを（１）３．６４ｍｍ（凸部２の間隔Ａとして３．８４ｍｍ、ウェーハＷとの接触率０．３％）に形成した座ぐり１１を用意する。この座ぐり１１にウェーハＷを載置する際のサセプタ１０の温度を９００℃とし、他は前記実施例１と同様の条件下で、ウェーハＷに対する気相エピタキシャル成長を行ってシリコンエピタキシャルウェーハを製造する。
その結果製造されたシリコンエピタキシャルウェーハにおいて、その表面に傷の発生は認められなかった。従って、座ぐりとウェーハＷとの接触率が０．３％であれば、サセプタ１０の温度が９００℃の場合でも、シリコンエピタキシャルウェーハを好適に製造できる。
＜比較例３＞
本比較例においては、溝幅Ｂを（２）１．７２ｍｍ（凸部２の間隔Ａとして１．９２ｍｍ、ウェーハＷとの接触率１．１％）に形成した座ぐり１１を用い、他は実施例２と同様の条件下でウェーハＷに対する気相エピタキシャル成長を行った。このようにして製造されたシリコンエピタキシャルウェーハでは、その表面にチャック１１３との接触による傷の発生が見られた。
従って、ウェーハＷを載置するサセプタ１０の温度が９００℃を超える場合は、座ぐりとウェーハＷとの接触率を０．３％以下とすると、ウェーハＷの反りが十分に抑制されるのでより好適である。
なお、座ぐり１１の底部１１ａに形成される溝１は、上記実施例で示す形状に限定されることはない。例えば、溝１は、格子状でなくてもよい。また、溝幅Ｂの大きさや、溝１と溝１との間隔、および個々の凸部２の形状、および個々の凸部上面２ａの面積も、底部１１ａにおいて一様としなくてもよい。
さらに、溝の形成方法は特に限定されず、切削形成のほか、面上に凸部を配して形成してもよく、また一体成形でもよい。
また、ウェーハに熱処理を行う各種装置の構成に関しても、前記実施の形態の気相成長装置の構成によって限定されるものではなく、適宜変更可能である。
以上のように、ウェーハＷを載置するサセプタ１０の座ぐり１１の底部１１ａに、格子状の溝１を形成する。ウェーハＷと座ぐり１１とは、溝１で囲まれた凸部２の上面２ａで接触する。そして、この凸部２の間隔Ａを調整したり、または凸部上面２ａの大きさ、もしくは溝幅Ｂを調整して、ウェーハＷと座ぐり１１との接触率（単位面積当りの接触面積）を調整することにより、シリコン単結晶ウェーハを高温のサセプタ上に載置した瞬間のウェーハの反り量を低減することができる。
産業上の利用可能性
本発明によれば、ウェーハをサセプタに載置した瞬間の、ウェーハの反り上がりを大幅に低減できる。また、ウェーハの反りが低減されることで、ウェーハが搬送手段などの近接した位置にある部材等と接触することも防止できるので、好適である。従って、本発明の半導体ウェーハの製造方法及びそれに用いられるサセプタは、シリコン単結晶ウェーハからの半導体の製造に特に適している。
【図面の簡単な説明】
図１Ａは、本発明を適用した半導体ウェーハの製造方法において使用するサセプタの座ぐりを示す上面図であり、
図１Ｂは、本発明を適用した半導体ウェーハの製造方法において使用するサセプタの座ぐり底部を示す拡大断面図であり、
図２は、ウェーハＷが、サセプタの座ぐりに、反りが低減された状態で載置されている様子を示す断面図であり、
図３は、本発明が適用される装置の一例としての、枚葉式の気相成長装置の概略を示す平面図であり、
図４Ａは、図３の気相成長装置の反応炉において、チャックがサセプタ上に到達した様子を示す平断面図であり、
図４Ｂは、図３の気相成長装置の反応炉において、チャックがサセプタ上に到達した様子を示す横断面図であり、
図５Ａは、接触率の異なる座ぐりに、それぞれウェーハＷを載置した際の溝幅に対するウェーハＷの反り量を示すグラフであり、
