JP2007051335A - Cvd装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】ウェハエッジ部の成膜制御性を高めたCVD装置を提供する。
【解決手段】CVD装置は、チャンバー21を備えている。チャンバー21内には、半導体基板22を設置するためのヒータブロック付きウェハステージ24と、半導体基板22の側方から原料ガスを供給するガス導入口23と、原料ガスをチャンバー21の外部に排出する排出口25とがそれぞれ設けられている。ウェハステージ24の寸法は半導体基板22よりも小さくなっている。
【選択図】図1

Description

本発明は、化学的気相成長(以下、CVDと記す)法を用いて成膜を行うCVD装置に関するものである。
半導体装置の製造に用いられる成膜方法の一つとして、CVD法が知られている。
図5(a)は、一般的なCVD装置を示す断面図であり、図5(b)は、(a)に示すCVD装置により形成されたCVD膜を有する半導体基板を示す断面図である。
図5(a)に示すように、一般的なCVD装置は、チャンバー111を備えている。チャンバー111内には、半導体基板112を設置するためのヒータブロック付きウェハステージ114と、半導体基板112の膜成長面の上方に設けられ、原料ガスを吐出するガス導入口113と、原料ガスをチャンバー111の外部に排出する排出口115とがそれぞれ設けられている。このようなCVD装置は、例えば特許文献1に開示されている。
従来のCVD装置では、原料ガスがガス導入口113から半導体基板112の上面(膜成長面)に向かって供給される。また、ヒータブロックが内部に埋め込まれたウェハステージ114の寸法は半導体基板112よりも大きい。膜成長面への原料ガスの供給量を均一にするとともに、成膜温度を均一にすることにより、均一な厚みのCVD膜110を形成することが可能となる。
特開2003−253446号公報
しかしながら、上記従来の構造を持つCVD装置を用いて成膜を行った場合、図5(b)に示すように、形成されたCVD膜110のうち、半導体基板112のウェハエッジ部(周辺部)上に形成された部分の膜厚とチップ形成領域(半導体基板112におけるウェハエッジ部を除く領域)上に形成された部分の膜厚とは異なる。また、ウェハエッジ部の成膜状態はチップ形成領域ほど制御されておらず、特にウェハエッジの裏面上に形成されたCVD膜の膜厚ならびに成膜領域の再現性は乏しい。
ウェハエッジ部での成膜再現性が乏しい原因の一つとして、ウェハエッジ部における成膜が、従来型のCVD装置では制御されていないことが挙げられる。成膜ガスを半導体基板の上方から供給する従来のCVD装置では、チップ形成領域とウェハエッジ部とで成膜ガスの供給量が異なる。
半導体素子の微細化の進行に伴い、配線層の多層化も進められている。電界効果型トランジスタを用いた大規模集積回路では、最小加工寸法が90nmの世代では6〜10層程度の配線層が、65nmの世代では8〜12層程度の配線層が用いられる。このような多層配線構造を採用する場合、ウェハエッジ部での成膜状態が不安定であると、ウェハエッジ部からの膜剥がれが発生し、歩留まり低下の要因となる。従って、配線層の多層化を進めるに当たっては、ウェハエッジ部の成膜制御性を高めることも重要であると言える。
本発明の目的は、ウェハエッジ部の成膜制御性を高めたCVD装置を提供することにある。
前記目的を達成するため、本発明に係る第1のCVD装置は、基板上に膜を成長させるためのチャンバーと、前記チャンバー内に設けられ、ヒータを有し、上面上に前記基板を設置するためのウェハステージと、前記チャンバー内に原料ガスを供給する第1のガス導入口と、前記原料ガスを前記チャンバーの外部に排出する排出口とを備え、前記ウェハステージの平面寸法は、前記基板の平面寸法よりも小さい。
この構成により、回路形成面のチップ形成領域上からウェハエッジ部の裏面上まで薄膜を形成することが可能となる。このため、本発明のCVD装置を用いることにより、ウェハエッジ部付近からの膜剥がれを低減させることができる。
前記第1のガス導入口が、前記基板を設置するための領域の側方に設けられていることにより、ウェハエッジ部の露出面上に回路形成面と同様の厚みの膜を形成することができる。
また、基板の上方にガス導入口がさらに設けられていれば、回路形成面上に形成される膜の膜質を向上させることができ、好ましい。
本発明の第2のCVD装置は、基板上に膜を成長させるためのチャンバーと、前記チャンバー内に設けられ、ヒータと前記基板を支持する少なくとも3本の昇降可能なリフトピンとを有し、上面上に前記基板を設置するためのウェハステージと、前記チャンバー内に原料ガスを供給する第1のガス導入口と、前記原料ガスを前記チャンバーの外部に排出する排出口とを備えている。
この構成により、基板の加熱時にはウェハステージ上で基板を加熱し、成膜時にはリフトピンで基板を上に上げることで、基板のウェハエッジ部の表面にも均一な膜厚の膜を形成することが可能となる。さらに、基板の裏面の広い領域上に膜を形成することが可能となる。
本発明のCVD装置によれば、ウェハエッジ部において成膜制御性を高めたCVD法を実現できる。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
(第1の実施形態)
図1(a)は、本発明の第1の実施形態に係る熱CVD装置を示す断面図であり、図1(b)は、(a)に示す熱CVD装置によって形成されたCVD膜を有する半導体基板を示す断面図である。また、図1(c)は、本実施形態の変形例に係る熱CVD装置を示す断面図である。
図1(a)に示すように、本実施形態の熱CVD装置は、チャンバー21を備えている。チャンバー21内には、半導体基板22を設置するためのヒータブロック付きウェハステージ24と、半導体基板22の側方から原料ガスを供給するガス導入口23と、原料ガスをチャンバー21の外部に排出する排出口25とがそれぞれ設けられている。
本実施形態の熱CVD装置においては、ウェハステージ24の寸法は半導体基板22よりも小さくなっており、半導体基板22は、そのエッジ部全体がウェハステージ24からはみ出すように設置される。そして、例えばシリコン酸化膜からなるCVD膜20を半導体基板22上に形成する場合には、原料ガスとしてシランガスと酸素ガスの混合ガスを用い、減圧雰囲気下で成膜を行う。ウェハステージ24上に設置された半導体基板22は、ヒータによってCVD膜の成長温度に達するまで加熱される。そして、原料ガス等のガスがガス導入口23から供給されることにより、半導体基板22の上面およびウェハエッジ部上にCVD膜20が形成される。
図1(b)に示すように、本実施形態の熱CVD装置によれば、半導体基板22における回路形成面のチップ形成領域上からウェハエッジ部の裏面上までほぼ均一な厚さのCVD膜20が形成される。これは、ウェハステージ24から半導体基板22のウェハエッジ部がはみ出た状態で成膜されるためである。また、原料ガスが半導体基板22の側方から供給されていることにより、ウェハエッジ部に原料ガスが行き渡るので、ウェハエッジ部に形成される膜の厚さをより厚くすることができる。このように、本実施形態の熱CVD装置を用いることにより、半導体基板のウェハエッジ部への成膜制御性を高めることができる。このため、本実施形態の熱CVD装置を用いれば、配線形成工程後にウェハエッジ部からの膜剥がれを生じにくくすることができる。
なお、本実施形態では、熱CVD法を用いてシリコン酸化膜を堆積させる例について述べたが、本実施形態の熱CVD装置と同様の構造を有するプラズマCVD装置であっても膜剥がれの発生を抑えることができる。また、形成されるCVD膜もシリコン酸化膜に限らずシリコン窒化膜等の他の膜であってもよい。
なお、図1(a)では、ガス導入口23が半導体基板22の側方のみに設けられた例を示したが、図1(c)に示すように、半導体基板22の上方から回路形成面に向かって原料ガスを供給する第2のガス導入口13がさらに設けられていてもよい。これにより、さらに効率良く均一な厚さのCVD膜を形成することができる。
(第2の実施形態)
図2(a)は、本発明の第2の実施形態に係る熱CVD装置を示す断面図であり、図2(b)は、(a)に示す熱CVD装置によって形成されたCVD膜を有する半導体基板を示す断面図である。本実施形態の熱CVD装置は、ウェハステージの形状が第1の実施形態のCVD装置と異なっている。
図2(a)に示すように、本実施形態の熱CVD装置は、チャンバー31を備えている。チャンバー31内には、半導体基板32を設置するためのヒータブロック付きウェハステージ34と、半導体基板32の側方から原料ガスを供給するガス導入口33と、原料ガスをチャンバー31の外部に排出する排出口35とがそれぞれ設けられている。
本実施形態の熱CVD装置においては、ウェハステージ34の寸法は半導体基板32よりも小さくなっており、半導体基板32は、そのエッジ部全体がウェハステージ34からはみ出すように設置される。また、ウェハステージ34の上面は、チャンバー31内の原料ガスが半導体基板32の裏面に回り込むことができるように格子状あるいは線状の溝を有している。ただし、この溝の底部および側面(端部を除く)はウェハステージ34の内部に通じる開口を持たない。
本実施形態の熱CVD装置において、例えばシリコン酸化膜からなるCVD膜30を半導体基板32上に形成する場合には、原料ガスとしてシランガスと酸素ガスの混合ガスを用い、減圧雰囲気下で成膜を行う。
図2(b)に示すように、本実施形態の熱CVD装置によれば、半導体基板32における回路形成面のチップ形成領域上からウェハエッジ部の裏面上までほぼ均一な厚さのCVD膜30が形成される。さらに、半導体基板32の裏面上には、ウェハステージ34上面の溝形状が反転された形状で膜が形成される。このように、ウェハステージ34の上面に溝を形成することにより、半導体基板32の裏面にもCVD膜30を形成することができるようになる。本実施形態の熱CVD装置を用いても、第1の実施形態のCVD装置と同様に、半導体基板のウェハエッジ部への成膜制御性を高めることができる。このため、配線形成工程後にウェハエッジ部からの膜剥がれを生じにくくすることができる。
なお、本実施形態では、熱CVD法を用いてシリコン酸化膜を堆積させる例について述べたが、本実施形態の熱CVD装置と同様の構造を有するプラズマCVD装置であっても膜剥がれの発生を抑えることができる。また、形成される膜もシリコン酸化膜に限らずシリコン窒化膜等の他の膜であってもよい。
また、以上では、ガス導入口33が半導体基板32の側方に配置される場合について述べたが、図1(c)と同様に半導体基板32の上方から回路形成面に向かって原料ガスを供給するガス導入口をさらに設けてもよい。これにより、さらに効率良く均一な厚さの膜を形成することができる。
(第3の実施形態)
図3(a)は、本発明の第3の実施形態に係る熱CVD装置を示す断面図であり、図3(b)は、(a)に示す熱CVD装置によって形成されたCVD膜を有する半導体基板を示す断面図である。本実施形態の熱CVD装置は、ヒータブロック付きウェハステージの形状とガス導入口の構造とが第2の実施形態に係る熱CVD装置と異なっている。
図3(a)に示すように、本実施形態の熱CVD装置は、チャンバー41を備えている。チャンバー41内には、半導体基板42を設置するためのヒータブロック付きウェハステージ44と、半導体基板42の側方から原料ガスを供給する第1のガス導入口43と、第1のガス導入口43とは独立して原料ガスの供給量を制御することが可能な第2のガス導入口46と、原料ガスをチャンバー41の外部に排出する排出口45とがそれぞれ設けられている。本実施形態の熱CVD装置においては、ウェハステージ44の寸法は半導体基板42よりも小さくなっており、半導体基板42は、そのエッジ部全体がウェハステージ44からはみ出すように設置される。また、ウェハステージ44の上面は、チャンバー41内の原料ガスが半導体基板42の裏面に回り込むことができるように格子状あるいは線状の溝を有している。この溝の底面または側面には穴などが開口している。
その上、本実施形態の熱CVD装置では、半導体基板42の設置領域の側底部に第2のガス導入口46が設けられている。第2のガス導入口46から供給された原料ガスは、ウェハステージ44の内部を通ってウェハステージ44上面の溝に形成された穴から半導体基板42の裏面に供給される。ここで、二種類以上のガスが原料ガスとして用いられる場合には、ヒータの熱でウェハステージ44内にCVD膜が形成されるのを防ぐために原料ガスを溝に供給する穴をガスごとに分けておくことが好ましい。例えば、シリコン酸化膜を形成する場合には、シランガスを供給する穴と酸素ガスを供給する穴とを分けておく。なお、成膜は減圧雰囲気下で行う。
図3(b)に示すように、本実施形態の熱CVD装置によれば、半導体基板42における回路形成面のチップ形成領域上からウェハエッジ部の裏面上までほぼ均一な厚さのCVD膜40が形成される。さらに、半導体基板42の裏面上には、ウェハステージ44上面の溝形状が反転された形状で膜が形成されている。特に、本実施形態の熱CVD装置によれば、第2のガス導入口46から半導体基板42の裏面に原料ガスが供給されるので、半導体基板42の裏面上に、上面上とほぼ同等の厚みを有する膜を形成することが可能となる。
本実施形態の熱CVD装置を用いても、第1の実施形態のCVD装置と同様に、半導体基板のウェハエッジ部への成膜制御性を高めることができる。このため、配線形成工程後にウェハエッジ部からの膜剥がれを生じにくくすることができる。さらに、半導体基板42裏面への成膜においては、ウェハエッジ部とは独立して制御が可能となるため、半導体基板42の裏面への成膜制御性も高めることができる。
なお、本実施形態ではシリコン酸化膜を堆積させる例について述べたが、本実施形態の熱CVD装置は、シリコン酸化膜に限らずシリコン窒化膜等の他の成膜に用いることができる。また、第2のガス導入口46は溝の側底部以外に設けられていてもよく、例えば溝の側方に設置されていてもよい。
また、以上では、第1のガス導入口43が半導体基板42の側方に配置される場合について述べたが、図1(c)と同様に半導体基板42の上方から回路形成面に向かって原料ガスを供給するガス導入口をさらに設けてもよい。これにより、さらに効率良く均一な厚さの膜を形成することができる。
(第4の実施形態)
図4(a)は、本発明の第4の実施形態に係る熱CVD装置を示す断面図であり、図4(b)は、(a)に示す熱CVD装置によって形成されたCVD膜を有する半導体基板を示す断面図である。本実施形態の熱CVD装置は、後述するように、基板裏面の温度制御を行いながら成膜することが可能となっている。
図4(a)に示すように、本実施形態の熱CVD装置は、チャンバー61を備えている。チャンバー61内には、半導体基板62を設置するためのヒータブロック付きウェハステージ64と、半導体基板62の側方から原料ガスを供給するガス導入口63と、原料ガスをチャンバー61の外部に排出する排出口65とがそれぞれ設けられている。
本実施形態の熱CVD装置において、ウェハステージ64は、半導体基板62を支え、昇降可能な真空チャックを有する少なくとも3本のリフトピン66を有している。なお、「真空チャック」とは、リフトピンの内部を真空状態にすることにより半導体基板62を固定する固定具のことである。さらに、リフトピン66の内部には半導体基板62の裏面の温度を検知する温度センサー67が設けられている。また、本実施形態の熱CVD装置では、ウェハステージ64の平面寸法は半導体基板62よりも大きくなっている。
本実施形態の熱CVD装置において、例えばシリコン酸化膜からなるCVD膜60を半導体基板62上に形成する場合には、原料ガスとしてシランガスと酸素ガスの混合ガスを用い、減圧雰囲気下で成膜を行う。また、ウェハ(半導体基板62)の加熱時にはリフトピン66をウェハステージ64内に収納した状態にしておき、半導体基板62をウェハステージ64と接触させておく。そして、成膜時にはリフトピン66を用いて半導体基板62をウェハステージ64上からリフトアップさせる。成膜時の基板温度は放射温度計を備えた温度センサー67でモニターし、規定の温度よりウェハ温度が低下したら原料ガスの供給を止め、ヒータを内蔵したウェハステージ64上で再度加熱する。この加熱後に再度半導体基板62をリフトアップして成膜を行う。
これにより、 図4(b)に示すように、半導体基板62における回路形成面のチップ形成領域上からウェハエッジ部の裏面上までほぼ均一な厚さのCVD膜60が形成される。さらに、半導体基板62の裏面のうちリフトピン66と接触していた領域を除く領域上にも膜が形成される。
このように、本実施形態の熱CVD装置を用いてもこれまでに説明した実施形態の熱CVD装置と同様に半導体基板のウェハエッジ部への成膜制御性を高めることができる。また、成膜中の基板温度をモニターすることができるため、温度センサー67を設けない場合に比べ、堆積膜厚や膜質制御性の向上、および処理時間の短縮を図ることができる。
このため、配線形成工程後にウェハエッジ部からの膜剥がれをより生じにくくすることができる。また、本実施形態の熱CVD装置によれば、第2、第3の実施形態の熱CVD装置に比べてウェハ裏面の広い範囲に渡って成膜することが可能となる。
なお、本実施形態では、熱CVD法を用いてシリコン酸化膜を堆積させる例について述べたが、本実施形態の熱CVD装置と同様の構造を有するプラズマCVD装置であっても膜剥がれの発生を抑えることができる。また、形成されるCVD膜もシリコン酸化膜に限らずシリコン窒化膜等の他の膜であってもよい。
また、本実施形態の熱CVD装置では、チャック機構として真空チャックが用いられたが、半導体基板のずれを防ぐ機構であれば他の機構が用いられてもよく、例えば静電気を用いたチャック機構が用いられてもよい。また、本実施形態の熱CVD装置では、温度センサーとして放射温度計が用いられたが、成膜中のウェハ温度を測定できる機構であれば他の機構が用いられてもよく、例えば、熱電対式の温度センサーが用いられていてもよい。
また、以上では、ガス導入口63が半導体基板62の側方に配置される場合について述べたが、図1(c)と同様に半導体基板62の上方から回路形成面に向かって原料ガスを供給するガス導入口をさらに設けてもよい。
また、本実施形態のCVD装置では、リフトピン66内に温度センサー67が設けられていたが、温度センサー67を設けずに基板温度が所定の温度よりも低くならないように成膜時間をあらかじめ設定するようにしてもよい。
なお、本実施形態のCVD装置では、リフトピン66は昇降可能であるが、半導体基板62の加熱をランプで行う場合には、リフトピン66を下げずに成膜を行うことが可能となる。
以上説明したように、本発明のCVD装置はウェハエッジ部からの膜剥がれが抑制された半導体ウェハの製造に利用することができる。
(a)は、本発明の第1の実施形態に係る熱CVD装置を示す断面図であり、(b)は、(a)に示す熱CVD装置によって形成されたCVD膜を有する半導体基板を示す断面図である。 (a)は、本発明の第2の実施形態に係る熱CVD装置を示す断面図であり、(b)は、(a)に示す熱CVD装置によって形成されたCVD膜を有する半導体基板を示す断面図である。 (a)は、本発明の第3の実施形態に係る熱CVD装置を示す断面図であり、(b)は、(a)に示す熱CVD装置によって形成されたCVD膜を有する半導体基板を示す断面図である。 (a)は、本発明の第4の実施形態に係る熱CVD装置を示す断面図であり、(b)は、(a)に示す熱CVD装置によって形成されたCVD膜を有する半導体基板を示す断面図である。 (a)は、一般的なCVD装置を示す断面図であり、(b)は、(a)に示すCVD装置により形成されたCVD膜を有する半導体基板を示す断面図である。
符号の説明
13、46 第2のガス導入口
20、30、40、60 CVD膜
21、31、41、61 チャンバー
22、32、42、62 半導体基板
23、33、63 ガス導入口
24、34、44、64 ウェハステージ
25、35、45、65 排出口
43 第1のガス導入口
66 リフトピン
67 温度センサー

Claims (9)

  1. 基板上に膜を成長させるためのチャンバーと、
    前記チャンバー内に設けられ、ヒータを有し、上面上に前記基板を設置するためのウェハステージと、
    前記チャンバー内に原料ガスを供給する第1のガス導入口と、
    前記原料ガスを前記チャンバーの外部に排出する排出口とを備え、
    前記ウェハステージの平面寸法は、前記基板の平面寸法よりも小さいことを特徴とするCVD装置。
  2. 前記第1のガス導入口は、前記基板を設置するための領域の側方に設けられていることを特徴とする請求項1に記載のCVD装置。
  3. 前記基板の上方から前記膜の成長面に前記原料ガスを供給する第2のガス導入口をさらに備えていることを特徴とする請求項1または2に記載のCVD装置。
  4. 前記基板を設置するための前記ウェハステージの上面に溝が形成されていることを特徴とする請求項1〜3のうちいずれか1つに記載のCVD装置。
  5. 前記溝には開口部が形成されており、
    前記ウェハステージの内部を通って前記開口部に前記原料ガスを供給する第3のガス導入口をさらに備えていることを特徴とする請求項4に記載のCVD装置。
  6. 基板上に膜を成長させるためのチャンバーと、
    前記チャンバー内に設けられ、ヒータと前記基板を支持する少なくとも3本の昇降可能なリフトピンとを有し、上面上に前記基板を設置するためのウェハステージと、
    前記チャンバー内に原料ガスを供給する第1のガス導入口と、
    前記原料ガスを前記チャンバーの外部に排出する排出口とを備えていることを特徴とするCVD装置。
  7. 前記第1のガス導入口は、前記基板を設置するための領域の側方に設けられていることを特徴とする請求項6に記載のCVD装置。
  8. 前記ウェハステージは、前記リフトピンの内部に設けられた温度センサをさらに有していることを特徴とする請求項6または7に記載のCVD装置。
  9. 前記基板の上方から前記膜の成長面に前記原料ガスを供給する第2のガス導入口をさらに備えていることを特徴とする請求項6〜8のうちいずれか1つに記載のCVD装置。
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