JPH0647516B2 - プラズマｃｖｄ用黒鉛サセプター - Google Patents
プラズマｃｖｄ用黒鉛サセプターInfo
- Publication number
- JPH0647516B2 JPH0647516B2 JP1075777A JP7577789A JPH0647516B2 JP H0647516 B2 JPH0647516 B2 JP H0647516B2 JP 1075777 A JP1075777 A JP 1075777A JP 7577789 A JP7577789 A JP 7577789A JP H0647516 B2 JPH0647516 B2 JP H0647516B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- susceptor
- plasma cvd
- wafer
- glassy carbon
- graphite susceptor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、プラズマＣＶＤで使用する黒鉛サセプターに
関する。
関する。
（従来の技術） 従来、プラズマＣＶＤ用サセプターとしては、単に黒鉛
を機械加工したもの、加工後に純化処理をおこなつて表
面加工精度を▽▽〜▽▽▽（Ra２〜５μｍ，Rmax１５〜
３０μｍ）としたもの、ガラス状炭素で表面を被覆した
鏡面状に仕上げたものが知られている（例えば特開昭６
４−４７０１９号公報）。
を機械加工したもの、加工後に純化処理をおこなつて表
面加工精度を▽▽〜▽▽▽（Ra２〜５μｍ，Rmax１５〜
３０μｍ）としたもの、ガラス状炭素で表面を被覆した
鏡面状に仕上げたものが知られている（例えば特開昭６
４−４７０１９号公報）。
（発明が解決しようとする課題） しかしながら、このような黒鉛サセプターに於いては、
プラズマＣＶＤによりウエハ上にシリコン酸化膜やシリ
コン窒化膜を成膜するさいに、その膜内にサセプターか
ら発生したダストが取り込まれ、異物を含まない優れた
膜を安定してつくりにくく、しかも、サセプターの表面
通常加工では、表面があらいために、外部加熱によりサ
セプターに与えられた熱がウエハに均一に伝わらないの
でウエハ内あるいはウエハ間において均一な膜の形成が
困難である、等の欠点があつた。
プラズマＣＶＤによりウエハ上にシリコン酸化膜やシリ
コン窒化膜を成膜するさいに、その膜内にサセプターか
ら発生したダストが取り込まれ、異物を含まない優れた
膜を安定してつくりにくく、しかも、サセプターの表面
通常加工では、表面があらいために、外部加熱によりサ
セプターに与えられた熱がウエハに均一に伝わらないの
でウエハ内あるいはウエハ間において均一な膜の形成が
困難である、等の欠点があつた。
また、ガラス状炭素被覆サセプターにおいては、シリコ
ン酸化膜やシリコン窒化膜を成膜するさいに、サセプタ
ー上に堆積するシリコン酸化膜やシリコン窒化膜がサセ
プター表面が鏡面のために剥がれやすくそれが形成膜中
に取り込まれる等の欠点があった。
ン酸化膜やシリコン窒化膜を成膜するさいに、サセプタ
ー上に堆積するシリコン酸化膜やシリコン窒化膜がサセ
プター表面が鏡面のために剥がれやすくそれが形成膜中
に取り込まれる等の欠点があった。
本発明は、以上の欠点を解決することを目的とするもの
である。
である。
（課題を解決するための手段） すなわち，本発明は，ウエハ搭載面におけるウエハ接触
部の表面粗さが他の表面よりも小さい黒鉛サセプターの
表面全体が有機溶剤に溶解された有機物ポリマーの熱分
解生成物から形成された膜厚５μｍ以下のガラス状炭素
で被覆されていることを特徴とするプラズマＣＶＤ用黒
