JP2002249387A - 炭化珪素質部材の製造方法 - Google Patents

炭化珪素質部材の製造方法

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JP2002249387A JP2001046013A JP2001046013A JP2002249387A JP 2002249387 A JP2002249387 A JP 2002249387A JP 2001046013 A JP2001046013 A JP 2001046013A JP 2001046013 A JP2001046013 A JP 2001046013A JP 2002249387 A JP2002249387 A JP 2002249387A
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Yuji Ushijima
裕次 牛嶋
Takaomi Sugihara
孝臣 杉原
Tsuguo Miyata
嗣生 宮田
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体製造用治具をはじめ高温熱処理用の構
造材料として好適に用いられる炭化珪素質部材の製造方
法を提供する。 【解決手段】 SiC焼結体の気孔中に、熱硬化性樹脂
を含浸して加熱硬化し、非酸化性雰囲気中で熱処理して
焼成炭化したのちSiOガスと反応させてSiCに転化
し、あるいは、ポリカルボシランを含浸したのち非酸化
性雰囲気中で熱処理してSiCに転化し、次いで減圧C
VD法あるいはパルスCVI法により気孔内にSiCを
析出充填するとともに焼結体の表面にSiC被膜を形成
する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造用治具
をはじめ高温熱処理用の構造材料として好適に用いられ
る炭化珪素質部材の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】例えば、半導体製造時に使用されるサセ
プター、ライナーチューブ、プロセスチューブ、ウエハ
ーボート、シリコン単結晶引上げ用装置部材などの各種
治具には、高純度でシリコンウエハーを汚染しない非汚
染性に加えて、急熱、急冷に対する耐熱衝撃性に優れ、
化学的に安定で耐蝕性の高いことなどが要求される。
【0003】これらの半導体製造用の熱処理部材には、
従来から耐熱性が高く、化学的安定性に優れたSiC焼
結体が有用されている。しかしながら、SiC焼結体は
純度の面で充分なものではなく、また気孔率が高いとい
う難点がある。そこで、焼結助剤を加えて高密度化を図
り、またCVD法により焼結体の表面をSiC被膜で被
覆する方法などが講じられている(例えば特公昭63−56
700 号公報)。
【0004】しかしながら、SiC焼結体とSiC被膜
とでは熱膨張率に微妙な差があるため、急熱や急冷する
熱サイクルプロセスにおいて、SiC被膜に亀裂が生じ
易い欠点がある。この欠点を排除するために、SiC質
焼結体からなる基材表面にカーボン質からなる0.2〜
20μm の厚さの中間緩衝膜を形成し、かつこの膜の上
に緻密なSiC膜を積層してなる半導体製造用SiC質
セラミックス製品(特開平3−112131号公報)が提案さ
れている。中間緩衝膜はCVD法などの気相成長法によ
って形成されるが、熱分解炭素とSiC被膜にも熱膨張
率に差があり、また熱分解炭素が層状に配向するため層
間剥離が起こり易い欠点がある。
【0005】また、SiC焼結体の気孔中に金属Siを
含浸し、更にCVD法によりSiC被膜を被覆する方法
も開発されている。しかし、金属Siの含浸は、Siの
融点(約1410℃)以上の温度では使用できず、SiとS
iCとの熱膨張率の違いやSiC被膜との密着性の相
違、更に金属Si自体が不純物を拡散し易い性質を有す
るなどの難点がある。
【0006】そこで、特開平6−340479号公報に
は平均粒径が1〜500μm でありかつ不純物含有量が
20ppm 以下であるSiC粉末を用いて成形体を作製し
た後、その成形体を不活性雰囲気下かつ1500〜20
00℃の温度下にて焼成して得られる多孔質性の焼結体
の表面に、CVD法による厚さ10〜500μm の高純
度SiC薄膜を形成することを特徴とした半導体製造用
治具のための炭化珪素質基材の製造方法が提案されてい
る。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この方
法では多孔質性のSiC焼結体の内部気孔はそのまま温
存されるので、材質強度が小さく、更に、開気孔部によ
りSiC被膜の被覆強度の低下、SiC被膜の粗面化な
どが起こり易く、また熱サイクルによりSiC被膜にク
ラックが入った場合には気孔内から放出されるガスによ
り汚染される問題点がある。
【0008】そこで、本発明者らはこれの問題点を解消
するために鋭意研究を行った結果、SiC焼結体の開気
孔をSiCで充填することにより、解決できることを見
出した。すなわち、本発明はこの知見に基づいて開発さ
れたもので、その目的はSiC被膜が強固に被着されて
おり、急速加熱や急速冷却などに対する耐熱衝撃性に優
れ、半導体製造用治具や高温熱処理用の構造材料として
好適な炭化珪素質部材の製造方法を提供することにあ
る。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明の請求項1に係る炭化珪素質部材の製造方法
は、SiC焼結体の気孔中に、熱硬化性樹脂を含浸して
加熱硬化し、非酸化性雰囲気中で熱処理して焼成炭化し
たのちSiOガスと反応させてSiCに転化し、次いで
減圧CVD法あるいはパルスCVI法により気孔内にS
iCを析出充填するとともに焼結体の表面にSiC被膜
を形成することを構成上の特徴とする。
【0010】また、本発明の請求項2に係る炭化珪素質
部材の製造方法は、SiC焼結体の気孔中に、ポリカル
ボシランを含浸したのち非酸化性雰囲気中で熱処理して
SiCに転化し、次いで減圧CVD法あるいはパルスC
VI法により気孔内にSiCを析出充填するとともに焼
結体の表面にSiC被膜を形成することを構成上の特徴
とする。
【0011】
【発明の実施の形態】炭化珪素質部材の基材となるSi
C焼結体は、常法に従って製造される。すなわち、粒度
調整したSiC粉末を成形バインダーおよび必要に応じ
て水と混合し、混合物を押し出し成形、鋳込み成形、モ
ールド成形、等方加圧成形などの適宜な方法により所望
の形状に成形し、アルゴンや非反応性ガスなどの不活性
雰囲気中で1900〜2100℃の温度で再結晶焼結処
理することにより焼結される。
【0012】この場合、不純物の混入を防止するために
焼結助剤を使用せず、また原料となるSiC粉末には微
粒と粗粒の混合粉末、例えば粒径5μm 以下の微粒と粒
径50μm 以上の粗粒とを所定の量比で混合した混合粉
末を用いることが好ましい。更に、SiC粉末は強酸性
の塩酸、弗酸、王水、硝酸などにより不純物を溶解除去
する方法やハロゲンガスやハロゲン化水素ガス雰囲気中
で加熱処理する方法などにより純化処理を行って、好ま
しくは不純物含有量が20ppm 以下に純化したものが用
いられる。このようにして、気孔率20〜40%のSi
C焼結体が得られる。
【0013】本発明の請求項1に係る製造方法は、この
SiC焼結体の気孔中にフェノール樹脂やフラン樹脂な
どの熱硬化性樹脂を含浸し、加熱して樹脂を硬化したの
ち、非酸化性雰囲気中で700℃以上の温度に加熱して
焼成炭化することにより気孔中の熱硬化性樹脂を炭化さ
せる。なお、必要に応じてこの操作を繰り返し行い、例
えば気孔率が5%以下となるまで反復することが好まし
い。更に、ハロゲンガスやハロゲン化水素ガスと100
0〜1300℃の温度で接触させて高純度化処理を行
い、不純物含有量を5ppm 以下に純化することが好まし
い。
【0014】次いで、SiC焼結体の気孔中の樹脂炭化
物をSiOガスと反応させてSiCに転化する。SiO
ガスは常法に従って高純度の石英、珪石、珪砂などのS
iO 2 含有粉末とコークス、ピッチ、黒鉛、カーボンブ
ラックなどの炭素質粉末とを混合し、混合粉末を密閉加
熱系内に収納して加熱反応させることにより発生させ、
系内にセットしたSiC焼結体と接触させることによ
り、気孔中の樹脂炭化物(C)と反応してSiCに転化
する。このようにして、SiC焼結体の気孔中には転化
したSiCが装填され、気孔率を5%以下にすることが
できる。
【0015】しかしながら、熱硬化性樹脂の炭化時に形
成される気孔はSiC焼結体に残存するため、気孔中に
更にSiCを充填させることが必要であり、減圧CVD
法あるいはパルスCVI法を適用してSiCを気相析出
させ、気孔内に充填する。
【0016】減圧CVD法は、CVD装置の反応室内を
減圧下に保持し、800〜1200℃の温度に加熱しな
がら、1分子中にSi原子とC原子を含む、例えばトリ
クロロメチルシラン、トリクロロフェニルシラン、ジク
ロロメチルシラン、ジクロロジメチルシラン、クロロト
リメチルシランなどの有機珪素化合物を原料ガス、水
素、アルゴンなどをキャリアガスとして還元熱分解する
方法、あるいは四塩化珪素などの珪素化合物とメタンな
どの炭素化合物を原料ガスとして、水素、アルゴンなど
のキャリアガスとともに加熱反応させる方法、によりS
iCを気相析出させ、SiC焼結体の気孔内にSiCが
充填される。
【0017】また、パルスCVI法は、パルスCVI装
置の反応室の真空排気、原料ガスの瞬間導入および減圧
CVD法による原料ガスと同一の原料ガスの熱分解反応
を短周期の減圧、昇圧下に間欠的に繰り返し行うパルス
CVI法によりSiCを気相析出させる。このようにし
て、減圧CVD法あるいはパルスCVI法により気相析
出したSiCによりSiC焼結体の気孔内が充填され、
この際SiC焼結体に残存する気孔の50%以上を充填
させることが好ましい。
【0018】この場合、減圧CVD法あるいはパルスC
VI法により気相析出したSiCはSiC焼結体の気孔
内を充填するとともに引き続いてSiC焼結体の表面に
は気相析出したSiCの被膜が均一に形成される。Si
C被膜は気孔内に充填されたSiCとの連続した結合に
より構成されているので、強固に被着、形成することが
可能となる。なお、表面に形成するSiC被膜は20〜
100μm の膜厚に形成することが好ましい。
【0019】本発明の請求項2に係る製造方法は、上記
の請求項1の発明においてSiC焼結体の気孔中に熱硬
化性樹脂を含浸し、加熱して樹脂を硬化および焼成した
炭化物をSiOガスと反応させてSiCに転化し、気孔
中にSiCを装填する方法に代えて、SiC焼結体の気
孔中にポリカルボシランを含浸したのち非酸化性雰囲気
中で熱処理してSiCに転化させ、転化したSiCを気
孔中に装填するものである。
【0020】ポリカルボシランの含浸は、ポリカルボシ
ランを加熱溶融して減圧含浸する方法のほか、ポリカル
ボシランをベンゼン、トルエン、キシレン、エーテルな
どの揮発性の有機溶媒に適宜な濃度に溶解した溶液をS
iC焼結体の気孔中に含浸し、風乾した後100℃程度
の温度で乾燥して有機溶媒を揮散除去することにより含
浸することもできる。
【0021】ポリカルボシランを含浸したSiC焼結体
は、真空、水素ガス、不活性ガスなどの非酸化性雰囲気
中で700〜1700℃の温度、好ましくは1000〜
1600℃の温度で熱処理することによりポリカルボシ
ランをSiCに転化させる。このようにしてSiC焼結
体の気孔中にSiCが装填されるが、例えばSiC焼結
体の気孔率が5%以下になるまでポリカルボシランの含
浸、熱処理する操作を繰り返し行うことが好ましい。
【0022】次いで、請求項1と同一の方法により、減
圧CVD法あるいはパルスCVI法を適用してSiCを
気相析出させ、ポリカルボシランの熱分解により形成さ
れる気孔はSiC焼結体に残存するため、気孔内にSi
Cを充填する。減圧CVD法あるいはパルスCVI法に
より気相析出したSiCは、SiC焼結体の気孔内を充
填するとともに引き続きSiC焼結体の表面に気相析出
してSiCの被膜が均一に形成、被着する。SiC被膜
は気孔内に充填されたSiCとの連続した結合により構
成されているので、強固に被着、形成することが可能と
なる。なお、表面に形成するSiC被膜は20〜100
μm の膜厚に形成することが好ましい。
【0023】このように本発明の製造方法により製造さ
れる炭化珪素質部材は、緻密で、実質的にSiCのみか
らなるSiC焼結体の表面に、気相析出したSiC被膜
が強固に形成、被着されているので、急熱、急冷する過
酷な熱サイクルプロセスにおいても亀裂や剥離が生じ難
く、不純物の拡散汚染を効果的に抑止することが可能と
なる。したがって、半導体製造用治具や高温熱処理用の
構造材料として好適な炭化珪素質部材を製造することが
できる。
【0024】
【実施例】以下、本発明の実施例を比較例と対比しなが
ら詳細に説明する。
【0025】実施例1 平均粒径1μm の微粒SiC粉末と平均粒径74μm の
粗粒SiC粉末とを3:7の重量比で混合し、混合粉末
100重量部に対し、成形用バインダーとしてポリビニ
ルアルコール5%水溶液を1重量部、水を100重量部
の割合で添加し、ナイロン製のボールミルで24時間混
合してスラリーを調製した。このスラリーを鋳込み成形
により成形、乾燥して、直径300mm、厚さ5mmの成形
体を作製した。
【0026】この成形体を窒素ガス雰囲気中600℃の
温度で2時間加熱して脱バインダー処理を行ったのち、
電気炉に入れ、アルゴンガス雰囲気中で2000℃の温
度に3時間保持して焼結した。得られたSiC焼結体の
嵩比重は2.2、気孔率は30%であった。次いで、表
面を研削して厚さ4mmの円板状のSiC焼結体を作製し
た。
【0027】このSiC焼結体にフェノール樹脂液を減
圧含浸し、200℃の温度で硬化したのちアルゴンガス
雰囲気下で100℃/hrの昇温速度で1000℃に加熱
し、2時間保持して焼成炭化した。この気孔中にフェノ
ール樹脂の炭化物が装填されたSiC焼結体をHClガ
スを7.5l/分の流量で1200℃の温度に5時間接触
させて純化処理を行った。ICP発光分光分析の結果は
不純物は5ppm 以下であった。
【0028】平均粒子径74μm の高純度SiO2 粉末
と平均粒子径74μm の高純度コークス粉末を3:1の
重量比で均一に混合し、混合粉末を黒鉛るつぼに入れ、
その上部にSiC焼結体を載せて加熱炉にセットした。
系内をアルゴンガスで充分に置換したのち、100℃/
hrの昇温速度で1900℃に加熱して3時間保持し、発
生したSiOガスとSiC焼結体の気孔中の樹脂炭化物
を反応させてSiCに転化した。
【0029】次に、このSiC焼結体をCVD装置の反
応室にセットして、系内をアルゴンガスで充分に置換し
たのち7 kPa に保持しながら、高周波誘導加熱により
1300℃に昇温し、メチルトリクロロシランと水素と
の混合ガス(モル比=1:10)を200l/分の流量で送入
し、3時間保持した。このようにして、減圧CVD法に
より気孔内にSiCを析出させるとともに引き続きSi
C被膜を形成して、炭化珪素質部材を製造した。
【0030】実施例2、3 フェノール樹脂液を減圧含浸し、加熱硬化および焼成炭
化する操作を2回(実施例2)、および3回(実施例
3)行った他は、全て実施例1と同一の方法により炭化
珪素質部材を製造した。
【0031】実施例4 実施例1と同一の方法により作製したSiC焼結体の気
孔中に、300℃で加熱溶融したポリカルボシランの融
液を減圧含浸し、冷却固化したのちアルゴンガス雰囲気
中で1000℃に加熱してポリカルボシランを分解し、
SiCに転化した。この操作を3回繰り返し行ってSi
C焼結体の気孔中にSiCを装填した。更に、実施例1
と同一の方法により減圧CVD法により気孔内にSiC
を析出させるとともに引き続きSiC被膜を形成して炭
化珪素質部材を製造した。
【0032】比較例1 実施例1と同一の方法により作製した円板状のSiC焼
結体について、フェノール樹脂液を含浸することなくそ
のままCVD装置の反応室にセットして、実施例1と同
一の方法で減圧CVD法により気孔内にSiCを析出さ
せるとともに引き続きSiC被膜を形成して、炭化珪素
質部材を製造した。
【0033】このようにして製造した炭化珪素質部材に
ついて、その製造条件を表1に示した。また、下記の方
法により耐熱衝撃試験および曲げ強度測定を行い、その
結果を表2に示した。 耐熱衝撃試験 15×60×4mmのテストピースを切り出し、所定温度
に加熱した炉中に入れて5分間保持した後、直ちに水中
に投入して急冷し、SiC被膜の剥離性を評価した。な
お、炉内温度は700℃から100℃単位で昇温して1
200℃まで試験した。 曲げ強度 3×60×4mmのテストピースを切り出し、3点曲げ試
験により強度を測定した。
【0034】
【表1】 注; *1 フェノール樹脂の含浸回数 *2 ポリカルボシランの含浸回数
【0035】
【表2】 注; *3 SiC被膜の剥離開始温度
【0036】表1、2から、実施例の方法で製造した炭
化珪素質部材は、SiC焼結体の気孔中にSiCが充填
されてSiC焼結体の全面がSiCとなっているため、
減圧CVD法により気相析出して形成被着されたSiC
被膜が均一かつ強固に被着されている。したがって、S
iC被膜の耐熱衝撃性が優れており、またSiC焼結体
の緻密性も高いので曲げ強度も高いことが判る。これに
対し、SiC焼結体の気孔がそのまま残存する比較例1
の炭化珪素質部材は、SiC被膜の耐熱衝撃性が劣り、
緻密性、曲げ強度も低いことが認められる。
【0037】
【発明の効果】以上のとおり、本発明の炭化珪素質部材
の製造方法は、SiC焼結体の気孔中に、熱硬化性樹脂
を含浸、焼成炭化した炭化物がSiOガスと反応して転
化したSiC、または、ポリカルボシランを含浸し、熱
処理により転化したSiCが装填されおり、更に、減圧
CVD法あるいはパルスCVI法により気相析出したS
iCにより充填されているためSiC焼結体表面には気
孔が極めて少なく、実質的にSiC化されているので、
SiC焼結体表面に形成されるSiC被膜は均一かつ強
固に被着され、またSiC焼結体の緻密性も高くなる。
したがって、急速加熱や急速冷却時におけるSiC被膜
に発生するクラックや剥離などが効果的に防止され、半
導体製造用治具や高温熱処理用の構造材料として好適な
炭化珪素質部材を製造することが可能となる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮田 嗣生 東京都港区北青山一丁目2番3号 東海カ ーボン株式会社内 Fターム(参考) 4G001 BA04 BA22 BA77 BA78 BB22 BC54 BC71 BC72 BD38

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 SiC焼結体の気孔中に、熱硬化性樹脂
    を含浸して加熱硬化し、非酸化性雰囲気中で熱処理して
    焼成炭化したのちSiOガスと反応させてSiCに転化
    し、次いで減圧CVD法あるいはパルスCVI法により
    気孔内にSiCを析出充填するとともに焼結体の表面に
    SiC被膜を形成することを特徴とする炭化珪素質部材
    の製造方法。
  2. 【請求項2】 SiC焼結体の気孔中に、ポリカルボシ
    ランを含浸したのち非酸化性雰囲気中で熱処理してSi
    Cに転化し、次いで減圧CVD法あるいはパルスCVI
    法により気孔内にSiCを析出充填するとともに焼結体
    の表面にSiC被膜を形成することを特徴とする炭化珪
    素質部材の製造方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016044122A (ja) * 2014-08-19 2016-04-04 シュンク コーレンストフテヒニーク ゲーエムベーハー 成形体を生成するための方法および成形体
CN107082641A (zh) * 2017-05-24 2017-08-22 广西碧清源环保科技有限公司 一种陶瓷膜材料组件
JP2020203813A (ja) * 2019-06-18 2020-12-24 アスザック株式会社 セラミックス、セラミックスコーティング方法、およびセラミックスコーティング装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016044122A (ja) * 2014-08-19 2016-04-04 シュンク コーレンストフテヒニーク ゲーエムベーハー 成形体を生成するための方法および成形体
CN107082641A (zh) * 2017-05-24 2017-08-22 广西碧清源环保科技有限公司 一种陶瓷膜材料组件
CN107082641B (zh) * 2017-05-24 2023-04-25 广西碧清源环保科技有限公司 一种陶瓷膜材料组件
JP2020203813A (ja) * 2019-06-18 2020-12-24 アスザック株式会社 セラミックス、セラミックスコーティング方法、およびセラミックスコーティング装置
JP7315148B2 (ja) 2019-06-18 2023-07-26 アスザック株式会社 セラミックス、セラミックスコーティング方法、およびセラミックスコーティング装置

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