JP4531870B2 - 多層炭化ケイ素ウエハ - Google Patents
多層炭化ケイ素ウエハ Download PDFInfo
- Publication number
- JP4531870B2 JP4531870B2 JP29636197A JP29636197A JP4531870B2 JP 4531870 B2 JP4531870 B2 JP 4531870B2 JP 29636197 A JP29636197 A JP 29636197A JP 29636197 A JP29636197 A JP 29636197A JP 4531870 B2 JP4531870 B2 JP 4531870B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon carbide
- wafer
- film
- silicon
- sic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、複数の炭化ケイ素の層からなる炭化ケイ素ウエハに係り、特に複数の炭化ケイ素層をCVD法により成膜して形成した多層炭化ケイ素ウエハに関する。
【0002】
【従来の技術】
シリコン単結晶を基板とする半導体デバイスは、シリコン基板(シリコンウエハ)の表面に酸化膜を形成する酸化工程や不純物を拡散する拡散工程、さらには減圧下で窒化ケイ素膜、多結晶シリコン膜(ポリシリコン膜)などを形成する減圧CVD(LPCVD)工程等を経て、シリコンウエハ上に微細な回路が形成される。これらの工程には、拡散装置、LPCVD装置などと呼ばれる半導体製造装置が使用される。そして、これらの装置は、いずれも複数のシリコンウエハを炉内に挿入し、シリコンウエハ本体を高温に加熱する炉体部分と、反応性ガスを炉内に供給するガス導入部、排気部などからなっており、多数枚のシリコンウエハを同時処理(バッチ処理)できるようになっている。図6は、縦型LPCVD装置の一例を示したものである。
【0003】
図6において、CVD装置10は、炉本体12の内周面に図示しないヒータが配設してあって内部を高温に加熱、維持できるようになっているとともに、図示しない真空ポンプに接続してあり、内部を10Torr以下に減圧できるようにしてある。また、炉本体12の内部には、高純度石英や炭化ケイ素(SiC)によって形成したプロセスチューブ14が設けてある。
【0004】
プロセスチューブ14によって覆われるベース16の中央部には、ボート受け18が設けてあって、このボート受け18上にSiCや石英などから形成した縦型ラック状のウエハボート20が配置してある。そして、ウエハボート20の上下方向には、大規模集積回路(LSI)などの半導デバイスを形成するための多数のシリコンウエハ22が適宜の間隔をあけて保持させてある。また、ウエハボート20の側部には、反応ガスを炉内に導入するためのガス導入管24が配設してあるとともに、炉内温度を測定する熱電対を内蔵した熱電対保護管26が設けてある。
【0005】
このように構成したCVD装置10は、ウエハボート20を介して多数のシリコンウエハ22が炉内に配置される。そして、炉内を100Torr以下に減圧するとともに、例えば800〜1200℃の高温に加熱し、ガス導入管24を介してH2 などのキャリアガスとともに四塩化ケイ素SiCl4 などの反応性ガス(原料ガス)を炉内に導入し、シリコンウエハ22の表面に多結晶シリコン膜(ポリシリコン膜)やシリコン酸化膜(SiO2 )の形成などが行われる。
【0006】
ところで、このようなCVD装置10においては、炉内全体を均一な状態にすることは困難である。そこで、従来からウエハボート20の上下部には、炉内のガスの流れや温度の均一性を保持すること等を目的として、シリコンウエハ22と同一形状のダミーウエハ20と称するウエハを数枚ずつ配置している。また、シリコンウエハ22に付着するパーティクルの状態や、シリコンウエハ22に所定の膜厚が形成されているか等を調べるために、ウエハボート20の上下方向の複数の適宜の位置に、ダミーウエハの一種であるモニタウエハ30をシリコンウエハ22と混在させて配置している。これらのダミーウエハ(モニタウエハを含む)は、従来、シリコン単結晶や高純度石英によって形成した厚さが0.5〜1mm程度のものを使用してきた。
【0007】
ところが、シリコン単結晶や高純度石英によって形成した従来のダミーウエハは、熱膨張係数がポリシリコン膜やSi3N4膜などと大きく異なるため、ダミーウエハに成膜されたポリシリコン膜やSi3N4膜などが容易に剥離して炉内を汚染するばかりでなく、耐熱性や耐蝕性の問題から短期間の使用で廃棄しなければならず、経済性が悪いという問題がある。かかるところから、近年、炭化ケイ素からなるダミーウエハが業界の注目を集めている。この炭化ケイ素ウエハ(SiCウエハ)は、黒鉛からなる円板状の基材の表面にCVDなどによって炭化ケイ素の膜を厚さ0.3〜1mm程度成膜し、その後、黒鉛基材を酸化雰囲気中で酸化除去することによって得られる。そして、SiCウエハは、従来のシリコン単結晶や高純度石英からなるダミーウエハと比較して、
