JP4255019B2 - 熱処理用部材 - Google Patents
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Description
かかる不具合に対処するため、デバイスメーカーでは、熱処理用部材のデポ膜除去洗浄タイミングを早めて使用しているため、製造装置の実稼働時間が比較的短い。
かような炉内パーティクルの突発は、Si3N4デポ膜の累積膜厚が9μmを超えた際に、基材表面の凸部又は凹部と対応する部分のデポ膜に大きなクラックが発生し、パーティクルが非常に多くなるものである。
基材表面は、平滑であっても、凹凸であってもよいが、凹凸である場合、凸部の大きさは、丘状凸部の大きさの同等以下とする。
丘状凸部の基部の最大直径は、40〜70μmがより好ましい。
ここで、基部とは、丘状凸部の裾をいう。
丘状凸部の1mm2当たりに存在する密度は、400〜2000個がより好ましい。
コーティング膜の多結晶SiCを構成するSiC単結晶粒子の最大直径は、7〜9μmがより好ましい。
コーティング膜の厚さは、30〜80μmがより好ましい。
ここで、コーティング膜の厚さとは、基材表面が平滑な場合、(コーティング膜の凹部の厚さ+コーティング膜の凸部の厚さ)÷2をいい、基材表面に凹凸がある場合、(断面の最大厚さ+断面の最小厚さ)÷2をいう。
そして、コーティング表面が、前記基部の最大直径20〜100μm、1mm2当たり150〜3500個の密度(n=10での範囲、以下同じ)で存在するほぼ半球状の丘状凸部により凹凸形状をなすように設けられており、コーティング膜の多結晶SiCを構成するSiC単結晶粒子の最大粒径が2〜10μmであり、又、コーティング膜の厚さ((凹部の厚さ+凸部の厚さ)÷2)が50〜60μmであるものである。
次に、基材表面にCVD法により多結晶のSiCをコーティングするのであるが、CVD初期段階において、原料供給濃度を大きく(対キャリアーモル比で1.5〜5倍と)し、コーティング表面が、基部の最大直径20〜90μm、1mm2当たり200〜10000個の密度で存在するほぼ半球状の丘状凸部により凹凸形状をなすようにした後、定常の原料供給濃度に戻してCVDし、最終的なコーティング表面が、基部の最大直径20〜100μm、1mm2当たり150〜3500個の密度で存在するほぼ半球状の丘状凸部により凹凸形状をなすと共に、コーティング膜の多結晶SiCを構成するSiC単結晶粒子の最大粒径が2〜10μmであり、かつ、コーティング膜の厚さが30〜100μmであるようにする。
なお、CVD条件は、以下の通りである。
温度:1200℃
ガス(定常):SiCl4(四塩化ケイ素)+C3H8(プロパン)+H2(水素)=3+1+20slm
そして、コーティング表面が、基部の最大直径70〜80μm、1mm2当たり200〜1000個の密度で存在するほぼ半球状の丘状凸部により凹凸形状をなすように設けられており、コーティング膜の多結晶SiCを構成するSiC単結晶粒子の最大粒径が2〜10μmであり、又、コーティング膜の厚さ(断面の最大厚さ+断面の最小厚さ)が、40〜50μmであるものである。
次に、基材表面にCVD法により多結晶のSiCをコーティングし、コーティング表面が、基部の最大直径20〜100μm、1mm2当たり200〜2500個の密度で存在するほぼ半球状の丘状凸部により凹凸形状をなすと共に、コーティング膜の多結晶SiCを構成するSiC単結晶粒子の最大粒径が2〜10μmで、かつ、コーティング膜の厚さが30〜100μmであるようにする。
なお、CVD条件は、以下の通りである。
温度:1250℃
ガス:SiCl4+C3H8+H2=3+1+20slm
(比較例1)
そして、コーティング表面が、基部の最大直径90〜140μm、1mm2当たり2〜5個の密度で存在するほぼ半球状の丘状凸部によりまばらな凸形状をなすように設けられており、コーティング膜の多結晶SiCを構成するSiC単結晶粒子の最大粒径が1〜5μmであり、又、コーティング膜の厚さ(丘状凸部を除く部分の厚さ)が、40〜60μmであるものである。
次に、基材表面にCVD法により多結晶のSiCをコーティングし、コーティング表面が、基部の最大直径90〜140μm、1mm2当たり50〜130個の密度で存在するほぼ半球状の丘状凸部によりまばらな凸形状をなすと共に、コーティング膜の多結晶SiCを構成するSiC単結晶粒子の最大粒径が15〜20μmで、かつ、丘状凸部の部分を除くコーティング膜の厚さが60〜70μmであるようにする。
なお、CVD条件は、以下の通りである。
温度:1250℃
ガス:SiCl4+C3H8+H2=3+1+20slm
(比較例2)
そして、コーティング表面が、基部の最大直径10〜20μm、1mm2当たり50〜120個の密度で存在するほぼ半球状の丘状凸部により凹凸形状をなすように設けられており、コーティング膜の多結晶SiCを構成するSiC単結晶粒子の最大粒径が8〜20μmであり、又、コーティング膜の厚さ((凹部の厚さ+凸部の厚さ)÷2)が50〜60μmであるものである。
次に、基材表面にCVD法により多結晶のSiCをコーティングし、コーティング表面が、基部の最大直径10〜20μm、1mm2当たり3500〜12000個の密度で存在するほぼ半球状の丘状凸部により凹凸形状をなすと共に、コーティング膜の多結晶SiCを構成するSiC単結晶粒子の最大直径が8〜20μmであり、かつ、コーティング膜の厚さが40〜50μmであるようにする。
なお、CVD条件は、以下の通りである。
温度:1200℃
ガス:SiCl4+C3H8+H2=3+1.1+20slm
Claims (3)
- 基材表面が多結晶のSiCによりコーティングされている熱処理用部材であって、コーティング表面が、基部の最大直径20〜100μm、1mm2当たり150〜3500個の密度で存在する、多結晶SiCの表面部である丘状凸部により凹凸形状をなすように設けられていることを特徴とする熱処理用部材。
- 前記コーティング膜の多結晶SiCを構成するSiC単結晶粒子が最大粒径2〜10μmであることを特徴とする請求項1記載の熱処理用部材。
- 前記コーティング膜の厚さが30〜100μmであることを特徴とする請求項1又は2記載の熱処理用部材。
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