KR20030097861A - 열 분산 플레이트 및 에지 지지대를 구비하는 어셈블리 - Google Patents
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Abstract
기판 처리 어셈블리는 복사 열 소스 (380) 로부터 에지 지지대상의 기판 (302) 으로 복사를 통해 열 에너지를 흡수 및 전달하기 위한 에지 지지대 (320) 와 열 분산 플레이트 (340) 를 구비한다. 에지 지지대는 처리하는 동안 기판 지지 위치를 한정하여 기판의 에지에서 기판을 지지한다. 어셈블리는 에지 지지대에 거의 평행하게 위치된 제 1 열 분산 플레이트르 더 구비한다. 복수의 에지 지지대 홀딩 암 (350) 은 에지 지지대에 연결된다. 또한, 복수의 에지 지지대 홀딩 암은 제 1 열 분산 플레이트에 연결되어 에지 지지대로부터 이격된 제 1 열 분산 플레이트를 홀딩한다. 또 다른 실시형태에서, 어셈블리는 에지 지지대로부터 이격된 제 2 열 분산 플레이트를 구비할 수 있다. 또 다른 실시형태에서, 기판 처리 어셈블리는 어셈블리가 위치된 챔버 및 챔버에 복사 열을 제공하기 위한 복사 열 소스를 구비하는 기판 처리 장치에서 사용될 수 있다. 처리 어셈블리의 구조는, 챔버의 온도가 동작 온도로 빠르게 램프 (ramped) 될 수 있도록 낮은 열 질량을 갖는 기판 처리 어셈블리 구성요소를 제공하여서, 반도체 웨이퍼와 같은 기판을 처리하는 시간을 상당히 감소시킨다.
Description
기판상에의 박막의 증착과 같은 열 처리는 많은 응용을 갖는다. 이러한 응용의 일 예가, 집적 회로의 제조를 위한 실리콘 기판의 처리이다. 집적 회로 제조의 중요한 부분은 집적 회로를 포함하는 트랜지스터 및 커패시터와 같은 능동 디바이스가 형성되는 반도체 기판의 처리이다. 웨이퍼상에 재료의 층을 증착하는 단계, 웨이퍼상에 형성된 재료의 층을 에칭하는 단계, 또는 웨이퍼상에 형성된 재료 내에서 화학적 반응 또는 온도-강화된 질량 전달을 유도하는 단계를 포함하는 다수의 처리 단계중 어느 것을 실행할 수 있다. 이러한 처리 동안 증착할 수 있는 재료의 예는 에피택셜 실리콘 또는 다결정 실리콘, 또는 실리콘 상의 열 산화물 또는 열 질화물등이 있다.
이러한 처리를 일반적으로 수행할 수 있는 처리 챔버는, 서셉터 (susceptor) 또는 에지 링과 같은 플랫폼, 기판 지지 메커니즘, 석영 하우징 또는 커버, 및 복사 열을 챔버의 내부와 처리할 기판에 제공하는 램프 어레이를 구비한다. 도 1A에 도시한 처리 챔버 (100) 와 같은 화학 증착 처리 챔버에서, 이들 처리 단계중 하나 이상을 실행할 수 있다. 개구 (도시 생략) 를 통해 처리 챔버 (100) 에 웨이퍼 (102) 를 삽입하여 서셉터 (104) 상에 배치한다. 일반적으로, 상부 가열 램프 (106) 가 웨이퍼 (102) 상의 처리 챔버 (100) 의 상부 돔 (108) 을 통해 적외광을 복사하기 위해 사용된다. 또한, 하부 가열 램프 (107) 가 서셉터 (104) 상의 처리 챔버 (100) 의 하위 돔 (109) 을 통해 적외광을 복사하기 위해 사용될 수 있다. 일반적으로, 상부 돔 (108) 및 하부 돔 (109) 은 석영으로 이루어진다. 다음으로, 처리 챔버 (100) 를 통해 하나 이상의 가스를 주입한다. 다음으로, 이들 가스는, 요구되는 처리 온도로 유지하면서 웨이퍼 (102) 에 대해, 전술한 바와 같이, 하나 이상의 처리 단계를 실행한다.
