JP2009135127A - 炭化ケイ素ウェハの保持方法及びウェハ保持具 - Google Patents
炭化ケイ素ウェハの保持方法及びウェハ保持具 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】炭化ケイ素ウェハ11をウェハ保持具に保持して加熱するに当たり、ウェハ保持具21のウェハ保持面21aと炭化ケイ素ウェハ11の裏面との隙間形成を防止する手段を用いること。
【選択図】図1
Description
12 保護膜
21 ウェハ保持具
21a 保持面
21b 吸引孔
Claims (4)
- 炭化ケイ素ウェハをウェハ保持具に保持して加熱するに当たり、
ウェハ保持具のウェハ保持面と炭化ケイ素ウェハの裏面との隙間形成を防止する手段を用いることを特徴とする炭化ケイ素ウェハの保持方法。 - 前記隙間形成を防止する手段が、炭化ケイ素ウェハの加熱前に、当該炭化ケイ素ウェハの裏面に保護膜を形成することであることを特徴とする請求項1に記載の炭化ケイ素ウェハの保持方法。
- 前記隙間形成を防止する手段が、前記ウェハ保持面にウェハの吸引孔を有するウェハ保持具を用いることであること特徴とする請求項1に記載の炭化ケイ素ウェハの保持方法。
- 炭化ケイ素ウェハを保持するウェハ保持面と、このウェハ保持面に形成された吸引孔とを備え、この吸引孔は、排気手段と接続されることを特徴とするウェハ保持具。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015146320A1 (ja) * | 2014-03-28 | 2015-10-01 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素単結晶基板、炭化珪素エピタキシャル基板およびこれらの製造方法 |
Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07238380A (ja) * | 1994-02-25 | 1995-09-12 | Mitsubishi Electric Corp | ウエハチャック装置、半導体製造装置および半導体製造方法 |
JPH1086085A (ja) * | 1996-09-19 | 1998-04-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板吸着装置および基板吸着方法 |
JP2000012482A (ja) * | 1998-06-22 | 2000-01-14 | Fuji Electric Co Ltd | 炭化けい素半導体素子の製造方法 |
JP2002175958A (ja) * | 2000-12-05 | 2002-06-21 | Tomoegawa Paper Co Ltd | ダミーウェハー |
WO2006008941A1 (ja) * | 2004-07-22 | 2006-01-26 | Toyo Tanso Co., Ltd. | サセプタ |
JP2006173344A (ja) * | 2004-12-15 | 2006-06-29 | Seiko Epson Corp | 基板保持装置及び基板保持方法並びに基板加熱装置 |
JP2006295061A (ja) * | 2005-04-14 | 2006-10-26 | Kansai Electric Power Co Inc:The | バイポーラ型半導体装置の順方向電圧回復方法、積層欠陥縮小方法およびバイポーラ型半導体装置 |
JP2006324585A (ja) * | 2005-05-20 | 2006-11-30 | Nissan Motor Co Ltd | 炭化珪素半導体装置及びその製造方法 |
JP2007141950A (ja) * | 2005-11-15 | 2007-06-07 | Nissan Motor Co Ltd | 炭化珪素半導体装置及び炭化珪素半導体装置の製造方法 |
WO2007080998A1 (ja) * | 2006-01-13 | 2007-07-19 | Fushimi Pharmaceutical Co., Ltd. | シアナト基含有環状ホスファゼン化合物およびその製造方法 |
JP2007201155A (ja) * | 2006-01-26 | 2007-08-09 | Nissan Motor Co Ltd | 炭化珪素半導体装置及び炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JP2008004726A (ja) * | 2006-06-22 | 2008-01-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体素子およびその製造方法 |
WO2008120467A1 (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-09 | Panasonic Corporation | 半導体装置の製造方法 |
JP2009120419A (ja) * | 2007-11-13 | 2009-06-04 | Denso Corp | 炭化珪素単結晶の製造装置 |
-
2007
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Patent Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07238380A (ja) * | 1994-02-25 | 1995-09-12 | Mitsubishi Electric Corp | ウエハチャック装置、半導体製造装置および半導体製造方法 |
JPH1086085A (ja) * | 1996-09-19 | 1998-04-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板吸着装置および基板吸着方法 |
JP2000012482A (ja) * | 1998-06-22 | 2000-01-14 | Fuji Electric Co Ltd | 炭化けい素半導体素子の製造方法 |
JP2002175958A (ja) * | 2000-12-05 | 2002-06-21 | Tomoegawa Paper Co Ltd | ダミーウェハー |
WO2006008941A1 (ja) * | 2004-07-22 | 2006-01-26 | Toyo Tanso Co., Ltd. | サセプタ |
JP2006173344A (ja) * | 2004-12-15 | 2006-06-29 | Seiko Epson Corp | 基板保持装置及び基板保持方法並びに基板加熱装置 |
JP2006295061A (ja) * | 2005-04-14 | 2006-10-26 | Kansai Electric Power Co Inc:The | バイポーラ型半導体装置の順方向電圧回復方法、積層欠陥縮小方法およびバイポーラ型半導体装置 |
JP2006324585A (ja) * | 2005-05-20 | 2006-11-30 | Nissan Motor Co Ltd | 炭化珪素半導体装置及びその製造方法 |
JP2007141950A (ja) * | 2005-11-15 | 2007-06-07 | Nissan Motor Co Ltd | 炭化珪素半導体装置及び炭化珪素半導体装置の製造方法 |
WO2007080998A1 (ja) * | 2006-01-13 | 2007-07-19 | Fushimi Pharmaceutical Co., Ltd. | シアナト基含有環状ホスファゼン化合物およびその製造方法 |
JP2007201155A (ja) * | 2006-01-26 | 2007-08-09 | Nissan Motor Co Ltd | 炭化珪素半導体装置及び炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JP2008004726A (ja) * | 2006-06-22 | 2008-01-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体素子およびその製造方法 |
WO2008120467A1 (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-09 | Panasonic Corporation | 半導体装置の製造方法 |
JP2009120419A (ja) * | 2007-11-13 | 2009-06-04 | Denso Corp | 炭化珪素単結晶の製造装置 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015146320A1 (ja) * | 2014-03-28 | 2015-10-01 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素単結晶基板、炭化珪素エピタキシャル基板およびこれらの製造方法 |
JP2015189633A (ja) * | 2014-03-28 | 2015-11-02 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素単結晶基板、炭化珪素エピタキシャル基板およびこれらの製造方法 |
US9896781B2 (en) | 2014-03-28 | 2018-02-20 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Silicon carbide single-crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate and method of manufacturing them |
CN110079862A (zh) * | 2014-03-28 | 2019-08-02 | 住友电气工业株式会社 | 碳化硅单晶衬底、碳化硅外延衬底及它们的制造方法 |
CN110079862B (zh) * | 2014-03-28 | 2021-05-07 | 住友电气工业株式会社 | 碳化硅单晶衬底、碳化硅外延衬底及它们的制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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