JPH02174116A - サセプタ - Google Patents
サセプタInfo
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- JPH02174116A JPH02174116A JP63326236A JP32623688A JPH02174116A JP H02174116 A JPH02174116 A JP H02174116A JP 63326236 A JP63326236 A JP 63326236A JP 32623688 A JP32623688 A JP 32623688A JP H02174116 A JPH02174116 A JP H02174116A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4581—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber characterised by material of construction or surface finish of the means for supporting the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/56—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides
- C04B35/565—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on silicon carbide
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は、ＳｉウェハなどにＣＶＤ処理や酸化処理を
行う工程でウェハを載置するサセプタに関するものであ
る。
行う工程でウェハを載置するサセプタに関するものであ
る。
従来の技術
ＣＶＤコーティング処理法としては、水平反応管型、縦
型ベルジャ型、バレル型の炉を用いるバッチ処理タイプ
の方法と、コンベア方式で多数のウェハを連続的に処理
する方法とがある。
型ベルジャ型、バレル型の炉を用いるバッチ処理タイプ
の方法と、コンベア方式で多数のウェハを連続的に処理
する方法とがある。
いずれの方法においても、サセプタ（トレーとも言う）
上に半導体ウェハを載置してＣＶＤ処理を行っている。
上に半導体ウェハを載置してＣＶＤ処理を行っている。
従来のサセプタは、ＳｉＣから構成される。
これは、ＳｉＣが高い熱伝導性、高純度、ガス不透過性
等の秀れた特性を有するからである。また、炭素基材の
表面にＳｉＣ膜を被覆したものもある。通常、サセプタ
のウェハ載置面（座ぐり面も含む）はいわゆる鏡面研磨
加工されていた。これはウェハの積載、セット中にウェ
ハ表面に傷がつかないようにするためである。
等の秀れた特性を有するからである。また、炭素基材の
表面にＳｉＣ膜を被覆したものもある。通常、サセプタ
のウェハ載置面（座ぐり面も含む）はいわゆる鏡面研磨
加工されていた。これはウェハの積載、セット中にウェ
ハ表面に傷がつかないようにするためである。
発明が解決しようとする問題点
ところが、酸化処理やＣＶＤ処理が終了しウェハをサセ
プタから取り外す時に、ウエハが座ぐり面に密着し、取
り外しが困難になるという不具合が発生していた。Ｓｉ
ウェハは脆性材料であるため、機械的強度が小さい。
プタから取り外す時に、ウエハが座ぐり面に密着し、取
り外しが困難になるという不具合が発生していた。Ｓｉ
ウェハは脆性材料であるため、機械的強度が小さい。
無理に剥がした場合には、折損あるいは傷が形成される
恐れがあった。このため歩留が低下し、コストアップの
原因になっていた。
恐れがあった。このため歩留が低下し、コストアップの
原因になっていた。
発明の目的
前述の従来技術の問題点に鑑み、本発明は酸化処理やＣ
ＶＤ処理の終了後に、ウェハが密着せずに確実に取り外
せるサセプタを提供することを目的とする。
ＶＤ処理の終了後に、ウェハが密着せずに確実に取り外
せるサセプタを提供することを目的とする。
発明の要旨
前述の目的を達成するために、この発明は請求項１に記
載のサセプタを要旨としている。
載のサセプタを要旨としている。
問題点を解決するための手段
本発明のサセプタは、座ぐり面の表面粗さのうち、平均
粗さ（中心線平均粗さ）が１μｍ以上であり、最大粗さ
が１０μｍ以」二であり、かつ平坦度が±５０μｍ以下
であることを特徴とする。
粗さ（中心線平均粗さ）が１μｍ以上であり、最大粗さ
が１０μｍ以」二であり、かつ平坦度が±５０μｍ以下
であることを特徴とする。
座ぐり面とはサセプタ上面のうちウェハを載置する部分
を言う。座ぐり面の平均粗さ（中心線平均粗さ）が１μ
ｍ未満ではウェハが座ぐり面に密着し、ウェハを良好に
取り外すことができない。
を言う。座ぐり面の平均粗さ（中心線平均粗さ）が１μ
ｍ未満ではウェハが座ぐり面に密着し、ウェハを良好に
取り外すことができない。
また、最大表面粗さが１０μｍ未満の場合にもウェハが
座ぐり面に密着し、ウェハを良好に取り外すことができ
ない。
座ぐり面に密着し、ウェハを良好に取り外すことができ
ない。
一方、酸化したウェハの酸化膜厚に異常を生ずるために
座ぐり面の平坦度は±５０μｍ以下にする必要がある。
座ぐり面の平坦度は±５０μｍ以下にする必要がある。
ただし、平坦度とはサセプタ上面あるいは下面と座ぐり
面との距離の変位のことを意味する。
面との距離の変位のことを意味する。
前述のような表面精度をもつ座ぐり面を得るためには、
通常の平面研削加工、座ぐり加工、ＮＣフライス加工な
どの加工を施した後に、酸処理あるいは機械的加工を施
すことが望ましい。
通常の平面研削加工、座ぐり加工、ＮＣフライス加工な
どの加工を施した後に、酸処理あるいは機械的加工を施
すことが望ましい。
作用効果
本発明のサセプタにおいては、座ぐり面の表面粗さが適
度に調整されているため、ウェハが座ぐり面に密着する
ことがない。従って、サセプタからウェハを取り外す時
に、ウェハに損傷を与えることなく良好に取り外すこと
ができる。
度に調整されているため、ウェハが座ぐり面に密着する
ことがない。従って、サセプタからウェハを取り外す時
に、ウェハに損傷を与えることなく良好に取り外すこと
ができる。
実施例