가열 램프 (106 및 107) 에 공급된 전력을 제어함으로써, 웨이퍼 (102) 는 요구된 처리 온도로 유지할 수 있다. 도 1B는 챔버 (100) 와 사용될 수 있는 상위 가열 램프 (106) 의 고리형 어레이의 일 예의 평면도이다.
도 2는 기판 또는 웨이퍼를 서셉터 보다는 에지 링 (도시 생략) 상에 배치한 또 다른 처리 챔버의 예의 평면도이다. 에지 링은 웨이퍼의 에지에서 웨이퍼를 둘러싸며 지지한다. 에지 링 (도 3에 도시됨) 은 에지 링 아래에 위치한 가열 램프로부터의 복사 열에 기판의 바닥면이 노출되도록 중앙의 개구를 한정한다. 웨이퍼의 상부 표면은 상부 가열 램프 (도시 생략) 의 어레이의 복사 열에 노출된다. 이러한 유형의 챔버에서, 가열 램프는 "벌집형" 어레이라 하는 어레이에제공된다. 도 2는 벌집형 어레이의 일 예의 평면도를 도시한다. 벌집형 램프 어레이는, 벌집형 어레이에 의해 생성되는 가열 패턴이 고리형 램프 어레이와 비교하여 웨이퍼의 전체 표면에 대해 일반적으로 더욱 제어 가능하기 때문에, 기판 지지대로서 서셉터 보다는 에지 링을 사용하는 챔버에 특히 적합하다. 그러나, 벌집형 어레이는 수용할 수 있는 레벨의 신뢰도를 달성하기에는 비교적 고가일 수 있는 다수의 램프를 갖는다. 일반적으로, 고리형 램프 어레이는, 고리형 어레이의 가열 패턴이 다소 불규칙할 수도 있지만, 서셉터가 전도를 통해 기판에 열의 양호한 분산을 제공하기 때문에, 웨이퍼 지지대로서 서셉터를 갖는 챔버에서의 사용에 더욱 적합하다. 고리형 어레이는 벌집형 어레이와 비교하여 비교적 적은 수의 램프를 갖는다.
많은 유형의 박막 증착 챔버 또는 리액터는, 증착 처리 동안 기판 또는 웨이퍼를 홀딩하기 위해 실리콘 탄화물-코팅된, 흑연 서셉터를 사용한다. 웨이퍼에 기계적 지지를 제공하는 것 이외에도, 서셉터는 처리하는 동안 서셉터상에 놓인 웨이퍼의 전체 표면상에 더욱 균일한 온도 분산을 달성하기 위해 가열 램프로부터 에너지를 흡수 및 분산시킨다. 이러한 설계는, 웨이퍼 자체의 열 질량 보다 수 배 더 큰 열 질량을 갖는 서셉터 뿐만 아니라 웨이퍼를 가열하기 위해 리액터가 충분한 에너지를 제공해야 하기 때문이다. 그 결과, 전체 처리의 상당한 부분이 연속하는 웨이퍼 사이에서 리액터 가열 및 냉각으로 소비되기 때문에, 챔버 스루풋이 한정된다. 이러한 이유와, 서셉터의 직경이 처리할 웨이퍼의 사이즈에 의해 고정되기 때문에, 현재의 제조 기술이 허용하는 만큼 서셉터의 두께를 감소시키는경향이 있다.
그러나, 서셉터의 열 질량을 감소시키는 이러한 접근방법과 관련된 적어도 2가지 중요 문제점이 있다. 첫째, 서셉터가 얇아질 수록, 반드시 기계적 강도를 유지하지 못하여 서셉터가 변형 및 심지어 파손되게 된다. 제조자가 더 얇은 서셉터에 대하여 제조자의 제조 능력을 지속적으로 향상시켜 능숙함을 입증하더라도, 제조자가 이러한 경향을 지속하는 것이 점점 더 어려워진다는 것을 나타낸다. 두 번째 문제점은, 열 전도에 사용 가능한 감소된 횡단면 영역으로, 더 얇은 서셉터는 램프 열을 재분산하는 용량이 감소되며, 이것은, 램프 어레이, 특히, 도 1B에 도시한 유형과 같은 고리형 램프 어레이의 경우에, 가열 패턴으로 인해 불균일한 가열의 가능성이 발생된다.
