JPH10116757A - ＳｉＣダミーウエハ - Google Patents
ＳｉＣダミーウエハInfo
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- JPH10116757A JPH10116757A JP8286131A JP28613196A JPH10116757A JP H10116757 A JPH10116757 A JP H10116757A JP 8286131 A JP8286131 A JP 8286131A JP 28613196 A JP28613196 A JP 28613196A JP H10116757 A JPH10116757 A JP H10116757A
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- Japan
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- film
- disc
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 交換頻度を減少できるようにする。
【解決手段】 半導体ウエハとともにウエハボートに配
置するダミーウエハをＳｉＣによって形成するととも
に、その表面粗さＲa を０．０１μｍ以上にした。
置するダミーウエハをＳｉＣによって形成するととも
に、その表面粗さＲa を０．０１μｍ以上にした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスを
製造する際に使用されるダミーウエハに係り、特に半導
体ウエハの表面に成膜する工程に使用するのに好適なＳ
ｉＣダミーウエハに関する。
製造する際に使用されるダミーウエハに係り、特に半導
体ウエハの表面に成膜する工程に使用するのに好適なＳ
ｉＣダミーウエハに関する。
【０００２】
【従来の技術】図５は、大規模集積回路（ＬＳＩ）など
の半導体デバイスの製造工程に使用する縦型炉の一例を
示す概略断面図である。図５において、炉本体１０は、
内周面にヒータ１２が配設してあって内部を高温に維持
できるようになっているとともに、図示しない真空ポン
プに接続してあり、内部を１０Ｔｏｒｒ以下に減圧でき
るようにしてある。そして、炉本体１０の内部には、石
英や炭化ケイ素（ＳｉＣ）によって形成したライナチュ
ーブ１４が配設してあり、その内部にプロセスチューブ
１６が設けてある。
の半導体デバイスの製造工程に使用する縦型炉の一例を
示す概略断面図である。図５において、炉本体１０は、
内周面にヒータ１２が配設してあって内部を高温に維持
できるようになっているとともに、図示しない真空ポン
プに接続してあり、内部を１０Ｔｏｒｒ以下に減圧でき
るようにしてある。そして、炉本体１０の内部には、石
英や炭化ケイ素（ＳｉＣ）によって形成したライナチュ
ーブ１４が配設してあり、その内部にプロセスチューブ
１６が設けてある。
【０００３】ライナチューブ１６によって覆われるベー
ス１８の中央部には、ボート受け２０が設けてあって、
このボート受け２０上にＳｉＣや石英などから形成した
縦型のウエハボート２２が配置してある。そして、ウエ
ハボート２２の上下方向には、ＬＳＩなどの半導デバイ
スを形成するための多数のシリコンウエハ２４が適宜の
間隔をあけて保持させてある。また、ウエハボート２２
の側部には、反応ガスを炉内に導入するためのガス導入
管２６が配設してあるとともに、炉内温度を測定する熱
電対を内蔵した熱電対保護管２８が設けてある。
ス１８の中央部には、ボート受け２０が設けてあって、
このボート受け２０上にＳｉＣや石英などから形成した
縦型のウエハボート２２が配置してある。そして、ウエ
ハボート２２の上下方向には、ＬＳＩなどの半導デバイ
スを形成するための多数のシリコンウエハ２４が適宜の
間隔をあけて保持させてある。また、ウエハボート２２
の側部には、反応ガスを炉内に導入するためのガス導入
管２６が配設してあるとともに、炉内温度を測定する熱
電対を内蔵した熱電対保護管２８が設けてある。
【０００４】このように構成した縦型炉内に、ウエハボ
ートを介して配置されたシリコンウエハ２４は、減圧Ｃ
ＶＤ法（ＬＰ−ＣＶＤ）によってポリシリコン（多結晶
シリコン）膜やＳｉ3Ｎ4膜などが表面に形成される。ま
た、ウエハボート２２の上下部には、炉内のガスの流れ