(イ)硝酸などに対する耐蝕性に優れているため、エッチングによる付着物の除去が容易に行え、長期間の繰返し使用が可能である。
(ロ)熱膨張係数が窒化ケイ素膜、ポリシリコン膜の熱膨張係数に近いところから、ダミーウエハ上に付着したこれらの膜が剥離しにくく、成膜工程途中におけるパーティクルの大幅な増加を抑制することができる。
(ハ)高温での重金属などの不純物の拡散係数が極めて低いため、SiCウエハに含有されている不純物による炉内汚染の懸念が少ない。
(ニ)耐熱変形性に優れているため、ロボットによる搬送などの自動移載が容易である。
等の多くの利点を有しており、経済的効果が大きいところから実用化が促進されている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、拡散装置やCVD装置によりシリコンウエハの処理を行う場合、ウエボート20へのシリコンウエハ22の出し入れは、自動搬送装置によって行われている場合が多い。そして、自動搬送装置によるシリコンウエハ22の取り扱いは、シリコンウエハ22に赤外線等を照射し、光センサに入射する赤外線等が遮断されたか否かによってシリコンウエハ22の有無を判別するようになっている。このことは、ダミーウエハの搬送、入替えなどについても同様である。また、シリコンウエハ22へのパーティクルの付着状態、付着数を検出する場合、モニタウエハ30に光を照射してその反射光を検出して行っている。この反射光を利用した従来のパーティクルカウンタは、被検査対象が92%以上の反射率を有していないと、直径0.2μm程度の微小なパーティクルを検出することができない。
【0009】
ところが、CVD法によって成膜した高純度のSiCウエハは、淡い黄色の透明体であって照射された赤外線が透過するため、光センサによって検出することができず、自動搬送を行うことができない。また、モニタウエハとして使用した場合、透過率が高いために充分な反射光を得ることができず、微小なパーティクルの検出が不可能であり、パーティクル検出用のモニタウエハとして使用することができない。
【0010】
本発明は、前記従来技術の欠点を解消するためになされたもので、光センサによって検出が可能な高純度の炭化ケイ素ウエハを提供することを目的とする。
また、本発明は、パーティクル検出用のモニタウエハとして使用可能な炭化ケイ素ウエハを提供することを目的としている。
【0011】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明に係る炭化ケイ素ウエハは、炭化ケイ素の層を複数積層形成した多層炭化ケイ素ウエハであって、各炭化ケイ素の層は成長が進行するにしたがって結晶粒が大きくなるように形成させたものであって、層間境界部を大きい結晶粒を持つ層面と小さい結晶粒を持つ層面との間に形成してなることを特徴としている。
【0012】
【作用】
上記のごとく構成した本発明は、炭化ケイ素の層を複数積層形成した多層炭化ケイ素ウエハであって、各炭化ケイ素の層は成長が進行するにしたがって結晶粒が大きくなるように形成させたものであって、層間境界部を大きい結晶粒を持つ層面と小さい結晶粒を持つ層面との間に形成してなるため、各炭化ケイ素の層の境界において赤外線(光)が反射されるばかりでなく、結晶粒の小さな炭化ケイ素の層を境界部に面して設けたことにより、入射光が乱反射されて赤外線(光)の透過率が低下するとともに反射光も増大するため、光センサによる検出が可能となるばかりでなく、パーティクルの検出用モニタウエハとしても使用することができる。
【0013】
【発明の実施の形態】
本発明に係る多層炭化ケイ素ウエハの好ましい実施の形態を、添付図面に従って詳細に説明する。
図1は、本発明の第1実施の形態に係る多層炭化ケイ素ウエハの断面を模式的に示したものである。図1において、炭化ケイ素ウエハ32は、4層構造をなしていて、第1SiC膜34ないし第4SiC膜40までがほぼ同質に形成してある。これらの各SiC膜34〜40は、詳細を後述するように、CVD法によって成膜され、全体の厚さが0.2〜1mm程度にしてある。
【0014】
第1SiC膜34は、後述するように黒鉛基材の表面に成膜され、その上に順次第2SiC膜36、第3SiC膜38、第4SiC膜40がCVD法によって成膜されており、各SiC膜間に境界部42、44、46が形成されている。そして、各SiC膜34〜40は、下部の成膜初期の部分の結晶粒48が小さく、上部にいくに従って結晶粒48が大きくなっている。これは、成膜開始時は微小な結晶核が形成され、成膜が進行するに伴って結晶核が成長することによる。
【0015】