본 발명은 기판상에 박막의 화학 증착과 같은 처리용 처리 챔버에 관한 것으로, 특히, 박막 증착 및 고속 열 처리 챔버에서 사용하기 위한 낮은 질량 (mass) 기판 지지 어셈블리에 관한 것이다.
도 1A는 종래 기술의 기판 처리 챔버의 횡단면도이다.
도 1B는 도 1A의 라인 1-1에 따라 취해진 종래 기술의 고리형 램프 어레이의 평면도이다.
도 2는 벌집형 램프 어레이의 평면도이다.
도 3은 에지 링 형태의 에지 지지대의 일 실시형태의 평면도이다.
도 4는 에지 링 및 열 분산 플레이트를 구비한 기판 처리 챔버의 일 실시형태의 횡단면도이다.
도 5는 제 1 및 제 2 열 분산 플레이트를 구비한 기판 처리 어셈블리의 또 다른 어셈블리의 확대된 부분 횡단면도이다.
일 실시형태에서, 기판 처리 어셈블리는 처리하는 동안 기판 지지 위치를 한정하여 기판의 에지에서 기판을 지지하는 에지 지지대를 구비한다. 또한, 어셈블리는 에지 지지대에 거의 평행하게 위치된 제 1 열 분산 플레이트를 구비한다. 복수의 에지 지지 홀딩 암이 에지 지지대에 연결된다. 또한, 복수의 에지 지지 홀딩 암은 제 1 열 분산 플레이트에 연결되어 에지 지지대로부터 이격된 제 1 열 분산 플레이트를 홀딩한다. 또 다른 실시형태에서, 어셈블리는 에지 지지대로부터 이격된 제 2 열 분산 플레이트를 구비할 수 있다. 또 다른 실시형태에서, 기판 처리 어셈블리는 어셈블리가 위치한 챔버 및 챔버에 복사 열을 제공하기 위한 복사 열 소스를 구비하는 기판 처리 장치에 사용할 수 있다.
본 발명을 첨부한 도면을 참조하여 예로써 설명하지만, 거기에 제한되지 않는다.
본 명세서에 개시한 기판 처리 어셈블리 및 장치의 다양한 실시형태에서, 적어도 하나의 열 분산 플레이트를 에지 지지대에 근접하게 배치하여, 복사 열 소스로부터의 열 에너지를 열 분산 플레이트로부터 기판으로 복사에 의해 재분산시킴으로써 처리될 기판에 비교적 균일한 가열 패턴을 제공한다. 이 열 분산 플레이트 및 열 에너지의 복사 재분산은 화학 증착 챔버등과 같은 처리 챔버내에서 서셉터 및 열 에너지의 전도 재분산을 대체한다. 본 명세서에 개시한 처리 어셈블리의 구조는, 챔버의 온도가 동작 온도로 빠르게 램프 (ramped) 될 수 있을 정도로낮은 열 질량을 갖는 기판 처리 어셈블리 구성요소를 제공함으로써, 반도체 웨이퍼와 같은 기판을 처리하는 시간을 감소시킨다.
일 실시형태에서, 기판 처리 어셈블리는 처리하는 동안 기판 지지 위치를 한정하여 기판의 에지에서 기판을 지지하는 에지 지지대를 구비한다. 에지 지지대의 예는, 리세스를 한정하는 에지 링 또는 기판 지지 위치를 한정하는 포켓이다. 제 1 열 분산 플레이트는 거의 에지 지지대에 평행하게 위치된다. 일 실시형태에서, 제 1 열 분산 플레이트는 에지 지지대 아래 및 램프 어레이와 같은 복사 열 소스와 에지 지지대 사이에 위치된다. 또 다른 실시형태에서, 제 1 열 분산 플레이트는 에지 지지대 위에 위치되고 에지 지지대 상의 복사 열 소스를 갖는 챔버에서 사용된다. 열 분산 플레이트가 에지 지지대 위 및 아래에 제공될 수 있거나, 2개의 열 분산 플레이트가 에지 지지대 위 및 아래에 제공될 수 있다. 복수의 에지 지지대 홀딩 암이 에지 지지대에 연결된다. 또한, 에지 지지대 홀딩 암이 제 1 열 분산 플레이트에 연결된다. 제 1 열 분산 플레이트가 에지 지지대로부터 이격되어 홀딩된다.
