CN110622291A - 基板支撑设备 - Google Patents

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Abstract

基板支撑设备的一个实施方式包括：用于支撑基板的支撑构件；和温度补偿构件，所述温度补偿构件设置在所述支撑构件的边缘并且补偿所述基板的温度，其中所述支撑构件可由光透射材料形成，所述温度补偿构件可由不透明材料形成，并且所述温度补偿构件的表面可由对清洁气体具有抗腐蚀性的材料制成。

Description

基板支撑设备
技术领域
实施方式涉及一种补偿或进一步增加基板边缘的温度以在基板上实现均匀温度分布的基板支撑设备。
背景技术
在该部分描述的内容仅提供关于实施方式的背景信息，并不构成现有技术。
通常，半导体存储器装置、液晶显示装置、有机发光装置或类似装置是通过多个半导体工艺在处于期望配置的基板上堆叠结构而生产的。
半导体制造工艺包括在基板上沉积预定薄膜的工艺、暴露薄膜的所选区域的光刻工艺及移除薄膜的所选区域的蚀刻工艺。用于制造半导体的基板处理工艺是通过基板处理设备执行的，所述基板处理设备包括具有用于相应工艺的最佳环境的腔室。
将待处理目标(即基板)和用于支撑基板的基板支撑设备设置在腔室内部，并将包括源材料的工艺气体喷淋在基板上。通过工艺气体中包含的源材料，在基板上进行沉积工艺和蚀刻工艺。
发明内容
技术问题
实施方式涉及一种补偿或进一步增加基板边缘的温度以在基板上实现均匀温度分布的基板支撑设备。
然而，实施方式所要达到的目的不限制于上述目的，未提到的其他目的将被实施方式所属领域的技术人员从以下描述清楚地了解。
技术方案
根据实施方式，一种基板支撑设备包括：用于支撑基板的支撑构件；和温度补偿构件，所述温度补偿构件设置在所述支撑构件的边缘以补偿所述基板的温度，其中所述支撑构件由透光材料，即光透射材料或透明材料形成，所述温度补偿构件由不透光材料，即不透明材料形成，以用于阻挡光，并且所述温度补偿构件包括对清洁气体具有腐蚀抵抗性的材料形成的表面。
所述温度补偿构件可包括涂覆有对清洁气体具有腐蚀抵抗性的材料的表面。
所述支撑构件可由石英(quartz)形成，并且所述温度补偿构件可由选自由以下项组成的组的至少一种材料形成：碳化硅(SiC)、黑色陶瓷(Black ceramic)、黑色石英(BlackQuartz)和石墨(graphite)。
所述基板和所述温度补偿构件可彼此分隔，使得所述基板的侧表面和所述温度补偿构件的侧表面彼此面对。
所述温度补偿构件可由比所述支撑构件的材料具有更高热导率(thermalconductivity)的材料形成。
所述温度补偿构件可包括主体部分和涂覆在所述主体部分的表面上的涂层，所述主体部分由与所述支撑构件相同的材料形成，所述涂层由与所述主体部分不同的材料形成。
所述涂层可由比所述主体部分的材料具有更高热导率的材料形成。
所述支撑构件和所述主体部分可由石英形成，并且所述涂层可由黑体形成。
所述温度补偿构件可形成为围绕所述基板设置的环的形状。
所述支撑构件可包括安置所述基板的安置部分和具有环形状的凹陷部分，所述凹陷部分形成在所述安置部分与所述温度补偿构件的内侧表面之间。
所述基板可设置在所述凹陷部分上，使得所述基板的边缘的侧表面和底表面被暴露。
所述温度补偿构件可散热，并且从所述温度补偿构件散出的热可加热所述基板的边缘的顶表面、侧表面和底表面。
所述温度补偿构件和所述基板可设置在所述支撑构件的顶表面上，使得所述温度补偿构件的底表面和所述基板的底表面在垂直方向上设置在相同高度。
根据另一实施方式，一种基板支撑设备包括：用于支撑基板的支撑构件；和温度补偿构件，所述温度补偿构件设置在所述支撑构件的边缘以补偿所述基板的边缘的温度，所述温度补偿构件由与所述支撑构件不同的材料形成，其中所述支撑构件包括安置所述基板的安置部分和具有环形状的凹陷部分，所述凹陷部分形成在所述安置部分与所述温度补偿构件的内侧表面之间，所述温度补偿构件包括对清洁气体具有腐蚀抵抗性的材料形成的表面，并且所述基板设置在所述凹陷部分上，使得所述基板的边缘的侧表面和底表面被暴露并且被所述温度补偿构件散出的热加热。
所述温度补偿构件可由比所述支撑构件的材料具有更高热导率的材料形成。
所述支撑构件可由石英形成，并且所述温度补偿构件的至少一部分可由黑体形成。
所述温度补偿构件可包括主体部分和涂覆在所述主体部分的表面上的涂层，所述主体部分由与所述支撑构件相同的材料形成，所述涂层由与所述主体部分不同的材料形成。所述涂层可形成为使得所述涂层的一部分设置在所述凹陷部分的侧表面和下表面上并且使得所述涂层的一端与所述基板的边缘的底表面接触。
所述涂层可由比所述主体部分的材料具有更高热导率的材料形成。
所述温度补偿构件可包括涂覆有对清洁气体具有腐蚀抵抗性的材料的表面。
所述黑体可包括选自由以下项组成的组的至少一种材料：碳化硅(SiC)、陶瓷(ceramic)、氧化铝(Al2O3)、石墨(graphite)和石英(Quartz)。
有益效果
根据实施方式，温度补偿构件进一步加热基板的边缘，以补偿基板边缘的温度(基板边缘的温度低于基板中心的温度)，从而在基板的整个区域上实现均匀温度分布或进一步增加基板边缘的温度。
根据实施方式，由于不透光(不透明)的温度补偿构件比透光(光透射或透明)的支撑构件具有更高温度，因此可有效地实现从不透光的温度补偿构件到基板边缘的热传送，从而在基板的整个区域上实现均匀温度分布或进一步增加基板边缘的温度。
根据实施方式，基板边缘的顶表面、侧表面和底表面被温度补偿构件散出的热加热，因此，基板边缘的温度因热传送面积增大而有效增加。
根据实施方式，温度补偿构件包括的材料对引入到基板处理设备的腔室中的清洁气体或蚀刻气体具有优良腐蚀抵抗性、具有高热吸收性和高热导率，因此能够有效及持续地向基板边缘传送热，从而改善待沉积于基板边缘上的薄膜的厚度分布。
附图说明
图1是示出根据实施方式的基板支撑设备的平面图；
图2是沿图1中的方向A-A截取的截面图；
图3是示出图2的另一实施方式的截面图；
图4是示出图2的另外实施方式的截面图；
图5是示出图2的另外实施方式的截面图；
图6是示出图2的另外实施方式的截面图；
图7是示出应用图1的实施方式的基板处理设备的截面图。
具体实施方式
以下，将参考附图详细描述实施方式。尽管公开内容可允许各种修改和替代形式，但通过示例的方式将本公开内容的特定实施方式图示于图中并在描述中进行详细解释。然而，公开内容不应被解释为限制于本文阐述的实施方式，而是相反，公开内容旨在覆盖落在实施方式的精神和范围内的所有修改、等同物和替代物。
可理解，尽管本文可使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但这些元件不被解释为被这些术语限制。这些术语通常仅用于将一个元件与另一元件区分开。此外，考虑实施方式的构造和操作而特别定义的术语仅用于描述实施方式，而并不限定实施方式的范围。
将理解，当元件被表述为在另一元件“上”或“下”时，其可直接在该元件上/下，或者也可存在一个或多个中间元件。当元件被表述为“在……上”或“在……下”时，基于该元件可包括“在元件下”和“在元件上”。
此外，诸如“在……上/上部/在……上方”和“在……下/下部/在……下方”之类的相关术语仅用于在一个物体或元件与另一物体或元件之间进行区分，而不必然要求或涉及这些物体或元件之间的任何物理或逻辑关系或顺序。
图1是示出根据实施方式的基板支撑设备的平面图。图2是沿图1中的方向A-A截取的截面图。
实施方式的基板支撑设备设置在腔室(未图示)中，在所述腔室中执行制造基板10的工艺，诸如沉积工艺、蚀刻工艺或类似工艺。基板支撑设备可被配置为允许基板10安置于其上，并且可在执行基板制造工艺时支撑基板10。
尽管未示出，但可在腔室中设有喷淋单元以用于将包括源材料的工艺气体或净化气体喷淋到基板10。此外，包括上述腔室的基板处理设备可设有排放装置，诸如真空泵或类似装置，以允许腔室内部保持在真空状态或保持在接近真空的压力下。
此外，基板处理设备可进一步包括设置在腔室内以制造基板的等离子体产生装置。
实施方式的基板支撑设备可包括支撑构件100和温度补偿构件200。支撑构件100可被配置为允许基板10安置于其顶表面上，并且可在执行基板制造工艺时支撑基板10。这里，温度补偿构件200可间接加热基板10的边缘以补偿基板10的边缘温度的降低或进一步增加基板10的边缘温度。
如图1和2所示，温度补偿构件200可设置在支撑构件100的边缘，并且可用于补偿基板10的温度。
此时，温度补偿构件200从设置在腔室的加热器(未图示)接收热，并将热传送给安置在支撑构件100上的基板10以便进一步加热基板10的边缘，从而补偿或进一步增加基板10的边缘温度。
在基板制造工艺期间，基板10可被设置于腔室的加热器加热。可在基板10被加热器加热到高温的状态下执行基板制造工艺。
此时，基板10的整个区域可具有均匀温度分布，或者基板10的边缘温度可能需要进一步增加。若基板10的整个区域具有非均匀温度分布，则可能在基板10上导致非均匀沉积厚度或非均匀蚀刻厚度，从而在基板10中导致缺陷。
或者，在一些情况中，在半导体工艺期间，基板10的边缘温度可能需要增加到比基板10的中心温度高。
特别地，与仅暴露基板的顶表面的基板10的中心相比，在暴露基板的侧表面、顶表面和一部分底表面的基板10的边缘可能更快速地发生到外部的热散失。
此外，与安置基板10的支撑构件100的顶表面相比，在暴露支撑构件的侧表面和一部分顶表面的支撑基板10的支撑构件100的边缘也可能更快速地发生到外部的热散失。
为此，当基板10被加热到高温时，基板10的边缘温度可能比基板10的中心温度低。
因此，温度补偿构件200进一步加热基板10的边缘，以便补偿比基板10的中心温度低的基板10的边缘温度，结果是，基板10的整个区域具有均匀温度分布或者基板10的边缘具有比基板10的中心温度高的温度。以此方式，温度补偿构件200可用于改进待沉积于基板边缘上的薄膜的厚度分布。此外，温度补偿构件200可用于最小化或避免基板10的整个区域的温度降低。
为了进一步加热基板10的边缘，温度补偿构件200需要被设置成与基板10的边缘相邻。也就是说，温度补偿构件200可被设置成围绕基板10。
例如，如图1所示，当基板10是具有盘状的晶片时，温度补偿构件200可形成为环状以便对应于基板10的形状。
将在随后描述的分别示于图2至6中的温度补偿构件200A、200B、200C、200D和200E是图1所示的温度补偿构件200的各种示例。
参考图2，在实施方式的基板支撑设备中，温度补偿构件200A可设置成使得其侧表面面向基板10的侧表面。基板10和温度补偿构件200A可被布置成彼此间隔开。
若温度补偿构件200A与基板10直接接触，则过量的热可能从具有比支撑构件100高的热导率的温度补偿构件200A通过热传导传送到基板10的边缘和/或基板10边缘的相邻部分。
在该情况中，基板10的边缘或基板10边缘的周边部分的温度可能比基板10的中心温度高出过多，这可能在基板10的整个区域上导致不均匀的温度分布。
为了避免基板10的不均匀温度分布，实施方式采用温度补偿构件200A不直接接触基板10的上述配置。
此外，温度补偿构件200A不直接接触基板10的配置可使得易于将基板10安置到基板支撑设备上或易于将基板10从基板支撑设备分离，并且还可有效地防止由于温度补偿构件200A与基板10之间的接触导致的温度补偿构件200A或基板10的磨损或损坏的发生。
支撑构件100和温度补偿构件200A可由彼此不同的材料形成，并且温度补偿构件200A可耦接到支撑构件100。此时，可使用紧固构件将温度补偿构件200A耦接到支撑构件100。
在实施方式中，温度补偿构件200A可由比支撑构件100的材料具有更高热导率的材料形成。
在实施方式中，温度补偿构件200A可由比支撑构件100的材料具有更高热吸收性的材料形成。温度补偿构件200A中吸收的热量越大，可从温度补偿构件200A散出到基板10的边缘的热量就越大。从温度补偿构件200A散出的热可补偿或进一步增加基板10边缘的温度。
在实施方式中，温度补偿构件200A可由对引入到基板处理设备的腔室中的清洁气体或蚀刻气体具有优良腐蚀抵抗性的材料形成。使用对清洁气体或蚀刻气体具有优良腐蚀抵抗性的材料形成温度补偿构件的原因是确保在高温真空环境中的长期使用。此时，清洁气体或蚀刻气体可以是包括卤素族元素的氟或氟化合物，诸如CF4。温度补偿构件200A可暴露于保持其原始状态的清洁气体或蚀刻气体，或者可暴露于被等离子体活化的清洁气体或蚀刻气体。