図５Ｂは、接触率の異なる座ぐりに、それぞれウェーハＷを載置した際の接触率に対するウェーハＷの反り量を示すグラフであり、
図６は、図３におけるチャックによって搬送されたウェーハが、サセプタの座ぐりに載置された瞬間に反り上がる様子を示す横断面図である。
本発明は、サセプタ上にシリコン単結晶ウェーハを載置して熱処理を施し、半導体ウェーハを製造する、半導体ウェーハの製造方法及びそれに用いられるサセプタに関する。
背景技術
シリコン単結晶ウェーハ（以降、ウェーハと記載する）から半導体を製造する過程では、各種の装置によって、ウェーハに様々な熱処理が施される。このような装置内にウェーハを載置する主な方法には、ウェーハの周縁部を支持して該ウェーハを立てた状態で装置内に並べる方式と、ウェーハの裏面側を支持して装置内のサセプタに載置する方式とがある。この後者の方式では、熱処理が例えば気相成長の場合、ウェーハを一枚ずつサセプタに載置して処理する枚葉型の装置と、一度に複数枚のウェーハをサセプタに並べて処理するパンケーキ型またはバレル型（シリンダー型）とよばれる装置が知られている。これら枚葉型、パンケーキ型およびバレル型の装置では、サセプタ上のウェーハを載置する位置に、円形の窪み（座ぐり）が形成されている。この座ぐりは、一般的に炭化珪素で被覆されたカーボンで形成されており、その径および深さは、処理するウェーハの径や厚み、また気相成長等のウェーハに施す熱処理が、適切になされる条件等を鑑みて設計されている。
この座ぐりの底部が平坦面に形成された場合、ウェーハＷを載置する際に、ウェーハが座ぐり上で滑り易い。
そのため、この座ぐり底部の表面には、図１Ａのように、例えば格子状の溝を刻み、台形状の凸部が多数配列するような形状に形成するなどしている。そして、ウェーハを座ぐりの底部に載置した際には、ウェーハが裏面側から多数の凸部で支持される。
このような装置において、ウェーハは、熱処理が施される前の待機位置から処理を行う場所のサセプタまで、ベルヌーイチャック等の搬送手段によって搬送され、サセプタに設けられた座ぐり上に載置される。そして、熱処理が行われた後、ウェーハは装置外部へ搬出するための待機位置まで搬送される。この一連の作業は装置内において連続して行われるようになっており、一連の処理作業終了後は、次の未処理ウェーハに対する熱処理作業が開始されるようになっている。
半導体ウェーハを製造するためのウェーハに対する熱処理は、高温環境下で行われるものが多い。そしてサセプタも、ウェーハを所定の温度にするため、座ぐり自身が高周波やランプ等の手段によって高温に加熱される。
このような装置において、ウェーハの熱処理を連続して行う場合、未処理のウェーハを反応炉に搬送した時に、既に高温に加熱されているサセプタ上にウェーハを載置することになる。その際、ウェーハがサセプタに設けられた座ぐりの底部に接触した瞬間に、下面側が急激に熱せられることによって、ウェーハが図６のように上方に反り上がる。例えば、直径２００ｍｍのウェーハＷを約６００℃のサセプタ１０に載置する際、ウェーハの反り上がりの瞬間を観察すると、ウェーハの下面の端部から、座ぐりの底部までの距離（ウェーハの反り量Ｄ）は、瞬間的に約３．２ｍｍにもなる。
この反りは一時的なものであるが、例えばベルヌーイチャックなどの搬送手段がウェーハと近接した位置に存在すると、反り上がりの瞬間にウェーハが搬送手段と接触してウェーハＷの表面にキズが発生することがあり、問題である。
本発明の課題は、半導体ウェーハの製造過程において、シリコン単結晶ウェーハをサセプタに載置する瞬間に発生するシリコン単結晶ウェーハの反りを低減できる、半導体ウェーハの製造方法及びそれに用いられるサセプタを提供することである。
