JP2009032946A - 気相成長装置および気相成長方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】気相成長装置の反応室1内に複数枚の板状のサセプタ2が角錐台形状に設置され、該サセプタ2は表面にSi膜が形成された黒鉛からなり、該サセプタ2の外表面にウェーハを収容可能な円形ザグリ部4が形成され、該ザグリ部4の底面の形状は凹状のラウンド形状である。
【選択図】図5
Description
そこで、前記問題を解決するために、本発明は、バレル型気相反応装置での裏面シリコン転写を抑制し、高品質のエピタキシャルウェーハを生産できる気相成長装置および気相成長方法を提供することを目的とする。
図5のバレル型気相成長装置を用い、上述したようにシリコンウェーハをサセプタのザグリ部に収容しウェーハ上にシリコンエピタキシャル層を成長させた。このとき、サセプタとして、ザグリ部底部の形状が平らなもの(比較例)と、ザグリ部底面を凹状にラウンドを形成したもの(実施例)との二種類を用いた。ザグリ部底面を凹状のラウンド形状にしたサセプタのザクリ部底面の中心部の深さは、ザグリ部の底面の最外周部から200μmの深さであった。上記の各サセプタを設置したバレル型気相成長装置において、それぞれ1500枚のウェーハにエピタキシャル成長を行った。なお、ウェーハには裏面がケミカルエッチ面である直径6インチ、厚さ625μm、P型10Ωcmのものを用いた。また、サセプタは、表面にSiC膜がコートされた黒鉛製であり、ウェーハを仕込む前にあらかじめ前記SiC膜の上に約1μm程度のポリSiをコートしたものを用いた。エピタキシャル成長には、反応ガスとしてSiHCl3を用い、成長速度を1.0μm/min、反応温度を1150℃、成長膜厚を10μmとした。そして、このようにエピタキシャル層を成長させた後のウェーハについてハロゲン灯下で裏面の観察を行い、裏面シリコン転写の発生について調査を行った。
2…サセプタ、 3…ランプ、 4…ザクリ部、
5…ガス導入口、 6…ジェット、 7…ガス排出口、
8…シールプレート。
Claims (4)
- 気相成長装置であって、該気相成長装置の反応室内に複数枚の板状のサセプタが角錐台形状に設置され、該サセプタは表面にSi膜が形成された黒鉛からなり、該サセプタの外表面にウェーハを収容可能な円形ザグリ部が形成され、該ザグリ部の底面の形状は凹状のラウンド形状であることを特徴とする気相成長装置。
- 請求項1記載の気相成長装置において、前記サセプタの表面に形成されるSi膜は、前記黒鉛にSiC膜をコートした上に形成されているものであることを特徴とする気相成長装置。
- 請求項1または請求項2に記載の気相成長装置において、前記ザグリ部の底面の中心部の深さが該ザグリ部底面の外周から100μm以上500μm以下の深さであることを特徴とする気相成長装置。
- 請求項1ないし請求項3に記載の気相成長装置における前記ザグリ部にウェーハを収容し、外表面側から加熱して、該ウェーハ表面に薄膜を気相成長させることを特徴とする気相成長方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN107058978A (zh) * | 2017-03-07 | 2017-08-18 | 华灿光电(浙江)有限公司 | 一种石墨盘基座 |
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2007
- 2007-07-27 JP JP2007196050A patent/JP2009032946A/ja active Pending
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