や温度の均一性を保持すること等を目的として、半導体
デバイスを形成するシリコンウエハ２４と同一形状のダ
ミーウエハと称するウエハ３０を数枚ずつ配置してい
る。そして、従来のダミーウエハ３０は、シリコン（Ｓ
ｉ）によって形成したものを使用してきた。
ートを介して配置されたシリコンウエハ２４は、減圧Ｃ
ＶＤ法（ＬＰ−ＣＶＤ）によってポリシリコン（多結晶
シリコン）膜やＳｉ3Ｎ4膜などが表面に形成される。ま
た、ウエハボート２２の上下部には、炉内のガスの流れ
や温度の均一性を保持すること等を目的として、半導体
デバイスを形成するシリコンウエハ２４と同一形状のダ
ミーウエハと称するウエハ３０を数枚ずつ配置してい
る。そして、従来のダミーウエハ３０は、シリコン（Ｓ
ｉ）によって形成したものを使用してきた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、シリコンダ
ミーウエ３０は、シリコンウエハ２４に成膜する際にと
もに成膜され、成膜された膜の応力によって割れたり、
ダミーウエハ３０と成膜された膜との熱膨張率の相違な
どから膜がダミーウエハ３０から容易に剥離し、これら
が炉内に飛散して好ましくないパーティクルを増加させ
て炉内を汚染するとともに、シリコンウエハ２４に付着
して歩留りを低下させる原因となる。このため、シリコ
ンダミーウエハ３０は、パーティクルを発生する前に交
換するようにしており、交換作業が容易でないばかりで
なく、装置の稼働率を低下させる。しかも、シリコン
は、耐薬品性が十分とはいえず、弗硝酸などによる酸洗
浄によって付着した膜を除去する際に洗浄液に侵される
ため、数回使用すると廃棄しており、非常に不経済であ
る。
ミーウエ３０は、シリコンウエハ２４に成膜する際にと
もに成膜され、成膜された膜の応力によって割れたり、
ダミーウエハ３０と成膜された膜との熱膨張率の相違な
どから膜がダミーウエハ３０から容易に剥離し、これら
が炉内に飛散して好ましくないパーティクルを増加させ
て炉内を汚染するとともに、シリコンウエハ２４に付着
して歩留りを低下させる原因となる。このため、シリコ
ンダミーウエハ３０は、パーティクルを発生する前に交
換するようにしており、交換作業が容易でないばかりで
なく、装置の稼働率を低下させる。しかも、シリコン
は、耐薬品性が十分とはいえず、弗硝酸などによる酸洗
浄によって付着した膜を除去する際に洗浄液に侵される
ため、数回使用すると廃棄しており、非常に不経済であ
る。
【０００６】本発明は、前記従来技術の欠点を解消する
ためになされたもので、交換頻度を大幅に少なくするこ
とができるＳＩＣダミーウエハを提供することを目的と
している。
ためになされたもので、交換頻度を大幅に少なくするこ
とができるＳＩＣダミーウエハを提供することを目的と
している。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係るＳｉＣダミ
ーウエハは、半導体ウエハとともにウエハボートに配置
するＳｉＣからなるダミーウエハであって、表面粗さＲ
a が０．０１μｍ以上である構成となっている。ＳｉＣ
ダミーウエの表面粗さＲa は、０．７μｍ以下に調整す
るようにする。特に、平均粗さＲa を０．０５μｍ以
上、０．５μｍ以下であることが望ましい。
ーウエハは、半導体ウエハとともにウエハボートに配置
するＳｉＣからなるダミーウエハであって、表面粗さＲ
a が０．０１μｍ以上である構成となっている。ＳｉＣ
ダミーウエの表面粗さＲa は、０．７μｍ以下に調整す
るようにする。特に、平均粗さＲa を０．０５μｍ以
上、０．５μｍ以下であることが望ましい。
【０００８】
【作用】上記のごとく構成した本発明は、ダミーウエハ
の表面粗さＲa が０．０１μｍ以上となっているため、
ダミーウエハに成膜される膜との接触面積が増大すると
ともに、微小な凹凸の凹部に膜の一部が入り込み、膜と
ダミーウエハとの密着性が向上して膜が剥離しにくくな
る。このため、ダミーウエハ表面に形成する膜の厚さを
厚くすることができ、洗浄せずに使用ができる回数が大
幅に増加してダミーウエハの交換回数が大幅に減少す
る。このため、付着した膜を除去する洗浄作業を低減す
ることができるとともに、装置の稼働率が向上して半導
体デバイスの製造コストを低減することができる。しか
も、ＳｉＣは、耐薬品性に優れているため洗浄用の酸に
ほとんど侵されることがなく、強い酸による洗浄が可能
