JPH0561774B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0561774B2 JPH0561774B2 JP20477787A JP20477787A JPH0561774B2 JP H0561774 B2 JPH0561774 B2 JP H0561774B2 JP 20477787 A JP20477787 A JP 20477787A JP 20477787 A JP20477787 A JP 20477787A JP H0561774 B2 JPH0561774 B2 JP H0561774B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- susceptor
- surface roughness
- cvd
- carbon
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 22
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 229910021397 glassy carbon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 7
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 22
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 15
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 4
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 2
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 1
- 239000007833 carbon precursor Substances 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 208000037998 chronic venous disease Diseases 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 1
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は、たとえば半導体の製造工程において
使用されるサセプターに関する。 〔従来の技術〕 一般にサセプターはシリコンウエーハー等の半
導体材料を直接載置し、エピタキシヤル気相成長
や各種絶縁膜の気相成長等を行う際に使用され
る。従つて、高純度であること、耐熱性の高いこ
と、耐腐食性の優れていることなどが要求され
る。 これらの要求に応えるものとして従来から炭素
基材の上に化学気相蒸着（CVD）法による炭化
硅素を被覆したサセプターが使用されている（参
考文献例：特開昭56−10921号公報）。しかし炭化
硅素被覆サセプターは炭化曹素被覆層と炭素基材
との熱膨張係数が異なつているために繰り返し使
用による熱サイクルで、被覆層にクラツクが発生
し、そのクラツクを通して炭素基材から不純物が
滲みだし製品を汚染するという欠点を有してい
た。さらに、炭化硅素被覆層はCVD法により形
成されるため膜の均一性が劣り、ピンホールが発
生しやすいので、近年とみに要求が高まりつつあ
るサセプターの大型化に対応することが困難であ
るという欠点があつた。 これらの欠点を補う手段として、炭素基材にガ
ラス状炭素を被覆する提案がある（特公昭52−
39684号公報）。この方法で得られるガラス状炭素
被覆サセプターは、上記炭化硅素被覆サセプター
と比較して被覆層の均一性が優れており、また被
覆層の気体通気率が２桁程度小さいので、炭素基
材からの不純物の汚染を減少できるという利点を
有している。 しかしながら、サセプターをCVD法による各
種絶縁膜形成時のウエハー載置台として使用して
いると、サセプターの表面にもCVDによる薄膜
が生成し、この薄膜の剥離による障害が発生す
る。たとえばSiO2絶縁膜の場合は５回程度また
は10μｍ程度CVDを行うと、サセプター上に生成
したSiO2薄膜が剥離を起こし易くなりダスト発
生の原因となる。これを防ぐためにしばしばエツ
チング（被覆除去作業）を行いサセプター上に生
成した薄膜を除去しなければならないという欠点
があつた。 〔発明が解決しようとする問題点〕 本発明の目的は、サセプター上にCVD法によ
り形成される薄膜が剥離し難いガラス状炭素被覆
サセプターを提供することにある。 〔問題点を解決するための手段〕 発明者は各種材料のCVDを行つたとき、サセ
プター上に生成する薄膜の剥離によるダストの発
生がCVDの回数に対してばらつきのあることに
気付き、これを検討した結果、サセプターの表面
粗さと関連のあることを見出した。すなわち本発
明は、炭素基材の表面にガラス状炭素を被覆して
なるサセプターにおいて、該サセプターの平均表
面粗さRaが0.1μｍ以上5μｍ以下で、最大表面粗
さRnaxが1μｍ以上50μｍ以下であることを特徴と
するガラス状炭素被覆サセプターである。 以下本発明について詳しく説明する。ガラス状
炭素を炭素基材に被覆するには炭素前駆体となる
有機高分子を炭素基材に塗布し、非酸化性気体中
または真空中で焼成すればよい。ここで非酸化性
気体とはH2、N2、希ガス類またはこれらの混合
気体をさす。用いる有機高分子に限定はないが、
炭素含有量が30重量％以上のものが好ましく、例
えばポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコール、ポ
リ酢酸ビニル、アルキルフエノールなどがある。
さらに、これらの有機高分子を適度に熱分解させ
たピツチ状物質（以下PCと略す）は炭素含有量
が80重量％以上である上に、ベンゼン、クロロホ
ルム等の有機溶剤に溶けるため塗布法により簡単
に被膜を形成できる。特にガラス状炭素被覆体の
使途が半導体用治具、サセプター等の場合には、
不純物の面からポリ塩化ビニルを熱分解させた
PCがとりわけ好ましい。熱分解は、不活性気体
中で200〜500℃で30分以上加熱して行なう。 前記PCを溶剤に100〜800ｇ／の濃度で溶か
して炭素基材に塗布するが、溶剤としては溶解
性、揮発性の点でトリクレンなどの脂肪族塩素系
のものが好ましい。塗布方法は超音波含浸、はけ
塗り、スプレー、浸漬などでよく、塗布後に比較
的低温（50〜150℃程度）で乾燥することが好ま
しい。ついで、非酸化性気体中または真空中で
600〜1300℃程度の温度で30分以上焼成する。 炭素基材は、その用途がサセプターであること
から、加工精度、通気率等を考慮すると、密度
1.6〜2.1ｇ／cm3のモールドまたは等方性黒鉛が好
ましい。サセプターの表面粗さを前記の通りにす
るために、炭素基材の表面粗さの調整が重要であ
る。サセプターの表面粗さは炭素基材の表面粗さ
とほぼ同じになるが、ガラス状炭素の被覆の条件
によつて多少変る。したがつて、まず平均表面粗
さRaが0.1μｍ〜5μｍ、最大表面粗さRnaxが1μｍ
〜50μｍ程度の炭素基材を用いて、この表面にガ
ラス状炭素を被覆してサセプターとし、その平均
表面粗さと最大表面粗さを測定し、その結果によ
り最適な基材の表面粗さを定めればよい。炭素基
材の表面粗さを調整する方法はフライス盤、旋盤
等での加工、研磨紙等による表面研磨、サンドブ
ラストなどでよい。 サセプターの平均表面粗さRaは0.1μｍ以上5μ
ｍ以下、好ましくは0.5μｍ以上3μｍ以下で、かつ
最大表面粗さRnaxは1μｍ以上50μｍ以下、このま
しくは5μｍ以上30μｍ以下である。Raが0.1μｍ未
満またはRnaxが1μｍ未満であると、サセプター
表面に生成したCVD薄膜が剥離し易くなる。ま
た、Raが5μｍを越えると、またはRnaxが50μｍ越
えるとサセプターからウエハーへの伝熱が不均一
になり、ウエハー上に生成するCVD膜の均質性
が悪くなる。 〔実施例〕 以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。 実施例１〜10及び比較例１〜６ 炭素基材として市販の等方性黒鉛SIC−６（東
洋炭素製）を用い、直径250mm、厚さ10mmの円板
状に加工したのち、サンドブラストまたはサンド
ペーパーにより表１に示す16種類の表面粗さのサ
ンプルを調製した。表面粗さは電子式表面粗さ計
（三豊製 サーフテスト タイプ201）を用い、
JIS Ｂ−0601にしたがつて測定した。この基材を
トリクレンおよびアセトンで超音波洗浄し表面汚
染物を除去した後、1800℃、アルゴン雰囲気下で
一時間焼成した。 いつぽう有機高分子として、電気化学工業(株)製
の塩化ビニル樹脂（SS−110）を窒素気中390℃、
90分熱分解して得られたPCを用いた。このPCを
トリクレンに溶解し、濃度20％のPC溶液を調製
した。このPC溶液に上記各基材を超音波浸漬し
たのち乾燥し、その後アルゴン雰囲気下1200℃で
