JPH08188468A

JPH08188468A - 化学蒸着法による炭化ケイ素成形体及びその製造方法

Info

Publication number: JPH08188468A
Application number: JP6340994A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Hirano; 博之平野
Original assignee: Toyo Tanso Co Ltd
Current assignee: Toyo Tanso Co Ltd
Priority date: 1994-12-29
Filing date: 1994-12-29
Publication date: 1996-07-23

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明は、き裂や反りを抑えた、均質なＣＶ
Ｄ−ＳｉＣ成形体及びその製造方法を提供することを目
的とする。【構成】本発明は、３層以上の炭化ケイ素層の積層体
から成り、且つ各炭化ケイ素層の厚みが１００μｍ以下
である、化学蒸着法による炭化ケイ素成形体である。ま
た、その製造方法は、ＣＶＤ法によりＳｉＣ層を形成
し、次いで該ＳｉＣ層の表面を平坦化する工程を複数回
繰り返すことにより、各層の厚みが１００μｍ以下のＳ
ｉＣ層を所望厚み以上に積層した後、基体を除去するこ
とを特徴とする、ＣＶＤ法によるＳｉＣ成形体の製造方
法である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、化学蒸着（ＣＶＤ）法
による炭化ケイ素成形体及びその製造方法に係り、特に
高純度、ち密性、耐熱性、耐薬品性などの特性が要求さ
れる各種部材として好適に使用できる炭化ケイ素成形体
及びその製造方法に関する。更に詳言すれば、シリコン
等のウェハーを搬送する部材、エピタキシャル成長用や
プラズマＣＶＤ用等のダミーウェハやモニターウェハ、
サセプター、スパッタリングターゲットなどの半導体製
造時に使用される各種部材、ＣＶＤ炉、ＰＶＤ炉、セラ
ミック焼結炉、熱処理炉、高純度炉等に使用される各種
炉内部材、耐薬品性用治具、分析用容器などに好適な炭
化ケイ素成形体及びその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】炭化ケイ素は耐熱性や化学的安定性に優
れており、主に半導体を製造する際に用いる各種の部材
として、頻繁に使用されている。このような炭化ケイ素
を主体とした材料は、炭素材に一酸化ケイ素ガスを反応
させて炭化ケイ素化する方法、炭素材に金属ケイ素を含
浸して加熱することにより炭化ケイ素化する方法、ある
いは炭化ケイ素粉と焼結助剤とを混合して焼結させる方
法などにより製造することができる。しかしながら、こ
れらの方法により製造された炭化ケイ素質材料は、ち密
性に乏しいため表面から微粉が発生し易い。それゆえ、
半導体等の製品を汚染する原因になり易い。一方、ＣＶ
Ｄ法で形成した炭化ケイ素膜はち密で高純度のものにな
ることから、炭素材やセラミック等を基体とし、その表
面にＣＶＤ法により炭化ケイ素膜を形成した後、基体を
除去して、炭化ケイ素成形体を製造する方法がある（特
開平５−１２４８６３号、特開平５−１２４８６４号、
特開平５−９０１８４号など）。