で、洗浄時間を短縮することができる。
の表面粗さＲa が０．０１μｍ以上となっているため、
ダミーウエハに成膜される膜との接触面積が増大すると
ともに、微小な凹凸の凹部に膜の一部が入り込み、膜と
ダミーウエハとの密着性が向上して膜が剥離しにくくな
る。このため、ダミーウエハ表面に形成する膜の厚さを
厚くすることができ、洗浄せずに使用ができる回数が大
幅に増加してダミーウエハの交換回数が大幅に減少す
る。このため、付着した膜を除去する洗浄作業を低減す
ることができるとともに、装置の稼働率が向上して半導
体デバイスの製造コストを低減することができる。しか
も、ＳｉＣは、耐薬品性に優れているため洗浄用の酸に
ほとんど侵されることがなく、強い酸による洗浄が可能
で、洗浄時間を短縮することができる。
【０００９】表面粗さＲa が０．０１μｍより小さい
と、膜の付着力が低下して比較的剥離しやすく、十分な
厚さの膜を成膜することが困難となる。また、表面粗さ
Ｒa が０．７μｍより大きいと、凹凸が大きくなって凹
みに入った膜が酸洗浄等によって除去しにくくなり、洗
浄に時間が掛かるとともに膜が残りやすく、再使用時に
残存した膜が新た形成される膜の密着性を低下させ、ま
た残存した膜がパーティクルの発生原因となる。
と、膜の付着力が低下して比較的剥離しやすく、十分な
厚さの膜を成膜することが困難となる。また、表面粗さ
Ｒa が０．７μｍより大きいと、凹凸が大きくなって凹
みに入った膜が酸洗浄等によって除去しにくくなり、洗
浄に時間が掛かるとともに膜が残りやすく、再使用時に
残存した膜が新た形成される膜の密着性を低下させ、ま
た残存した膜がパーティクルの発生原因となる。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明に係るＳｉＣダミーウエハ
の好ましい実施の形態を詳細に説明する。図４は、本発
明の実施の形態に係るＳｉＣダミーウエハを得るための
製作工程の概略を示したものである。まず、同図（１）
に示したように、高純度黒鉛からなる所定寸法の円板状
黒鉛基材３２を作製する。その後、黒鉛基材３２をＣＶ
Ｄ装置に入れ、ＣＶＤ法によって黒鉛基材３２にＳｉＣ
膜３４を厚さ０．１〜３ｍｍ程度成膜する（同図
（２））。次に、同図（３）に示したように、ＳｉＣ膜
３４の周面部を機械加工によって研削し、黒鉛基材３２
の周面を露出させる。そして、黒鉛基材３２を挟んだＳ
ｉＣ膜３４を炉に入れ、黒鉛基材３２を酸化燃焼によっ
て除去してＳｉＣ円板３６にする（図４（４））。さら
に、ＳｉＣ円板３６を洗浄したのち、研磨装置によって
両面を平均粗さＲa が０．０１μｍ以上、望ましくは
０．０５μｍ≦Ｒa ≦０．５μｍとなるように研磨する
とともに、ＳｉＣ円板３６の両面の周縁角部を面取り加
工してＳｉＣウエハ３８にする（図４（５））。
の好ましい実施の形態を詳細に説明する。図４は、本発
明の実施の形態に係るＳｉＣダミーウエハを得るための
製作工程の概略を示したものである。まず、同図（１）
に示したように、高純度黒鉛からなる所定寸法の円板状
黒鉛基材３２を作製する。その後、黒鉛基材３２をＣＶ
Ｄ装置に入れ、ＣＶＤ法によって黒鉛基材３２にＳｉＣ
膜３４を厚さ０．１〜３ｍｍ程度成膜する（同図
（２））。次に、同図（３）に示したように、ＳｉＣ膜
３４の周面部を機械加工によって研削し、黒鉛基材３２
の周面を露出させる。そして、黒鉛基材３２を挟んだＳ
ｉＣ膜３４を炉に入れ、黒鉛基材３２を酸化燃焼によっ
て除去してＳｉＣ円板３６にする（図４（４））。さら
に、ＳｉＣ円板３６を洗浄したのち、研磨装置によって
両面を平均粗さＲa が０．０１μｍ以上、望ましくは
０．０５μｍ≦Ｒa ≦０．５μｍとなるように研磨する
とともに、ＳｉＣ円板３６の両面の周縁角部を面取り加
工してＳｉＣウエハ３８にする（図４（５））。
【００１１】
［実施例１］上記のようにして直径２００ｍｍ（８イン
チサイズ）、厚さ０．８ｍｍのＳｉＣウエハを製作し、
シリコンウエハにリンをドーピングしたポリシリコン膜
（Ｄ−ｐｏｌｙ膜）をＬＰ−ＣＶＤにより成膜する際に
ダミーウエハとして使用し、洗浄後に再使用してＤ−ｐ
ｏｌｙ膜の累積膜厚が１５μｍになったときの表面平均
粗さＲa とパーティクルの発生との関係を調べた。その
結果を図１に示す。なお、ＳｉＣウエハの洗浄は、通常
のＤ−ｐｏｌｙ膜の酸洗浄と同様の洗浄条件によってい
る。また、パーティクル数は、シリコンウエハに付着し