일 실시형태에서, 전술한 기판 처리 어셈블리를, 챔버에 복사 열을 제공하는 복사 열 소스 및 챔버를 구비하는 기판 처리 장치에 사용한다. 일 실시형태에서, 복사 열 소스는 고리형 램프 어레이이다. 또 다른 실시형태에서, 복사 열 소스는 벌집형 패턴으로 위치된 램프의 어레이일 수 있다.
동작시, 복사 열 소스는, 차례로 복사 열 에너지를 흡수하고 기판에 열 에너지를 재분산하는 열 분산 플레이트에 복사 열을 제공한다. 따라서, 비교적 불균일한 가열 패턴을 가질 수도 있는 램프 어레이와 같은 복사 열 소스가 에지 지지대와 사용될 수 있는 반면, 보통은, 이러한 램프 어레이는, 처리될 기판이 기판의 전체 표면상에 비교적 균일한 가열 패턴을 수용하도록 전도에 의해 열 에너지를 재분산하기 위한 서셉터의 사용을 필요로 한다.
도 4는 본 발명의 일 실시형태에서의 처리 챔버 (300) 를 도시한다. 기판 (302) 이 처리 챔버 (300) 내에 도시되어 있다. 챔버 (300) 내에 기판 처리 어셈블리 (310) 가 있다. 기판 처리 어셈블리 (310) 는 에지 지지대 (320) 제 1 열 분산 플레이트 (340), 및 복수의 에지 지지대 홀딩 암 (360) 을 구비한다.
에지 지지대 (320) 는 기판의 에지에서 기판 (302) 을 지지하기 위해 기판 지지 위치 (322) 를 한정한다. 본 명세서에서는 설명하기 위한 목적으로, 에지 지지대 (320) 를 집적 회로의 제조에서 통상적으로 사용되는 일반적인 원형 웨이퍼를 지지하도록 설계된 원형 형상을 갖는 에지 링으로서 설명한다. 또한, 비-원형 형상을 갖는 에지 지지대가 본 발명에 포함될 수 있다.
다시 도 3을 참조하면, 에지 지지대 (320) 는 기판 지지 위치 (322) 를 한정하는 고리형태이다. 일 실시형태에서, 기판 지지 위치 (322) 는 고리형 리세스 또는 포켓이다. 개구 (324) 는 에지 지지대 (320) 의 내부 원주 가까이에서 동일한 원주적 간격으로 한정된다. 개구 (324) 는, 에지 지지대 (320) 로부터 기판을 리프트시키기 위해 리프트 암 (312 : 도 4) 이 개구 (324) 를 통해 확장할 수 있도록 제공된다. 또 다른 실시형태에서, 에지 지지대 (320) 는 리프트 암용 개구를 가질 필요성이 없다. 예를 들어, 200 mm용 리프트 암이 웨이퍼의 에지의 약 10 mm 내측에 위치될 수 있다. 300 mm 웨이퍼와 같은, 더 큰 웨이퍼에 대해, 리프트 암이 기판 지지 위치를 통해 확장하지는 못하지만, 에지 지지대의 내부에 위치하도록 에지 지지대는 더 큰 직경을 가질 수도 있다. 따라서, 에지 지지대는 도 3에 도시한 이러한 개구를 가질 필요성이 없다.
다시 도 4를 참조하면, 에지 지지대 (320) 는 하향 확장 스커트 (326) 를 더 구비한다. 스커트 (326) 는 도 4에 도시한 실시형태에서 에지 지지대 (320) 의 원주 주위에서 확장하지만, 에지 지지대 (320) 의 가장 바깥쪽 원주로부터 내부로 위치될 수도 있다. 스커트 (326) 는 기판 (302) 의 배면에 도달하는 (화살표 304로 나타낸) 챔버의 내부로 펌프되는 가스를 처리하기 위해 제공된다. 수소와 같은 정화 (purge) 가스가 화살표 305에 의해 나타낸 바와 같이 기판 (302) 의 배면을 가로질러 향할 수 있다. 정화 가스는 스커트 (326) 와 제 1 반사 플레이트 (340) 사이의 공간을 통해 향할 수 있다. 도 4에 도시한 실시형태에서, 처리 가스는 기판의 상부측면상에 재료를 증착하기 위해 기판 (302) 의 상부측면을 가로질러 제공된다.