鉛サセプターである。
部の表面粗さが他の表面よりも小さい黒鉛サセプターの
表面全体が有機溶剤に溶解された有機物ポリマーの熱分
解生成物から形成された膜厚５μｍ以下のガラス状炭素
で被覆されていることを特徴とするプラズマＣＶＤ用黒
鉛サセプターである。
以下，さらに詳しく本発明を説明すると，本発明のよう
に，ウエハ搭載面におけるウエハ接触部（以下，ウエハ
接触面と称す）の表面粗さを上記のようにすることによ
り、外部ヒータからサセプターに与えられた熱が均一に
ウエハに伝わり形成膜の均一性が向上する。また、ウエ
ハ接触部以外の表面（以下，多面と称す）の表面粗さを
上記のようにしかつサセプター全面を膜厚２〜５μｍの
ガラス状炭素で被覆することにより、サセプター表面が
鏡面とならないため、サセプター表面に堆積されるシリ
コン酸化膜やシリコン窒化膜の剥離が生じない。しか
も、表面がガラス状炭素で被覆されているために黒鉛ダ
ストの発生がなく、異物を含まない優れた膜を安定して
つくれるようになる。ガラス状炭素を５μｍこえて被覆
するとサセプター表面が鏡面化してしまい剥離が生じや
すくなり、ウエハ上に成膜されるシリコン酸化膜やシリ
コン窒化膜に剥離した物質が取り込まれやすくなるので
好ましくはない。
に，ウエハ搭載面におけるウエハ接触部（以下，ウエハ
接触面と称す）の表面粗さを上記のようにすることによ
り、外部ヒータからサセプターに与えられた熱が均一に
ウエハに伝わり形成膜の均一性が向上する。また、ウエ
ハ接触部以外の表面（以下，多面と称す）の表面粗さを
上記のようにしかつサセプター全面を膜厚２〜５μｍの
ガラス状炭素で被覆することにより、サセプター表面が
鏡面とならないため、サセプター表面に堆積されるシリ
コン酸化膜やシリコン窒化膜の剥離が生じない。しか
も、表面がガラス状炭素で被覆されているために黒鉛ダ
ストの発生がなく、異物を含まない優れた膜を安定して
つくれるようになる。ガラス状炭素を５μｍこえて被覆
するとサセプター表面が鏡面化してしまい剥離が生じや
すくなり、ウエハ上に成膜されるシリコン酸化膜やシリ
コン窒化膜に剥離した物質が取り込まれやすくなるので
好ましくはない。
以下、本発明の具体的な製造方法の例を示す。
まず第１図に例示したようなプラズマＣＶＤ用サセプタ
ーを従来法に従い表面精度▽▽〜▽▽▽で機械加工す
る。サセプターは、この形状に限定されることなく、例
えば、パンケーキ状，毎葉式形状であつてもよい。この
とき表面粗さはRa２〜５μｍ，Rmax１５〜３０μｍとな
るので、次いで、サセプター基材のウエハ接触面のみを
サンドペーパー，工業用パツトなどの研磨材を用いて、
表面粗さRa１μｍ以下，Rmax１０μｍ以下、好ましくは
Ra０．５μｍ以下，Rmax７μｍ以下に表面を研磨する。
あるいは、サセプター全面をサンドペーパー，工業用パ
ツトなどの研磨材を用いて表面粗さRa１μｍ以下，Rmax
１０μｍ以下、好ましくはRa０．５μｍ以下，Rmax７μ
ｍ以下に研磨した後、ウエハ接触面のみをガムテープ，
ボール紙等でマスクしサンドブラスト等で他の表面をRa
２μｍ以上，Rmax１５μｍ以上にあらしてもよい。
ーを従来法に従い表面精度▽▽〜▽▽▽で機械加工す
る。サセプターは、この形状に限定されることなく、例
えば、パンケーキ状，毎葉式形状であつてもよい。この
とき表面粗さはRa２〜５μｍ，Rmax１５〜３０μｍとな
るので、次いで、サセプター基材のウエハ接触面のみを
サンドペーパー，工業用パツトなどの研磨材を用いて、
表面粗さRa１μｍ以下，Rmax１０μｍ以下、好ましくは
Ra０．５μｍ以下，Rmax７μｍ以下に表面を研磨する。
