JP2007049201A - 多層炭化ケイ素ウエハおよびその製造方法 - Google Patents
多層炭化ケイ素ウエハおよびその製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】炭化ケイ素ウエハ32は、第1SiC膜34〜第4SiC膜40を有する4層構造となっている。これらのSiC膜34〜40は、CVD法によって4回に分けて順次重ねて成膜してある。各SiC膜は、膜の下側から上側に向けて結晶粒が漸次大きくなっている。
【選択図】図1
Description
(イ)硝酸などに対する耐蝕性に優れているため、エッチングによる付着物の除去が容易に行え、長期間の繰返し使用が可能である。
(ロ)熱膨張係数が窒化ケイ素膜、ポリシリコン膜の熱膨張係数に近いところから、ダミーウエハ上に付着したこれらの膜が剥離しにくく、成膜工程途中におけるパーティクルの大幅な増加を抑制することができる。
(ハ)高温での重金属などの不純物の拡散係数が極めて低いため、SiCウエハに含有されている不純物による炉内汚染の懸念が少ない。
(ニ)耐熱変形性に優れているため、ロボットによる搬送などの自動移載が容易である。
等の多くの利点を有しており、経済的効果が大きいところから実用化が促進されている。
また、本発明は、パーティクル検出用のモニタウエハとして使用可能な炭化ケイ素ウエハを提供することを目的としている。
図1は、本発明の第1実施の形態に係る多層炭化ケイ素ウエハの断面を模式的に示したものである。図1において、炭化ケイ素ウエハ32は、4層構造をなしていて、第1SiC膜34ないし第4SiC膜40までがほぼ同質に形成してある。これらの各SiC膜34〜40は、詳細を後述するように、CVD法によって成膜され、全体の厚さが0.2〜1mm程度にしてある。
なお、前記の実施形態においては、SiCの膜を4層設けた場合について説明したが、SiCの膜は2〜3層または5層以上であってもよい。
図3(1)に示したように、まず、高純度黒鉛からなる所定寸法の円板状黒鉛基材58を作製する。その後、黒鉛基材58を減圧CVD装置に入れ、装置(炉)内を13300Pa(約100Torr)以下に減圧したのち、炉内を1000〜1600℃に加熱、保持し、キャリアガスである水素ガス(H2 )とともに、原料となるSiCl4 、CH4 を各々体積%で5〜20%導入し、CVDによって黒鉛基材58の表面に第1SiC膜34を厚さ30〜300μm程度成膜する(同図(2))。
図4(1)に示した炭化ケイ素ウエハ60は、3つの炭化ケイ素膜62、64、66とから形成され、3層構造となっている。黒鉛基材58の上に成膜した第1層の炭化ケイ素膜62と、図の最上部にある第3層の炭化ケイ素膜66とは、光透過率の大きな透明度が高くなっている。また、第2層の炭化ケイ素膜64は、遊離ケイ素または遊離炭素を有する光透過率の小さな炭化ケイ素によって構成してある。
Claims (2)
- 厚み方向の一側から他側に向けて結晶粒が漸次大きくなっている炭化珪素膜を複数積層したことを特徴とする多層炭化ケイ素ウエハ。
- 四塩化ケイ素ガスを含む原料ガスを供給してCVDにより炭化ケイ素膜を成膜する工程と、前記原料ガスの供給を停止して、前記原料ガスをパージする工程と、を複数回繰り返すことを特徴とする多層炭化ケイ素ウエハの製造方法。
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Citations (2)
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---|---|---|---|---|
JPH07335728A (ja) * | 1994-06-07 | 1995-12-22 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 熱処理治具とその製造方法 |
JPH08188468A (ja) * | 1994-12-29 | 1996-07-23 | Toyo Tanso Kk | 化学蒸着法による炭化ケイ素成形体及びその製造方法 |
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JPH07335728A (ja) * | 1994-06-07 | 1995-12-22 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 熱処理治具とその製造方法 |
JPH08188468A (ja) * | 1994-12-29 | 1996-07-23 | Toyo Tanso Kk | 化学蒸着法による炭化ケイ素成形体及びその製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114075699A (zh) * | 2021-11-21 | 2022-02-22 | 无锡华鑫检测技术有限公司 | 一种双层复合碳化硅衬底及其制备方法 |
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