일 실시형태에서, 에지 지지대 (320) 는, 종래의 흑연 서셉터 보다 10배 까지 더 작은 두께에서 특정 응용에 대해 성공적으로 제조되는 것으로 발견된 기계에 의한 실리콘 탄화물로 이루어질 수 있다. 또한, 질소-도핑된 실리콘 탄화물 합금이 사용될 수 있다. 이러한 합금에서 첨가된 질소는 자외광에 불투명한 재료를 만들 수 있다. 따라서, 재료는 투명하게 되기 이전에 더 얇게 이루어질 수 있다.
일 실시형태에서, 에지 지지대 (320) 는 대략 0.025 인치의 벽 두께를 갖고, 두께는 약 0.010 인치 내지 0.035 인치의 범위일 수 있다. 에지 링의 형태일 때, 에지 지지대 (320) 는 200 mm 직경 또는 300 mm 직경 웨이퍼와 같은 어떤 사이즈의 웨이퍼 또는 반도체 기판을 수용하도록 설계될 수 있다.
도 4에 도시한 바와 같이, 제 1 열 분산 플레이트 (340) 가 거의 에지 지지대 (320) 에 평행하게, 즉, 에지 지지대 (320) 의 상부 또는 하부 표면에 의해 한정된 평면에 거의 평행하게 위치된다. 일 실시형태에서, 에지 지지대 (320) 는 상부측면 (327) 및 하부측면 (328) 을 갖고, 제 1 열 분산 플레이트 (340) 는 하부측면 (328) 에 근접하게 위치된다.
제 1 열 분산 플레이트는 기계에 의한 실리콘 탄화물 또는 질소-도핑된 실리콘 탄화물 합금으로 이루어질 수 있다. 제 1 열 분산 플레이트 (340) 는 약 0.25 mm (0.010 인치) 내지 약 0.635 mm (0.025 인치) 의 범위의 두께를 가질 수 있다. 열 분산 플레이트는 이하 더욱 상세히 설명하는 바와 같은 복사 열 소스에 의해 챔버에 제공된 열 에너지를 재분산시키기 위해 열 복사 소스로서 작용한다. 따라서, 기판상에 더욱 균일한 온도 분산이 달성될 수 있다. 또한, 열 분산 플레이트는 시스템을 제어하기 위해 사용되는 온도 측정 디바이스에 대한 타겟으로서 작용할 수 있다. 이것은, 챔버내에 기판이 존재하지 않을 때, 챔버 세정 처리 동안 특히 유용하다.
도 4에 도시한 바와 같이, 제 1 열 분산 플레이트 (340) 및 에지 지지대 (320) 는 에지 지지대 홀딩 암 (350) 에 의해 공간 이격된 관계로 홀딩된다.복수의 에지 지지대 홀딩 암이 에지 지지대 (320) 및 제 1 열 분산 플레이트 (340) 에 연결된다. 일 실시형태에서, 각 에지 지지대 홀딩 암 (350) 은 단부 (end portion : 352) 를 구비한다. 각 단부 (352) 는 각각의 에지 지지대 홀딩 암 (350) 의 완전 또는 단일부일 수 있고, 단부 (352) 는 에지 지지대 홀딩 암 (350) 에 부착된 개별 부품으로 이루어질 수 있다.
각 단부 (352) 는 제 1 숄더 (354) 및 제 2 숄더 (356) 를 갖는다. 도 4에 도시한 실시형태에서, 제 1 열 분산 플레이트 (340) 는 각 제 1 숄더 (354) 에 연결되고, 에지 지지대는 각 제 2 숄더 (356) 에 연결된다. 제 1 열 분산 플레이트 (340) 및 에지 지지대 (320) 는 숄더상에 배치되거나 숄더에 물리적으로 부착됨으로써 각각의 제 1 및 제 2 숄더에 연결될 수 있다. 또한, 각 에지 지지대 홀딩 암 (350) 의 단부 (352) 는 스페이서 (358) 를 구비한다. 스페이서는 제 1 열 분산 플레이트 (340) 와 에지 지지대 (320) 사이에서 특정한 거리를 유지하기 위해 선택된 높이를 갖도록 설계될 수 있다.
일 실시형태에서, 제 1 열 분산 플레이트 (340) 는 에지 지지대 (320) 로부터 약 4 mm 보다 적게 이격된다. 또 다른 실시형태에서, 제 1 열 분산 플레이트는 에지 지지대로부터 약 1 mm 보다 더 많이 이격된다. 약 1 mm 내지 약 4 mm 의 범위 (약 2 mm 내지 약 3 mm가 바람직하다) 는, 기판과 제 1 열 분산 플레이트 사이의 정화 가스를 통한 전달 또는 서셉터의 경우와 같이 전도에 의한 것 보다는 열 에너지가 복사에 의해 기판으로 주로 전달되기 위해, 충분한 공간을 제공하도록 의도된다. 복사와 같이 전달될 수 있는 열이 많고, 감도가 적을수록, 어셈블리는 횡 열 전도 손실을 갖고 에지 지지대 및 열 분산 플레이트와 같은 얇은 부분의 완벽한 평탄도의 부족을 갖는다.
도 4에 도시한 바와 같이, 기판 처리 장치의 실시형태는 챔버 (300) 및 열 에너지를 챔버 (300) 에 제공하기 위한 적어도 하나의 복사 열 소스 (380) 를 구비할 수 있다. 도 4에 도시한 각 복사 열 소스 (380) 는 고리형 램프 어레이 (382) 이다. 일 실시형태에서, 복사 열 소스 (380) 는, 제 1 열 분산 플레이트 (340) 가 복사 열 소스 (380) 와 에지 지지대 (320) 의 하부측면 (328) 사이에 위치되도록, 챔버 (300) 아래 위치된다.
도 5는 기판 처리 어셈블리 (510) 를 갖는 처리 챔버 (500) 를 도시한다. 기판 처리 어셈블리 (510) 는 에지 지지대 (520), 제 1 열 분산 플레이트 (540), 복수의 에지 지지대 홀딩 암 (580), 제 2 열 분산 플레이트 (560), 사전 가열 플랫폼 (570), 및 지지대 핀 (580) 을 구비한다. 에지 지지대 (520), 제 1 열 분산 플레이트 (540), 및 에지 지지대 홀딩 암 (550) 은 전술한 실시형태와 유사할 수 있다. 이들 구성요소 이외에도, 도 5에 도시한 실시형태는 에지 지지대 (520) 에 거의 평행하고, 에지 지지대로부터 이격되고, 에지 지지대 (520) 의 상부측면에 근접한 제 2 열 분산 플레이트 (560) 를 구비한다. 제 2 열 분산 플레이트 (560) 는 에지 지지대 (520) 로부터 약 1 mm 내지 약 4 mm 사이, 바람직하게는, 약 2 mm 내지 약 3 mm 사이에 위치될 수 있다.
사전 가열 플랫폼 (570) 은 에지 지지대 (520) 와 일반적으로 공면 (coplanar) 이고, 에지 지지대 (520) 를 둘러싼다. 제 2 열 분산 플레이트(560) 는 지지대 핀 (580) 에 의해 사전 가열 플랫폼 (570) 에 연결된다. 지지대 핀 (580) 은 제 2 열 분산 플레이트 (560) 와 에지 지지대 (520) 상의 기판 (502) 사이에 공간을 제공하기 위해 치수화되는 중앙부를 갖는다. 처리 가스는 화살표 (504) 방향으로 제 2 열 분산 플레이트 (560) 와 기판 (502) 사이의 공간으로 펌프된다. 실리콘 증착의 예시적인 처리에서, 높은 온도에서의 실리콘 막의 성장율은 증가하는 가스 속도와 증가한다. 이러한 구조는 웨이퍼 또는 기판과 제 2 열 분산 플레이트 (560) 사이의 거리를 조절함으로써 이러한 효과에 대해 최적화된다. 또한, 이러한 구성은, 제 2 열 가열 분산 플레이트 (560) 가 섭씨 1150도를 초과하는 온도로 가열될 수 있기 때문에, 실리콘 증착 이후에 챔버를 에칭 또는 세정하는데 요구되는 시간을 감소시킬 수 있다. 또한, 제 2 열 분산 플레이트 (560) 와 기판 (502) 사이의 공간에 처리 가스를 집중시키는 것은 챔버의 상부 석영 돔 (도시 생략) 상의 실리콘 막 증착을 최소화시킨다.
Claims (30)
- 처리하는 동안 기판 지지 위치를 한정하여 기판의 에지에서 기판을 지지하는 에지 지지대;상기 에지 지지대에 거의 평행하게 위치된 제 1 열 분산 플레이트; 및상기 에지 지지대에 연결되고 또한 상기 제 1 열 분산 플레이트에 연결되어 상기 에지 지지대로부터 이격된 상기 제 1 열 분산 플레이트를 홀딩하는 복수의 에지 지지대 홀딩 암을 구비하는, 기판 처리 어셈블리.
- 제 1 항에 있어서,상기 에지 지지대 홀딩 암 각각은, 제 1 숄더 및 제 2 숄더를 갖는 단부를 구비하고,상기 제 1 열 분산 플레이트는 상기 제 1 숄더에 연결되고 상기 에지 지지대는 상기 제 2 숄더에 연결되는, 기판 처리 어셈블리.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 열 분산 플레이트는 상기 에지 지지대로부터 약 4 mm 보다 작게 이격되는, 기판 처리 어셈블리.
- 제 3 항에 있어서,상기 제 1 열 분산 플레이트는 상기 에지 지지대로부터 약 1 mm 보다 크게 이격되는, 기판 처리 어셈블리.
- 제 1 항에 있어서,상기 에지 지지대는 상부측면 및 하부측면을 갖고, 상기 제 1 열 분산 플레이트는 상기 하부측면에 근접하게 위치되는, 기판 처리 어셈블리.
- 제 5 항에 있어서,제 2 열 분산 플레이트가 상기 에지 지지대에 거의 평행하고, 상기 에지 지지대로부터 이격되고, 상기 에지 지지대의 상부측면에 근접하게 위치되는, 기판 처리 어셈블리.
- 제 6 항에 있어서,상기 제 2 열 분산 플레이트는 상기 에지 지지대로부터 약 4 mm 보다 작게 이격되는, 기판 처리 어셈블리.
- 제 7 항에 있어서,상기 제 2 열 분산 플레이트는 상기 에지 지지대로부터 약 1 mm 보다 크게 이격되는, 기판 처리 어셈블리.
- 제 5 항에 있어서,상기 에지 지지대와 일반적으로 공면 (coplanar) 이고, 상기 에지 지지대를 둘러싸는 사전 가열 플랫폼을 더 구비하며,상기 제 2 열 분산 플레이트는 상기 사전 가열 플랫폼에 연결되는, 기판 처리 어셈블리.
- 제 1 항에 있어서,상기 에지 지지대는 기판 지지 위치를 한정하는 고리형 리세스를 갖는 에지 링인, 기판 처리 어셈블리.
- 챔버;상기 챔버에 열 에너지를 제공하기 위한 복사 열 소스;처리하는 동안 기판 지지 위치를 한정하여 기판의 에지에서 기판을 지지하는 상기 챔버내의 에지 지지대;상기 복사 열 소스로부터 열 에너지를 흡수하고 상기 에지 지지대로 복사에 의해 열 에너지를 전달하는, 상기 에지 지지대와 상기 복사 열 소스 사이의 제 1 열 분산 플레이트; 및상기 에지 지지대에 연결되고 또한 상기 제 1 열 분산 플레이트에 연결되어 상기 에지 지지대로부터 이격된 상기 제 1 열 분산 플레이트를 홀딩하는 복수의 에지 지지대 홀딩 암을 구비하는, 기판 처리 장치.
- 제 11 항에 있어서,상기 에지 지지대 홀딩 암 각각은 제 1 숄더 및 제 2 숄더를 갖는 단부를 구비하고,상기 제 1 열 분산 플레이트는 상기 제 1 숄더에 연결되고, 상기 에지 지지대는 상기 제 2 숄더에 연결되는, 기판 처리 장치.
- 제 11 항에 있어서,상기 제 1 열 분산 플레이트는 상기 에지 지지대로부터 약 4 mm 보다 작게 이격되는, 기판 처리 장치.
- 제 13 항에 있어서,상기 제 1 열 분산 플레이트는 상기 에지 지지대로부터 약 1 mm 보다 크게 이격되는, 기판 처리 장치.
- 제 11 항에 있어서,상기 에지 지지대는 상부측면 및 하부측면을 갖고, 상기 제 1 열 분산 플레이트는 상기 하부측면에 근접하게 위치되는, 기판 처리 장치.
- 제 15 항에 있어서,제 2 열 분산 플레이트가 상기 에지 지지대에 거의 평행하고, 상기 에지 지지대로부터 이격되고, 상기 에지 지지대의 상부측면에 근접하게 위치되는, 기판 처리 장치.
- 제 16 항에 있어서,상기 제 2 열 분산 플레이트는 상기 에지 지지대로부터 약 4 mm 보다 작게 이격되는, 기판 처리 장치.
- 제 17 항에 있어서,상기 제 2 열 분산 플레이트는 상기 에지 지지대로부터 약 1 mm 보다 크게 이격되는, 기판 처리 장치.
- 제 15 항에 있어서,상기 에지 지지대와 일반적으로 공면 (coplanar) 이고, 상기 에지 지지대를 둘러싸는 사전 가열 플랫폼을 더 구비하며,상기 제 2 열 분산 플레이트는 상기 사전 가열 플랫폼에 연결되는, 기판 처리 장치.
- 제 11 항에 있어서,상기 에지 지지대는 기판 지지 위치를 한정하는 고리형 리세스를 갖는 에지링인, 기판 처리 장치.
- 제 11 항에 있어서,상기 복사 열 소스는 고리형 램프 어레이인, 기판 처리 장치.
- 챔버;처리하는 동안 기판 지지 위치를 한정하여 기판의 에지에서 기판을 지지하고, 상부측면 및 하부측면을 갖는 상기 챔버내의 에지 링으로서, 상기 기판 지지 위치가 상기 상부측면상에 한정되는, 상기 에지 링;상기 에지 링 아래에 위치되고, 상기 챔버에 열 에너지를 제공하기 위한 고리형 램프 어레이;상기 에지 링의 상기 하부측면에 근접하게 위치되고 상기 에지 링과 상기 고리형 램프 어레이 사이에 위치되는 제 1 열 분산 플레이트; 및상기 에지 링에 연결되어 상기 챔버내의 상기 에지 링을 지지하고, 또한 상기 제 1 열 분산 플레이트에 연결되어 상기 에지 링으로부터 이격된 상기 제 1 열 분산 플레이트를 지지하는 복수의 에지 링 지지대 암을 구비하는, 기판 처리 장치.
- 제 22 항에 있어서,상기 에지 링 지지대 암 각각은, 제 1 숄더 및 제 2 숄더를 갖는 단부를 구비하고,상기 제 1 열 분산 플레이트는 상기 제 1 숄더에 연결되고 상기 에지 링은 상기 제 2 숄더에 연결되는, 기판 처리 장치.
- 제 22 항에 있어서,상기 제 1 열 분산 플레이트는 상기 에지 링으로부터 약 4 mm 보다 작게 이격되는, 기판 처리 장치.
- 제 24 항에 있어서,상기 제 1 열 분산 플레이트는 상기 에지 링으로부터 약 1 mm 보다 크게 이격되는, 기판 처리 장치.
- 제 22 항에 있어서,제 2 열 분산 플레이트가 상기 에지 링에 거의 평행하고, 상기 에지 링으로부터 이격되고, 상기 에지 링의 상부측면에 근접하게 위치되는, 기판 처리 장치.
- 제 26 항에 있어서,상기 제 2 열 분산 플레이트는 상기 에지 링으로부터 약 4 mm 보다 작게 이격되는, 기판 처리 장치.
- 제 27 항에 있어서,상기 제 2 열 분산 플레이트는 상기 에지 링으로부터 약 1 mm 보다 크게 이격되는, 기판 처리 장치.
- 제 22 항에 있어서,상기 에지 링을 둘러싸는 사전 가열 링을 더 구비하며,상기 제 2 열 분산 플레이트는 상기 사전 가열 링에 연결되는, 기판 처리 장치.
- 제 22 항에 있어서,상기 에지 링은 상기 기판 지지 위치를 한정하는 고리형 리세스를 한정하는, 기판 처리 장치.
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