あるいは、サセプター全面をサンドペーパー，工業用パ
ツトなどの研磨材を用いて表面粗さRa１μｍ以下，Rmax
１０μｍ以下、好ましくはRa０．５μｍ以下，Rmax７μ
ｍ以下に研磨した後、ウエハ接触面のみをガムテープ，
ボール紙等でマスクしサンドブラスト等で他の表面をRa
２μｍ以上，Rmax１５μｍ以上にあらしてもよい。
以上のようにして得られたサセプター基材の表面を、特
公昭５２−３９６８４号公報に記載の方法を用いて、膜
厚２〜５μｍのガラス状炭素で被覆する。以下、その被
覆方法について簡単に説明すると、ガラス状炭素の原料
であるポリ塩化ビニール等の有機物ポリマーを不活性化
雰囲気中，３５０〜４５０℃で熱分解しピツチ状の炭素
前駆体を得る。この炭素前駆体をトリクレンなどの有機
溶剤に溶解し、それをサセプター基材表面に塗布した
後、真空中もしくは不活性化雰囲気下、１０００℃以上
で焼成する。この塗布−焼成工程を繰り返し行ない、サ
セプター基材表面をガラス状炭素で被覆する。高純度が
要求される用途にたいしては、必要に応じて、例えば１
６００℃以上で塩素，フツ素等のハロゲンガスを導入す
ることで高純度のサセプターを得ることができる。
公昭５２−３９６８４号公報に記載の方法を用いて、膜
厚２〜５μｍのガラス状炭素で被覆する。以下、その被
覆方法について簡単に説明すると、ガラス状炭素の原料
であるポリ塩化ビニール等の有機物ポリマーを不活性化
雰囲気中，３５０〜４５０℃で熱分解しピツチ状の炭素
前駆体を得る。この炭素前駆体をトリクレンなどの有機
溶剤に溶解し、それをサセプター基材表面に塗布した
後、真空中もしくは不活性化雰囲気下、１０００℃以上
で焼成する。この塗布−焼成工程を繰り返し行ない、サ
セプター基材表面をガラス状炭素で被覆する。高純度が
要求される用途にたいしては、必要に応じて、例えば１
６００℃以上で塩素，フツ素等のハロゲンガスを導入す
ることで高純度のサセプターを得ることができる。
（実施例） 以下、実施例と比較例をあげてさらに具体的に本発明を
説明する。
説明する。
実施例１ 第１図に示すプラズマＣＶＤ用サセプター（８００×１
５０×４）を機械加工（表面精度▽▽▽Ra3.2μｍ、Rma
x２２μｍ）しウエハ接触面を工業用パツト（住友スリ
ーエム（株）社製 スコツチプライト ７４４８）で鏡
面に仕上げた（Ra0.5μｍ Rmax6.5μｍ）。このサセプ
ターの表面にポリ塩化ビニールを窒素雰囲気中３９０℃
で熱分解しタール状の炭素前駆体ピツチを得、トリクレ
ンにこの炭素前駆体を濃度１５重量％で溶解し、その溶
液をサセプター基材の表面に塗布し、真空雰囲気下、１
２００℃で焼成した。この塗布−焼成工程を４回繰り返
し行ない、膜厚3,5μｍでガラス状炭素を基サセプター
表面に被覆した。
５０×４）を機械加工（表面精度▽▽▽Ra3.2μｍ、Rma
x２２μｍ）しウエハ接触面を工業用パツト（住友スリ
ーエム（株）社製 スコツチプライト ７４４８）で鏡
面に仕上げた（Ra0.5μｍ Rmax6.5μｍ）。このサセプ
ターの表面にポリ塩化ビニールを窒素雰囲気中３９０℃
で熱分解しタール状の炭素前駆体ピツチを得、トリクレ
ンにこの炭素前駆体を濃度１５重量％で溶解し、その溶
液をサセプター基材の表面に塗布し、真空雰囲気下、１
２００℃で焼成した。この塗布−焼成工程を４回繰り返
し行ない、膜厚3,5μｍでガラス状炭素を基サセプター
表面に被覆した。
その結果、ガラス状炭素被覆後の表面粗さは、ウエハ接
触面がRa0.3μｍ，Rmax6.0μｍ、それ以外の他面がRa3.
0μｍ，Rmax２１μｍのプラズマＣＶＤ用黒鉛サセプタ
ーが得られた。
触面がRa0.3μｍ，Rmax6.0μｍ、それ以外の他面がRa3.
