JPH1012692A - ダミーウエハ - Google Patents
ダミーウエハInfo
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- JPH1012692A JPH1012692A JP8185581A JP18558196A JPH1012692A JP H1012692 A JPH1012692 A JP H1012692A JP 8185581 A JP8185581 A JP 8185581A JP 18558196 A JP18558196 A JP 18558196A JP H1012692 A JPH1012692 A JP H1012692A
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- silicon carbide
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- H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
- H01L22/34—Circuits for electrically characterising or monitoring manufacturing processes, e. g. whole test die, wafers filled with test structures, on-board-devices incorporated on each die, process control monitors or pad structures thereof, devices in scribe line
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来技術の難点を解消し、反りが発生した
り、半導体の汚染原因である金属を含んだりすることが
なく、ふっ酸や塩酸等に対する耐蝕性や、耐熱性、更に
は繰り返し耐熱性を有し、しかも安価なダミーウエハを
提供する。 【解決手段】 本発明のダミーウエハは、ウエハに対す
る薄膜形成過程において使用されるダミーウエハであっ
て、ガラス状カーボンを珪素或いは珪素を含むガスと反
応させることにより得た炭化珪素からなることを特徴と
するか、或いは、ガラス状カーボンを珪素或いは珪素を
含むガスと反応させることにより得た炭化珪素からなる
と共に、その表面上にＣＶＤ法により炭化珪素層を形成
したことを特徴とする。
り、半導体の汚染原因である金属を含んだりすることが
なく、ふっ酸や塩酸等に対する耐蝕性や、耐熱性、更に
は繰り返し耐熱性を有し、しかも安価なダミーウエハを
提供する。 【解決手段】 本発明のダミーウエハは、ウエハに対す
る薄膜形成過程において使用されるダミーウエハであっ
て、ガラス状カーボンを珪素或いは珪素を含むガスと反
応させることにより得た炭化珪素からなることを特徴と
するか、或いは、ガラス状カーボンを珪素或いは珪素を
含むガスと反応させることにより得た炭化珪素からなる
と共に、その表面上にＣＶＤ法により炭化珪素層を形成
したことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコンウエハや
化合物半導体ウエハに対する薄膜形成過程において、各
種処理条件の評価、検査、試験、汚染防止、汚染物洗浄
及び搬送モニター等のために用いられるダミーウエハに
関するものである。
化合物半導体ウエハに対する薄膜形成過程において、各
種処理条件の評価、検査、試験、汚染防止、汚染物洗浄
及び搬送モニター等のために用いられるダミーウエハに
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】大規模集積回路（ＬＳＩ）や超大規模集
積回路（ＶＬＳＩ）等の半導体製造プロセスにおいて、
気相成長法（Chemical Vapor Deposition）、スパッタ
リングのような物理的製膜法（Physical Vapor Deposit
ion）やエッチング等により、シリコンウエハや化合物
半導体ウエハ上に製膜する工程においては、各種処理条
件の評価、検査、試験、汚染防止、汚染物洗浄及び搬送
モニター等のために、実際のウエハと同様に気相成長
法、スパッタリングのような物理的製膜法やエッチング
等が施される、炭化珪素からなるダミーウエハが用いら
れている。
積回路（ＶＬＳＩ）等の半導体製造プロセスにおいて、
気相成長法（Chemical Vapor Deposition）、スパッタ
リングのような物理的製膜法（Physical Vapor Deposit
ion）やエッチング等により、シリコンウエハや化合物
半導体ウエハ上に製膜する工程においては、各種処理条
件の評価、検査、試験、汚染防止、汚染物洗浄及び搬送
モニター等のために、実際のウエハと同様に気相成長
法、スパッタリングのような物理的製膜法やエッチング
等が施される、炭化珪素からなるダミーウエハが用いら
れている。
【０００３】上記のような炭化珪素からなるダミーウエ
ハは、従来より、（１）黒鉛板上に、ＣＶＤ法により炭
化珪素を堆積させた後、酸化性雰囲気下で前記黒鉛板を
焼失させて炭化珪素板を得、その後、炭化珪素板に対し
機械加工を行ってダミーウエハとする、（２）炭化珪素
粉末を焼結する、（３）黒鉛を炭化珪素に転化する等の
方法により製造されていた。
ハは、従来より、（１）黒鉛板上に、ＣＶＤ法により炭
化珪素を堆積させた後、酸化性雰囲気下で前記黒鉛板を
焼失させて炭化珪素板を得、その後、炭化珪素板に対し
機械加工を行ってダミーウエハとする、（２）炭化珪素
粉末を焼結する、（３）黒鉛を炭化珪素に転化する等の
方法により製造されていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来方法により製造されるダミーウエハには、以
下のような難点のあることが指摘されていた。即ち、上
記（１）の製造方法によるダミーウエハには、ＣＶＤ法
による炭化珪素の堆積速度が遅いため、ダミーウエハに
必要な厚さのものを得るまでに時間がかかり、従って高
価となるばかりか、黒鉛板を焼失させる際に、炭化珪素
に歪みが発生し、得られるダミーウエハが反りやすいも
のとなってしまうという難点があるのである。
ような従来方法により製造されるダミーウエハには、以
下のような難点のあることが指摘されていた。即ち、上
記（１）の製造方法によるダミーウエハには、ＣＶＤ法
による炭化珪素の堆積速度が遅いため、ダミーウエハに
必要な厚さのものを得るまでに時間がかかり、従って高
価となるばかりか、黒鉛板を焼失させる際に、炭化珪素
に歪みが発生し、得られるダミーウエハが反りやすいも
のとなってしまうという難点があるのである。
【０００５】又、上記（２）の製造方法によるダミーウ
エハには、半導体の汚染源となる金属分が含有され易
く、しかも得られるダミーウエハにおける炭化珪素の純
度が低いので半導体用途には適さないという難点があ
り、更に、上記（３）の製造方法によるダミーウエハに
は、黒鉛がブロック状でしか作製できず、これを板状に
加工すると反りが発生してしまい、炭化珪素化反応で得
られるダミーウエハが反りやすいものとなってしまうと
いう難点がある。
エハには、半導体の汚染源となる金属分が含有され易
く、しかも得られるダミーウエハにおける炭化珪素の純
度が低いので半導体用途には適さないという難点があ
り、更に、上記（３）の製造方法によるダミーウエハに
は、黒鉛がブロック状でしか作製できず、これを板状に
加工すると反りが発生してしまい、炭化珪素化反応で得
られるダミーウエハが反りやすいものとなってしまうと
いう難点がある。
【０００６】加えて、上記（１）及び（３）の方法で得
られるダミーウエハには、それらに共通して、半導体プ
ロセスにおいて使用されるふっ酸や塩酸に対する耐蝕性
や、耐熱性、更には繰り返し耐熱性を欠き、製品寿命が
短いという問題があった。
られるダミーウエハには、それらに共通して、半導体プ
ロセスにおいて使用されるふっ酸や塩酸に対する耐蝕性
や、耐熱性、更には繰り返し耐熱性を欠き、製品寿命が
短いという問題があった。
【０００７】本発明は、上述した従来技術の問題点を解
消し、反りが発生したり、半導体の汚染原因である金属
を含んだりすることがなく、ふっ酸や塩酸等に対する耐
蝕性や、耐熱性、更には繰り返し耐熱性を有し、しかも
安価なダミーウエハを提供することを目的としてなされ
た。
消し、反りが発生したり、半導体の汚染原因である金属
を含んだりすることがなく、ふっ酸や塩酸等に対する耐
蝕性や、耐熱性、更には繰り返し耐熱性を有し、しかも
安価なダミーウエハを提供することを目的としてなされ
た。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明が採用したダミーウエハの構成は、ウエハに対
する薄膜形成過程において使用されるダミーウエハであ
って、ガラス状カーボンを珪素或いは珪素を含むガスと
反応させることにより得た炭化珪素からなることを特徴
とするか、或いは、ガラス状カーボンを珪素或いは珪素
を含むガスと反応させることにより得た炭化珪素からな
ると共に、その表面上にＣＶＤ法により炭化珪素層を形
成したことを特徴とするものである。
に本発明が採用したダミーウエハの構成は、ウエハに対
する薄膜形成過程において使用されるダミーウエハであ
って、ガラス状カーボンを珪素或いは珪素を含むガスと
反応させることにより得た炭化珪素からなることを特徴
とするか、或いは、ガラス状カーボンを珪素或いは珪素
を含むガスと反応させることにより得た炭化珪素からな
ると共に、その表面上にＣＶＤ法により炭化珪素層を形
成したことを特徴とするものである。
【０００９】
【発明の実施の態様】以下に本発明を詳細に説明する。
【００１０】上記構成の本発明では、ダミーウエハの原
料としてガラス状カーボンを使用するが、このガラス状
カーボンは、フェノール樹脂、ポリカルボジイミド樹
脂、フラン樹脂、フルフラール樹脂、ポリイミド樹脂や
その他の熱硬化樹脂、又は、セルロース、或いは、これ
らの混合物を原料として得られるものである。
料としてガラス状カーボンを使用するが、このガラス状
カーボンは、フェノール樹脂、ポリカルボジイミド樹
脂、フラン樹脂、フルフラール樹脂、ポリイミド樹脂や
その他の熱硬化樹脂、又は、セルロース、或いは、これ
らの混合物を原料として得られるものである。
【００１１】上記ガラス状カーボンは、従来より公知の
一般的な方法で製造することができ、例えば、上記樹脂
或いはそれらの混合樹脂を板状に成形し、それを不活性
雰囲気中で９００℃から３５００℃、好ましくは１００
０℃から３０００℃の温度で焼成することにより、ガラ
ス状カーボンを得ることができる。
一般的な方法で製造することができ、例えば、上記樹脂
或いはそれらの混合樹脂を板状に成形し、それを不活性
雰囲気中で９００℃から３５００℃、好ましくは１００
０℃から３０００℃の温度で焼成することにより、ガラ
ス状カーボンを得ることができる。
【００１２】本発明で使用できるガラス状カーボンにつ
いては、上記のようにして製造されるものを含め、特に
制限はないが、密度が０．４〜１．９ｇ／ｃｍ3、好ま
しくは１．３〜１．８ｇ／ｃｍ3、曲げ強度が２００Ｋ
ｇ／ｃｍ2以上、不純物濃度が５００ｐｐｍ以下、好ま
しくは１００ｐｐｍ以下、気孔率が０〜６０％、好まし
くは０〜５％のものが良い。
いては、上記のようにして製造されるものを含め、特に
制限はないが、密度が０．４〜１．９ｇ／ｃｍ3、好ま
しくは１．３〜１．８ｇ／ｃｍ3、曲げ強度が２００Ｋ
ｇ／ｃｍ2以上、不純物濃度が５００ｐｐｍ以下、好ま
しくは１００ｐｐｍ以下、気孔率が０〜６０％、好まし
くは０〜５％のものが良い。
【００１３】上記物性中、密度が上記値よりあまりに低
いとダミーウエハとしてのハンドリングがしにくくな
り、高いと炭化珪素化反応がまんべんなく進行しにくく
なる。又、曲げ強度についても、上記値よりあまりに低
いとダミーウエハとしてのハンドリングがしにくくな
る。尚、不純物濃度は、半導体への汚染程度によるが、
低い方が好ましい。
いとダミーウエハとしてのハンドリングがしにくくな
り、高いと炭化珪素化反応がまんべんなく進行しにくく
なる。又、曲げ強度についても、上記値よりあまりに低
いとダミーウエハとしてのハンドリングがしにくくな
る。尚、不純物濃度は、半導体への汚染程度によるが、
低い方が好ましい。
【００１４】上記ガラス状カーボンは、その純度を上げ
るためにハロゲン系ガスにより高純度化処理を施したも
のであっても、高温高圧処理（ＨＩＰ処理）を施したも
のであってもよい。
るためにハロゲン系ガスにより高純度化処理を施したも
のであっても、高温高圧処理（ＨＩＰ処理）を施したも
のであってもよい。
【００１５】又、本発明のダミーウエハは、上記ガラス
状カーボンに由来する炭化珪素よりなるが、炭化珪素と
した後は加工が難しくなるので、上記原料樹脂の段階或
いは上記ガラス状カーボンの段階で、ウエハの形状に成
形すればよい。
状カーボンに由来する炭化珪素よりなるが、炭化珪素と
した後は加工が難しくなるので、上記原料樹脂の段階或
いは上記ガラス状カーボンの段階で、ウエハの形状に成
形すればよい。
【００１６】原料樹脂及びガラス状カーボンのウエハの
形状への成形は、一般的な方法を用いることができ、特
に樹脂の成形としては、圧縮成形、射出成形、トランス
ファー成形、キャスティング成形等の方法を、ガラス状
カーボンの成形としては、ダイヤモンド工具による切
削、研削等の方法を挙げることができる。
形状への成形は、一般的な方法を用いることができ、特
に樹脂の成形としては、圧縮成形、射出成形、トランス
ファー成形、キャスティング成形等の方法を、ガラス状
カーボンの成形としては、ダイヤモンド工具による切
削、研削等の方法を挙げることができる。
【００１７】次いで、好ましくはウエハの形状に成形し
た上記ガラス状カーボンを珪素と反応させることにより
炭化珪素とし、本発明のダミーウエハを得るのである
が、この珪素との反応には通常の方法を用いることがで
き、特に制限はない。
た上記ガラス状カーボンを珪素と反応させることにより
炭化珪素とし、本発明のダミーウエハを得るのである
が、この珪素との反応には通常の方法を用いることがで
き、特に制限はない。
【００１８】即ち、金属珪素と反応させる場合は、様々
な方法で上記ガラス状カーボンと金属珪素とを接触させ
てから加熱すれば良く、例えば板状の金属珪素と重ね合
わせる方法や、上記ガラス状カーボンを金属珪素粉末や
成形物で覆う方法、上記ガラス状カーボン上に金属珪素
を蒸着或いはスパッタリング等により覆う方法等を採用
することができる。
な方法で上記ガラス状カーボンと金属珪素とを接触させ
てから加熱すれば良く、例えば板状の金属珪素と重ね合
わせる方法や、上記ガラス状カーボンを金属珪素粉末や
成形物で覆う方法、上記ガラス状カーボン上に金属珪素
を蒸着或いはスパッタリング等により覆う方法等を採用
することができる。
【００１９】更に、上記ガラス状カーボンを溶融金属珪
素中に入れ、一旦冷却した後、加熱してもよい。尚、加
熱温度は１０００〜２３００℃程度、好ましくは１２０
０〜２１００℃程度である。
素中に入れ、一旦冷却した後、加熱してもよい。尚、加
熱温度は１０００〜２３００℃程度、好ましくは１２０
０〜２１００℃程度である。
【００２０】又、気層で反応させる場合は、焼成炉中で
上記ガラス状カーボンを珪素を含むガスと接触させ、加
熱すれば良く、例えば珪素を含むガスとしては、Ｓｉ
Ｏ、Ｓｉ蒸気、ＳｉＣｌ4、ＳｉＨ4、ＳｉＨＣｌ3等を
挙げることができ、加熱温度としては１０００〜２３０
０℃程度、好ましくは１２００〜２１００℃程度であ
る。
上記ガラス状カーボンを珪素を含むガスと接触させ、加
熱すれば良く、例えば珪素を含むガスとしては、Ｓｉ
Ｏ、Ｓｉ蒸気、ＳｉＣｌ4、ＳｉＨ4、ＳｉＨＣｌ3等を
挙げることができ、加熱温度としては１０００〜２３０
０℃程度、好ましくは１２００〜２１００℃程度であ
る。
【００２１】一方、本発明のダミーウエハは、上記のよ
うにして得られたダミーウエハ（１）の表面上に、ＣＶ
Ｄ法で更に炭化珪素層を形成したもの（２）であっても
よい。この行程には、一般的なＣＶＤ法を使用すること
ができ、特に制限はなく、例えば上記ダミーウエハ
（１）を反応チャンバー内に入れ、チャンバー内にハロ
ゲン化有機珪素化合物と水素との混合ガスを導入し、ハ
ロゲン化有機珪素化合物を還元熱分解しながら、生成す
る炭化珪素をダミーウエハ（１）の表面に気層析出させ
て、ダミーウエハ（２）とする方法等を挙げることがで
きる。
うにして得られたダミーウエハ（１）の表面上に、ＣＶ
Ｄ法で更に炭化珪素層を形成したもの（２）であっても
よい。この行程には、一般的なＣＶＤ法を使用すること
ができ、特に制限はなく、例えば上記ダミーウエハ
（１）を反応チャンバー内に入れ、チャンバー内にハロ
ゲン化有機珪素化合物と水素との混合ガスを導入し、ハ
ロゲン化有機珪素化合物を還元熱分解しながら、生成す
る炭化珪素をダミーウエハ（１）の表面に気層析出させ
て、ダミーウエハ（２）とする方法等を挙げることがで
きる。
【００２２】珪素源となる前記ハロゲン化有機珪素化合
物としては、例えばＣＨ3ＳｉＣｌ3、Ｃ6Ｈ5ＳｉＣ
ｌ3、（ＣＨ3）2ＳｉＣｌ2、ＣＨ3ＳｉＣｌ3、（Ｃ
Ｈ3）3ＳｉＣｌ、ＳｉＨ2Ｃｌ2、ＳｉＨ4／ＣＨ4、Ｓｉ
Ｃｌ4／ＣＨ4等を挙げることができ、反応温度としては
９００から１８００℃程度、好ましくは１０００から１
７００℃程度である。
物としては、例えばＣＨ3ＳｉＣｌ3、Ｃ6Ｈ5ＳｉＣ
ｌ3、（ＣＨ3）2ＳｉＣｌ2、ＣＨ3ＳｉＣｌ3、（Ｃ
Ｈ3）3ＳｉＣｌ、ＳｉＨ2Ｃｌ2、ＳｉＨ4／ＣＨ4、Ｓｉ
Ｃｌ4／ＣＨ4等を挙げることができ、反応温度としては
９００から１８００℃程度、好ましくは１０００から１
７００℃程度である。
【００２３】上記方法により得られる本発明のダミーウ
エハについては、更に表面精度を上げるために、一般的
に用いられる表面加工を施してもよく、このような方法
としては、例えば、遊離砥粒や固定砥粒によるラップや
ポリツシュ、ダイヤモンド工具による研削、研磨等によ
る表面加工を例示することができる。
エハについては、更に表面精度を上げるために、一般的
に用いられる表面加工を施してもよく、このような方法
としては、例えば、遊離砥粒や固定砥粒によるラップや
ポリツシュ、ダイヤモンド工具による研削、研磨等によ
る表面加工を例示することができる。
【００２４】上記のようにして得られた本発明のダミー
ウエハは、反りも歪みもない板状或いはダミーウエハの
形状のガラス状カーボンを、炭化珪素化反応により炭化
珪素に転化したものであるため、反りも歪みもなく、半
導体の汚染源となる金属を全く含まないものである。加
えて、ガラス状カーボンを直接の原料とするため、得ら
れるダミーウエハにおける炭化珪素自体の構造も均一で
あり、耐触性、耐熱性、熱によるサイクルテスト(繰り
返し耐熱性)に優れたものである。
ウエハは、反りも歪みもない板状或いはダミーウエハの
形状のガラス状カーボンを、炭化珪素化反応により炭化
珪素に転化したものであるため、反りも歪みもなく、半
導体の汚染源となる金属を全く含まないものである。加
えて、ガラス状カーボンを直接の原料とするため、得ら
れるダミーウエハにおける炭化珪素自体の構造も均一で
あり、耐触性、耐熱性、熱によるサイクルテスト(繰り
返し耐熱性)に優れたものである。
【００２５】又、板状或いはダミーウエハ形状のガラス
状炭素を炭化珪素化反応せしめるだけであるので、製造
に要する時間も短く、ＣＶＤ法に比べて安価にダミーウ
エハを提供できる。
状炭素を炭化珪素化反応せしめるだけであるので、製造
に要する時間も短く、ＣＶＤ法に比べて安価にダミーウ
エハを提供できる。
【００２６】更に、上記ダミーウエハ（１）上にＣＶＤ
法により炭化珪素層を形成した場合、純度の一層高いＣ
ＶＤ炭化珪素で被覆されたダミーウエハ（２）を製造す
ることができ、このダミーウエハ（２）においては、Ｃ
ＶＤ被膜が炭化珪素［ダミーウエハ（１）］とほとんど
同一の素材であるので、両者は高い密着性を示す。
法により炭化珪素層を形成した場合、純度の一層高いＣ
ＶＤ炭化珪素で被覆されたダミーウエハ（２）を製造す
ることができ、このダミーウエハ（２）においては、Ｃ
ＶＤ被膜が炭化珪素［ダミーウエハ（１）］とほとんど
同一の素材であるので、両者は高い密着性を示す。
【００２７】
【実施例】以下、本発明を実施例により更に詳細に説明
する。
する。
【００２８】実施例１ ポリカルボジイミド樹脂由来で、不純物濃度２ｐｐｍ、
密度１．５５ｇ／ｃｍ3、曲げ強度２３００ｋｇ／ｃ
ｍ2、気孔率０％、直径８インチ、厚さ０．７２５ｍｍ
のガラス状カーボン板を、平均粒径５μｍ、純度９９・
９９９％の金属珪素粉末の中に入れ、焼成炉にて真空
中、１４００℃で熱処理し、炭化珪素に転化した（固層
反応）。
密度１．５５ｇ／ｃｍ3、曲げ強度２３００ｋｇ／ｃ
ｍ2、気孔率０％、直径８インチ、厚さ０．７２５ｍｍ
のガラス状カーボン板を、平均粒径５μｍ、純度９９・
９９９％の金属珪素粉末の中に入れ、焼成炉にて真空
中、１４００℃で熱処理し、炭化珪素に転化した（固層
反応）。
【００２９】上記のようにして得られたダミーウエハ
を、半導体製造プロセスで使用される場合を想定し、Ｈ
Ｆ／ＨＮＯ3の混酸に浸し、重量変化を調べ、又、ダミ
ーウエハを空気中、１０００℃で１００時間加熱し、重
量変化を調べた。更に、室温から７００℃まで３０分で
昇温し、７００℃で１時間保持した後、室温まで冷却す
る熱サイクル試験をくり返し、クラツクが入る回数を試
験した。得られた結果を以下の表１に示す。
を、半導体製造プロセスで使用される場合を想定し、Ｈ
Ｆ／ＨＮＯ3の混酸に浸し、重量変化を調べ、又、ダミ
ーウエハを空気中、１０００℃で１００時間加熱し、重
量変化を調べた。更に、室温から７００℃まで３０分で
昇温し、７００℃で１時間保持した後、室温まで冷却す
る熱サイクル試験をくり返し、クラツクが入る回数を試
験した。得られた結果を以下の表１に示す。
【００３０】実施例２ フェノール樹脂由来で且つ高温高圧（ＨＩＰ）処理され
た、不純物濃度２ｐｐｍ、密度１．８１ｇ／ｃｍ3、曲
げ強度２０００ｋｇ／ｃｍ2、気孔率０％、直径８イン
チ、厚さ０．７２５ｍｍのガラス状カーボン板を用い、
実施例１と同様にしてダミーウエハを得ると共に、クラ
ツクが入る回数を試験した。得られた結果を以下の表１
に示す。
た、不純物濃度２ｐｐｍ、密度１．８１ｇ／ｃｍ3、曲
げ強度２０００ｋｇ／ｃｍ2、気孔率０％、直径８イン
チ、厚さ０．７２５ｍｍのガラス状カーボン板を用い、
実施例１と同様にしてダミーウエハを得ると共に、クラ
ツクが入る回数を試験した。得られた結果を以下の表１
に示す。
【００３１】実施例３ フラン樹脂由来で、不純物濃度５０ｐｐｍ、密度１．４
９ｇ／ｃｍ3、曲げ強度１５００ｋｇ／ｃｍ2、気孔率３
％、直径８インチ、厚さ０．７２５ｍｍのガラス状カー
ボン板を用い、実施例１と同様にしてダミーウエハを得
ると共に、クラツクが入る回数を試験した。得られた結
果を以下の表１に示す。
９ｇ／ｃｍ3、曲げ強度１５００ｋｇ／ｃｍ2、気孔率３
％、直径８インチ、厚さ０．７２５ｍｍのガラス状カー
ボン板を用い、実施例１と同様にしてダミーウエハを得
ると共に、クラツクが入る回数を試験した。得られた結
果を以下の表１に示す。
【００３２】比較例１（黒鉛転化炭化珪素ウエハ） 密度１．８５ｇ／ｃｍ3の等方性黒鉛による、直径８イ
ンチ、厚さ０．７２５ｍｍの黒鉛板を用い、実施例１と
同様にしてダミーウエハを得ると共に、クラツクが入る
回数を試験した。得られた結果を以下の表１に示す。
ンチ、厚さ０．７２５ｍｍの黒鉛板を用い、実施例１と
同様にしてダミーウエハを得ると共に、クラツクが入る
回数を試験した。得られた結果を以下の表１に示す。
【００３３】比較例２（ＣＶＤ炭化珪素ウエハ） 比較例１と同様の黒鉛板をＣＶＤ反応容器に入れ、ＣＨ
3ＳｉＣｌ3と水素との混合ガスを導入し、１３００℃で
炭化珪素を製膜した。その後、この黒鉛板を１０００℃
の空気中で酸化し、炭化珪素板を得、この炭化珪素板に
よる直径８インチ、厚さ０．７２５ｍｍの炭化珪素ウエ
ハを得、この炭化珪素ウエハにつきクラツクが入る回数
を実施例１と同様にして試験した。得られた結果を以下
の表１に示す。
3ＳｉＣｌ3と水素との混合ガスを導入し、１３００℃で
炭化珪素を製膜した。その後、この黒鉛板を１０００℃
の空気中で酸化し、炭化珪素板を得、この炭化珪素板に
よる直径８インチ、厚さ０．７２５ｍｍの炭化珪素ウエ
ハを得、この炭化珪素ウエハにつきクラツクが入る回数
を実施例１と同様にして試験した。得られた結果を以下
の表１に示す。
【００３４】
【表１】
【００３５】実施例４〜６及び比較例３ 上記実施例１〜３及び比較例１で作製したガラス状カー
ボンウエハ板又は黒鉛板を焼成炉に入れ、アルゴンガス
とＳｉＨＣｌ3との混合ガスを流しながら、２０００℃
で熱処理し、炭化珪素に転化した（気層反応）。
ボンウエハ板又は黒鉛板を焼成炉に入れ、アルゴンガス
とＳｉＨＣｌ3との混合ガスを流しながら、２０００℃
で熱処理し、炭化珪素に転化した（気層反応）。
【００３６】このようにして得られたダミーウエハにつ
き、実施例１と同様に試験した。得られた結果を以下の
表２に示す。
き、実施例１と同様に試験した。得られた結果を以下の
表２に示す。
【００３７】
【表２】
【００３８】実施例７〜９及び比較例４ 上記実施例１〜３及び比較例１で作製したガラス状カー
ボンウエハ板又は黒鉛板をＣＶＤ反応容器に入れ、水素
ガスとＣＨ3ＳｉＣｌ3との混合ガスを導入し、１３００
℃で膜厚１２０μｍの炭化珪素をＣＶＤ被覆した。
ボンウエハ板又は黒鉛板をＣＶＤ反応容器に入れ、水素
ガスとＣＨ3ＳｉＣｌ3との混合ガスを導入し、１３００
℃で膜厚１２０μｍの炭化珪素をＣＶＤ被覆した。
【００３９】このようにして得られた炭化珪素被覆ダミ
ーウエハにつき、実施例１と同様に試験した。得られた
結果を以下の表３に示す。
ーウエハにつき、実施例１と同様に試験した。得られた
結果を以下の表３に示す。
【００４０】
【表３】
【００４１】以上のように本発明のダミーウエハは、反
りがなく、耐酸性に富み、耐熱性良好で、サイクル特性
にも優れたものである。
りがなく、耐酸性に富み、耐熱性良好で、サイクル特性
にも優れたものである。
Claims (2)
- 【請求項１】 ウエハに対する薄膜形成過程において使
用されるダミーウエハであって、ガラス状カーボンを珪
素或いは珪素を含むガスと反応させることにより得た炭
化珪素からなることを特徴とするダミーウエハ。 - 【請求項２】 ウエハに対する薄膜形成過程において使
用されるダミーウエハであって、ガラス状カーボンを珪
素或いは珪素を含むガスと反応させることにより得た炭
化珪素からなると共に、その表面上にＣＶＤ法により炭
化珪素層を形成したことを特徴とするダミーウエハ。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8185581A JPH1012692A (ja) | 1996-06-25 | 1996-06-25 | ダミーウエハ |
| US08/879,192 US5853840A (en) | 1996-06-25 | 1997-06-20 | Dummy wafer |
| EP97110224A EP0817255A3 (en) | 1996-06-25 | 1997-06-23 | Dummy wafer |
| TW086108777A TW364163B (en) | 1996-06-25 | 1997-06-23 | A dummy wafer |
| KR1019970027140A KR980006024A (ko) | 1996-06-25 | 1997-06-25 | 더미 웨이퍼 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8185581A JPH1012692A (ja) | 1996-06-25 | 1996-06-25 | ダミーウエハ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1012692A true JPH1012692A (ja) | 1998-01-16 |
Family
ID=16173319
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8185581A Pending JPH1012692A (ja) | 1996-06-25 | 1996-06-25 | ダミーウエハ |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5853840A (ja) |
| EP (1) | EP0817255A3 (ja) |
| JP (1) | JPH1012692A (ja) |
| KR (1) | KR980006024A (ja) |
| TW (1) | TW364163B (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2006190706A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-20 | Bridgestone Corp | ウェハの検査方法 |
| JP2007203296A (ja) * | 2007-03-16 | 2007-08-16 | Nitto Denko Corp | 基板処理装置のクリーニング方法 |
| JP2021132162A (ja) * | 2020-02-20 | 2021-09-09 | 東京エレクトロン株式会社 | ダミーウエハ |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3929140B2 (ja) * | 1997-10-27 | 2007-06-13 | 日本碍子株式会社 | 耐蝕性部材およびその製造方法 |
| US6350520B1 (en) * | 1998-08-26 | 2002-02-26 | Reticle, Inc. | Consolidated amorphous carbon materials, their manufacture and use |
| US6683004B1 (en) | 1999-11-25 | 2004-01-27 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a semiconductor device, and semiconductor device manufactured thereby |
| US6517908B1 (en) | 2000-01-10 | 2003-02-11 | Nec Electronics, Inc. | Method for making a test wafer from a substrate |
| KR100577606B1 (ko) * | 2001-01-06 | 2006-05-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 설비의 백업 방법 |
| TW200511473A (en) * | 2003-03-31 | 2005-03-16 | Nippon Oil Co Ltd | Dummy wafer |
| JP2005039212A (ja) * | 2003-06-27 | 2005-02-10 | Bridgestone Corp | ダミーウェハ及びその製造方法 |
| DE10338504A1 (de) * | 2003-08-21 | 2004-10-07 | Infineon Technologies Ag | Dummy-Wafer für Ofenprozesse, insbesondere Schichtabscheidungs-Ofenprozesse, und entsprechendes Herstellungsverfahren |
| US20090229346A1 (en) * | 2005-08-02 | 2009-09-17 | Alvarez Jr Daniel | Systems and method for capture substrates |
| RU2012129865A (ru) | 2009-12-17 | 2014-01-27 | Басф Се | Материал-подложка из оксида металла, содержащий наноразмерные частицы металла группы железа-платины |
| JP1534136S (ja) * | 2014-11-13 | 2015-09-28 | ||
| JP1534138S (ja) | 2014-11-13 | 2015-09-28 | ||
| JP1534137S (ja) | 2014-11-13 | 2015-09-28 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1417134A (en) * | 1972-11-20 | 1975-12-10 | Nippon Oil Seal Ind Co Ltd | Production of shaped silicon carbide articles |
| US4150998A (en) * | 1976-12-09 | 1979-04-24 | General Electric Company | Rotary sealant abradable material and method for making |
| FR2473037A1 (fr) * | 1980-01-02 | 1981-07-10 | Europ Propulsion | Procede de fabrication d'une structure en carbure de silicium et texture multidirectionnelle en carbure de silicium |
| US4513030A (en) * | 1982-06-18 | 1985-04-23 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Method of producing silicon carbide articles |
| ATE26969T1 (de) * | 1983-12-23 | 1987-05-15 | Hoechst Ceram Tec Ag | Schlickergiessmasse zur herstellung von formkoerpern als aus siliciumcarbid. |
| US5514439A (en) * | 1994-10-14 | 1996-05-07 | Sibley; Thomas | Wafer support fixtures for rapid thermal processing |
| CA2188290A1 (en) * | 1995-03-01 | 1996-09-06 | Craig A. Willkens | Novel silicon carbide dummy wafer |
| EP0803485B1 (en) * | 1996-04-22 | 2001-03-14 | Nisshinbo Industries, Inc. | Process for production of silicon carbide shaped material |
-
1996
- 1996-06-25 JP JP8185581A patent/JPH1012692A/ja active Pending
-
1997
- 1997-06-20 US US08/879,192 patent/US5853840A/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-06-23 TW TW086108777A patent/TW364163B/zh active
- 1997-06-23 EP EP97110224A patent/EP0817255A3/en not_active Withdrawn
- 1997-06-25 KR KR1019970027140A patent/KR980006024A/ko not_active Application Discontinuation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR980006024A (ko) | 1998-03-30 |
| EP0817255A3 (en) | 1998-04-22 |
| US5853840A (en) | 1998-12-29 |
| TW364163B (en) | 1999-07-11 |
| EP0817255A2 (en) | 1998-01-07 |
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