一時間焼成して、ガラス状炭素被覆サセプターを
得た。得られたサセプターの平均表面粗さおよび
最大表面粗さは表１に示すとおりである。 このようにして作成したサセプターをプラズマ
CVD装置（サムコインターナシヨナル製Model
PD−10）に装着し、さらに該サセプター上に直
径２インチのシリコンウエハーを置き、表２に示
す条件で窒化ケイ素または酸化ケイ素のCVDを
行なつた。なお、いずれの場合もプラズマ発生用
電力の周波数は13.56MHz、出力は70W、サセプ
ターの温度は350℃であつた。得られたCVD薄膜
の厚さは表２に示すとおりである。 CVDを終えた後サセプター及びシリコンウエ
ハー上の表面観察を目視及び顕微鏡で行つた。シ
リコンウエハーはCVDを終えるごとに毎回交換
したが、サセプターは表面観察後何の処理もせず
に再度CVDに用いた。そして、何回のCVDでサ
セプター表面の薄膜にクラツクや剥離が発生する
かを調た。また、シリコンウエハー上のCVD薄
膜の膜厚分布についても断面観察により調べた。
その結果を表２に示す。 表２を見ると分るようにサセプター表面のRa
が0.1μｍ未満、またはRnaxが1μｍ未満であると
（比較例１〜３）、CVDの回数は10回未満で薄膜
面にクラツクが剥離が認められた。しかし薄膜の
均一性は膜厚偏差を見ると分るように実施例と同
様優れていた。これに対し、Raが5μｍを越える
か、またはRnaxが50μｍを越えると（比較例４〜
６）CVDの回数は50回でも薄膜面にクラツクや
剥離は認められず、ダストの発生も認められなか
つたが、薄膜の均一性の点でかなり劣ることが分
る。なお、シリコンウエハーは剥離が生じた場合
を除き鏡面状態を保つていた。
使用されるサセプターに関する。 〔従来の技術〕 一般にサセプターはシリコンウエーハー等の半
導体材料を直接載置し、エピタキシヤル気相成長
や各種絶縁膜の気相成長等を行う際に使用され
る。従つて、高純度であること、耐熱性の高いこ
と、耐腐食性の優れていることなどが要求され
る。 これらの要求に応えるものとして従来から炭素
基材の上に化学気相蒸着（CVD）法による炭化
硅素を被覆したサセプターが使用されている（参
考文献例：特開昭56−10921号公報）。しかし炭化
硅素被覆サセプターは炭化曹素被覆層と炭素基材
との熱膨張係数が異なつているために繰り返し使
用による熱サイクルで、被覆層にクラツクが発生
し、そのクラツクを通して炭素基材から不純物が
滲みだし製品を汚染するという欠点を有してい
た。さらに、炭化硅素被覆層はCVD法により形
成されるため膜の均一性が劣り、ピンホールが発
生しやすいので、近年とみに要求が高まりつつあ
るサセプターの大型化に対応することが困難であ
るという欠点があつた。 これらの欠点を補う手段として、炭素基材にガ
ラス状炭素を被覆する提案がある（特公昭52−
39684号公報）。この方法で得られるガラス状炭素
被覆サセプターは、上記炭化硅素被覆サセプター
と比較して被覆層の均一性が優れており、また被
覆層の気体通気率が２桁程度小さいので、炭素基
材からの不純物の汚染を減少できるという利点を
有している。 しかしながら、サセプターをCVD法による各
種絶縁膜形成時のウエハー載置台として使用して
いると、サセプターの表面にもCVDによる薄膜
が生成し、この薄膜の剥離による障害が発生す
る。たとえばSiO2絶縁膜の場合は５回程度また
は10μｍ程度CVDを行うと、サセプター上に生成
したSiO2薄膜が剥離を起こし易くなりダスト発
生の原因となる。これを防ぐためにしばしばエツ
チング（被覆除去作業）を行いサセプター上に生
成した薄膜を除去しなければならないという欠点
があつた。 〔発明が解決しようとする問題点〕 本発明の目的は、サセプター上にCVD法によ
り形成される薄膜が剥離し難いガラス状炭素被覆
サセプターを提供することにある。 〔問題点を解決するための手段〕 発明者は各種材料のCVDを行つたとき、サセ
プター上に生成する薄膜の剥離によるダストの発
生がCVDの回数に対してばらつきのあることに
気付き、これを検討した結果、サセプターの表面
粗さと関連のあることを見出した。すなわち本発
明は、炭素基材の表面にガラス状炭素を被覆して
なるサセプターにおいて、該サセプターの平均表
面粗さRaが0.1μｍ以上5μｍ以下で、最大表面粗
さRnaxが1μｍ以上50μｍ以下であることを特徴と
するガラス状炭素被覆サセプターである。 以下本発明について詳しく説明する。ガラス状
炭素を炭素基材に被覆するには炭素前駆体となる
有機高分子を炭素基材に塗布し、非酸化性気体中
または真空中で焼成すればよい。ここで非酸化性
気体とはH2、N2、希ガス類またはこれらの混合
気体をさす。用いる有機高分子に限定はないが、
炭素含有量が30重量％以上のものが好ましく、例
えばポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコール、ポ
リ酢酸ビニル、アルキルフエノールなどがある。
さらに、これらの有機高分子を適度に熱分解させ
たピツチ状物質（以下PCと略す）は炭素含有量
が80重量％以上である上に、ベンゼン、クロロホ
ルム等の有機溶剤に溶けるため塗布法により簡単
に被膜を形成できる。特にガラス状炭素被覆体の
使途が半導体用治具、サセプター等の場合には、
不純物の面からポリ塩化ビニルを熱分解させた
PCがとりわけ好ましい。熱分解は、不活性気体
中で200〜500℃で30分以上加熱して行なう。 前記PCを溶剤に100〜800ｇ／の濃度で溶か
して炭素基材に塗布するが、溶剤としては溶解
性、揮発性の点でトリクレンなどの脂肪族塩素系
のものが好ましい。塗布方法は超音波含浸、はけ
塗り、スプレー、浸漬などでよく、塗布後に比較
的低温（50〜150℃程度）で乾燥することが好ま
しい。ついで、非酸化性気体中または真空中で
600〜1300℃程度の温度で30分以上焼成する。 炭素基材は、その用途がサセプターであること
から、加工精度、通気率等を考慮すると、密度
1.6〜2.1ｇ／cm3のモールドまたは等方性黒鉛が好
ましい。サセプターの表面粗さを前記の通りにす
るために、炭素基材の表面粗さの調整が重要であ
る。サセプターの表面粗さは炭素基材の表面粗さ
とほぼ同じになるが、ガラス状炭素の被覆の条件
によつて多少変る。したがつて、まず平均表面粗
さRaが0.1μｍ〜5μｍ、最大表面粗さRnaxが1μｍ
〜50μｍ程度の炭素基材を用いて、この表面にガ
ラス状炭素を被覆してサセプターとし、その平均
表面粗さと最大表面粗さを測定し、その結果によ
り最適な基材の表面粗さを定めればよい。炭素基
材の表面粗さを調整する方法はフライス盤、旋盤
等での加工、研磨紙等による表面研磨、サンドブ
ラストなどでよい。 サセプターの平均表面粗さRaは0.1μｍ以上5μ
ｍ以下、好ましくは0.5μｍ以上3μｍ以下で、かつ
最大表面粗さRnaxは1μｍ以上50μｍ以下、このま
しくは5μｍ以上30μｍ以下である。Raが0.1μｍ未
満またはRnaxが1μｍ未満であると、サセプター
表面に生成したCVD薄膜が剥離し易くなる。ま
た、Raが5μｍを越えると、またはRnaxが50μｍ越
えるとサセプターからウエハーへの伝熱が不均一
になり、ウエハー上に生成するCVD膜の均質性
が悪くなる。 〔実施例〕 以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。 実施例１〜10及び比較例１〜６ 炭素基材として市販の等方性黒鉛SIC−６（東
洋炭素製）を用い、直径250mm、厚さ10mmの円板
状に加工したのち、サンドブラストまたはサンド
ペーパーにより表１に示す16種類の表面粗さのサ
ンプルを調製した。表面粗さは電子式表面粗さ計
（三豊製 サーフテスト タイプ201）を用い、
JIS Ｂ−0601にしたがつて測定した。この基材を
トリクレンおよびアセトンで超音波洗浄し表面汚
染物を除去した後、1800℃、アルゴン雰囲気下で
一時間焼成した。 いつぽう有機高分子として、電気化学工業(株)製
の塩化ビニル樹脂（SS−110）を窒素気中390℃、
90分熱分解して得られたPCを用いた。このPCを
トリクレンに溶解し、濃度20％のPC溶液を調製
した。このPC溶液に上記各基材を超音波浸漬し
たのち乾燥し、その後アルゴン雰囲気下1200℃で
一時間焼成して、ガラス状炭素被覆サセプターを
得た。得られたサセプターの平均表面粗さおよび
最大表面粗さは表１に示すとおりである。 このようにして作成したサセプターをプラズマ
CVD装置（サムコインターナシヨナル製Model
PD−10）に装着し、さらに該サセプター上に直
径２インチのシリコンウエハーを置き、表２に示
す条件で窒化ケイ素または酸化ケイ素のCVDを
行なつた。なお、いずれの場合もプラズマ発生用
電力の周波数は13.56MHz、出力は70W、サセプ
ターの温度は350℃であつた。得られたCVD薄膜
の厚さは表２に示すとおりである。 CVDを終えた後サセプター及びシリコンウエ
ハー上の表面観察を目視及び顕微鏡で行つた。シ
リコンウエハーはCVDを終えるごとに毎回交換
したが、サセプターは表面観察後何の処理もせず