発明の開示
以上の課題に基き、本発明者等は、装置内でのウェーハＷの搬送・載置に関する検討を行った。その結果、サセプタの座ぐりに形成する凸部の間隔を大きくすることにより、座ぐり上に載置した瞬間においても、図２のように、ウェーハの反りが軽減され、安定した状態で載置できることが分かった。
このように、座ぐり底部の凸部の間隔を変えた場合、座ぐり上において、ウェーハＷが接触する単位面積当たりの凸部の数が変化して、座ぐりとウェーハとの接触率が変化する。そこで、この接触率を調整することによって、ウェーハの反り量が低減できると考えた。
そして検討の結果、例えば６００℃のサセプタの座ぐりにウェーハを載置する際、接触率を１．１％以下、より好ましくは１％以下（溝幅１．８ｍｍ以上）とすると、ウェーハの反り量が大幅に低減でき、傷の発生を防止できることが分かった。
ただし、凸部間隔をある程度以上に大きくしてしまうと、座ぐりからウェーハに十分に熱が伝達されなくなるため、スリップ転位が発生する。そこで、座ぐりとウェーハとの接触率の下限については、スリップ転位の発生を抑えるため０．１％以上とすると好ましい。
そこで、本発明の第１の側面によれば、本発明による半導体ウェーハの製造方法は、サセプタに設けられた座ぐり内にシリコン単結晶ウェーハを載置し、該シリコン単結晶ウェーハに熱処理を施して半導体ウェーハを製造する、半導体ウェーハの製造方法において、前記座ぐりと前記シリコン単結晶ウェーハとの接触率を、０．１％以上１．１％以下とすることを特徴とする。
この座ぐりとシリコン単結晶ウェーハとの接触率は、例えば座ぐりに格子状の溝などを形成し、その溝幅を大きくすることによって調整することができる。
その場合、座ぐりに形成される溝幅は、１．８ｍｍ以上とすると好ましい。
より好ましくは、接触率は０．１％以上１％以下とする。
なお、この座ぐりは、気相エピタキシャル成長を行う装置やＣＶＤ装置など、ウェーハを熱処理する各種装置において用いられるサセプタのうち、シリコン単結晶ウェーハの裏面を接触させて載置させる形式の、例えば枚葉型、パンケーキ型、バレル型等のサセプタに設けられる座ぐりとして適用される。また、座ぐりに形成される溝は、例えば、機械加工によって形成させることができる。サセプタの材質としては、炭化珪素で被覆されたカーボンが好ましく、場合によっては石英やシリコン等を用いてもよい。
本発明の半導体ウェーハの製造方法によれば、サセプタに載置した際のウェーハの反りを大幅に低減できるので、搬送手段などウェーハと近接した位置にある部材と、ウェーハとが接触することを防止でき、反りによってウェーハの表面に傷が発生することも防止できる。
また、本発明の第２の側面によれば、本発明による半導体ウェーハの製造方法は、サセプタに設けられた座ぐり内にシリコン単結晶ウェーハを載置し、該シリコン単結晶ウェーハに熱処理を施して半導体ウェーハを製造する、半導体ウェーハの製造方法において、前記サセプタ内の温度が９００℃の場合、前記座ぐりと前記シリコン単結晶ウェーハとの接触率を、０．１％以上０．３％以下とすることを特徴とする。
さらに、本発明の第３の側面によれば、本発明による半導体ウェーハの製造に用いられるサセプタは、シリコン単結晶ウェーハを載置するための座ぐりを有する、半導体ウェーハを製造するためのサセプタにおいて、前記座ぐりと前記シリコン単結晶ウェーハとの接触率を、０．１％以上１．１％以下とすることを特徴とする。
また、本発明の第４の側面によれば、本発明による半導体ウェーハの製造に用いられるサセプタは、前記サセプタ内の温度が９００℃の場合、前記座ぐりと前記シリコン単結晶ウェーハとの接触率を、０．１％以上０．３％以下とすることを特徴とする。
発明を実施するための最良の形態
本実施の形態では、本発明の熱処理の一例として、ウェーハＷの主表面に気相エピタキシャル成長を行って単結晶薄膜を形成する半導体ウェーハの製造方法について説明する。この気相エピタキシャル成長は、図３に示す、枚葉式の気相成長装置１００によって行う。
気相成長装置１００は、反応炉１０１と、ロードロック室１０２、１０３と、反応炉１０１とロードロック室１０２、１０３との間の搬送室１０４とから概略構成されている。搬送室１０４と反応炉１０１との間は、開閉可能なゲートバルブ１０５によって仕切られている。
ロードロック室１０２、１０３は、ウェーハＷの気相成長装置１００内への投入・取り出しを行う場所であって、気相エピタキシャル成長前（以下、処理前と記載する）のウェーハＷがカセット（図示略）に、主表面を上にした状態で上下方向に通常複数枚載置されている。これらのウェーハＷは一枚ずつ搬送室１０４へと搬出され、気相エピタキシャル成長が行われた後（以下、処理後と記載する）、もとのロードロック室１０２、１０３に搬送され、カセット内に再び戻されるようになっている。
搬送室１０４は、ロードロック室１０２、１０３と、反応炉１０１との間で、ウェーハＷの搬送を行う場所であって、ウェーハＷの保持・搬送手段であるハンドラ１１０が備え付けられている。
ハンドラ１１０は、搬送室１０４のほぼ中央に位置する支点部１１１を中心に、水平方向に回動自在・伸縮自在に取り付けられたアーム１１２と、アーム１１２先端に設けられた、ウェーハＷを保持するための円盤状のチャック１１３とから構成されている。アーム１１２は、第１のリンク１１２ａ、１１２ａと第２のリンク１１２ｂ、１１２ｂとから構成され、それぞれ対応する第１のリンク１１２ａ、１１２ａおよび第２のリンク１１２ｂ、１１２ｂがそれらをつなぐ支点部１１２ｃ、１１２ｃを中心に互いに離れる方向あるいは互いに重なる方向に移動することにより、アーム１１２は伸縮可能となっている。
ハンドラ１１０によるシリコン単結晶ウェーハの搬送は、ベルヌーイチャック式である。すなわち、チャック１１３の中央部から外周部へ、例えば窒素のようなガスが勢いよく吹き出されるようになっており、このガスのベルヌーイ効果により、ウェーハＷがチャック１１３の下面近傍において、非接触的に吸着・保持される。そして、この保持状態を保ったままアーム１１２が伸縮・回動することでチャック１１３が移動し、それに伴ってウェーハＷが移動する。チャック１１３が、例えば反応炉１０１のウェーハＷを載置する位置に到達した場合、チャック１１３のガス流を変化させて、ウェーハＷの保持状態を解除する。すると、ウェーハＷがチャック１１３を離れ、チャック１１３下方の所定の位置に載置される。
反応炉１０１は、ハンドラ１１０によって搬送されてくるウェーハＷを一枚内部に配して、その主表面上に単結晶薄膜の気相エピタキシャル成長を行う場所である。反応炉１０１には、図３、図４Ａおよび図４Ｂに示すように、ウェーハＷを載置する座ぐり１１が形成されたサセプタ１０が設けられている。
座ぐり１１の底部１１ａには、図１Ａに示すように、格子状の溝１が多数形成されており、溝１で囲まれた部分は、図１Ｂに示すように、凸部２となっている。ウェーハＷが座ぐり１１に載置された際、ウェーハＷはこの凸部上面２ａと接触する。
座ぐり１１底部１１ａの単位面積当りの、凸部上面２ａの総面積の割合（％）を、ウェーハＷと座ぐり１１との接触率とした場合、この接触率が、０．１％以上、１．１％以下、より好ましくは１％以下となるように、座ぐり１１の底部１１ａを形成する。
接触率を前記の範囲に調整するための第１の方法は、図１Ｂに示す凸部上面２ａの大きさＣ（図では、便宜的に凸部断面上部の一辺で示している）を一定とした状態で、凸部２の間隔Ａを調整する（溝幅Ｂを調整する）ことにより、単位面積当たりの凸部２の数を増減させる。
また、第２の方法は、凸部２の間隔Ａを一定とし、溝幅Ｂの大きさを調整して、凸部２の大きさ、すなわち凸部上面２ａの大きさＣを調整する。
さらに、第３の方法は、これら凸部２の間隔Ａ（溝幅Ｂ）と、凸部上面２ａの大きさＣの両方を調整する。
次に、ウェーハＷに気相エピタキシャル成長を行う半導体ウェーハの製造方法を、気相成長装置１００の動作とともに説明する。
まず、図３に示すロードロック室１０２、１０３のいずれか一方に載置されている未処理のウェーハＷを、図示しない一時載置場所に仮置きした後、該ウェーハＷの主表面上方にチャック１１３を到達させ、ガス噴射によってウェーハＷを保持させる。その後、アーム１１２の収縮・回動によってチャック１１３を反応炉１０１方向へ移動させ、ゲートバルブ１０５の開閉部１０５ａを開放後、アーム１１２を伸長させて、チャック１１３をサセプタ１０の座ぐり１１の上方に到達させる（図４Ａ、図４Ｂ）。そして、ウェーハＷの保持状態を解除して、ウェーハＷを座ぐり１１上に載置する（図２）。
ウェーハＷを載置した後、アーム１１２を収縮させてチャック１１３を搬送室１０４に戻す。そしてゲートバルブ１０５の開閉部１０５ａを閉鎖し、反応炉１０１でのウェーハＷに対する気相エピタキシャル成長（熱処理）を開始する。
気相エピタキシャル成長処理は、反応炉１０１内をおよそ１１００℃〜１２００℃程度に加熱した状態で、ジクロロシランやトリクロロシラン等の原料ガスをドーパントガスとともにウェーハＷの主表面上に流通させることによって行う。これらのガス組成やガスの流量、また流通時間、また温度の詳細な設定は、所望のシリコンエピタキシャルウェーハ（半導体ウェーハ）の膜厚等を鑑みて、適宜設定する。
また、気相エピタキシャル成長後、次の未処理ウェーハを載置する際の炉内温度は、およそ６００℃〜９００℃の所望の温度とする。
気相エピタキシャル成長後、ゲートバルブ１０５の開閉部１０５ａを開放し、ハンドラ１１０によって、処理後のウェーハＷをロードロック室１０２、１０３の一方に搬送する。この搬送後、ロードロック室１０２、１０３内の未処理ウェーハＷを同様に反応炉１０１に搬送して、一連のエピタキシャル成長処理動作を開始する。
なお、前記のように気相エピタキシャル成長後、次の未処理ウェーハを載置する際の炉内温度は、およそ６００℃〜９００℃の所望の温度とされるが、後述する実施例、比較例に記載のように炉内温度が比較的高温の場合には座ぐりとウェーハとの接触率を小さくすることが好ましく、比較的低温の場合には大きめの値でも十分な効果が得られる。操業条件に応じて０．１％〜１．１％の範囲で適宜選択すればよく、例えば９００℃では０．１〜０．３％とすることが好ましい。
また、本実施の形態や後述する実施例、比較例では、シリコンウェーハにシリコン単結晶薄膜をエピタキシャル成長する半導体ウェーハの製造方法を例に説明しているが、本発明はＳｉＧｅのような歪半導体層の薄膜をシリコンウェーハ上に形成する工程や他の薄膜形成工程にも有効である。
（実施例１）
本実施例においては、前記実施の形態における枚葉式の気相成長装置１００を用いて、ウェーハＷに対する熱処理として気相エピタキシャル成長を行い、半導体ウェーハの一種であるシリコンエピタキシャルウェーハを製造する。
気相成長装置１００の反応炉１０１内に配設させたサセプタ１０には、炭化珪素で被覆されたカーボン製の座ぐり１１が設けられている。座ぐり１１としては、底部１１ａの溝幅Ｂが、（１）３．６４ｍｍ（凸部２の間隔Ａとして３．８４ｍｍ）、または（２）１．７２ｍｍ（凸部２の間隔Ａとして１．９２ｍｍ）となるように、格子状の溝１を一様に形成した座ぐり２種類を用意する。そして、それらの座ぐり１１にウェーハＷを載置して気相エピタキシャル成長を行う。
ここで、この座ぐり１１の凸部２の形状と大きさは、底部１１ａにおいて一様の台形状であって、凸部の上面２ａは、一辺が約０．２ｍｍの略正方形とする。従って、各々の座ぐり１１とウェーハＷとの接触率は、（１）０．３％、（２）１．１％である。
反応炉１０１内およびサセプタ１０内の温度は、ウェーハＷの搬入時において６００℃とする。直径２００ｍｍのウェーハＷをチャック１１３で搬送して、サセプタ１０の座ぐり１１に載置する。なお、本実施例において、チャック１１３と、座ぐり底部１１ａとの距離（凸部上面２ａからチャック１１３までの距離）は５ｍｍである。
ウェーハＷを座ぐり１１内に載置後、チャック１１３を搬送室１０４に戻し、ゲートバルブ１０５の開閉部１０５ａを閉鎖して、気相エピタキシャル成長を開始させる。気相成長終了後、ゲートバルブ１０５の開閉部１０５ａを開き、ハンドラ１１０によってサセプタ１０上の単結晶薄膜が形成されたウェーハＷを保持し、ロードロック室１０２に搬出する。
これら２種類のサセプタ１０を用いて処理を行ったところ、座ぐり１１に載置した瞬間のウェーハＷの反り量Ｄは、（１）０．０１ｍｍ、（２）０．０５ｍｍであった。また、この気相成長によって製造されたシリコンエピタキシャルウェーハの表面には、傷の発生は認められない。
このように、ウェーハ反り量が０．０５ｍｍ程度の場合、傷の発生など、ウェーハに対する影響はほとんど見られない。すなわち、座ぐりの溝幅Ｂを１．７２ｍｍ以上に形成し、座ぐり１１とウェーハＷとの接触率を１．１％以下とすれば、ウェーハＷが載置された瞬間に反り上がることを抑止できる。また、座ぐりの溝幅Ｂを１．８ｍｍ以上に形成し、座ぐり１１とウェーハＷとの接触率を１％以下とすれば、ウェーハＷが載置された瞬間に反り上がることを十分に抑止できる。
＜比較例１＞
比較例においては、前記実施例１と同様にして、溝幅Ｂを（３）１．０８ｍｍ（凸部２の間隔Ａとして１．２８ｍｍ）、または（４）０．４４ｍｍ（凸部２の間隔Ａとして０．６４ｍｍ）に形成した座ぐり１１を用意する。これらの座ぐり１１にウェーハＷを載置し、上記実施例１と同様の条件下において、ウェーハＷに対する気相エピタキシャル成長を実施する。尚、これらの座ぐり１１とウェーハＷとの接触率は、（３）２．４％、（４）９．８％である。
この比較例では、サセプタ１０に載置した瞬間のウェーハＷの反り量Ｄが、（３）２．９ｍｍ、（４）３．２ｍｍとなるなど、顕著な反り上がりが観察された。
冷たいウェーハＷを６００℃程度に加熱されたサセプタ１０に載置すると、ウェーハＷは２ｍｍ程度飛びはねるので、本比較例で使用した座ぐり１１を用いて気相エピタキシャル成長を行う場合、上方のチャック１１３と接触してウェーハＷ表面にキズが発生する可能性は非常に大きい。
前記実施例１と比較例１の気相エピタキシャル成長方法を比較するために、座ぐり（１）〜（４）について、ウェーハＷと座ぐりとの接触率（％）、および、それぞれを用いて測定したウェーハＷの反り量Ｄ（ｍｍ）を表１に示す。
これらより、接触率を２．４％から１．１％（凸部間隔Ａを１．２８ｍｍから１．９２ｍｍ、溝幅Ｂを１．０８ｍｍから１．７２ｍｍ）とすると、ウェーハ反り量が２．９ｍｍから０．０５ｍｍへと急激に減少したことが分かる。
従って、座ぐり１１とウェーハＷとの接触率を１．１％以下、より好ましくは１％以下（溝幅１．８ｍｍ以上）とすれば、載置した瞬間のウェーハＷの瞬間的な反り量を大幅に小さくでき、反りによるキズの発生を防止できるので、シリコンエピタキシャルウェーハの製造において有効である。
＜比較例２＞
本比較例では、溝幅Ｂをさらに大きくし、ウェーハＷとの接触率をより小さくした座ぐり１１をサセプタ１０に設け、他は前記実施例１と同様の条件下でウェーハＷに対する気相エピタキシャル成長を行い、シリコンエピタキシャルウェーハを製造する。
その結果、ウェーハＷと座ぐりとの接触率を０．１％未満（溝幅Ｂが約６．１ｍｍより大）とした場合に、ウェーハＷにスリップ転位の発生が見られる。
従って、ウェーハＷと座ぐり１１との接触率は、０．１％以上とすると好ましい。
（実施例２）
本実施例においては、溝幅Ｂを（１）３．６４ｍｍ（凸部２の間隔Ａとして３．８４ｍｍ、ウェーハＷとの接触率０．３％）に形成した座ぐり１１を用意する。この座ぐり１１にウェーハＷを載置する際のサセプタ１０の温度を９００℃とし、他は前記実施例１と同様の条件下で、ウェーハＷに対する気相エピタキシャル成長を行ってシリコンエピタキシャルウェーハを製造する。
その結果製造されたシリコンエピタキシャルウェーハにおいて、その表面に傷の発生は認められなかった。従って、座ぐりとウェーハＷとの接触率が０．３％であれば、サセプタ１０の温度が９００℃の場合でも、シリコンエピタキシャルウェーハを好適に製造できる。
＜比較例３＞
本比較例においては、溝幅Ｂを（２）１．７２ｍｍ（凸部２の間隔Ａとして１．９２ｍｍ、ウェーハＷとの接触率１．１％）に形成した座ぐり１１を用い、他は実施例２と同様の条件下でウェーハＷに対する気相エピタキシャル成長を行った。このようにして製造されたシリコンエピタキシャルウェーハでは、その表面にチャック１１３との接触による傷の発生が見られた。
従って、ウェーハＷを載置するサセプタ１０の温度が９００℃を超える場合は、座ぐりとウェーハＷとの接触率を０．３％以下とすると、ウェーハＷの反りが十分に抑制されるのでより好適である。
なお、座ぐり１１の底部１１ａに形成される溝１は、上記実施例で示す形状に限定されることはない。例えば、溝１は、格子状でなくてもよい。また、溝幅Ｂの大きさや、溝１と溝１との間隔、および個々の凸部２の形状、および個々の凸部上面２ａの面積も、底部１１ａにおいて一様としなくてもよい。
さらに、溝の形成方法は特に限定されず、切削形成のほか、面上に凸部を配して形成してもよく、また一体成形でもよい。
また、ウェーハに熱処理を行う各種装置の構成に関しても、前記実施の形態の気相成長装置の構成によって限定されるものではなく、適宜変更可能である。
以上のように、ウェーハＷを載置するサセプタ１０の座ぐり１１の底部１１ａに、格子状の溝１を形成する。ウェーハＷと座ぐり１１とは、溝１で囲まれた凸部２の上面２ａで接触する。そして、この凸部２の間隔Ａを調整したり、または凸部上面２ａの大きさ、もしくは溝幅Ｂを調整して、ウェーハＷと座ぐり１１との接触率（単位面積当りの接触面積）を調整することにより、シリコン単結晶ウェーハを高温のサセプタ上に載置した瞬間のウェーハの反り量を低減することができる。
産業上の利用可能性
本発明によれば、ウェーハをサセプタに載置した瞬間の、ウェーハの反り上がりを大幅に低減できる。また、ウェーハの反りが低減されることで、ウェーハが搬送手段などの近接した位置にある部材等と接触することも防止できるので、好適である。従って、本発明の半導体ウェーハの製造方法及びそれに用いられるサセプタは、シリコン単結晶ウェーハからの半導体の製造に特に適している。
【図面の簡単な説明】
図１Ａは、本発明を適用した半導体ウェーハの製造方法において使用するサセプタの座ぐりを示す上面図であり、
図１Ｂは、本発明を適用した半導体ウェーハの製造方法において使用するサセプタの座ぐり底部を示す拡大断面図であり、
図２は、ウェーハＷが、サセプタの座ぐりに、反りが低減された状態で載置されている様子を示す断面図であり、
図３は、本発明が適用される装置の一例としての、枚葉式の気相成長装置の概略を示す平面図であり、
図４Ａは、図３の気相成長装置の反応炉において、チャックがサセプタ上に到達した様子を示す平断面図であり、
図４Ｂは、図３の気相成長装置の反応炉において、チャックがサセプタ上に到達した様子を示す横断面図であり、
図５Ａは、接触率の異なる座ぐりに、それぞれウェーハＷを載置した際の溝幅に対するウェーハＷの反り量を示すグラフであり、
図５Ｂは、接触率の異なる座ぐりに、それぞれウェーハＷを載置した際の接触率に対するウェーハＷの反り量を示すグラフであり、
図６は、図３におけるチャックによって搬送されたウェーハが、サセプタの座ぐりに載置された瞬間に反り上がる様子を示す横断面図である。
Claims (10)
- サセプタに設けられた座ぐり内にシリコン単結晶ウェーハを載置し、該シリコン単結晶ウェーハに熱処理を施して半導体ウェーハを製造する、半導体ウェーハの製造方法において、
前記座ぐりと前記シリコン単結晶ウェーハとの接触率を、０．１％以上１．１％以下とすることを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。 - 前記座ぐりに形成される溝の幅を１．８ｍｍ以上とすることを特徴とする請求の範囲第１項記載の半導体ウェーハの製造方法。
- 前記接触率は、０．１％以上１％以下とすることを特徴とする請求の範囲第１項記載の半導体ウェーハの製造方法。
- 前記サセプタの材質は、炭化珪素で被覆されたカーボンであることを特徴とする請求の範囲第１〜第３項いずれか記載の半導体ウェーハの製造方法。
- サセプタに設けられた座ぐり内にシリコン単結晶ウェーハを載置し、該シリコン単結晶ウェーハに熱処理を施して半導体ウェーハを製造する、半導体ウェーハの製造方法において、
前記サセプタ内の温度が９００℃の場合、前記座ぐりと前記シリコン単結晶ウェーハとの接触率を、０．１％以上０．３％以下とすることを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。 - シリコン単結晶ウェーハを載置するための座ぐりを有する、半導体ウェーハを製造するためのサセプタにおいて、
前記座ぐりと前記シリコン単結晶ウェーハとの接触率を、０．１％以上１．１％以下とすることを特徴とするサセプタ。 - 前記座ぐりに形成される溝の幅を１．８ｍｍ以上とすることを特徴とする請求の範囲第６項記載のサセプタ。
- 前記接触率は、０．１％以上１％以下とすることを特徴とする請求の範囲第６項記載のサセプタ。
- 前記サセプタの材質は、炭化珪素で被覆されたカーボンであることを特徴とする請求の範囲第６〜第８項いずれか記載のサセプタ。
- シリコン単結晶ウェーハを載置するための座ぐりを有する、半導体ウェーハを製造するためのサセプタにおいて、
前記サセプタ内の温度が９００℃の場合、前記座ぐりと前記シリコン単結晶ウェーハとの接触率を、０．１％以上０．３％以下とすることを特徴とするサセプタ。
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