た１ｃｍ2 当たりの個数である。
チサイズ）、厚さ０．８ｍｍのＳｉＣウエハを製作し、
シリコンウエハにリンをドーピングしたポリシリコン膜
（Ｄ−ｐｏｌｙ膜）をＬＰ−ＣＶＤにより成膜する際に
ダミーウエハとして使用し、洗浄後に再使用してＤ−ｐ
ｏｌｙ膜の累積膜厚が１５μｍになったときの表面平均
粗さＲa とパーティクルの発生との関係を調べた。その
結果を図１に示す。なお、ＳｉＣウエハの洗浄は、通常
のＤ−ｐｏｌｙ膜の酸洗浄と同様の洗浄条件によってい
る。また、パーティクル数は、シリコンウエハに付着し
た１ｃｍ2 当たりの個数である。
【００１２】図に示されているように、平均粗さＲa が
０．０１μｍより小さい鏡面状態からＲa が０．０１μ
ｍ以上の粗面状態になるにしたがって急速にパーティク
ル数が減少し、Ｒa が０．５μｍ程度で最低の１０個／
ｃｍ2 ほどになった。そして、平均粗さＲa が０．５μ
ｍを超えると、洗浄が不充分となることによる影響によ
って、発生するパーティクル数が増加する。
０．０１μｍより小さい鏡面状態からＲa が０．０１μ
ｍ以上の粗面状態になるにしたがって急速にパーティク
ル数が減少し、Ｒa が０．５μｍ程度で最低の１０個／
ｃｍ2 ほどになった。そして、平均粗さＲa が０．５μ
ｍを超えると、洗浄が不充分となることによる影響によ
って、発生するパーティクル数が増加する。
【００１３】［実施例２］上記のようにして両面の平均
粗さＲa を０．１μｍに調整した直径２００ｍｍ（８イ
ンチサイズ）、厚さ０．８ｍｍのＳｉＣウエハを製作し
たのち、Ｄ−ｐｏｌｙ膜をＬＰ−ＣＶＤにより表面に形
成し、その成膜厚さと、同時に成膜したシリコンウエハ
に付着したパーティクル数との関係を調べ、従来のシリ
コンダミーウエハと比較した。ポリシリコン膜の成膜条
件は、通常の半導体デバイスの製造工程における成膜条
件と同じであり、１バッチ当たりの成膜厚さは５０００
〜１００００オングストロームである。その結果を図１
に示した。
粗さＲa を０．１μｍに調整した直径２００ｍｍ（８イ
ンチサイズ）、厚さ０．８ｍｍのＳｉＣウエハを製作し
たのち、Ｄ−ｐｏｌｙ膜をＬＰ−ＣＶＤにより表面に形
成し、その成膜厚さと、同時に成膜したシリコンウエハ
に付着したパーティクル数との関係を調べ、従来のシリ
コンダミーウエハと比較した。ポリシリコン膜の成膜条
件は、通常の半導体デバイスの製造工程における成膜条
件と同じであり、１バッチ当たりの成膜厚さは５０００
〜１００００オングストロームである。その結果を図１
に示した。
【００１４】図から明らかなように、破線で示した従来
のシリコンダミーウエハ（Ｓｉウエハ）は、正常な場合
においてもパーティクル数が１０数個／ｃｍ2 と、実線
で示した実施例に係るＳｉＣウエハの１０個／ｃｍ2 程
度より多く、累積膜厚が２〜３μｍ、すなわち成膜サイ
クルが４〜５サイクルになるとウエハの割れや、付着し
た膜の剥離によるパーティクルの発生が見られる。これ
に対して、実施例のＳｉＣウエハにおいては、累積膜厚
が１５〜２０μｍ程度まで成膜が可能で、膜の剥離によ
るパーティクルの発生がなく、３０〜４０サイクル成膜
することができる。従って、実施例のＳｉＣウエハは、
従来のシリコンダミーウエハに比較してポリシリコン膜
を７〜１０倍程度厚く成膜することができ、ダミーウエ
ハの交換回数を１／７〜１／１０にすることができる。
のシリコンダミーウエハ（Ｓｉウエハ）は、正常な場合
においてもパーティクル数が１０数個／ｃｍ2 と、実線
で示した実施例に係るＳｉＣウエハの１０個／ｃｍ2 程
度より多く、累積膜厚が２〜３μｍ、すなわち成膜サイ
クルが４〜５サイクルになるとウエハの割れや、付着し
た膜の剥離によるパーティクルの発生が見られる。これ
に対して、実施例のＳｉＣウエハにおいては、累積膜厚
が１５〜２０μｍ程度まで成膜が可能で、膜の剥離によ
るパーティクルの発生がなく、３０〜４０サイクル成膜
することができる。従って、実施例のＳｉＣウエハは、
従来のシリコンダミーウエハに比較してポリシリコン膜
を７〜１０倍程度厚く成膜することができ、ダミーウエ
ハの交換回数を１／７〜１／１０にすることができる。
【００１５】［実施例３］前記と同様にして直径１５０
ｍｍ（６インチサイズ）、厚さ０．８ｍｍ、表面粗さＲ
a が０．１μｍのＳｉＣウエハを製作したのち、表面に
Ｓｉ3Ｎ4膜をＬＰ−ＣＶＤにより形成し、その成膜厚さ
