JP4228347B2 - ウェーハ支持体 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体処理装置内に設置され、ウェーハ、例えばシリコンウェーハ等の半導体ウェーハを支持するウェーハ支持体に関し、特にオリエンテーションフラット付きウェーハのオリエンテーションフラット部を効果的に保持することができるようにしたウェーハ支持体に関する。
【０００２】
【関連技術】
半導体デバイスの材料となるシリコンウェーハ（以下、単にウェーハということもある）は、主にチョクラルスキー法（Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ：以下ＣＺ法という）で育成されたシリコン単結晶を円板状に加工し、主表面を研磨することにより得られる。このようなウェーハには通常７〜１０×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3程度（ＪＥＩＤＡ）の酸素が過飽和状態で含まれているため、デバイスプロセスの熱処理中に酸素析出物として析出する。この酸素析出物は、ウェーハ表面に形成されるデバイス活性領域に析出すると、接合リークの低下等デバイス特性に悪影響を及ぼすが、他方、デバイス活性領域以外のバルク中に析出すると、デバイスプロセス中にウェーハ内部へ混入した金属元素を捕獲するゲッタリングサイトとして機能する。なお、ＪＥＩＤＡは日本電子工業振興協会（現在は、ＪＥＩＴＡ：日本電子情報技術産業協会に改称された。）の略称である。
【０００３】
近年、ウェーハの出荷段階において酸素析出物は析出していないが、デバイス活性領域が形成される表面近傍に酸素析出物の形成がない無欠陥層（Ｄｅｎｕｄｅｄ Ｚｏｎｅ：以下ＤＺ層という）を維持したまま、デバイスプロセスでの熱処理によってデバイス活性領域より深いバルク位置に酸素析出物を析出させてゲッタリング能力を付与するというウェーハの製造方法が提案されている（例えば、特許文献１）。
【０００４】
この方法はウェーハを窒素、アンモニア、アルゴンガス等、あるいはこれらの混合ガス雰囲気中で、例えば、５０℃／ｓｅｃといった昇温速度で室温付近より急速昇温し、１２００℃前後の温度で数十秒程度加熱保持した後、例えば、５０℃／ｓｅｃといった降温速度で急速に冷却することを特徴としている。このような急速昇温、急速降温処理を行う急速熱プロセス（Ｒａｐｉｄ ＴｈｅｒｍａｌＰｒｏｃｅｓｓ、以下ＲＴＰという）装置の加熱源としてはハロゲンランプが広く用いられている。このようなＲＴＰ装置の中にはウェーハＷの外周部だけを支持する環状ウェーハ支持体１０（図９）を備えているものがあり、これによってウェーハＷは水平に保持される。
【０００５】
この環状ウェーハ支持体１０の一つの構造例を図９〜図１２を用いて以下に説明する。図９〜図１２に示すように、ウェーハ支持体１０は断面が下向きのコの字をした環状のウェーハ支持体本体１２と、該ウェーハ支持体本体１２から内方に延出した同じく環状の支持棚部１４からなる。一般に、８インチ以上のウェーハには結晶方位を指定するオリエーテーションノッチ（以下ノッチという）が形成されており、支持棚部１４上にウェーハＷのノッチ部ＷＮが完全に載置支持されるよう支持棚部１４の幅が設計されている。そのため、ウェーハＷの第一主表面と第２主表面はウェーハ支持体１０により光学的にほぼ完全に分離されている。
【０００６】
通常、ウェーハＷは第１主表面から所定の距離に配置される、例えば、ハロゲンランプ（図示せず）によって第１主表面側が加熱される。一方、ウェーハＷの温度は第２主表面から所定の距離に配置される赤外線センサー（図示せず）により第２主表面側から計測される。ウェーハの温度制御は、この赤外線センサーで計測した温度データに基づきハロゲンランプにフィードバックをかけて制御する。赤外線センサーで温度計測する際に、第１主表面側の加熱ランプからの光が第２主表面側に位置するセンサーに入るとノイズの原因になるため、支持棚部１４上にノッチ部ＷＮが完全に載置支持され、ウェーハＷとウェーハ支持体１０の間に光が透過するような隙間を発生させないことが重要である。なお、第１主表面と第２主表面は被処理ウェーハＷの表面と裏面の関係であるが、表面、裏面のいずれかを第１主表面とすれば第２主表面は第１主表面と反対の側の面を意味する。
【０００７】
ＲＴＡ装置内において、ノッチ付きウェーハＷがウェーハ支持体１０に載置支持された状態で、例えば、１２００℃という高温に加熱されると、ノッチ付きウェーハＷはウェーハの自重と加熱の作用によりウェーハＷの中心部が下がり御椀状の形状へと変化する（図１２）。ウェーハＷには御椀形状のソリが発生するが、同心円状に点対称に反るため、結果としてウェーハ支持体１０の支持棚部１４の最内周部全体と均一に接触する。このため、ウェーハＷの自重が均一にウェーハ支持体に分散され、応力が臨界のせん断応力を超えることがなく、スリップ転位が発生しない。
【０００８】
一方、６インチ以下のウェーハには結晶方位を指定するオリエンテーションフラット（以下ＯＦということがある）が主に形成されている。このＯＦ付ウェーハを支持するウェーハ支持体は、図９〜図１２に示したウェーハ支持体とは異なる構造を有しており、図１３〜図１５を用いて以下に説明する。図１３〜図１５に示すように、このＯＦ付きウェーハＷを支持するウェーハ支持体２０は断面が下向きのコの字をした環状のウェーハ支持体本体２２と、該ウェーハ支持体本体２２から内方に延出した同じく環状でＯＦ付きウェーハＷを載置支持する支持棚部２４とを有している。そして、この支持棚部２４はＯＦ付きウェーハＷのＯＦ以外のウェーハエッジ部分を支持するエッジ支持部２４ａ、及びＯＦ部を支持する直線形状のＯＦ支持部２４ｂからなる。このエッジ支持部２４ａとＯＦ支持部２４ｂは同一平面上にあり、ＯＦ付きウェーハはエッジ全体でウェーハ支持体２０と接触することになるので、前述したようにＯＦ付きウェーハＷの第１主表面と第２主表面はウェーハ支持体２０により光学的にほぼ完全に分離されるので、加熱ランプからの光がセンサーに入らない構造となる。