に再度CVDに用いた。そして、何回のCVDでサ
セプター表面の薄膜にクラツクや剥離が発生する
かを調た。また、シリコンウエハー上のCVD薄
膜の膜厚分布についても断面観察により調べた。
その結果を表２に示す。 表２を見ると分るようにサセプター表面のRa
が0.1μｍ未満、またはRnaxが1μｍ未満であると
（比較例１〜３）、CVDの回数は10回未満で薄膜
面にクラツクが剥離が認められた。しかし薄膜の
均一性は膜厚偏差を見ると分るように実施例と同
様優れていた。これに対し、Raが5μｍを越える
か、またはRnaxが50μｍを越えると（比較例４〜
６）CVDの回数は50回でも薄膜面にクラツクや
剥離は認められず、ダストの発生も認められなか
つたが、薄膜の均一性の点でかなり劣ることが分
る。なお、シリコンウエハーは剥離が生じた場合
を除き鏡面状態を保つていた。
【表】
【表】
【表】
〔発明の効果〕
以上の説明から明らかなように、サセプターの
表面粗さのRaが0.1μｍ以上5μｍ以下、Rnaxが1μ
ｍ以上50μｍ以下に制御された本発明のサセプタ
ーは、CVD法によりその表面に生成する薄膜の
付着力が強固であり、剥離し難いので、被膜剥離
によるダスト発生のおそれがない。このため、
CVD作業に本発明のサセプターを用いると、エ
ツチングの回数を大幅に減らすことができる。
表面粗さのRaが0.1μｍ以上5μｍ以下、Rnaxが1μ
ｍ以上50μｍ以下に制御された本発明のサセプタ
ーは、CVD法によりその表面に生成する薄膜の
付着力が強固であり、剥離し難いので、被膜剥離
によるダスト発生のおそれがない。このため、
CVD作業に本発明のサセプターを用いると、エ
ツチングの回数を大幅に減らすことができる。
Claims (1)
- １ 炭素基材の表面にガラス状炭素を被覆してな
るサセプターにおいて、該サセプターの平均表面
粗さRaが0.1μｍ以上5μｍ以下で、最大表面粗さ
Rnaxが1μｍ以上50μｍ以下であることを特徴とす
るガラス状炭素被覆サセプター。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20477787A JPS6447019A (en) | 1987-08-18 | 1987-08-18 | Glassy carbon coated susceptor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20477787A JPS6447019A (en) | 1987-08-18 | 1987-08-18 | Glassy carbon coated susceptor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6447019A JPS6447019A (en) | 1989-02-21 |
| JPH0561774B2 true JPH0561774B2 (ja) | 1993-09-07 |
Family
ID=16496176
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20477787A Granted JPS6447019A (en) | 1987-08-18 | 1987-08-18 | Glassy carbon coated susceptor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6447019A (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02174116A (ja) * | 1988-12-26 | 1990-07-05 | Toshiba Ceramics Co Ltd | サセプタ |
| JPH0647516B2 (ja) * | 1989-03-28 | 1994-06-22 | イビデン株式会社 | プラズマｃｖｄ用黒鉛サセプター |
| JP3853453B2 (ja) * | 1997-01-06 | 2006-12-06 | 徳山東芝セラミックス株式会社 | 気相成長用縦型サセプター |
| JPH11193470A (ja) * | 1997-12-26 | 1999-07-21 | Canon Inc | 堆積膜形成装置及び堆積膜形成方法 |
| JP2002043397A (ja) * | 2000-07-26 | 2002-02-08 | Hitachi Chem Co Ltd | サセプター |
| JP4623837B2 (ja) * | 2001-01-29 | 2011-02-02 | キヤノンアネルバ株式会社 | マグネトロンスパッタリング装置 |
| JP4936608B2 (ja) * | 2001-06-28 | 2012-05-23 | イビデン株式会社 | ガラス状炭素被覆イオン注入装置用部材 |
| JP4183945B2 (ja) * | 2001-07-30 | 2008-11-19 | コバレントマテリアル株式会社 | ウェーハ熱処理用部材 |
| WO2008058270A2 (en) * | 2006-11-10 | 2008-05-15 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | A susceptor and method of forming a led device using such susceptor |
| JP2012222287A (ja) * | 2011-04-13 | 2012-11-12 | Shimadzu Corp | プラズマｃｖｄ成膜装置および基板搭載装置 |
-
1987
- 1987-08-18 JP JP20477787A patent/JPS6447019A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6447019A (en) | 1989-02-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101048531A (zh) | 基材上的保护涂层及其制备方法 | |
| US5510297A (en) | Process for uniform deposition of tungsten silicide on semiconductor wafers by treatment of susceptor having aluminum nitride surface thereon with tungsten silicide after cleaning of susceptor | |
| JPH0561774B2 (ja) | ||
| JPH03146672A (ja) | Ｃｖｄ用サセプター | |
| JP3155792B2 (ja) | ホットプレート | |
| JPH1012692A (ja) | ダミーウエハ | |
| JPH08188408A (ja) | 化学蒸着法による炭化ケイ素成形体及びその製造方法 | |
| JPH04358074A (ja) | ホットプレート | |
| US5254141A (en) | Industrial diamond coating and method of manufacturing the same | |
| JP2000302576A (ja) | 炭化珪素被覆黒鉛材 | |
| Ramesham et al. | Air‐Microwave Plasma Etching of Polycrystalline Diamond Thin Films | |
| JP3929140B2 (ja) | 耐蝕性部材およびその製造方法 | |
| JP2821212B2 (ja) | 耐火材料及びその製造方法 | |
| JPH0647516B2 (ja) | プラズマｃｖｄ用黒鉛サセプター | |
| TW202128558A (zh) | 以碳化鉭被覆之石墨構件及其製造方法 | |
| JPH1116991A (ja) | 半導体製造装置用カーボン支持体 | |
| JP3262696B2 (ja) | ガラス状カーボン被膜を有するシリカガラス部材 | |
| JPH0693452A (ja) | サセプター | |
| JPH0310076A (ja) | 熱分解窒化ホウ素膜の被覆方法 | |
| JP3183846B2 (ja) | クリーニングガス及びエッチングガス | |
| JPH1160356A (ja) | 窒化アルミニウム複合基材及びこれを用いた窒化アルミニウム複合発熱体、窒化アルミニウム複合静電チャック、窒化アルミニウム複合ヒータ付静電チャック | |
| JPH0524879B2 (ja) | ||
| JP2000109989A (ja) | プラズマ処理装置の内壁保護部材 | |
| JPS6374960A (ja) | ガラス状炭素被覆炭素材 | |
| JPS6355183A (ja) | ガラス状炭素被覆体の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |