TWI793137B - 基板支撐裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明公開了一種基板支撐裝置。基板支撐裝置包含以支撐一基板的一支撐件以及設置於支撐件之邊緣以補償基板之溫度的一溫度補償件。支撐件由一透明材料所形成，且溫度補償件由一不透明材料所形成。溫度補償件的表面由對清潔氣體具有耐腐蝕性的一材料所形成。

Description

基板支撐裝置
本發明之實施例係關於一種基板支撐裝置，其補償或進一步提升基板邊緣的溫度以使基板達到均勻的溫度分布。
本節中描述的內容僅提供關於實施例的背景資料，並不構成先前技術。
一般而言，半導體記憶體裝置、液晶顯示裝置及有機發光裝置等係透過多道半導體工序在基板上堆疊所期望的結構所製成。
半導體製程工序包含在基板上沉積預定薄膜的程序、暴露薄膜之選定區域的光刻程序、以及去除薄膜之該選定區域的蝕刻程序。透過基板加工裝置執行用以製造半導體的一基板加工程序，其中基板加工裝置包含具有用於對應工序之最佳環境的一腔室。
腔室中設置有一待加工物(即基板)和用以將基板支撐設於其上的一基板支撐裝置，且包含有一源材料的加工氣體被噴塗於該基板。透過包含於加工氣體的源材料在基板上執行一沉積程序和一蝕刻程序。
本發明之實施例係關於一種基板支撐裝置，其補償或進一步提升基板邊緣的溫度以使基板達到均勻的溫度分布。
然而，本發明之實施例並不限於解決前述之課題，且本發明所屬領域之通常知識者將從以下描述中清楚地理解其他未提及的課題。
根據本發明之一實施例，一基板支撐裝置包含以支撐一基板的一支撐件以及設置於支撐件之邊緣以補償基板之溫度的一溫度補償件，其中支撐件由一可透光(即透光或透明)材料所形成，溫度補償件由一不透光(即不透明)材料所形成以遮擋光線，且溫度補償件包含由對清潔氣體具有耐腐蝕性的一材料所形成的一表面。
溫度補償件可包含塗佈有對清潔氣體具有耐腐蝕性的一材料的一表面。
支撐件可由石英所形成，且溫度補償件可選自由碳化矽(SiC)、黑陶瓷、黑石英和石墨所組成的群組中的至少其中之一者所形成。
基板及溫度補償件可彼此相隔開，以令基板的側面與溫度補償件的側面彼此相對。
溫度補償件可由具有熱傳導性高於該支撐件之材料的一材料所形成。
溫度補償件可包含由與支撐件相同的一材料所形成的一主體部、以及塗佈於主體部的表面的一塗層。塗層由與主體部不同的一材料所形成。
塗層可由具有熱傳導性高於該主體部之材料的一材料所形成。
支撐件及主體部可由石英所形成，且塗層可由一黑體所形成。
溫度補償件可呈一環形並設置成環繞基板。
支撐件可包含其上設置有基板的一座體部、以及呈一環形的一凹陷部。凹陷部形成於座體部與溫度補償件的內側面之間。
基板可設置於凹陷部上，以令基板邊緣的側面和底面顯露於外。
溫度補償件可散發熱能，且自溫度補償件散發出的熱能可加熱基板邊緣的頂面、側面和底面。
溫度補償件及基板可設置於支撐件的頂面，以令溫度補償件的底面及基板的底面在垂直方向上設置於同一高度。
根據本發明之另一實施例，一基板支撐裝置包含以支撐一基板的一支撐件以及設置於支撐件之邊緣以補償基板邊緣之溫度的一溫度補償件，溫度補償件由與支撐件不同的一材料所形成，其中支撐件包含其上設置有基板的一座體部以及呈一環形的一凹陷部，凹陷部形成於座體部與溫度補償件的內側面之間，溫度補償件包含由對清潔氣體具有耐腐蝕性的一材料所形成的一表面，且基板設置於凹陷部上，以令基板邊緣的側面和底面顯露於外並且被自溫度補償件散發出的熱能加熱。
溫度補償件可由具有熱傳導性高於支撐件之材料的一材料所形成。
支撐件可由石英所形成，且溫度補償件的至少一部分可由一黑體所形成。
溫度補償件可包含由與支撐件相同的材料所形成的一主體部、以及塗佈於主體部的表面的一塗層，塗層由與主體部不同的一材料所形成。塗層之一部分可設置於凹陷部的側面及下表面，且塗層之一端接觸基板邊緣的底面。
塗層可由具有熱傳導性高於主體部之材料的一材料所形成。
溫度補償件可包含塗佈有對清潔氣體具有耐腐蝕性的一材料的一表面。
黑體可包含選自由碳化矽(SiC)、陶瓷、氧化鋁(Al2 O3 )、石墨和石英所組成的群組中的至少其中之一者。
根據本發明之實施例，溫度補償件進一步加熱基板之邊緣以補償基板邊緣之溫度(其低於基板的中心之溫度)，藉以使基板的整個區域達到均勻的溫度分布或進一步提升基板邊緣的溫度。
根據本發明之實施例，由於不透光(即不透明)的溫度補償件具有比可透光(即透光或透明)的支撐件更高的溫度，從而可有效地將熱能自不透光溫度補償件傳遞至基板的邊緣，藉以使基板的整個區域達到均勻的溫度分布或進一步提升基板邊緣的溫度。
根據本發明之實施例，基板邊緣的頂面、側面和底面被自溫度補償件散發出的熱能加熱，因此，基板邊緣因其熱傳遞面積的增加而有效地提升溫度。
根據本發明之實施例，溫度補償件包含具有高熱吸收率、高熱傳導率以及對用以引入基板加工裝置之腔室中的清潔氣體或蝕刻氣體具有極佳耐腐蝕性的一材料，因此，溫度補償件可有效且持續地對基板邊緣傳遞熱能，藉以改善沉積在基板邊緣的薄膜之厚度分布。
在下文中，將參考附圖詳細描述各實施例。雖然本發明可有各種修改和替換形式，但本發明之具體實施例在圖式中以示例的方式呈現並於說明書中詳細描述。然而，本發明不應被解釋為限於此處闡述的實施例，相反地，本發明旨在涵蓋落入所述實施例之精神和範圍內的所有修改、等同物和替代物。
可理解地，雖然以下說明使用了“第一”、“第二”等字詞來描述各種元件，但這些元件不應該因這些字詞在解釋上受到限制。這些字詞通常僅用於將一個元件與另一元件作區分。此外，考慮到實施例中的構造和操作而特別定義的字詞僅用於描述所述實施例，而非用於限定實施例的範圍。
可理解地，當一元件被描述為在另一元件“之上”或“之下”時，其可指直接在元件之上/之下，或是指有其他一個或多個元件介於其二者之間。當一元件被描述為在“之上”或“之下”時，根據所述元件，此描述不僅可包括“在元件之下”還可包括“在元件之上”。
另外，關係詞，例如“之上/上部/上面”以及“之下/下部/下面”，僅用於將一物或元件與另一物或元件作區分，而不一定需要或包含任何在二者間之實體上或邏輯上的關係或順序。
圖1為繪示根據本發明之一實施例的基板支撐裝置的平面視圖。圖2為圖1中方向A-A的剖面視圖。
本實施例的一基板支撐裝置設置於一腔室(未繪示)中，在此腔室中執行例如為一沉積程序或一蝕刻程序等的一基板10的製造程序。基板支撐裝置可構成讓基板10設置於其上，且可在執行基板製造程序時支撐基板10。
雖然未繪示，但在腔室中可設有一噴塗單元以對基板10噴塗包含一源材料(source material)的加工氣體或吹淨氣體(purge gas)。此外，包含上述腔室的一基板加工裝置可設有例如為真空泵等的一排氣裝置，以使腔室內部保持在真空狀態或使腔室內部保持接近真空的壓力。
此外，基板加工裝置可進一步包含一電漿產生裝置，設置於腔室中以對基板加工。
本實施例的基板支撐裝置可包含一支撐件100以及一溫度補償件200。支撐件100可構成使基板10設置於其頂面，且可在執行基板製造程序時支撐基板10。此處，溫度補償件200可間接地加熱基板10的一邊緣以補償基板10邊緣溫度的降低或進一步提升基板10邊緣之溫度。
溫度補償件200(如圖1及圖2所示)可設置於支撐件100的邊緣，且可用以補償基板10的溫度。
此時，溫度補償件200接收來自設置於腔室中的一加熱器(未繪示)的熱能，並將熱能傳遞至基板10以進一步加熱設置於支撐件100上的基板10之邊緣，藉此以補償或進一步提升基板10邊緣之溫度。
在基板製造程序中，基板10可被設置於腔室中的加熱器加熱。基板製造程序可在基板10被加熱器加熱至一高溫的狀態下執行。
此時，基板10的整個區域可具有均勻的溫度分布，或基板10邊緣之溫度可能需要進一步地提升。若基板10的整個區域具有不均勻的溫度分布，則其可能造成在基板10上有不均勻的沉積厚度或不均勻的蝕刻厚度，而導致基板10的缺陷。
或者，在一些情況下，在半導體製程中，基板10邊緣之溫度可能需要提升以高於基板10中心的溫度。
具體來說，相較於基板10的中心(在此處僅有基板的頂面暴露於外)，熱能在基板10的邊緣(在此處基板的側面、頂面及一部分底面暴露於外)會比較容易向外散失。
此外，相較於支撐件100的頂面(於其上設置有基板10)，熱能在支撐基板10的支撐件100的邊緣(在此處支撐件的側面及一部分頂面暴露於外)會比較容易向外散失。
基於此原因，當基板10被加熱至高溫時，基板10邊緣的溫度可低於基板10中心的溫度。
因此，溫度補償件200進一步加熱基板10的邊緣以補償低於基板10中心之溫度的基板10邊緣之溫度，藉以使基板10的整個區域具有均勻的溫度分布或使基板10的邊緣具有高於基板10中心溫度的溫度。如此，溫度補償件200可用以改善沉積在基板邊緣的一薄膜之厚度分布。此外，溫度補償件200可用以最小化或避免基板10整個區域溫度的降低。
為了進一步加熱基板10的邊緣，溫度補償件200必須鄰近設置於基板10的邊緣。亦即，溫度補償件200可設置成環繞基板10。
舉例來說，如圖1所示，當基板10為呈圓盤狀的一晶圓時，溫度補償件200可呈一環形以對應基板10的形狀。
分別繪示於圖2至圖6之溫度補償件200A、200B、200C、200D及200E(其將於之後說明)為繪示於圖1之溫度補償件200的各種不同示例。
參照圖2，在本實施例的基板支撐裝置中，溫度補償件200A可設置成使其側面朝向基板10的側面。基板10及溫度補償件200A可彼此相隔開。
若溫度補償件200A直接接觸基板10，過量的熱能可能會被從具有熱傳導性高於支撐件100的溫度補償件200A透過熱傳導傳遞至基板10的邊緣及/或其邊緣的鄰近處。
在此情況下，基板10邊緣之溫度或其邊緣的周邊處之溫度可能變得過度高於基板10中心的溫度，此恐造成基板10的整個區域具有不均勻的溫度分布。
為了避免基板10具有所述不均勻的溫度分布，本實施例採用上述溫度補償件200A不直接與基板10接觸的結構。
此外，溫度補償件200A不直接與基板10接觸的結構可利於將基板10設置於基板支撐裝置上或將基板10自基板支撐裝置分離，且可有效地抑制因溫度補償件200A及基板10間的接觸對溫度補償件200A或基板10造成的磨損及損傷。
支撐件100及溫度補償件200A彼此可由不同的材料所形成，且溫度補償件200A可耦合至支撐件100。此時，溫度補償件200A可透過一鎖固件耦合至支撐件100。
在本實施例中，溫度補償件200A可由具有熱傳導性高於支撐件100之材料的一材料所形成。
在本實施例中，溫度補償件200A可由具有熱吸收率高於支撐件100材料之熱吸收率的一材料所形成。溫度補償件200A吸收的熱能愈多，可自溫度補償件200A散發至基板10邊緣的熱能愈多。從溫度補償件200A散發出的熱能可補償或進一步提升基板10邊緣之溫度。
在本實施例中，溫度補償件200A可由對用以引入基板加工裝置之腔室中的清潔氣體或蝕刻氣體具有極佳耐腐蝕性的一材料所形成。之所以用對清潔氣體或蝕刻氣體具有極佳耐腐蝕性的材料來形成溫度補償件是為了確保在高溫真空環境中長期使用。此時，清潔氣體或蝕刻氣體可為氟或氟化物，其包含如四氟化碳(CF4 )的鹵族元素。溫度補償件200A可暴露於保持其原始狀態的清潔氣體或蝕刻氣體，或者可暴露於由電漿活化的清潔氣體或蝕刻氣體。
此處，上述具有極佳耐腐蝕性的材料可包含碳化矽(SiC)、氧化鋁(Al2 O3 )或陶瓷的至少其中一者。然而，此僅為示例。
由於溫度補償件200A的熱傳導性高於支撐件100，因此儘管溫度補償件200A的體積小於支撐件100，熱能仍可有效地從溫度補償件200A傳遞至基板10的邊緣。因此，基板10的邊緣被有效地加熱，故基板10邊緣之溫度可提升以高於基板10中心的溫度。
亦即，相比於支撐件100，具有較高熱傳導性的溫度補償件200A可迅速地吸收從設置於腔室中的加熱器傳遞的熱能，且可迅速地將熱能傳遞至基板10的邊緣。
因此，基板10的邊緣可有效地接收來自溫度補償件200A的熱能，從而基板10的整個區域的溫度分布可變得均勻。
為了確保溫度補償件200A的熱傳導性高於支撐件100的熱傳導性，支撐件100可例如由石英所形成，且溫度補償件200A可例如由近似一黑體的一材料所形成，或者其表面可例如塗佈有近似一黑體的一材料。但本發明不以此為限。
一黑體係為一理想材料，故以下說明中使用“黑體”之字詞係指具有近似黑體之特性的一材料。此處，黑體可指具有極佳熱傳效率(即極佳的熱吸收和熱發散效率)的一材料。黑體可例如為石墨、氧化鋁(Al2 O3 )或氧化鋁和雜質的混合材料等。但本發明不以此為限。
支撐件100可由一可透光(即透光或透明)材料所形成，且溫度補償件200A可由一不透光(即不透明)材料所形成以遮擋光線。舉例來說，支撐件100可由可透光的(即透明的)石英所形成，且溫度補償件200A可由一不透光的(即一不透明的)黑體所形成。但本發明不以此為限。
由於支撐件100由一可透光的材料所形成，故其溫度可低於由一不透光材料所形成的溫度補償件200A的溫度。
舉例來說，並非全部從加熱器傳遞至可透光支撐件100的熱能都可被用來加熱支撐件100，而有一些熱能可能因為熱輻射現象而逸散至外部。此原因是因為支撐件100為可透光的，故輻射熱可能透過支撐件100而逸散至外部。
另一方面，從加熱器傳遞至溫度補償件200A的熱能不會以輻射熱的形式透過不透光溫度補償件200A而逸散至外部。因此，從加熱器傳遞的熱能可有效地加熱溫度補償件200A。
基於上述原因，在本實施例中，當加熱器在基板製造程序中加熱基板支撐裝置時，不透光溫度補償件200A的溫度可高於可透光支撐件100的溫度。
由於不透光溫度補償件200A的溫度可高於可透光支撐件100的溫度，因此熱能可有效地自不透光溫度補償件200A傳遞至基板10的邊緣，藉以使基板10的整個區域達到均勻的溫度分布。
此外，加熱器可例如為一輻射型加熱器。在加熱器係設置於基板支撐裝置下側的情況下，加熱器發射出的輻射熱可通過可透光支撐件100，故可容易地加熱不透光溫度補償件200A。
參照圖2，本實施例之支撐件100可包含一座體部110以及一凹陷部120。座體部110可形成為使基板10設置於其上。
凹陷部120可形成於座體部110及溫度補償件200A的內側面之間，且可呈一環形以對應環狀的基板10和環狀的溫度補償件200A。亦即，凹陷部120可形成環繞於相對凸出的座體部110之周邊。
參照圖2，凹陷部120可由溫度補償件200A的側面及座體部110的側面所形成。
由於此結構配置，當基板10裝設於座體部110時，基板10的邊緣可位於凹陷部120之上，使得基板10邊緣的側面和底面暴露於外。因此，基板10可位於溫度補償件200A附近，以令基板10的側面和溫度補償件200A彼此相隔開。
此外，由於基板10邊緣的頂面、側面和底面皆暴露於外，熱能可有效地從溫度補償件200A傳遞至基板10的邊緣而不會被支撐件100阻礙。
因此，溫度補償件200A散發出的熱能可加熱基板10邊緣的頂面、側面和底面，故基板10的邊緣因其熱傳遞面積的增加而可有效地被加熱。
圖3為繪示圖2之另一實施例的剖面視圖。如圖3所示，溫度補償件200B可包含一主體部210B以及一塗層220B。
主體部210B可由與支撐件100相同的材料所形成，且可與支撐件100一體成形。塗層220B可塗佈於主體部210B的表面，且可由與主體部210B不同的一材料所形成。
若支撐件100及溫度補償件200彼此由不同的材料所形成，則支撐件100及溫度補償件200彼此可能具有不同的熱膨脹係數。因此，當基板支撐裝置被加熱至高溫時，基板支撐裝置可能因支撐件100及溫度補償件200間不同的熱膨脹係數而變形或損傷。
因此，在圖3的實施例中，溫度補償件200B的主體部210B由與支撐件100相同的材料所形成，故可有效地避免上述因不同熱膨脹係數對基板支撐裝置造成的變形或損傷。
由於主體部210B係與支撐件100一體成形，如圖3所示，主體部210B的底面可與支撐件100一體地連接，且塗層220B可設置於主體部210B的兩個側面及頂面。
此外，塗層220B可由具有熱傳導性高於主體部210B之材料的熱傳導性的一材料所形成。舉例來說，塗層220B可由陶瓷所形成。
支撐件100可由石英所形成，且溫度補償件200B的至少一部分可由一黑體所形成。亦即，支撐件100及主體部210B可由石英所形成，且塗層220B可由近似一黑體的一材料所形成。此處，近似一黑體的材料可包含碳化矽(SiC)、黑陶瓷、氧化鋁(Al2 O3 )、石墨或黑石英至少其中一者。然而，此僅為示例。
此外，支撐件100及主體部210B可由可透光的(即透明的)石英所形成，且塗層220B可由一不透光的(即一不透明的)黑體所形成。
圖4為繪示圖2之又一實施例的剖面視圖。如同圖3之實施例，在圖4之實施例中，溫度補償件200C包含一主體部210C以及一塗層220C塗佈於主體部210C的表面。
然而，不同於圖3之實施例，在圖4之實施例中，溫度補償件200C可與支撐件100分開地製造，且可耦合至支撐件100。此時，溫度補償件200C可透過一鎖固件耦合至支撐件100。
參照圖4，在本實施例中，塗層220C可設置於主體部210C的兩個側面、頂面及底面。因此，從剖面來看時，溫度補償件200C可構成使塗層220C包覆主體部210C。
如同圖3之實施例，在圖4之實施例中，溫度補償件200C的主體部210C可由與支撐件100相同的材料所形成，故可有效地避免上述因不同熱膨脹係數對基板支撐裝置造成的變形或損傷。
圖5為繪示圖2之又一實施例的剖面視圖。如同前述的實施例，在圖5之實施例中，溫度補償件200D包含一主體部210D以及塗佈於主體部210D的表面的一塗層220D。主體部210D可與支撐件100一體成形。
主體部210D及塗層220D彼此可由不同的材料所形成。塗層220D可由具有熱傳導性高於主體部210D之材料的熱傳導性的一材料所形成。與上述圖3和圖4之實施例相同配置的重複說明將省略。
參照圖5，塗層220D包含一第一塗層以及一第二塗層，其中塗層220D的第一塗層形成於主體部210D的頂面及側面，塗層220D的第二塗層形成於凹陷部120的側面及下表面，且使第二塗層的一端接觸基板10邊緣的底面。其中，第二塗層與基板10的邊緣在垂直方向上彼此相對設置。
由於此結構配置，增加了塗層220D朝向基板10側面及邊緣暴露部分的表面面積。因此，從塗層220D傳遞至基板10側面及邊緣的熱能增加，故可有效地補償基板10邊緣之溫度。
此外，由於塗層220D的一端係直接接觸基板10邊緣的底面，熱能可透過熱傳導自塗層220D傳遞至基板10的邊緣。
由於熱能容易因為熱傳導自塗層220D傳遞至基板10的邊緣，故可更有效地補償基板10邊緣之溫度。
圖6為繪示圖2之又一實施例的剖面視圖。在本實施例中，溫度補償件200E及基板10可設置於支撐件100的頂面。
如同前述的實施例，溫度補償件200E及基板10可彼此相隔開，以令各自的側面彼此相對。
此時，溫度補償件200E的底面及基板10的底面可在垂直方向上設置於相同高度。亦即，溫度補償件200E及基板10可設置於同一平面。此處，“同一平面”可指支撐件100的頂面。
因此，不同於前述的實施例，本實施例可不包含上述凸出於支撐件100頂面的座體部110或上述自支撐件100頂面凹陷的凹陷部120。
由於此結構配置，在圖6的實施例中，支撐件100的形成可容易地實現。
此外，由於溫度補償件200E的底面及基板10的底面係設置於同一平面，故可最大化朝向基板10側面的溫度補償件200E側面之表面面積，從而可有效地將熱能從溫度補償件200E傳遞至基板10的邊緣。
圖7為繪示應用圖1實施例之基板加工裝置的剖面視圖。基板加工裝置700可包含形成用以加工一基板10的一反應空間的一腔室600、設於腔室600中以支撐基板10的至少一支撐件100、用以容置支撐件100並使支撐件100可繞在腔室600中之一中心軸移動的一支撐件載座300、以及用以噴塗加工氣體至設置於支撐件100之基板10的一氣體噴塗單元500。
基板加工裝置700可包含設於支撐件載座300下側以加熱基板10的一加熱器(未繪示)。加熱器可例如為一光學加熱器。從光學加熱器發射出的光可依序通過支撐件載座300及支撐件100，且可加熱基板10。此時，支撐件載座300可由與支撐件100相同的材料所形成。
加熱器可以不是光學加熱器，而可以是感應加熱器或電阻加熱器。另外，加熱器可以是設置於支撐件載座300內。
支撐件100可朝腔室600上方的方向凸出於支撐件載座300。設置於支撐件100的基板10可位於高於支撐件載座300頂面的位置。支撐件100可耦合至支撐件載座300或與支撐件載座300分開設置。在兩個或多個支撐件100耦合至支撐件載座300的情況下，支撐件100可以是可分離地耦合至支撐件載座300。
在基板加工裝置700中，當支撐件100凸出於支撐件載座300的頂面時，支撐件100頂面的邊緣及其側面暴露於反應空間，因而較支撐件100設有基板的部分有較高的熱損失。設置於支撐件100的基板之邊緣可能較基板之中心有較高的熱損失。因此，透過安裝上述參考圖1至圖6的溫度補償件200至支撐件100，從溫度補償件200散發出的熱能可補償基板10邊緣的熱損失，從而確保基板有均勻的溫度分布。此外，可以根據情況進一步增加基板邊緣的溫度。
由於所述參考圖3至圖6的基板支撐裝置之結構所獲得的其他功效等同於或相似於上述參考圖1及圖2之功效，故其重複的說明將省略。
儘管以上僅描述了有限數量的實施例，但是其他各種實施例也是可能的。只要可彼此相容，上述各實施例的技術內容係可以組合成各種形式，從而可實現於新的實施例中。
10:基板
100:支撐件
110:座體部
120:凹陷部
200、200A、200B、200C、200D、200E:溫度補償件
210B、210C、210D:主體部
220B、220C、220D:塗層
300:支撐件載座
500:氣體噴塗單元
600:腔室
700:基板加工裝置
圖1為繪示根據本發明之一實施例的基板支撐裝置的平面視圖； 圖2為圖1中方向A-A的剖面視圖； 圖3為繪示圖2之另一實施例的剖面視圖； 圖4為繪示圖2之又一實施例的剖面視圖； 圖5為繪示圖2之又一實施例的剖面視圖； 圖6為繪示圖2之又一實施例的剖面視圖；以及 圖7為繪示應用圖1實施例之基板加工裝置的剖面視圖。
10‧‧‧基板
100‧‧‧支撐件
120‧‧‧凹陷部
200‧‧‧溫度補償件

Claims (18)

  1. 一種基板支撐裝置，包含：一支撐件，以支撐一基板；以及一溫度補償件，設置於該支撐件的一邊緣；其中該溫度補償件包含：一主體部，由與該支撐件相同的一材料所形成，且該主體部與該支撐件一體成形；以及一塗層，塗佈於該主體部的至少一側面及一頂面，該塗層由與該主體部不同的一材料所形成；其中該支撐件由一透明材料所形成，且該溫度補償件由一不透明材料所形成。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之基板支撐裝置，其中該溫度補償件包含塗佈有對清潔氣體具有耐腐蝕性的一材料的一表面。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之基板支撐裝置，其中該基板及該溫度補償件彼此相隔開，以令該基板的一側面與該溫度補償件的一側面彼此相對。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之基板支撐裝置，其中該塗層由具有熱傳導性高於該支撐件及該主體部之材料的一材料所形成。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之基板支撐裝置，其中該支撐件及該主體部由石英所形成，且該塗層由一黑體所形成。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之基板支撐裝置，其中該黑體包含選自由碳化矽(SiC)、黑陶瓷、黑石英、氧化鋁(Al2O3)和石墨所組成 的群組中的至少其中之一者。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之基板支撐裝置，其中該溫度補償件呈一環形並設置成環繞該基板。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之基板支撐裝置，其中該支撐件包含：一座體部，該基板設置於該座體部上；以及一凹陷部，呈一環形，該凹陷部形成於該座體部與該溫度補償件的一內側面之間。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之基板支撐裝置，其中該基板設置於該凹陷部上，以令該基板的一邊緣的一側面和一底面顯露於外。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之基板支撐裝置，其中該溫度補償件散發一熱能，且自該溫度補償件散發出的該熱能加熱該基板的該邊緣的一頂面、該側面和該底面。
  11. 一種基板支撐裝置，包含：一支撐件，以支撐一基板；以及一溫度補償件，設置於該支撐件的一邊緣；其中該支撐件包含：一座體部，該基板設置於該座體部上；以及一凹陷部，呈一環形，該凹陷部形成於該座體部與該溫度補償件的一內側面之間；其中該溫度補償件包含： 一主體部，由與該支撐件相同的一材料所形成，且該主體部與該支撐件一體成形；以及一塗層，塗佈於該主體部的至少一側面及一頂面，該塗層由與該主體部不同的一材料所形成；其中該溫度補償件包含由對清潔氣體具有耐腐蝕性的一材料所形成的一表面，以及其中該基板設置於該凹陷部上，以令該基板的一邊緣的一側面和一底面顯露於外並且被自該溫度補償件散發出的一熱能加熱。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之基板支撐裝置，其中該溫度補償件由具有熱傳導性高於該支撐件之材料的一材料所形成。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之基板支撐裝置，其中該支撐件由石英所形成，且該溫度補償件的至少一部分由一黑體所形成。
  14. 如申請專利範圍第11項所述之基板支撐裝置，其中該塗層之一部分設置於該凹陷部的一側面及一下表面，且該塗層之一端接觸該基板的該邊緣的一底面。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之基板支撐裝置，其中該塗層由具有熱傳導性高於該主體部之材料的一材料所形成。
  16. 如申請專利範圍第11項所述之基板支撐裝置，其中該溫度補償件包含塗佈有對清潔氣體具有耐腐蝕性的一材料的一表面。
  17. 如申請專利範圍第13項所述之基板支撐裝置，其中該黑體包含選自由碳化矽(SiC)、黑陶瓷、氧化鋁(Al2O3)、石墨和黑石英所組成的群組中的至少其中之一者。
  18. 如申請專利範圍第14項所述之基板支撐裝置，其中該塗層包含：一第一塗層，形成於該主體部的一頂面及一側面；以及一第二塗層，形成於該凹陷部的該側面及該下表面；其中，該第二塗層與該基板的該邊緣在垂直方向上彼此相對設置。
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