【０００３】このＣＶＤ法による炭化ケイ素成形体（以
下、ＣＶＤ−ＳｉＣ成形体ともいう）を得るためには、
必ず基体を除去しなければならないが、このＣＶＤ−Ｓ
ｉＣ成形体は主に半導体を製造する際に用いられるた
め、反りや不純物量が少なくなるように基体を除去する
必要がある。通常は、炭素材を基体とし、これを燃焼し
て除去する方法、熱膨張係数がＳｉＣと大きく異なる材
料を基体とし、熱膨張係数差を利用して除去する方法、
研削や切削等の機械加工により除去する方法などで基体
を除去している。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＣＶＤ
法により基体表面にＳｉＣを蒸着して膜を形成させ、次
いで基体を除去してＳｉＣ成形体を製造する場合、Ｓｉ
Ｃ層を構成する結晶粒の成長に伴って膜に引張応力や圧
縮応力等の内部応力が発生するため、膜が厚くなると、
各種方法により基体を除去しても、得られるＳｉＣ成形
体にき裂が生じたり、表面が凸状に反ったＳｉＣ成形体
しか得られなかった。このことを示すため、ＣＶＤ法に
よりＳｉＣ膜を基体表面に形成し、基体を除去したとき
の模式概念図を図２に表す。ＣＶＤ法により基体Ａの表
面にＳｉＣ膜２１を形成させる場合、まず基体Ａ表面に
ＳｉＣ核（図示せず）が生成し、基体Ａ表面に対して垂
直な方向にほぼ柱状のＳｉＣ結晶粒２１ａが成長する
［同図（ｉ）］。そして、このまま膜形成を続けていく
と柱状ＳｉＣ結晶粒２１ａは徐々に柱が太くなるように
成長し、コーン状２１ｃを呈するようになる［同図（ｉ
ｉ）］。この時に、隣接する他のコーン状ＳｉＣ結晶粒
２１ｃに押されてしまうため、ＳｉＣ膜２１には膜表面
を押し広げようとする内部応力が蓄積されてしまう。こ
の結果、各種の方法により基体Ａを除去しても、得られ
るＳｉＣ成形体にき裂が生じたり、表面が凸状に反った
ＳｉＣ成形体Ｂしか得ることができなかった［同図（ｉ
ｉｉ）］。また、この種のＳｉＣ成形体に要求される厚
みは、通常５００〜３０００μｍであり、この程度の厚
みでもき裂が発生したり、反り量が大きくなったりして
しまう。

【０００５】そこで本発明は、き裂や反りを抑えた、均
質なＣＶＤ−ＳｉＣ成形体及びその製造方法を提供する
ことを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、３層以上のＳｉＣ層の積層体から成り、
且つ各ＳｉＣ層の厚みが１００μｍ以下である、ＣＶＤ
−ＳｉＣ成形体である。また、その製造方法は、基体の
表面にＣＶＤ法によりＳｉＣ膜を形成し、前記基体を除
去することにより、炭化ケイ素成形体を製造する方法に
おいて、ＣＶＤ法によりＳｉＣ層を形成し、次いで該Ｓ
ｉＣ層の表面を平坦化する工程を複数回繰り返すことに
より、各層の厚みが１００μｍ以下のＳｉＣ層を所望厚
み以上に積層した後、基体を除去することを特徴とする
ものである。

【０００７】本発明に係るＣＶＤ−ＳｉＣ成形体をその
製造方法の一例に従って説明する。図１はＣＶＤ−Ｓｉ
Ｃ成形体の製造方法の一例を模式的に表現した概念図で
ある。炭素材等から成る基体Ａの表面にＣＶＤ法でＳｉ
Ｃ層１１を形成させる。このときのＳｉＣ層１１は、基
体Ａ表面に垂直方向にほぼ柱状に成長したＳｉＣ結晶粒
１１ａから構成されている［同図（ｉ）］。次いで、こ
のＳｉＣ膜１１の表面に研磨等を施し、層表面を平坦化
する。ここで、１１ｂは平坦化後のＳｉＣ結晶粒である
［同図（ｉｉ）］。以下同様に、この層表面上に二層目
のＳｉＣ膜１２を形成し［同図（ｉｉｉ）］、次いで平
坦化する工程を繰り返して、所望厚み以上に積層したＳ
ｉＣ積層体を形成させる［同図（ｉｖ）］。その後、基
体Ａを除去してＣＶＤ−ＳｉＣ成形体Ｂを製造する［同
図（ｖ）］。なお、本図ではＳｉＣ積層体は、便宜上、
４層１１，１２，１３，１４で構成されているが、これ
に限らず何層で構成されていても良い。通常は３層以上
のＳｉＣ膜の積層体から成るものである。

【０００８】以下に本発明を更に詳細に説明する。

【０００９】

【発明の構成】ＳｉＣ層を形成するための基体は、セラ
ミックなどでも良いが、ＳｉＣ膜との密着性、純度、基
体除去の容易性の点から炭素材が適している。以下、炭
素材を基体として説明する。基体となる炭素材としては
制限はなく、いわゆる等方性黒鉛や異方性黒鉛などの炭
素材などであれば良い。基体の厚みはＳｉＣ層の形成に
よって炭素基体が反らない厚みであれば良い。通常５ｍ
ｍ以上の厚みのものを使用すれば十分であるが、あまり
厚過ぎると基体を除去する際に手間がかかるため、５〜
２０ｍｍの厚みの炭素材を基体として用いるのが良い。

【００１０】ＳｉＣ層を形成する際においては、炭素基
体から不純物が揮散・拡散して層を汚染しないようにす
るため、炭素基体の純度は灰分値（ＪＩＳＲ７２２３
に準拠して測定した灰分値）で２０質量ｐｐｍ以下のも
のが特に好ましく、最も好ましくは５質量ｐｐｍ以下の
炭素材を基体とするのが良い。炭素基体のかさ密度も制
限はなく、通常は１．６〜１．９ｇ／ｃｍ^３のものを用
いるのが良い。また、累積気孔容積（水銀圧入法で測定
された気孔半径０．０１〜１０μｍでの累積気孔容積）
及び平均気孔半径（前記累積気孔容積の１／２に相当す
る気孔半径）も制約を受けないが、ＳｉＣ層に対して密
着性を有する基体であるためには、それぞれ５．０×１
０^−２〜１０．０×１０^−２ｃｍ^３／ｇ及び１．０〜
５．０μｍの炭素材を基体とした方が好ましい。

【００１１】また、ＣＶＤ法で形成されたＳｉＣ層の熱
膨張係数は３．５×１０^−６／Ｋ（室温〜６７３Ｋ）な
ので、この値に近似した熱膨張係数を有する炭素材を基
体に用いるのが好ましい。特に熱膨張係数が３．５×１
０^−６〜４．５×１０^−６／Ｋ（室温〜６７３Ｋ）の炭
素材が最適である。その理由は、炭素基体の熱膨張係数
が４．５×１０^−６／Ｋ（室温〜６７３Ｋ、蒸着する表
面に平行方向）を超える炭素材にＳｉＣ層を形成した場
合、両者の熱膨張係数差が大きくなるため、冷却すると
ＳｉＣ層に圧縮応力がかかり、基体を除去する際にき裂
が生じたり、得られたＳｉＣ成形体の反りが大きくなっ
たりして、本発明では適さなくなることがある。また同
様に、基体の熱膨張係数が３．５×１０^−６／Ｋ（室温
〜６７３Ｋ、蒸着する表面に平行方向）未満の炭素材を
用いる場合、ＳｉＣ層には引張り応力がかかり、き裂や
反りが生じ、ＳｉＣ基体として適さなくなることがあ
る。このような理由により、熱膨張係数が３．５×１０
^−６〜４．５×１０^−６／Ｋ（室温〜６７３Ｋ）の炭素
材を基体として用いた方が良い。

【００１２】基体は、なるべく所望形状になり易いよう
に加工したものを使用する。例えばオリフラ（オリエン
テーションフラット）を有するダミーウェハ用ＣＶＤ−
ＳｉＣ成形体を製造する場合は、基体の外観形状をその
ダミーウェハ形状に合わせて加工したものを使用した方
が好ましい。また、凹状又は凸状部を有するＣＶＤ−Ｓ
ｉＣ成形体を製造する場合は、基体の外観形状をその形
状に合わせると共に蒸着する面にはその部材の凹凸とは
反対に凹凸を設けるなどして、基体除去後の機械加工等
の手間を省き、なるべく所望製品形状になり易いように
する。

【００１３】このような炭素基体の表面にＣＶＤ法でＳ
ｉＣを蒸着し、一層目のＳｉＣ層を形成させる。この層
の形成は常法で行えば良く、通常は減圧下１０００〜１
８００℃の温度条件にて、Ｓｉ源とＣ源となるガス（原
料ガス）、必要に応じてＨ_２、Ａｒ（キャリアガス）等
を用いることによりＳｉＣ膜を形成することができる。
原料ガスとしては、ＣＨ_３ＳｉＣｌ_３、（ＣＨ_３）_３Ｓ
ｉＣｌ等の有機シラン化合物、あるいはＳｉ源としてＳ
ｉＣｌ_４、ＳｉＨＣｌ_３、ＳｉＨ_２Ｃｌ_２、ＳｉＨ
_４等、及びＣ源としてＣＣｌ_４、ＣＨ_４、Ｃ_３Ｈ_８、Ｃ
_６Ｈ_１４等の中から適宜組み合わせることにより使用す
ることができる。蒸着の際においては、１３００℃を超
えるような拡散律速的な温度条件で層形成を行うと、拡
散に有利な凸部に付着したＳｉＣ核の方が成長が早くな
るため、均一な大きさのＳｉＣ結晶粒が成長しにくくな
り、均質な層が得られにくい。そのうえ、その反りが大
きくなり、本発明ではあまり適していない。そのため、
蒸着時の温度は１３００℃以下で層形成を行うのが最適
である。この温度以下であれば、ほぼ表面反応律速的な
湿度条件になる。この際、灰分２０質量ｐｐｍ以下の炭
素基体を用いると、ＳｉＣ層は純度９９．９９％以上の
高純度のものになり、半導体製造用治具等に好適であ
る。なお、形成するＳｉＣ層はち密で高純度のものにな
り易いβ−ＳｉＣから成るものである。

【００１４】層の形成は、成形体を構成する各層の厚み
が１００μｍ以下になるように行う。なぜならば、層の
厚みが１００μｍを超えると、柱状に成長した結晶粒で
はなくなり始めるため、層に蓄積される内部応力が大き
くなり、さらには結晶粒の大きさも不均一になり始める
ため、ＳｉＣ成形体の反りが大きくなったり、不均質な
ＳｉＣ成形体になったりするからである。一方、各層厚
みの下限は特に制限はないが、３０μｍ未満の膜厚では
層形成及び平坦化の工程回数が多くなるため、作業能率
が極めて悪くなる。そのため、各層の厚みが１００μｍ
以下、好ましくは３０〜１００μｍになるように層形成
する。

【００１５】次に、平坦化について詳述する。ＣＶＤ法
により形成されたＳｉＣ層表面には、多少なりとも凹凸
が生じてしまうので、この表面状態のまま再度層形成を
行うと、この凹凸がはっきり現れてしまう。さらには、
ＳｉＣ核は凸部に優先的に生成されるで、平坦化されて
いない層表面に更にＳｉＣ層を形成すると、内部応力の
発生原因や不均一な層が形成されてしまう。そこで、本
発明では、層表面を平坦化する必要がある。平坦化する
方法は特に制約を受けず、通常は層表面に切削、研削、
研磨などを施せば良い。例えば研削により平坦化する場
合には、各種の研削工具を用い平面研削、外面研削、内
面研削、心無研削などにより、また研磨により平坦化す
る場合には、研磨布、研磨紙、研磨ジスク、研磨ベル
ト、研磨スリーブ等の各種の研磨布紙により行えば良
い。この際、ＳｉＣ層を汚染しないようにするため、研
磨材として高純度ダイヤモンドや高純度炭化ケイ素から
成るものを用いて層表面を平坦化したり、共擦りにより
平坦化するのが好ましい。さらに、平坦化した層表面に
再度層形成するＳｉＣ層が均質になるようにするため、
また蓄積される内部応力を最小限に抑えるために、表面
粗さＲｍａｘ（ＪＩＳＢ０６０１で定義され、同Ｂ０６
５１に準拠して測定される最大高さ）及びＲａ（同ＪＩ
Ｓに準拠して測定される中心線平均粗さ）がそれぞれ１
５μｍ以下及び１．５μｍ以下になるようにＳｉＣ層表
面を平坦化するのが最適である。通常、層表面から５〜
１５μｍの厚みのＳｉＣを除去すれば、このような表面
粗さの層表面にすることができる。

【００１６】次いで、炭素基体を除去してＳｉＣ成形体
を製造する。

【００１７】基体の除去は、従来から行われている方法
で行えば良く、平面研削、外面研削、内面研削、心無研
削等の研削加工や切削加工などの機械加工により基体を
除去したり、基体を例えば５００〜９００℃にて燃焼し
て除去（灰化法）したりする方法を例示できる。研削加
工や切削加工などの機械加工によるときには、ＳｉＣ成
形体を汚染しないようにするため、高純度ダイヤモンド
や高純度炭化ケイ素から成る工具等を用い、研削部や切
削部が局部的に高温になることによる膜表面の変質やき
裂を防止するため、研削液を用いた湿式研削加工機で行
うのが好ましい。なお、基体を除去すると、基体と接触
していた側（膜裏面側）の表層部は、非晶質ＳｉＣを主
体とした層となっていることがあるため、基体除去の際
にこの部分も一緒に除去した方が好ましい。

【００１８】基体から除去されたＳｉＣ成形体は、必要
に応じて機械加工等により所望製品形状及び厚みにす
る。もちろん、この製品形状加工と同時に基体除去を行
っても良い。

【００１９】以上の工程を経て得られたＳｉＣ成形体
は、そのままウェハー搬送用部材、ダミーウェハやモニ
ターウェハ、サセプター、スパッタリングターゲットな
どに代表される半導体製造時に使用される各種部材、各
種炉内部材、耐薬品性用治具、分析用容器等として十分
に使用できるが、基体除去の際や所望製品形状等にする
際の機械加工等により、ＳｉＣ成形体が汚染されてしま
い、その表面に若干量の不純物が残っている場合があ
る。そのため、高純度が要求される部材には適してしな
いときがある。そこで、この不純物を除去するため、得
られたＳｉＣ成形体を純化する方が好ましい。この純化
処理は、フッ酸、硝酸、フッ硝酸などに浸漬して洗浄し
た後乾燥する方法（ウェット方法）や、１０００〜１５
００℃、圧力０．１〜１００Ｔｏｒｒの条件で塩素ガス
（Ｃｌ_２）により純化処理を行う方法（ドライ方法）な
どにより行えば良い。このうち、ドライ方法によると部
材を乾燥する必要がなく、また特に良く純化できる方法
である。

【００２０】さらに高純度のＳｉＣ成形体を得るために
は、ＳｉＣ成形体の両面にＣＶＤ法によりＳｉＣ膜を更
に被覆して、ＳｉＣ成形体表面に残った不純物をマスク
すれば良い。通常は、３０乃至５０μｍの厚みで形成し
て、表面に残った不純物をマスクする。このマスキング
ＳｉＣ膜の厚みが３０〜５０μｍである理由は、１０μ
ｍ未満では十分にその効果を発揮することができず、ま
た５０μｍを超えると、製品寸法精度が悪くなることが
あるからである。マスキングＳｉＣ膜の形成方法は、前
述したような常法でＳｉＣ膜を形成すれば足りる。

【００２１】

【作用】以上に説明したように、本発明の主な作用は次
の通りである。

【００２２】ＣＶＤ法によりＳｉＣを蒸着すると、表面
に吸着したＳｉ原子及びＣ原子は、安定な格子点に向か
って拡散し、他の原子との結合により結晶核が発生して
結晶粒に成長するが、蒸着初期段階ではＳｉＣ結晶粒は
ほぼ柱状に成長し、この状態ではほとんど内部応力は蓄
積されていない。しかし、成長が進むにつれて徐々に柱
が太くなるコーン状の結晶粒になり内部応力が発生する
ため、形成するＳｉＣ層が厚くなるにつれて、層に内部
応力がより多く蓄積されてしまう。また、このように成
長が進んだ結晶粒は、各結晶粒の成長速度の違いにより
大小様々の大きさになり、層表面は凹凸になってしま
う。したがって、従来の製造方法では、き裂の発生や反
りを抑えることができず、また均質なＳｉＣ成形体を製
造することができなかった。そこで本発明は、ＳｉＣ層
を所望厚みまで一気に形成させずに途中で止め、ほとん
ど内部応力が蓄積されていないＳｉＣ層を形成し、これ
を何層も積層する。また、層形成を初期段階で止めるこ
とにより、結晶粒の大きさもそろえることができる。さ
らに本発明では、層表面を平坦化することにより、二層
目以降のＳｉＣ層の内部応力を低減し、且つ均質な層を
形成することができる。特に、Ｒｍａｘ１５μｍ以下及
びＲａが１．５μｍ以下に平坦化すれば、ＳｉＣ核が均
一に生成し易く成るため、より一層の作用を奏する。以
上のような作用により、内部応力の小さいＳｉＣ積層体
を形成することができる。この結果、基体を除去しても
反りの小さいＳｉＣ成形体を得ることができる。

【００２３】

【実施例】以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れに限定されるものではない。

【００２４】実施例１基体として等方性黒鉛（寸法：直径φ１２０×厚み１０
ｍｍ、かさ密度１．８５ｇ／ｃｍ^３、表面粗さＲｍａｘ
２０μｍ、熱膨張係数４．０×１０^−６／Ｋ（室温〜６
７３Ｋ）、累積気孔容積６．６×１０^−２ｃｍ^３／ｇ、
平均気孔半径１．８μｍ、灰分１０質量ｐｐｍ）を用
い、ＣＶＤ炉に入れ、常法により１０００〜１３００℃
にて膜厚約６０μｍのＳｉＣ層を基体に形成した。次い
でこれをＣＶＤ炉から取り出し、ダイヤモンド研磨材で
このＳｉＣ層表面をＲａ１．０μｍ、Ｒｍａｘ１０μｍ
に平坦化して、厚み５０μｍのＳｉＣ層にした。さら
に、これをＣＶＤ炉に入れ、以下同様に、ＳｉＣ層を形
成し、次いで層表面を平坦化する工程を繰り返すことに
より、厚み５０μｍのＳｉＣ層を積層して、厚み１２０
０μｍのＳｉＣ積層体を形成した。その後、湿式研削加
工により基体を除去して、厚み８００μｍのＣＶＤ−Ｓ
ｉＣ成形体を製造した。これをφ１００×８００μｍの
形状に加工して、φ４インチダミーウェハ用ＣＶＤ−Ｓ
ｉＣ成形体を製造した。

【００２５】実施例２積層するＳｉＣ層の厚みを３０μｍにし、基体除去を大
気中８００℃で２４時間保持（灰化法）により行って、
厚み８００μｍのＣＶＤ−ＳｉＣ成形体を製造した以外
は、実施例１記載と同様の方法でφ４インチダミーウェ
ハ用ＣＶＤ−ＳｉＣ成形体を製造した。

【００２６】実施例３積層するＳｉＣ層の厚みを１００μｍで行って、厚み８
００μｍのＣＶＤ−ＳｉＣ成形体を製造した以外は、実
施例１記載と同様な方法でφ４インチダミーウェハ用Ｃ
ＶＤ−ＳｉＣ成形体を製造した。

【００２７】比較例１積層するＳｉＣ層の厚みを２００μｍで行い、厚み８０
０μｍのＣＶＤ−ＳｉＣ成形体を製造した以外は、実施
例１記載と同様な方法でφ４インチダミーウェハ用ＣＶ
Ｄ−ＳｉＣ成形体を製造した。

【００２８】比較例２基体として実施例１記載と同様の等方性黒鉛を用い、Ｃ
ＶＤ炉に入れ、常法により１０００〜１３００℃で厚み
１２００μｍのＳｉＣ膜を基体に形成した。次いでこれ
をＣＶＤ炉から取り出し、湿式研削加工により基体を除
去して、厚み８００μｍのＣＶＤ−ＳｉＣ成形体を製造
した。

【００２９】実施例１〜３及び比較例１、２で得られた
ＣＶＤ−ＳｉＣ成形体を、外観観察及び三次元形状測定
機を用いて反り量を測定した。この結果を表１に示す。
この表から分かるように、実施例１〜３で得られたＣＶ
Ｄ−ＳｉＣ成形体にはき裂が発生せず、且つ反り量０．
１ｍｍ以下という極めて小さなものになり、最適なＣＶ
Ｄ−ＳｉＣ成形体を得ることができた。これに対して、
比較例１で得られたＣＶＤ−ＳｉＣ成形体では微小き裂
が発生し、比較例２で得られたＣＶＤ−ＳｉＣ成形体
は、反り量が大き過ぎたため、き裂が発生していた。

【００３０】

【表１】

【００３１】

【発明の効果】本発明のようにＣＶＤ−ＳｉＣ成形体を
構成すると、反り量が極めて小さいものになる。このた
め、例えば接触する相手部材との密着性が増し、熱等が
均等に伝わるようになる。また、本発明の係る製造方法
によると、ＳｉＣ層に蓄積される内部応力を最小限に抑
えることができ、基体を除去してもき裂や反り量を著し
く低減したＣＶＤ−ＳｉＣ成形体を提供できる。また、
得られたＣＶＤ−ＳｉＣ成形体は結晶粒の形状がほぼ均
一にそろっており、熱伝導率等の物性値のばらつきが小
さい、均質なＣＶＤ−ＳｉＣ成形体になる。本発明によ
り、厚み５００μｍ以上という厚いＣＶＤ−ＳｉＣ成形
体を、き裂を生じさせないで且つ反り量も極めて小さく
することができた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るＣＶＤ−ＳｉＣ成形体及びその製
造方法の模式概念図である。

【図２】従来のＣＶＤ−ＳｉＣ成形体及びその製造方法
の模式概念図である。

【符号の説明】

１１一層目のＳｉＣ層１１ａ一層目のＳｉＣ結晶粒１１ｂ平坦化された一層目のＳｉＣ結晶粒１２二層目のＳｉＣ層１２ａ二層目のＳｉＣ層の結晶粒１２ｂ平坦化された二層目のＳｉＣ結晶粒１３三層目のＳｉＣ層１３ｂ平坦化された三層目のＳｉＣ結晶粒１４四層目のＳｉＣ層１４ｂ平坦化された四層目のＳｉＣ結晶粒２１ＳｉＣ膜２１ａＳｉＣ結晶粒２１ｃＳｉＣ膜のコーン状結晶粒Ａ基体ＢＣＶＤ−ＳｉＣ成形体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０１Ｌ 21/205 21/22 ５０１Ｍ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】３層以上の炭化ケイ素層の積層体から成
り、且つ各炭化ケイ素層の厚みが１００μｍ以下であ
る、化学蒸着法による炭化ケイ素成形体。
【請求項２】基体の表面に化学蒸着法により炭化ケイ
素膜を形成し、前記基体を除去することにより、炭化ケ
イ素成形体を製造する方法において、化学蒸着法により炭化ケイ素層を形成し、次いで該炭化
ケイ素層の表面を平坦化する工程を複数回繰り返すこと
により、各層の厚みが１００μｍ以下の炭化ケイ素層を
所望厚み以上に積層した後、基体を除去することを特徴
とする、化学蒸着法による炭化ケイ素成形体の製造方
法。