このように構成した第1実施の形態に係る炭化ケイ素ウエハ32は、境界部42、44、46において入射光が反射されるばかりでなく、各SiC膜34〜40の成膜初期時に微細な結晶粒48が形成されるため、これらの微細な結晶粒48により入射高が乱反射されて透過率が低下し、光センサによる検出が容易となり、自動搬送装置による取り扱いが可能となる。また、本実施の形態に係る炭化ケイ素ウエハ32は、従来の炭化ケイ素ウエハに比較して反射光の量が多くなるため、微小なパーティクルの検出が容易となり、従来4μm以上の大きさのパーティクルしか検出できなかったのが、シリコンダミーウエハなどの場合と同様に直径0.2μm程度の大きさのパーティクルも検出することができる。
なお、前記の実施形態においては、SiCの膜を4層設けた場合について説明したが、SiCの膜は2〜3層または5層以上であってもよい。
【0016】
図2は、第2実施の形態に係る炭化ケイ素ウエハの一部断面図である。この炭化ケイ素ウエハ50は、第1SiC膜52ないし第3SiC膜58を有する3層構造となっている。そして、第1SiC膜52と第3SiC膜56とは、結晶粒が大きく成長した結晶性、配向性の良好な光透過率の大きな炭化ケイ素から形成してある。一方、中間の第2SiC膜54は、第1SiC膜52、第3SiC膜56より結晶性、配向性に劣っており、黒っぽい色をした光透過率の小さな炭化ケイ素からなっている。この光透過率の小さな第2SiC膜54は、炭化ケイ素膜の成膜条件を変えることにより、例えばSiCl4 、CH4 などの原料ガスの供給量を増大させて成膜速度を速くしたり、成膜温度を下げるなどすることにより形成することができる。
【0017】
このように構成した第2実施の形態に係る炭化ケイ素ウエハ50は、光透過率の小さい第2SiC膜54が設けてあるため、赤外線などの光の透過量が少なくなり、光センサにより容易に検出することができる。また、光の透過量が少なくなって反射光が増大するため、付着した微小なパーティクルの検出を容易に行うことができる。しかも、結晶性、配向性に劣る第2SiC膜54の両面には、結晶性、配向性に優れた第1SiC膜52、第3SiC膜56が設けてあるため、結晶性、配向性に優れた炭化ケイ素のみから形成したものと同様の耐食性等が得られ、長寿命の炭化ケイ素ウエハとすることができる。
【0018】
図3は、第1実施の形態に係る炭化ケイ素ウエハ32の製造工程の説明図である。
図3(1)に示したように、まず、高純度黒鉛からなる所定寸法の円板状黒鉛基材58を作製する。その後、黒鉛基材58を減圧CVD装置に入れ、装置(炉)内を100Torr以下に減圧したのち、炉内を1000〜1600℃に加熱、保持し、キャリアガスである水素ガス(H2 )とともに、原料となるSiCl4 、CH4 を各々体積%で5〜20%導入し、CVDによって黒鉛基材58の表面に第1SiC膜34を厚さ30〜300μm程度成膜する(同図(2))。
【0019】
第1SiC膜34の成膜が終了したならば、原料ガスの供給を停止し、炉内の原料ガスをパージガスによってパージする。その後、再び原料ガスをキャリアガスとともに供給し、前回と同様にして第1SiC膜34の上に第2SiC膜36を30〜300μm成膜する(同図(3))。そして、第2SiC膜36を所定の厚さ成膜したならば、再び原料ガスの供給を停止して炉内の原料ガスのパージを行う。
【0020】
以下、同様にして図3(4)に示したように、第3SiC膜38、第4SiC膜40を順次積層し、全体の成膜厚さを0.2〜1mm程度にする。このようにして成膜を途中で中断して複数回に分けて成膜を行うと、図1の模式図に示したように、成膜再開初期時に微細な結晶粒が形成され、光が反射、散乱されて透過量が減少し、光センサによる検出が可能で、付着パーティクルの光による検出が可能な炭化ケイ素ウエハを得ることができる。
【0021】
このようにして黒鉛基材58の表面にSiC膜34〜40を成膜したのち、同図(5)に示したように、SiC膜34〜40の周縁部を機械加工によって研削し、黒鉛基材58の周面を露出させる。そして、SiC膜34〜40によって挟んだ状態の黒鉛基材58を900〜1400℃の炉に入れ、酸素を供給して黒鉛基材58を酸化燃焼して除去し、2枚の炭化ケイ素ウエハ32にする(図3(6))。その後、炭化ケイ素ウエハ32の両面を所定の粗さの面となるように研磨するとともに、両面の周縁角部を面取り加工したのち、洗浄、乾燥する。
【0022】
なお、図2に示した炭化ケイ素ウエハ50も上記と同様にして作ることができる。ただし、第2実施形態の炭化ケイ素ウエハ50を製作する場合、第1SiC膜52と第3SiC膜56とを同一の成膜条件によって成膜し、良好な結晶性、配向性が得られるようにし、第2SiC膜54を成膜する場合、これらと成膜条件を変えて、例えば原料ガスの供給量を多くして成膜速度を速くしたり、成膜温度を下げるなどして、第1SiC膜52、第3SiC膜56より光の透過率の小さなSiC膜とする。
【0023】
図4は、さらに他の実施形態に係る多層炭化ケイ素ウエハの断面図を示したものである。
図4(1)に示した炭化ケイ素ウエハ60は、3つの炭化ケイ素膜62、64、66とから形成され、3層構造となっている。黒鉛基材58の上に成膜した第1層の炭化ケイ素膜62と、図の最上部にある第3層の炭化ケイ素膜66とは、光透過率の大きな透明度が高くなっている。また、第2層の炭化ケイ素膜64は、遊離ケイ素または遊離炭素を有する光透過率の小さな炭化ケイ素によって構成してある。
【0024】
光透過率の小さな炭化ケイ素膜64は、前記したように、原料ガスの供給量を多くしたり、膜の成長速度を大きくしたり、成膜温度を下げることにより形成することができる。また、図5に示したように、四塩化シリコンガス(SiCl4 )の供給量をメタンガス(CH4 )の供給量より相対的に多くすることにより、遊離ケイ素を有する炭化ケイ素膜を形成することができ、逆にメタンガスの供給量を相対的に多くすることにより、遊離炭素を有する炭化ケイ素膜を形成することができる。
【0025】
図5は、原料ガスとしてSiCl4 とCH4 とを使用し、CVDにより炭化ケイ素(SiC)を成膜するときの成膜条件の相違による炭化ケイ素の化学量論比(Si/C)を示したものである。
成膜条件1のように、成膜温度を1400℃、キャリアガスとして水素ガスを使用し、原料ガスの比(SiCl4 /CH4 )を1にしたとき、成膜されたSiCの化学的量論比(Si/C)はほぼ1.0となり、遊離元素を生じない。これに対して、成膜条件2のように、成膜温度を1050℃にするとともに、水素ガスをキャリアガスとして原料ガスの比を1.2にすると、成膜されたSiCの化学量論比は1.01となって遊離ケイ素を生じ、SiCの光透過性が低下する。また、成膜条件3のように、成膜温度を1400℃にするとともに、キャリアガスに窒素ガスを使用し、原料ガス比を0.8にして成膜すると、成膜されたSiCの化学量論比は、0.98となって遊離炭素を生じ、SiCの光透過性が低下する。
【0026】
第2層の炭化ケイ素膜64は、炭化ケイ素ウエハ60を介して目視した場合に、裏側の物体が見えない程度の厚さがあればよく、透過率にもよるが数十μm以上あればよい。また、第3層の炭化ケイ素膜66は、炭化ケイ素ウエハ60を研磨した際に、炭化ケイ素膜64が露出しない程度の厚さを有すればよく、数μm〜数十μm以上の厚さがあればよい。
【0027】
図4(2)は、光透過率の低い炭化ケイ素の膜を2層設けて5層構造にしたものである。すなわち、本実施形態の炭化ケイ素ウエハ70は、光透過率の高い炭化ケイ素膜62、66、72と、光透過率の低い炭化ケイ素層64、68とを交互に積層してある。そして、炭化ケイ素ウエハ70の両面には、光透過率の大きな炭化ケイ素膜62または炭化ケイ素膜72が位置している。この実施形態に係る炭化ケイ素ウエハ70は、光透過率の小さな炭化ケイ素膜64、68の1層当たりの厚さを薄くすることができ、より耐熱性に優れたものとすることができる。なお、光透過率の小さな炭化ケイ素膜を3層以上設けてもよい。
図4(3)に示した炭化ケイ素ウエハ74は、光透過率の大きな炭化ケイ素膜62と光透過率の小さな炭化ケイ素膜64との2層構造となっている。
【0028】
【発明の効果】
以上に説明したように、本発明によれば、複数の炭化ケイ素の層をCVD法により積層したことにより、各炭化ケイ素の層の境界において光が反射されるばかりでなく、成膜開始(再開)初期に形成される炭化ケイ素の微結晶が光を反射、散乱するため、光の透過率が低下するとともに反射光も増大するため、光センサによる検出が可能となるばかりでなく、パーティクルの検出用モニタウエハとしても使用することができる。また、例えば、炭化ケイ素の結晶の成長速度を速めたりして結晶の配向性、結晶性の劣る光の透過率の小さな炭化ケイ素の層を形成すれば、より容易、確実に光の透過性を下げることができ、反射率を大きくすることができる。そして、遊離ケイ素や遊離炭素が形成され、また結晶性、配向性の劣った光の透過率の小さな層の両面に、結晶性、結晶配向性に優れた透明度の高い炭化ケイ素の層を配置することにより、耐食性などが低下するのを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施の形態に係る炭化ケイ素ウエハの断面の模式図である。
【図2】本発明の第2実施の形態に係る炭化ケイ素ウエハの一部断面図である。
【図3】第1実施の形態に係る炭化ケイ素ウエハの製造工程の説明図である。
【図4】他の実施の形態に係る炭化ケイ素ウエハの一部断面図である。
【図5】CVDによる炭化ケイ素の成膜条件と成膜された炭化ケイ素の化学量論比との関係を示す図である。
【図6】減圧CVD装置の概略説明図である。
【符号の説明】
32、50 炭化ケイ素ウエハ
34、52 第1SiC膜
36、54 第2SiC膜
38、56 第3SiC膜
40 第4SiC膜
42、44、46 境界部
48 結晶粒
60、70、74 炭化ケイ素ウエハ
Claims (1)
- 炭化ケイ素の層を複数積層形成した多層炭化ケイ素ウエハであって、各炭化ケイ素の層は成長が進行するにしたがって結晶粒が大きくなるように形成させたものであって、層間境界部を大きい結晶粒を持つ層面と小さい結晶粒を持つ層面との間に形成してなることを特徴とする多層炭化ケイ素ウエハ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29636197A JP4531870B2 (ja) | 1997-10-14 | 1997-10-14 | 多層炭化ケイ素ウエハ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29636197A JP4531870B2 (ja) | 1997-10-14 | 1997-10-14 | 多層炭化ケイ素ウエハ |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006305658A Division JP4716224B2 (ja) | 2006-11-10 | 2006-11-10 | 多層炭化ケイ素ウエハおよびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11121315A JPH11121315A (ja) | 1999-04-30 |
JP4531870B2 true JP4531870B2 (ja) | 2010-08-25 |
Family
ID=17832564
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29636197A Expired - Lifetime JP4531870B2 (ja) | 1997-10-14 | 1997-10-14 | 多層炭化ケイ素ウエハ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4531870B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3932154B2 (ja) * | 1998-10-16 | 2007-06-20 | 東海カーボン株式会社 | SiC成形体及びその製造方法 |
JP3648112B2 (ja) | 1999-11-26 | 2005-05-18 | 東芝セラミックス株式会社 | CVD−SiC自立膜構造体、及びその製造方法 |
JP3881562B2 (ja) * | 2002-02-22 | 2007-02-14 | 三井造船株式会社 | SiCモニタウェハ製造方法 |
JP4404703B2 (ja) * | 2004-07-01 | 2010-01-27 | 東海カーボン株式会社 | 光不透過性SiC成形体及びその製造方法 |
JP5633328B2 (ja) * | 2010-11-18 | 2014-12-03 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP5889125B2 (ja) * | 2012-06-21 | 2016-03-22 | 三菱電機株式会社 | SiCエピタキシャル基板の製造方法 |
KR101914289B1 (ko) * | 2016-08-18 | 2018-11-01 | 주식회사 티씨케이 | 투과도가 다른 복수 개의 층을 갖는 SiC 반도체 제조용 부품 및 그 제조방법 |
KR102096787B1 (ko) * | 2019-06-11 | 2020-04-03 | 주식회사 바이테크 | 다층 구조의 다결정 탄화규소 성형체의 제조방법 |
KR102311031B1 (ko) * | 2020-04-28 | 2021-10-13 | 하나머티리얼즈(주) | 반도체 부품 및 그의 제조 방법 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05283306A (ja) * | 1992-03-31 | 1993-10-29 | Toshiba Ceramics Co Ltd | ダミーウェハ |
JP3069216B2 (ja) * | 1993-06-22 | 2000-07-24 | 東芝セラミックス株式会社 | 半導体用部材 |
JPH08188468A (ja) * | 1994-12-29 | 1996-07-23 | Toyo Tanso Kk | 化学蒸着法による炭化ケイ素成形体及びその製造方法 |
JP3524679B2 (ja) * | 1996-06-21 | 2004-05-10 | 東芝セラミックス株式会社 | 高純度CVD−SiC質の半導体熱処理用部材及びその製造方法 |
-
1997
- 1997-10-14 JP JP29636197A patent/JP4531870B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH11121315A (ja) | 1999-04-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI435962B (zh) | 經磊晶塗覆之半導體晶圓及製造經磊晶塗覆之半導體晶圓之裝置與方法 | |
JP4531870B2 (ja) | 多層炭化ケイ素ウエハ | |
TWI416657B (zh) | Vertical heat treatment with a crystal boat and the use of this crystal boat silicon wafer heat treatment method | |
US5119541A (en) | Wafer succeptor apparatus | |
KR100935141B1 (ko) | 열처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 기판의 제조 방법, simox 기판의 제조 방법, 지지부 및 기판 지지체 | |
TWI431172B (zh) | 製造經磊晶塗覆之半導體晶圓之方法 | |
US4987016A (en) | Component for producing semiconductor devices and process of producing it | |
JPH08188468A (ja) | 化学蒸着法による炭化ケイ素成形体及びその製造方法 | |
JP4716224B2 (ja) | 多層炭化ケイ素ウエハおよびその製造方法 | |
JP3525038B2 (ja) | SiCダミーウェハ | |
JP3094312B2 (ja) | サセプター | |
JP5228857B2 (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
JP2000073171A (ja) | 化学蒸着法多層SiC膜の製造方法 | |
JPH11121311A (ja) | 炭化ケイ素材およびその製造方法並びに炭化ケイ素ウエハ | |
JPH10199848A (ja) | 炭化ケイ素ウエハの表面汚染除去方法および炭化ケイ素ウエハ | |
JP2006237625A (ja) | 熱処理装置、半導体装置の製造方法及び基板の製造方法 | |
JP4404703B2 (ja) | 光不透過性SiC成形体及びその製造方法 | |
WO2002071473A1 (fr) | Plaquette de moniteur de mesure d'epaisseur de couche | |
JP3932154B2 (ja) | SiC成形体及びその製造方法 | |
JP2003188159A (ja) | Cvd装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2000286268A (ja) | 半導体シリコンウェーハの製造方法 | |
JP2002033291A (ja) | 炭化ケイ素ウエハ | |
JPH11121312A (ja) | 炭化ケイ素ウエハ | |
JPH10256108A (ja) | 炭化ケイ素質ダミーウェハ | |
JPH06188198A (ja) | エピタキシャル成長法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041006 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050315 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050516 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060911 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061110 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070214 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070416 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20070511 |
|
A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20070601 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100315 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100420 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100610 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130618 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130618 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140618 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |