JP5087375B2 - 炭化ケイ素半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
12 保護膜
21 ウェハ保持具
21a 保持面
21b 吸引孔
Claims (1)
- 炭化ケイ素ウェハの加熱前に、前記炭化ケイ素ウェハの裏面に保護膜をフェノール樹脂を用いてコーティングして形成する工程と、
前記炭化ケイ素ウェハの裏面に形成されている前記保護膜及びウェハ保持具の保持面を密接させるように、前記炭化ケイ素ウェハを前記ウェハ保持具の保持面上に載置する工程と、
前記ウェハ保持具に載置された状態で前記炭化ケイ素ウェハを加熱することによって、前記炭化ケイ素ウェハの表面側に半導体デバイスを形成する工程とを有することを特徴とする炭化ケイ素半導体デバイスの製造方法。
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