0μｍ，Rmax２１μｍのプラズマＣＶＤ用黒鉛サセプタ
ーが得られた。
比較例１ 表面をガラス状炭素で被覆しないこと以外は、実施例１
と同様にしてプラズマＣＶＤ用黒鉛サセプターを製造し
た。
と同様にしてプラズマＣＶＤ用黒鉛サセプターを製造し
た。
比較例２ サセプター基材のウエハ接触面の鏡面仕上げ及びガラス
状炭素被覆を施さない以外は実施例１と同様にしてプラ
ズマＣＶＤ用黒鉛サセプターを製造した。
状炭素被覆を施さない以外は実施例１と同様にしてプラ
ズマＣＶＤ用黒鉛サセプターを製造した。
比較例３ ウエハ接触面とそれ以外の他面との表面粗さを変えるこ
となく、サセプター基材の全面をスコツチブライト７４
４８で鏡面に仕上げた後、ガラス状炭素を膜厚3.5μｍ
で被覆したこと以外は実施例１と同様にしてプラズマＣ
ＶＤ用黒鉛サセプターを得た。
となく、サセプター基材の全面をスコツチブライト７４
４８で鏡面に仕上げた後、ガラス状炭素を膜厚3.5μｍ
で被覆したこと以外は実施例１と同様にしてプラズマＣ
ＶＤ用黒鉛サセプターを得た。
上記４例のサセプターを評価するため、拡散炉型プラズ
マＣＶＤ装置を用い、４インチSiウエハを５枚ずつセツ
トしてベルジヤー内に入れ、外部加熱によりそれを３０
０℃に加熱しサセプター間に高周波13.56MHzをかけSiH4
とNH3を原料ガスとしてベルジヤー内に導入し真空度１t
orrで高周波プラズマを立て、Siウエハ上にシリコン窒
化膜を1.2μｍ形成したときの膜厚のバラツキ及び異物
量を顕微鏡で調べた。その結果を第１表に示す。
マＣＶＤ装置を用い、４インチSiウエハを５枚ずつセツ
トしてベルジヤー内に入れ、外部加熱によりそれを３０
０℃に加熱しサセプター間に高周波13.56MHzをかけSiH4
とNH3を原料ガスとしてベルジヤー内に導入し真空度１t
orrで高周波プラズマを立て、Siウエハ上にシリコン窒
化膜を1.2μｍ形成したときの膜厚のバラツキ及び異物
量を顕微鏡で調べた。その結果を第１表に示す。
（発明の効果） 本発明のプラズマＣＶＤ用黒鉛サセプターを用いると生
成幕の電気比抵抗及び均一性が向上する。これにより成
膜の歩留りか向上し生産コストの低下等を図ることがで
きる。
成幕の電気比抵抗及び均一性が向上する。これにより成
膜の歩留りか向上し生産コストの低下等を図ることがで
きる。
第１図は、本発明のプラズマＣＶＤ用黒鉛サセプターの
１例を示す概略正面図である。 １…サセプター本体、２…ウエハ接触面、３…それ以外
の他面、４…ピン
１例を示す概略正面図である。 １…サセプター本体、２…ウエハ接触面、３…それ以外
の他面、４…ピン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−17294（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−95700（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】ウエハ搭載面におけるウエハ接触部の表面
粗さが他の表面よりも小さい黒鉛サセプターの表面全体
が有機溶剤に溶解された有機物ポリマーの熱分解生成物
から形成された膜厚５μｍ以下のガラス状炭素で被覆さ
れていることを特徴とするプラズマＣＶＤ用黒鉛サセプ
ター。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1075777A JPH0647516B2 (ja) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | プラズマｃｖｄ用黒鉛サセプター |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1075777A JPH0647516B2 (ja) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | プラズマｃｖｄ用黒鉛サセプター |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02255593A JPH02255593A (ja) | 1990-10-16 |
| JPH0647516B2 true JPH0647516B2 (ja) | 1994-06-22 |
Family
ID=13585985
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1075777A Expired - Lifetime JPH0647516B2 (ja) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | プラズマｃｖｄ用黒鉛サセプター |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0647516B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2207878A1 (en) * | 1996-06-20 | 1997-12-20 | Qqc, Inc. | Glassy carbon coatings having water repellant and corrosion-, erosion-, and wear-resistant characteristics |
| JP2002043397A (ja) * | 2000-07-26 | 2002-02-08 | Hitachi Chem Co Ltd | サセプター |
| US8524005B2 (en) * | 2006-07-07 | 2013-09-03 | Tokyo Electron Limited | Heat-transfer structure and substrate processing apparatus |
| JP2012221987A (ja) * | 2011-04-04 | 2012-11-12 | Shimadzu Corp | 基板カート、薄膜形成装置および太陽電池製造用薄膜形成装置 |
| JP5854225B2 (ja) * | 2012-05-31 | 2016-02-09 | 株式会社島津製作所 | プラズマｃｖｄ成膜装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5595700A (en) * | 1979-01-11 | 1980-07-21 | Nec Corp | Vapor phase growing jig |
| JPH0753635B2 (ja) * | 1986-07-08 | 1995-06-07 | 電気化学工業株式会社 | ガラス状炭素被覆サセプタ−及びその製造方法 |
| JPS6447019A (en) * | 1987-08-18 | 1989-02-21 | Denki Kagaku Kogyo Kk | Glassy carbon coated susceptor |
-
1989
- 1989-03-28 JP JP1075777A patent/JPH0647516B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02255593A (ja) | 1990-10-16 |
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