【０００９】
【特許文献１】
特表２００１−５０３００９号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
ＲＴＡ装置内において、ＯＦ付きウェーハＷがウェーハ支持体２０に支持された状態で、例えば、１２００℃という高温に加熱されるとＯＦ付きウェーハＷはウェーハの自重と加熱の作用によりウェーハＷの中心部が下がり御椀状の形状へと変化する。しかしながら、ＯＦ付きウェーハＷは円形のウェーハの一部分が直線的な形状をしているという特異性から、ＯＦ部分はソリが発生する前、すなわち加熱前は直線形状であるが、ソリが発生した後、すなわち加熱中の形状は直線部の中心付近が窪んだ凹型形状になる。他方、ウェーハを支持するウェーハ支持体２０の加熱によるソリは、ウェーハのソリに比べて無視できる程度であり、加熱前の形状と同一であるといえるため、加熱中のウェーハＷのＯＦ部とウェーハ支持体２０の接触は、図１６に示すようにウェーハＷのＯＦ中心部分２８でのみ接触することになり、この部分にウェーハの自重によるせん断応力以上の強い応力が集中し、スリップが発生する。
【００１１】
本発明はこれらの問題に鑑みなされたものであり、ＯＦ付きウェーハを載置支持するウェーハ支持体であって、ＲＴＰ装置による熱処理を行っても該ウェーハのＯＦ中心部にせん断応力を超える応力が発生せず、スリップの発生が防止された構造のウェーハ支持体を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するための本発明のウェーハ支持体は、熱処理室と該熱処理室の上部に配置された加熱ランプと該熱処理室の下部に配置された温度センサーとを有する熱処理装置において、該熱処理室内で熱処理されるオリエンテーションフラット付きウェーハを支持しかつ該熱処理室内に設置される環状のウェーハ支持体であって、該ウェーハの該オリエンテーションフラット部以外のウェーハエッジ部分を支持する環状の支持棚部と、該オリエンテーションフラット部を下方から空隙を介して覆う被覆棚部と、を備えたことを特徴とする。このような構造のウェーハ支持体上にＯＦ付きウェーハを載置すれば、急速加熱によってウェーハが下向きの御椀状に反ることによりＯＦ部分が下向きの凹状に反っても、ウェーハのＯＦ部とウェーハ支持体の被覆棚部の間には空隙が存在するので、たとえ該ウェーハのＯＦ部分が該被覆棚部と接触しても、接触によって発生する応力は弱くなり、該ウェーハのＯＦ中心部にはせん断応力を超える応力が発生しなくなる。
【００１３】
また、前記被覆棚部は、支持棚部の内周面から内方に延出し、支持棚部の内周面と交わるオリエンテーションフラット部の長さより長い弦と、該弦によって分割された該支持棚部の内周面のうち短い円弧とによって囲まれた劣弓形形状に形成されるのが好適である。さらに、前記被覆棚部と前記オリエンテーションフラット部の間の空隙を形成する支持棚部の表面と被覆棚部の表面の段差Ｌは１０μｍ以上１０ｍｍ以下であることが好ましい。被覆棚部を上記のような形状とし、支持棚部の表面と被覆棚部の表面の段差Ｌを１０μｍ以上１０ｍｍ以下とすることにより、ウェーハのオリエンテーションフラット部を被覆棚部で下方から空隙を介して覆うことができる。
【００１４】
前記被覆棚部は、内方へ向かうにつれて下方に傾斜する形状をしていることが望ましい。このように、前記被覆棚部に内方へ向かって下方に傾斜する形状とすれば、ウェーハのオリエンテーションフラット部を被覆棚部で下から空隙を介して覆うことができる。また、前記被覆棚部と前記オリエンテーションフラット部の間の空隙は１０μｍ以上１０ｍｍ以下であることが好ましい。
【００１５】
前記被覆棚部の端部がウェーハのオリエンテーションフラット部からウェーハ中心方向に向かって１ｍｍ以上１０ｍｍ以内の範囲に位置するようにすれば、加熱ランプの光がウェーハ第２主表面側に設置した温度センサーに入りこんで有害なノイズになることがないという有利さがある。
【００１６】
また、前記ウェーハ支持体が、環状のウェーハ支持体本体と、該ウェーハ支持体本体から内方に延出する環状の支持棚部と、該支持棚部から内方に延出する劣弓形形状の被覆棚部とを有し、該ウェーハ支持体本体、支持棚部及び被覆棚部の厚さはそれぞれ５ｍｍ以下であることが特に望ましい。
【００１７】
このように、ウェーハ支持体を構成するウェーハ支持体本体、支持棚部、被覆棚部の厚さをそれぞれ５ｍｍ以下にすれば熱容量が小さくなるため、急速加熱処理を行ってもウェーハＷと接触する部分の温度変化がウェーハＷの温度変化に十分に追随できるので、ウェーハの接触部分からのスリップ発生を防ぐことができる。
【００１８】
さらに、支持棚部の幅は１ｍｍ以上５ｍｍ以内であることが好ましい。支持棚部の幅が１ｍｍ以上５ｍｍ以内より好ましくは３ｍｍ以内であれば、同じく熱容量が小さいため、急速加熱処理を行ってもウェーハＷと接触する部分の温度変化がウェーハＷの温度変化に十分に追随できるので、ウェーハＷの接触部分からのスリップ発生を同様に防ぐことができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施の形態を添付図面中図１〜図８に基づいて説明するが、図示例は例示的に示されるもので、本発明の技術思想から逸脱しない限り種々の変形が可能なことはいうまでもない。
【００２０】
図１は本発明のウェーハ支持体を搭載したＲＴＰ処理装置の構造を示す概略説明図である。ＲＴＰ装置１００はハウジング１０７を有しており、該ハウジング１０７内には石英チューブからなる熱処理室１０４が設けられている。該熱処理室１０４の上部に加熱用ハロゲンランプ１０３が配置されている。ハロゲンランプ１０３は棒状のランプを複数本並列配置してもよいし、バブル状ランプをウェーハＷの中心から同心円状に配置してもよい。熱処理室１０４にはウェーハＷを投入するためのウェーハ投入口１０５と、置換ガスやプロセスガスのガス導入口１０６が設けられており、それらと反対側の端には導入したガスを排気するためのガス排出口１０８が設けられている。この熱処理室１０４にはウェーハ支持体３０を保持するためのサポートリング１０１が設置されている。
【００２１】
ウェーハＷはウェーハ支持体３０により支持される。ハウジング１０７の間隙１１２には赤外線センサー１１１が配置されており、赤外線センサー１１１で検出した温度信号が制御用コントローラー１０９に送られて、規定の昇温速度、降温速度、保持温度になるようにランプ加熱源１１０の出力を制御できるようになっている。サポートリング１０１とウェーハ支持体３０は加熱ランプから放射される光に対して不透明、かつ、汚染の無い材料を用いるとよく、通常はカーボンを炭化ケイ素でコーティングした材料を用いるとよい。
【００２２】
図２は本発明のウェーハ支持体の一つの実施の形態を示す概略上面説明図である。図３は図２のウェーハ支持体の要部を示す断面斜視説明図で、（ａ）はウェーハを除いた状態、（ｂ）はウェーハを載置した状態を示す。図４は図２のウェーハ支持体にウェーハを載置した状態を示す上面説明図である。図５は図４のV−V線断面図である。
【００２３】
ウェーハ支持体３０は、断面が下向きのコの字をした環状のウェーハ支持体本体３２と、該ウェーハ支持体本体３２から内方に延出した同じく環状で、ＯＦ付きウェーハＷのＯＦ以外のウェーハエッジ部分ＷＥを載置する支持棚部３４と、該支持棚部３４から段差Ｌで内方に延出し、ＯＦ部を下方から空隙３８を介して覆う被覆棚部３６からなる。
【００２４】
この被覆棚部３６は、支持棚部３４の内周部から内方に延出し、支持棚部３４の内周面と交わるＯＦ部の長さよりも長い弦３６ａと、該弦３６ａによって分割された該支持棚部３４の内周面のうち短い円弧３６ｂとによって囲まれた劣弓形形状に形成されている。換言すれば、図２〜図５に示されるように、該弦３６ａは被覆棚部３６の端部３６ａに一致し、円弧３６ｂは支持棚部３４の内周面の一部となる。
【００２５】
支持棚部３４の幅は１ｍｍ以上で５ｍｍ以内、より望ましくは３ｍｍ以内である。支持棚部３４の幅が５ｍｍを超えるとウェーハ支持体３０の熱容量が大きくなり、急速加熱中にウェーハＷと接触する支持棚部３４の温度がウェーハＷの温度変化に追随できなくなる。
【００２６】
そのため、ウェーハＷの外周部の温度が低くなって面内の温度分布が不均一となり、支持棚部３４と接触するウェーハＷの外周部からスリップが発生する。また、支持棚部３４の幅が１ｍｍ以下であると、ウェーハＷをロボットで搬送して支持棚部３４上に積載する際の搬送の余裕が極端に小さくなるので、搬送スピードを小さくして搬送精度を上げる必要が出てくる。
【００２７】
また、ウェーハ支持体３０の厚さは５ｍｍ以下、より好ましくは１ｍｍ以下が望ましい。厚さが５ｍｍを超えると、ウェーハ支持体３０の熱容量が大きくなり、急速加熱中にウェーハＷと接触する支持棚部３４の温度がウェーハＷの温度変化に追随できなくなる。そのため、前述の場合と同様にウェーハ面内の温度分布が不均一となり、支持棚部３４と接触するウェーハＷの外周部からスリップが発生する。
【００２８】
被覆棚部３６の端部３６ａは、ウェーハＷのＯＦ部からウェーハ中心方向に向かって１ｍｍ以上１０ｍｍ以内の範囲にあることが好ましい。このようにすれば、ウェーハのＯＦ部は下方から空隙３８を介して覆われるので、加熱ランプの光がウェーハ第２主表面側に設置した温度センサーに入りこんで有害なノイズになることはない。また、支持棚部３４と被覆棚部３６の段差Ｌは１０μｍ以上１０ｍｍ以内とすることが好ましい。ＯＦ付きウェーハＷとウェーハ支持体３０の支持棚部３４は、ＯＦ部以外のウェーハ外周部全体で接触する。一方、ＯＦ部はウェーハ支持体３０の被覆棚部３６と段差Ｌによる空隙３８を介して対向しているため、加熱中に反りが発生してもウェーハ支持体３０の被覆棚部３６と非接触となるか、あるいは従来よりも弱い接触となり、応力が分散される。この結果、発生する応力がせん断応力以下に押さえられるため、スリップの発生が防止できる。
【００２９】
なお、本発明のウェーハ支持体３０は、ＯＦ付きウェーハのみならずノッチ付きウェーハも処理することが可能であるため、従来のウェーハ支持体のように、ＯＦ付きウェーハを処理する際とノッチ付きウェーハを処理する際のウェーハ支持体の交換が不要となり、生産性の面でも有利となる。
【００３０】
図６は本発明におけるウェーハ支持体の別の実施形態を示す概略上面説明図である。図７は図６に示したウェーハ支持体の要部を示す断面斜視説明図で、（ａ）はウェーハを除いた状態、（ｂ）はウェーハを載置した状態を示す。ウェーハ支持体４０のウェーハ支持体本体４２と支持棚部４４は、図２〜図５に示したウェーハ支持体３０と同一構造である。一方、被覆棚部４６は内方に向かうにつれて下方に傾斜する形状をしており、その端部４６ａはウェーハＷのＯＦ部からウェーハ中心方向に向かって１ｍｍ以上１０ｍｍ以内の範囲にあることが好ましい。このようにすれば、ウェーハＷのＯＦ部は下から覆われるので、加熱ランプの光がウェーハ裏面側に設置した温度センサーに入りこんで有害なノイズになることはない。なお、該被覆棚部４６は図２〜図５の場合と同様に上面から見て劣弓形形状をなしており、図６及び図７に示されるように、劣弓形形状の弦４６ａは被覆棚部４６の端部４６ａと一致し、また円弧４６ｂは支持棚部の内周の一部となる。
【００３１】
図８は図６のVIII−VIII線断面図で、被覆棚部４６のＯＦに対応する部位における断面状態を示す。この被覆棚部４６は内方に向かうにつれて下方に傾斜する形状であるため、支持棚部４４と接触している被覆棚部４６の高さは、支持棚部４４と同一であるが、内方に向かうにつれ下方へ傾斜しており、ＯＦ部の中心部に対応する部位ではウェーハＷと被覆棚部４６の間に空隙４８が形成される。被覆棚部４６をこのような形状にすれば、ウェーハＷと被覆棚部４６の間に形成される空隙４８はＯＦ中心で最も大きくなる。そのため、加熱中のウェーハＷに反りが発生し、ＯＦの中心部が窪んだ凹型に変形しても、空隙４８が１０μｍ以上１０ｍｍ以下の範囲で形成されれば、ウェーハＷと被覆棚部４６は接触しないか、従来よりも弱く接触する。この結果、従来よりもＯＦ中心部に発生する応力は分散され、スリップの発生が防止できる。
【００３２】
【実施例】
以下に実施例をあげて本発明をさらに具体的に説明するが、これらの実施例は例示的に示されるもので限定的に解釈されるべきでないことはいうまでもない。
【００３３】
（実施例１）
６インチｎ型ＯＦ付きウェーハを５０枚準備し、ＲＴＰ処理装置へ投入する前に反りを測定したところ、１５〜２０μｍであった。このうち２５枚を、図２〜図５に示したような本発明のウェーハ支持体を取り付けたＲＴＰ処理装置に１枚ずつ投入し熱処理を行った。ウェーハは、室温で装置に投入され、６０℃／秒で１２００℃まで昇温、１２００℃で３０秒間保持、６０℃／秒で室温まで降温された後、装置外へ取り出された。これら２５枚のウェーハをＸ線トポグラフィ装置で観察したところ、スリップの発生は０枚であった。
【００３４】
（比較例１）
残り２５枚のウェーハを、図１３〜図１５に示したような従来のウェーハ支持体を取り付けたＲＴＰ処理装置に１枚ずつ投入し実施例と同じ条件の熱処理を行った。その後、２５枚のウェーハをＸ線トポグラフィ装置で観察したところ、スリップの発生は１４枚であった。上記した実施例１及び比較例１から明らかなごとく、ＲＴＰ装置による熱処理の際に従来のウェーハ支持体を用いるとスリップが発生していたウェーハであっても、本発明のウェーハ支持体を用いることによってスリップの発生を皆無とすることができることが確認された。
【００３５】
【発明の効果】
以上述べたごとく、本発明によれば、ＯＦ付きウェーハを加熱するＲＴＰ処理装置において、ウェーハのＯＦ部以外のウェーハ外周部を支持する支持棚部と、空隙を介して下からＯＦ部を覆う被覆棚部とを備えたウェーハ支持体を用いることにより、熱処理中に発生するＯＦ部とウェーハ支持体との接触を緩和して、該接触に起因したスリップを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明のウェーハ支持体を搭載したＲＴＰ装置の構造を示す概略説明図である。
【図２】 本発明のウェーハ支持体の一つの実施の形態を示す概略上面説明図である。
【図３】 図２に示したウェーハ支持体の要部を示す断面斜視説明図で、（ａ）はウェーハを除いた状態、（ｂ）はウェーハを載置した状態を示す。
【図４】 図２に示したウェーハ支持体にウェーハを載置した状態を示す上面説明図である。
【図５】 図４のV−V線断面図である。
【図６】 本発明のウェーハ支持体の別の実施の形態を示す概略上面説明図である。
【図７】 図６に示したウェーハ支持体の要部を示す断面斜視説明図で、（ａ）はウェーハを除いた状態、（ｂ）はウェーハを載置した状態を示す。
【図８】 図６のVIII−VIII線断面図である。
【図９】 従来のウェーハ支持体の一つの構造例におけるウェーハ支持状態を示す要部の断面斜視説明図である。
【図１０】 図９のウェーハ支持体の全体構造を示す概略上面説明図である。
【図１１】 図１０のXI−XI線断面図である。
【図１２】 図１１のウェーハ支持状態における熱処理時のウェーハの反りの状態を示す断面説明図である。
【図１３】 従来のウェーハ支持体の他の構造例を示す概略上面説明図である。
【図１４】 図１３に示したウェーハ支持体にウェーハを載置した状態を示す上面説明図である。
【図１５】 図１４のXV−XV線断面図である。
【図１６】 図１４のウェーハ支持状態における熱処理時のウェーハの反りの状態を図１４のXVI−XVI線によって断面し拡大して示す断面説明図である。
【符号の説明】
１０，２０：従来のウェーハ支持体、１２，２２：従来のウェーハ支持体本体、１４，２４：従来の支持棚部、２４ａ：エッジ支持部、２４ｂ：ＯＦ支持部、２８：ＯＦ中心部分、３０，４０：本発明のウェーハ支持体、３２，４２：ウェーハ支持体本体、３４，４４：支持棚部、３６，４６：被覆棚部、３６ａ，４６ａ：弦又は端部、３８，４８：空隙、１００：ＲＴＰ装置、１０１：サポートリング、１０３：ハロゲンランプ、１０４：熱処理室、１０５：ウェーハ投入口、１０６：ガス導入口、１０７：ハウジング、１０８：ガス排出口、１０９：制御用コントローラー、１１０：ランプ加熱源、１１１：赤外線センサー、１１２：間隙、Ｌ：段差、ＯＦ：ウエーハオリエンテーションフラット部、Ｗ：ウェーハ、ＷＥ：ウェーハエッジ部分、ＷＮ：ウェーハノッチ部。
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体処理装置内に設置され、ウェーハ、例えばシリコンウェーハ等の半導体ウェーハを支持するウェーハ支持体に関し、特にオリエンテーションフラット付きウェーハのオリエンテーションフラット部を効果的に保持することができるようにしたウェーハ支持体に関する。
【０００２】
【関連技術】
半導体デバイスの材料となるシリコンウェーハ（以下、単にウェーハということもある）は、主にチョクラルスキー法（Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ：以下ＣＺ法という）で育成されたシリコン単結晶を円板状に加工し、主表面を研磨することにより得られる。このようなウェーハには通常７〜１０×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3程度（ＪＥＩＤＡ）の酸素が過飽和状態で含まれているため、デバイスプロセスの熱処理中に酸素析出物として析出する。この酸素析出物は、ウェーハ表面に形成されるデバイス活性領域に析出すると、接合リークの低下等デバイス特性に悪影響を及ぼすが、他方、デバイス活性領域以外のバルク中に析出すると、デバイスプロセス中にウェーハ内部へ混入した金属元素を捕獲するゲッタリングサイトとして機能する。なお、ＪＥＩＤＡは日本電子工業振興協会（現在は、ＪＥＩＴＡ：日本電子情報技術産業協会に改称された。）の略称である。
【０００３】
近年、ウェーハの出荷段階において酸素析出物は析出していないが、デバイス活性領域が形成される表面近傍に酸素析出物の形成がない無欠陥層（Ｄｅｎｕｄｅｄ Ｚｏｎｅ：以下ＤＺ層という）を維持したまま、デバイスプロセスでの熱処理によってデバイス活性領域より深いバルク位置に酸素析出物を析出させてゲッタリング能力を付与するというウェーハの製造方法が提案されている（例えば、特許文献１）。
【０００４】
この方法はウェーハを窒素、アンモニア、アルゴンガス等、あるいはこれらの混合ガス雰囲気中で、例えば、５０℃／ｓｅｃといった昇温速度で室温付近より急速昇温し、１２００℃前後の温度で数十秒程度加熱保持した後、例えば、５０℃／ｓｅｃといった降温速度で急速に冷却することを特徴としている。このような急速昇温、急速降温処理を行う急速熱プロセス（Ｒａｐｉｄ ＴｈｅｒｍａｌＰｒｏｃｅｓｓ、以下ＲＴＰという）装置の加熱源としてはハロゲンランプが広く用いられている。このようなＲＴＰ装置の中にはウェーハＷの外周部だけを支持する環状ウェーハ支持体１０（図９）を備えているものがあり、これによってウェーハＷは水平に保持される。
【０００５】
この環状ウェーハ支持体１０の一つの構造例を図９〜図１２を用いて以下に説明する。図９〜図１２に示すように、ウェーハ支持体１０は断面が下向きのコの字をした環状のウェーハ支持体本体１２と、該ウェーハ支持体本体１２から内方に延出した同じく環状の支持棚部１４からなる。一般に、８インチ以上のウェーハには結晶方位を指定するオリエーテーションノッチ（以下ノッチという）が形成されており、支持棚部１４上にウェーハＷのノッチ部ＷＮが完全に載置支持されるよう支持棚部１４の幅が設計されている。そのため、ウェーハＷの第一主表面と第２主表面はウェーハ支持体１０により光学的にほぼ完全に分離されている。
【０００６】
通常、ウェーハＷは第１主表面から所定の距離に配置される、例えば、ハロゲンランプ（図示せず）によって第１主表面側が加熱される。一方、ウェーハＷの温度は第２主表面から所定の距離に配置される赤外線センサー（図示せず）により第２主表面側から計測される。ウェーハの温度制御は、この赤外線センサーで計測した温度データに基づきハロゲンランプにフィードバックをかけて制御する。赤外線センサーで温度計測する際に、第１主表面側の加熱ランプからの光が第２主表面側に位置するセンサーに入るとノイズの原因になるため、支持棚部１４上にノッチ部ＷＮが完全に載置支持され、ウェーハＷとウェーハ支持体１０の間に光が透過するような隙間を発生させないことが重要である。なお、第１主表面と第２主表面は被処理ウェーハＷの表面と裏面の関係であるが、表面、裏面のいずれかを第１主表面とすれば第２主表面は第１主表面と反対の側の面を意味する。
【０００７】
ＲＴＡ装置内において、ノッチ付きウェーハＷがウェーハ支持体１０に載置支持された状態で、例えば、１２００℃という高温に加熱されると、ノッチ付きウェーハＷはウェーハの自重と加熱の作用によりウェーハＷの中心部が下がり御椀状の形状へと変化する（図１２）。ウェーハＷには御椀形状のソリが発生するが、同心円状に点対称に反るため、結果としてウェーハ支持体１０の支持棚部１４の最内周部全体と均一に接触する。このため、ウェーハＷの自重が均一にウェーハ支持体に分散され、応力が臨界のせん断応力を超えることがなく、スリップ転位が発生しない。
【０００８】
一方、６インチ以下のウェーハには結晶方位を指定するオリエンテーションフラット（以下ＯＦということがある）が主に形成されている。このＯＦ付ウェーハを支持するウェーハ支持体は、図９〜図１２に示したウェーハ支持体とは異なる構造を有しており、図１３〜図１５を用いて以下に説明する。図１３〜図１５に示すように、このＯＦ付きウェーハＷを支持するウェーハ支持体２０は断面が下向きのコの字をした環状のウェーハ支持体本体２２と、該ウェーハ支持体本体２２から内方に延出した同じく環状でＯＦ付きウェーハＷを載置支持する支持棚部２４とを有している。そして、この支持棚部２４はＯＦ付きウェーハＷのＯＦ以外のウェーハエッジ部分を支持するエッジ支持部２４ａ、及びＯＦ部を支持する直線形状のＯＦ支持部２４ｂからなる。このエッジ支持部２４ａとＯＦ支持部２４ｂは同一平面上にあり、ＯＦ付きウェーハはエッジ全体でウェーハ支持体２０と接触することになるので、前述したようにＯＦ付きウェーハＷの第１主表面と第２主表面はウェーハ支持体２０により光学的にほぼ完全に分離されるので、加熱ランプからの光がセンサーに入らない構造となる。
【０００９】
【特許文献１】
特表２００１−５０３００９号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
ＲＴＡ装置内において、ＯＦ付きウェーハＷがウェーハ支持体２０に支持された状態で、例えば、１２００℃という高温に加熱されるとＯＦ付きウェーハＷはウェーハの自重と加熱の作用によりウェーハＷの中心部が下がり御椀状の形状へと変化する。しかしながら、ＯＦ付きウェーハＷは円形のウェーハの一部分が直線的な形状をしているという特異性から、ＯＦ部分はソリが発生する前、すなわち加熱前は直線形状であるが、ソリが発生した後、すなわち加熱中の形状は直線部の中心付近が窪んだ凹型形状になる。他方、ウェーハを支持するウェーハ支持体２０の加熱によるソリは、ウェーハのソリに比べて無視できる程度であり、加熱前の形状と同一であるといえるため、加熱中のウェーハＷのＯＦ部とウェーハ支持体２０の接触は、図１６に示すようにウェーハＷのＯＦ中心部分２８でのみ接触することになり、この部分にウェーハの自重によるせん断応力以上の強い応力が集中し、スリップが発生する。
【００１１】
本発明はこれらの問題に鑑みなされたものであり、ＯＦ付きウェーハを載置支持するウェーハ支持体であって、ＲＴＰ装置による熱処理を行っても該ウェーハのＯＦ中心部にせん断応力を超える応力が発生せず、スリップの発生が防止された構造のウェーハ支持体を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するための本発明のウェーハ支持体は、熱処理室と該熱処理室の上部に配置された加熱ランプと該熱処理室の下部に配置された温度センサーとを有する熱処理装置において、該熱処理室内で熱処理されるオリエンテーションフラット付きウェーハを支持しかつ該熱処理室内に設置される環状のウェーハ支持体であって、該ウェーハの該オリエンテーションフラット部以外のウェーハエッジ部分を支持する環状の支持棚部と、該オリエンテーションフラット部を下方から空隙を介して覆う被覆棚部と、を備えたことを特徴とする。このような構造のウェーハ支持体上にＯＦ付きウェーハを載置すれば、急速加熱によってウェーハが下向きの御椀状に反ることによりＯＦ部分が下向きの凹状に反っても、ウェーハのＯＦ部とウェーハ支持体の被覆棚部の間には空隙が存在するので、たとえ該ウェーハのＯＦ部分が該被覆棚部と接触しても、接触によって発生する応力は弱くなり、該ウェーハのＯＦ中心部にはせん断応力を超える応力が発生しなくなる。
【００１３】
また、前記被覆棚部は、支持棚部の内周面から内方に延出し、支持棚部の内周面と交わるオリエンテーションフラット部の長さより長い弦と、該弦によって分割された該支持棚部の内周面のうち短い円弧とによって囲まれた劣弓形形状に形成されるのが好適である。さらに、前記被覆棚部と前記オリエンテーションフラット部の間の空隙を形成する支持棚部の表面と被覆棚部の表面の段差Ｌは１０μｍ以上１０ｍｍ以下であることが好ましい。被覆棚部を上記のような形状とし、支持棚部の表面と被覆棚部の表面の段差Ｌを１０μｍ以上１０ｍｍ以下とすることにより、ウェーハのオリエンテーションフラット部を被覆棚部で下方から空隙を介して覆うことができる。
【００１４】
前記被覆棚部は、内方へ向かうにつれて下方に傾斜する形状をしていることが望ましい。このように、前記被覆棚部に内方へ向かって下方に傾斜する形状とすれば、ウェーハのオリエンテーションフラット部を被覆棚部で下から空隙を介して覆うことができる。また、前記被覆棚部と前記オリエンテーションフラット部の間の空隙は１０μｍ以上１０ｍｍ以下であることが好ましい。
【００１５】
前記被覆棚部の端部がウェーハのオリエンテーションフラット部からウェーハ中心方向に向かって１ｍｍ以上１０ｍｍ以内の範囲に位置するようにすれば、加熱ランプの光がウェーハ第２主表面側に設置した温度センサーに入りこんで有害なノイズになることがないという有利さがある。
【００１６】
また、前記ウェーハ支持体が、環状のウェーハ支持体本体と、該ウェーハ支持体本体から内方に延出する環状の支持棚部と、該支持棚部から内方に延出する劣弓形形状の被覆棚部とを有し、該ウェーハ支持体本体、支持棚部及び被覆棚部の厚さはそれぞれ５ｍｍ以下であることが特に望ましい。
【００１７】
このように、ウェーハ支持体を構成するウェーハ支持体本体、支持棚部、被覆棚部の厚さをそれぞれ５ｍｍ以下にすれば熱容量が小さくなるため、急速加熱処理を行ってもウェーハＷと接触する部分の温度変化がウェーハＷの温度変化に十分に追随できるので、ウェーハの接触部分からのスリップ発生を防ぐことができる。
【００１８】
さらに、支持棚部の幅は１ｍｍ以上５ｍｍ以内であることが好ましい。支持棚部の幅が１ｍｍ以上５ｍｍ以内より好ましくは３ｍｍ以内であれば、同じく熱容量が小さいため、急速加熱処理を行ってもウェーハＷと接触する部分の温度変化がウェーハＷの温度変化に十分に追随できるので、ウェーハＷの接触部分からのスリップ発生を同様に防ぐことができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施の形態を添付図面中図１〜図８に基づいて説明するが、図示例は例示的に示されるもので、本発明の技術思想から逸脱しない限り種々の変形が可能なことはいうまでもない。
【００２０】
図１は本発明のウェーハ支持体を搭載したＲＴＰ処理装置の構造を示す概略説明図である。ＲＴＰ装置１００はハウジング１０７を有しており、該ハウジング１０７内には石英チューブからなる熱処理室１０４が設けられている。該熱処理室１０４の上部に加熱用ハロゲンランプ１０３が配置されている。ハロゲンランプ１０３は棒状のランプを複数本並列配置してもよいし、バブル状ランプをウェーハＷの中心から同心円状に配置してもよい。熱処理室１０４にはウェーハＷを投入するためのウェーハ投入口１０５と、置換ガスやプロセスガスのガス導入口１０６が設けられており、それらと反対側の端には導入したガスを排気するためのガス排出口１０８が設けられている。この熱処理室１０４にはウェーハ支持体３０を保持するためのサポートリング１０１が設置されている。
【００２１】
ウェーハＷはウェーハ支持体３０により支持される。ハウジング１０７の間隙１１２には赤外線センサー１１１が配置されており、赤外線センサー１１１で検出した温度信号が制御用コントローラー１０９に送られて、規定の昇温速度、降温速度、保持温度になるようにランプ加熱源１１０の出力を制御できるようになっている。サポートリング１０１とウェーハ支持体３０は加熱ランプから放射される光に対して不透明、かつ、汚染の無い材料を用いるとよく、通常はカーボンを炭化ケイ素でコーティングした材料を用いるとよい。
【００２２】
図２は本発明のウェーハ支持体の一つの実施の形態を示す概略上面説明図である。図３は図２のウェーハ支持体の要部を示す断面斜視説明図で、（ａ）はウェーハを除いた状態、（ｂ）はウェーハを載置した状態を示す。図４は図２のウェーハ支持体にウェーハを載置した状態を示す上面説明図である。図５は図４のV−V線断面図である。
【００２３】
ウェーハ支持体３０は、断面が下向きのコの字をした環状のウェーハ支持体本体３２と、該ウェーハ支持体本体３２から内方に延出した同じく環状で、ＯＦ付きウェーハＷのＯＦ以外のウェーハエッジ部分ＷＥを載置する支持棚部３４と、該支持棚部３４から段差Ｌで内方に延出し、ＯＦ部を下方から空隙３８を介して覆う被覆棚部３６からなる。
【００２４】
この被覆棚部３６は、支持棚部３４の内周部から内方に延出し、支持棚部３４の内周面と交わるＯＦ部の長さよりも長い弦３６ａと、該弦３６ａによって分割された該支持棚部３４の内周面のうち短い円弧３６ｂとによって囲まれた劣弓形形状に形成されている。換言すれば、図２〜図５に示されるように、該弦３６ａは被覆棚部３６の端部３６ａに一致し、円弧３６ｂは支持棚部３４の内周面の一部となる。
【００２５】
支持棚部３４の幅は１ｍｍ以上で５ｍｍ以内、より望ましくは３ｍｍ以内である。支持棚部３４の幅が５ｍｍを超えるとウェーハ支持体３０の熱容量が大きくなり、急速加熱中にウェーハＷと接触する支持棚部３４の温度がウェーハＷの温度変化に追随できなくなる。
【００２６】
そのため、ウェーハＷの外周部の温度が低くなって面内の温度分布が不均一となり、支持棚部３４と接触するウェーハＷの外周部からスリップが発生する。また、支持棚部３４の幅が１ｍｍ以下であると、ウェーハＷをロボットで搬送して支持棚部３４上に積載する際の搬送の余裕が極端に小さくなるので、搬送スピードを小さくして搬送精度を上げる必要が出てくる。
【００２７】
また、ウェーハ支持体３０の厚さは５ｍｍ以下、より好ましくは１ｍｍ以下が望ましい。厚さが５ｍｍを超えると、ウェーハ支持体３０の熱容量が大きくなり、急速加熱中にウェーハＷと接触する支持棚部３４の温度がウェーハＷの温度変化に追随できなくなる。そのため、前述の場合と同様にウェーハ面内の温度分布が不均一となり、支持棚部３４と接触するウェーハＷの外周部からスリップが発生する。
【００２８】
被覆棚部３６の端部３６ａは、ウェーハＷのＯＦ部からウェーハ中心方向に向かって１ｍｍ以上１０ｍｍ以内の範囲にあることが好ましい。このようにすれば、ウェーハのＯＦ部は下方から空隙３８を介して覆われるので、加熱ランプの光がウェーハ第２主表面側に設置した温度センサーに入りこんで有害なノイズになることはない。また、支持棚部３４と被覆棚部３６の段差Ｌは１０μｍ以上１０ｍｍ以内とすることが好ましい。ＯＦ付きウェーハＷとウェーハ支持体３０の支持棚部３４は、ＯＦ部以外のウェーハ外周部全体で接触する。一方、ＯＦ部はウェーハ支持体３０の被覆棚部３６と段差Ｌによる空隙３８を介して対向しているため、加熱中に反りが発生してもウェーハ支持体３０の被覆棚部３６と非接触となるか、あるいは従来よりも弱い接触となり、応力が分散される。この結果、発生する応力がせん断応力以下に押さえられるため、スリップの発生が防止できる。
【００２９】
なお、本発明のウェーハ支持体３０は、ＯＦ付きウェーハのみならずノッチ付きウェーハも処理することが可能であるため、従来のウェーハ支持体のように、ＯＦ付きウェーハを処理する際とノッチ付きウェーハを処理する際のウェーハ支持体の交換が不要となり、生産性の面でも有利となる。
【００３０】
図６は本発明におけるウェーハ支持体の別の実施形態を示す概略上面説明図である。図７は図６に示したウェーハ支持体の要部を示す断面斜視説明図で、（ａ）はウェーハを除いた状態、（ｂ）はウェーハを載置した状態を示す。ウェーハ支持体４０のウェーハ支持体本体４２と支持棚部４４は、図２〜図５に示したウェーハ支持体３０と同一構造である。一方、被覆棚部４６は内方に向かうにつれて下方に傾斜する形状をしており、その端部４６ａはウェーハＷのＯＦ部からウェーハ中心方向に向かって１ｍｍ以上１０ｍｍ以内の範囲にあることが好ましい。このようにすれば、ウェーハＷのＯＦ部は下から覆われるので、加熱ランプの光がウェーハ裏面側に設置した温度センサーに入りこんで有害なノイズになることはない。なお、該被覆棚部４６は図２〜図５の場合と同様に上面から見て劣弓形形状をなしており、図６及び図７に示されるように、劣弓形形状の弦４６ａは被覆棚部４６の端部４６ａと一致し、また円弧４６ｂは支持棚部の内周の一部となる。
【００３１】
図８は図６のVIII−VIII線断面図で、被覆棚部４６のＯＦに対応する部位における断面状態を示す。この被覆棚部４６は内方に向かうにつれて下方に傾斜する形状であるため、支持棚部４４と接触している被覆棚部４６の高さは、支持棚部４４と同一であるが、内方に向かうにつれ下方へ傾斜しており、ＯＦ部の中心部に対応する部位ではウェーハＷと被覆棚部４６の間に空隙４８が形成される。被覆棚部４６をこのような形状にすれば、ウェーハＷと被覆棚部４６の間に形成される空隙４８はＯＦ中心で最も大きくなる。そのため、加熱中のウェーハＷに反りが発生し、ＯＦの中心部が窪んだ凹型に変形しても、空隙４８が１０μｍ以上１０ｍｍ以下の範囲で形成されれば、ウェーハＷと被覆棚部４６は接触しないか、従来よりも弱く接触する。この結果、従来よりもＯＦ中心部に発生する応力は分散され、スリップの発生が防止できる。
【００３２】
【実施例】
以下に実施例をあげて本発明をさらに具体的に説明するが、これらの実施例は例示的に示されるもので限定的に解釈されるべきでないことはいうまでもない。
【００３３】
（実施例１）
６インチｎ型ＯＦ付きウェーハを５０枚準備し、ＲＴＰ処理装置へ投入する前に反りを測定したところ、１５〜２０μｍであった。このうち２５枚を、図２〜図５に示したような本発明のウェーハ支持体を取り付けたＲＴＰ処理装置に１枚ずつ投入し熱処理を行った。ウェーハは、室温で装置に投入され、６０℃／秒で１２００℃まで昇温、１２００℃で３０秒間保持、６０℃／秒で室温まで降温された後、装置外へ取り出された。これら２５枚のウェーハをＸ線トポグラフィ装置で観察したところ、スリップの発生は０枚であった。
【００３４】
（比較例１）
残り２５枚のウェーハを、図１３〜図１５に示したような従来のウェーハ支持体を取り付けたＲＴＰ処理装置に１枚ずつ投入し実施例と同じ条件の熱処理を行った。その後、２５枚のウェーハをＸ線トポグラフィ装置で観察したところ、スリップの発生は１４枚であった。上記した実施例１及び比較例１から明らかなごとく、ＲＴＰ装置による熱処理の際に従来のウェーハ支持体を用いるとスリップが発生していたウェーハであっても、本発明のウェーハ支持体を用いることによってスリップの発生を皆無とすることができることが確認された。
【００３５】
【発明の効果】
以上述べたごとく、本発明によれば、ＯＦ付きウェーハを加熱するＲＴＰ処理装置において、ウェーハのＯＦ部以外のウェーハ外周部を支持する支持棚部と、空隙を介して下からＯＦ部を覆う被覆棚部とを備えたウェーハ支持体を用いることにより、熱処理中に発生するＯＦ部とウェーハ支持体との接触を緩和して、該接触に起因したスリップを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明のウェーハ支持体を搭載したＲＴＰ装置の構造を示す概略説明図である。
【図２】 本発明のウェーハ支持体の一つの実施の形態を示す概略上面説明図である。
【図３】 図２に示したウェーハ支持体の要部を示す断面斜視説明図で、（ａ）はウェーハを除いた状態、（ｂ）はウェーハを載置した状態を示す。
【図４】 図２に示したウェーハ支持体にウェーハを載置した状態を示す上面説明図である。
【図５】 図４のV−V線断面図である。
【図６】 本発明のウェーハ支持体の別の実施の形態を示す概略上面説明図である。
【図７】 図６に示したウェーハ支持体の要部を示す断面斜視説明図で、（ａ）はウェーハを除いた状態、（ｂ）はウェーハを載置した状態を示す。
【図８】 図６のVIII−VIII線断面図である。
【図９】 従来のウェーハ支持体の一つの構造例におけるウェーハ支持状態を示す要部の断面斜視説明図である。
【図１０】 図９のウェーハ支持体の全体構造を示す概略上面説明図である。
【図１１】 図１０のXI−XI線断面図である。
【図１２】 図１１のウェーハ支持状態における熱処理時のウェーハの反りの状態を示す断面説明図である。
【図１３】 従来のウェーハ支持体の他の構造例を示す概略上面説明図である。
【図１４】 図１３に示したウェーハ支持体にウェーハを載置した状態を示す上面説明図である。
【図１５】 図１４のXV−XV線断面図である。
【図１６】 図１４のウェーハ支持状態における熱処理時のウェーハの反りの状態を図１４のXVI−XVI線によって断面し拡大して示す断面説明図である。
【符号の説明】
１０，２０：従来のウェーハ支持体、１２，２２：従来のウェーハ支持体本体、１４，２４：従来の支持棚部、２４ａ：エッジ支持部、２４ｂ：ＯＦ支持部、２８：ＯＦ中心部分、３０，４０：本発明のウェーハ支持体、３２，４２：ウェーハ支持体本体、３４，４４：支持棚部、３６，４６：被覆棚部、３６ａ，４６ａ：弦又は端部、３８，４８：空隙、１００：ＲＴＰ装置、１０１：サポートリング、１０３：ハロゲンランプ、１０４：熱処理室、１０５：ウェーハ投入口、１０６：ガス導入口、１０７：ハウジング、１０８：ガス排出口、１０９：制御用コントローラー、１１０：ランプ加熱源、１１１：赤外線センサー、１１２：間隙、Ｌ：段差、ＯＦ：ウエーハオリエンテーションフラット部、Ｗ：ウェーハ、ＷＥ：ウェーハエッジ部分、ＷＮ：ウェーハノッチ部。
Claims (8)
- 熱処理室と該熱処理室の上部に配置された加熱ランプと該熱処理室の下部に配置された温度センサーとを有する熱処理装置において、該熱処理室内で熱処理されるオリエンテーションフラット付きウェーハを支持しかつ該熱処理室内に設置される環状のウェーハ支持体であって、該ウェーハの該オリエンテーションフラット部以外のウェーハエッジ部分を支持する環状の支持棚部と、該オリエンテーションフラット部を下方から空隙を介して覆う被覆棚部と、を備えたことを特徴とするウェーハ支持体。
- 前記被覆棚部は、前記支持棚部の内周面から内方に延出し、該支持棚部の内周面と交わるオリエンテーションフラット部の長さより長い弦と、該弦によって分割された該支持棚部の内周面のうち短い円弧とによって囲まれた劣弓形形状に形成されることを特徴とする請求項１に記載のウェーハ支持体。
- 前記被覆棚部と前記オリエンテーションフラット部の間の空隙を形成する前記支持棚部の表面と前記被覆棚部の表面の段差Ｌは１０μｍ以上１０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載のウェーハ支持体。
- 前記被覆棚部は、内方へ向かうにつれて下方に傾斜する形状であることを特徴とする請求項２に記載のウェーハ支持体。
- 前記被覆棚部と前記オリエンテーションフラット部の間の空隙は１０μｍ以上１０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項４に記載のウェーハ支持体。
- 前記ウェーハ支持体が、環状のウェーハ支持体本体と、該ウェーハ支持体本体から内方に延出する環状の支持棚部と、該支持棚部から内方に延出する劣弓形形状の被覆棚部とを有し、該ウェーハ支持体本体、支持棚部及び被覆棚部の厚さはそれぞれ５ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のウェーハ支持体。
- 前記支持棚部の幅が１ｍｍ以上５ｍｍ以内であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載のウェーハ支持体。
- 前記被覆棚部の端部が前記オリエンテーションフラット部からウェーハ中心方向に向かって１ｍｍ以上１０ｍｍ以内の範囲にあることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項記載のウェーハ支持体。
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