と、同時に成膜したシリコンウエハに付着したパーティ
クル数との関係を調べ、従来のシリコンダミーウエハと
比較した。成膜条件は、通常の半導体デバイスの製造工
程における成膜条件と同じであり、１バッチ当たりの成
膜厚さは２０００〜３０００オングストロームである。
図２は、その結果を示したものである。
ｍｍ（６インチサイズ）、厚さ０．８ｍｍ、表面粗さＲ
a が０．１μｍのＳｉＣウエハを製作したのち、表面に
Ｓｉ3Ｎ4膜をＬＰ−ＣＶＤにより形成し、その成膜厚さ
と、同時に成膜したシリコンウエハに付着したパーティ
クル数との関係を調べ、従来のシリコンダミーウエハと
比較した。成膜条件は、通常の半導体デバイスの製造工
程における成膜条件と同じであり、１バッチ当たりの成
膜厚さは２０００〜３０００オングストロームである。
図２は、その結果を示したものである。
【００１６】図から明らかなように、Ｓｉ3Ｎ4膜の成膜
の場合、破線で示した従来のシリコンダミーウエハ（Ｓ
ｉウエハ）は、累積膜厚が１μｍ以下（３〜５サイクル
の成膜）で膜の剥離によるパーティクルの発生が見られ
る。これに対して、実線で示した実施例のＳｉＣウエハ
においては、累積膜厚が３μｍ程度まで膜の剥離による
パーティクルの発生がなく、１０〜１５サイクルの成膜
が可能でる。
の場合、破線で示した従来のシリコンダミーウエハ（Ｓ
ｉウエハ）は、累積膜厚が１μｍ以下（３〜５サイクル
の成膜）で膜の剥離によるパーティクルの発生が見られ
る。これに対して、実線で示した実施例のＳｉＣウエハ
においては、累積膜厚が３μｍ程度まで膜の剥離による
パーティクルの発生がなく、１０〜１５サイクルの成膜
が可能でる。
【００１７】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明によれ
ば、表面粗さＲa が０．０１μｍ以上となっているた
め、ダミーウエハに成膜される膜との接触面積が増大す
るとともに、微小な凹凸の凹部に膜の一部が入り込み、
膜とダミーウエハとの密着性が向上して膜が剥離しにく
くなる。このため、ダミーウエハ表面に形成する膜の厚
さを厚くすることができ、洗浄せずに使用ができる回数
が大幅に増加してダミーウエハの交換回数が大幅に減少
し、付着した膜を除去する洗浄作業が低減することがで
きるとともに、装置の稼働率が向上して半導体デバイス
の製造コストを低減することができる。
ば、表面粗さＲa が０．０１μｍ以上となっているた
め、ダミーウエハに成膜される膜との接触面積が増大す
るとともに、微小な凹凸の凹部に膜の一部が入り込み、
膜とダミーウエハとの密着性が向上して膜が剥離しにく
くなる。このため、ダミーウエハ表面に形成する膜の厚
さを厚くすることができ、洗浄せずに使用ができる回数
が大幅に増加してダミーウエハの交換回数が大幅に減少
し、付着した膜を除去する洗浄作業が低減することがで
きるとともに、装置の稼働率が向上して半導体デバイス
の製造コストを低減することができる。
【図１】ＳｉＣウエハの表面平均粗さと発生パーティク
ルとの関係を示す図である。
ルとの関係を示す図である。
【図２】実施例のＳｉＣダミーウエハと従来のシリコン
ダミーウエハとのポリシリコン膜の成膜厚さに対するパ
ーティクル数の比較を示す図である。
ダミーウエハとのポリシリコン膜の成膜厚さに対するパ
ーティクル数の比較を示す図である。
【図３】実施例に係るＳｉＣダミーウエハと従来のシリ
コンダミーウエハとのＳｉ3Ｎ4膜の成膜厚さに対するパ
ーティクル数の比較を示す図である。
コンダミーウエハとのＳｉ3Ｎ4膜の成膜厚さに対するパ
ーティクル数の比較を示す図である。
【図４】実施例に係るＳｉＣダミーウエハの製作工程の
概略説明図である。
概略説明図である。
【図５】半導体デバイスの製造工程に使用する縦型炉の
一例を示す概略断面図である。
一例を示す概略断面図である。
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体ウエハとともにウエハボートに配
置するＳｉＣからなるダミーウエハであって、表面粗さ
Ｒa が０．０１μｍ以上であることを特徴とするＳｉＣ
ダミーウエハ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8286131A JPH10116757A (ja) | 1996-10-08 | 1996-10-08 | ＳｉＣダミーウエハ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8286131A JPH10116757A (ja) | 1996-10-08 | 1996-10-08 | ＳｉＣダミーウエハ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10116757A true JPH10116757A (ja) | 1998-05-06 |
Family
ID=17700341
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8286131A Pending JPH10116757A (ja) | 1996-10-08 | 1996-10-08 | ＳｉＣダミーウエハ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10116757A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015093550A1 (ja) * | 2013-12-19 | 2015-06-25 | イビデン株式会社 | ＳｉＣウェハの製造方法、ＳｉＣ半導体の製造方法及び黒鉛炭化珪素複合基板 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07147277A (ja) * | 1993-06-22 | 1995-06-06 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体用部材 |
| JPH08188468A (ja) * | 1994-12-29 | 1996-07-23 | Toyo Tanso Kk | 化学蒸着法による炭化ケイ素成形体及びその製造方法 |
| JPH08188408A (ja) * | 1994-12-29 | 1996-07-23 | Toyo Tanso Kk | 化学蒸着法による炭化ケイ素成形体及びその製造方法 |
| JPH10163079A (ja) * | 1996-10-03 | 1998-06-19 | Bridgestone Corp | ウェハ |
-
1996
- 1996-10-08 JP JP8286131A patent/JPH10116757A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH08188468A (ja) * | 1994-12-29 | 1996-07-23 | Toyo Tanso Kk | 化学蒸着法による炭化ケイ素成形体及びその製造方法 |
| JPH08188408A (ja) * | 1994-12-29 | 1996-07-23 | Toyo Tanso Kk | 化学蒸着法による炭化ケイ素成形体及びその製造方法 |
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Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| 江崎才四郎: "ＣＶＤ−ＳｉＣ単体ダミーウェハー", BREAK THROUGH, JPNX006044823, 15 January 1996 (1996-01-15), JP, pages 26 - 28, ISSN: 0000776517 * |
| 江崎才四郎: "ＣＶＤ−ＳｉＣ単体ダミーウェハー", BREAK THROUGH, JPNX007015341, 15 January 1996 (1996-01-15), JP, pages 26 - 28, ISSN: 0000834546 * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015093550A1 (ja) * | 2013-12-19 | 2015-06-25 | イビデン株式会社 | ＳｉＣウェハの製造方法、ＳｉＣ半導体の製造方法及び黒鉛炭化珪素複合基板 |
| JP2015119062A (ja) * | 2013-12-19 | 2015-06-25 | イビデン株式会社 | ＳｉＣウェハの製造方法、ＳｉＣ半導体の製造方法及び黒鉛炭化珪素複合基板 |
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