鏡面研磨を施したディスク型のＳｉＣサセプタ（Ｓｉ含
浸タイプ）において、座ぐり部に機械的加工を施し、表
面粗さの調整を行った。
浸タイプ）において、座ぐり部に機械的加工を施し、表
面粗さの調整を行った。
加工後サセプタの座ぐり部の平均粗さＲａ最大粗さＲを
測定した結果、以下のようｍａ！ であった。
測定した結果、以下のようｍａ！ であった。
Ｒａ＝２．５μｍ
Ｒ＝１５．５ μｍ
ａｘ
前述した本発明によるサセプタと従来のサセプタを用い
て比較実験を行った。
て比較実験を行った。
従来例のサセプタとしては、鏡面研磨を施したＳｉＣサ
セプタ（Ｓｉ含浸タイプ）を用いた。従来例のサセプタ
の座ぐり部の平均粗さＲａと最大粗さＲは、測定の結果
次のａＸ ようであった。
セプタ（Ｓｉ含浸タイプ）を用いた。従来例のサセプタ
の座ぐり部の平均粗さＲａと最大粗さＲは、測定の結果
次のａＸ ようであった。
Ｒａ ＝０．２μｍ
Ｒ＝７．０μｍ
ａ１
本発明によるサセプタと従来のサセプタを用いて酸化処
理を行い、密着不良の発生割合を調べた。酸化処理とし
ては８００℃程度の温度でウェハ表面に酸化膜を形成す
る工程を行った。この結果を第１表に示す。
理を行い、密着不良の発生割合を調べた。酸化処理とし
ては８００℃程度の温度でウェハ表面に酸化膜を形成す
る工程を行った。この結果を第１表に示す。
第１表によれば、従来のサセプタの場合の密着不良発生
率１０／７２に対して、本発明のサセプタの場合は密着
不良が発生しなかった。
率１０／７２に対して、本発明のサセプタの場合は密着
不良が発生しなかった。
従って本発明によるサセプタを用いた場合には、密着現
象を防止できることが明らかになった。
象を防止できることが明らかになった。
なお、本発明のサセプタはＳｉＣサセプタに限定されな
い。本発明のサセプタは炭素を基材とし、ＳｉＣ膜をコ
ーティングしてもよい。また、Ｓｉを含浸しないもので
もよい。
い。本発明のサセプタは炭素を基材とし、ＳｉＣ膜をコ
ーティングしてもよい。また、Ｓｉを含浸しないもので
もよい。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体ウェハを載置する座ぐり面の表面粗 さのうち、平均粗さが１μｍ以上であり、最大粗さが１
０μｍ以上であり、かつ平坦度が±５０μｍ以下である
ことを特徴とするサセプタ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63326236A JPH02174116A (ja) | 1988-12-26 | 1988-12-26 | サセプタ |
| IT02273389A IT1236887B (it) | 1988-12-26 | 1989-12-19 | Suscettore |
| FR8916966A FR2640964B1 (ja) | 1988-12-26 | 1989-12-21 | |
| DE3942931A DE3942931A1 (de) | 1988-12-26 | 1989-12-23 | Aufnehmer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63326236A JPH02174116A (ja) | 1988-12-26 | 1988-12-26 | サセプタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02174116A true JPH02174116A (ja) | 1990-07-05 |
Family
ID=18185510
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63326236A Pending JPH02174116A (ja) | 1988-12-26 | 1988-12-26 | サセプタ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02174116A (ja) |
| DE (1) | DE3942931A1 (ja) |
| FR (1) | FR2640964B1 (ja) |
| IT (1) | IT1236887B (ja) |
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| US6890383B2 (en) | 2001-05-31 | 2005-05-10 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor wafer and susceptor used therefor |
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1988
- 1988-12-26 JP JP63326236A patent/JPH02174116A/ja active Pending
-
1989
- 1989-12-19 IT IT02273389A patent/IT1236887B/it active IP Right Grant
- 1989-12-21 FR FR8916966A patent/FR2640964B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 1989-12-23 DE DE3942931A patent/DE3942931A1/de active Granted
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| Publication number | Publication date |
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| IT1236887B (it) | 1993-04-26 |
| DE3942931C2 (ja) | 1993-07-15 |
| FR2640964A1 (ja) | 1990-06-29 |
| FR2640964B1 (ja) | 1993-06-11 |
| IT8922733A0 (it) | 1989-12-19 |
| IT8922733A1 (it) | 1991-06-19 |
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