这里，具有优良腐蚀抵抗性的上述材料可包括碳化硅(SiC)、氧化铝(Al2O3)或陶瓷(ceramic)的至少一种。然而，这仅是示例性的。
由于温度补偿构件200A比支撑构件100具有更高热导率，因此即使温度补偿构件200A具有比支撑构件100小的体积，热也从温度补偿构件200A有效地传送到基板10的边缘。因此，基板10的边缘被有效加热，因而基板10的边缘温度可增加成高于基板10的中心温度。
也就是说，与支撑构件100相比，具有相对高热导率的温度补偿构件200A可快速吸收设置在腔室的加热器传送的热，并且可将热快速传送到基板10的边缘。
因此，基板10的边缘可从温度补偿构件200A有效接收热，因而在基板10的整个区域上的温度分布可变得均匀。
为了确保温度补偿构件200A的热导率高于支撑构件100的热导率，例如，支撑构件100可由石英形成，并且温度补偿构件200A可由接近黑体的材料形成，或者可在其表面上涂覆接近黑体的材料。然而，公开内容不限于此。
黑体是一种理想材料，因此以下描述中使用的术语“黑体”指所具有的性质接近黑体性质的材料。这里，黑体可指具有优良热传送效率，即优良热吸收性和散热效率的材料。黑体可以是例如石墨、氧化铝(Al2O3)、氧化铝与杂质的混合材料或类似材料。然而，公开内容不限于此。
支撑构件100可由透光材料，即光透射或透明材料形成，并且温度补偿构件200A可由不透光材料，即不透明材料形成以用于阻挡光。例如，支撑构件100可由透光石英，即透明石英形成，并且温度补偿构件200A可由不透光黑体，即不透明黑体形成。然而，公开内容不限于此。
由于支撑构件100由透光材料形成，因此其温度可低于由不透光材料形成的温度补偿构件200A的温度。
例如，从加热器传送到透光支撑构件100的全部热并非都可用于加热支撑构件100，而是一部分热可通过热辐射现象散到外部。其原因是因为支撑构件100是透光的，辐射热可穿过支撑构件100散到外部。
另一方面，从加热器传送到温度补偿构件200A的热没有穿过不透光的温度补偿构件200A以辐射热的形式散到外部。因此，从加热器传送的热可有效地加热温度补偿构件200A。
由于上述原因，在实施方式中，当在基板制造工艺期间通过加热器加热基板支撑设备时，不透光的温度补偿构件200A可比透光的支撑构件100具有更高温度。
由于不透光的温度补偿构件200A可比透光的支撑构件100具有更高温度，因此热可从不透光的温度补偿构件200A有效地传送至基板10的边缘，因而在基板10的整个区域上实现均匀温度分布。
此外，例如，加热器可以是辐射式加热器。在加热器设置在基板支撑设备的下侧的情况中，从加热器发射的辐射热可穿过透光的支撑构件100，因而可容易地加热不透光的温度补偿构件200A。
参考图2，该实施方式的支撑构件100可包括安置部分110和凹陷部分120。安置部分110可形成为允许基板10安置于其上。
凹陷部分120可形成在安置部分110与温度补偿构件200A的内侧表面之间，并且可形成为环状以便对应于圆形基板10和环形温度补偿构件200A。也就是说，凹陷部分120可围绕比凹陷部分120更凸出的安置部分110的圆周形成。
参考图2，凹陷部分120可由温度补偿构件200A的侧表面和安置部分110的侧表面限定。
由于该配置，当基板10安置于安置部分110上时，基板10的边缘可位于凹陷部分120之上，使得基板10的边缘的侧表面和底表面被暴露。因此，基板10可被定位成与温度补偿构件200A相邻，使得基板10的侧表面与温度补偿构件200A间隔开。
此外，由于基板10的边缘的顶表面、侧表面和底表面均被暴露，因此可在不被支撑构件100阻挡的情况下有效地实现从温度补偿构件200A到基板10的边缘的热传送。
因此，基板10的边缘的顶表面、侧表面和底表面可被从温度补偿构件200A散出的热加热，因此，基板10的边缘可由于热传送面积的增大而被有效地加热。
图3是示出图2的另一实施方式的截面图。如图3所示，温度补偿构件200B可包括主体部分210B和涂层220B。
主体部分210B可由与支撑构件100相同的材料形成，并且可与支撑构件100一体形成。涂层220B可涂覆在主体部分210B的表面上，并且可由与主体部分210B不同的材料形成。
若支撑构件100和温度补偿构件200由彼此不同的材料形成，则支撑构件100和温度补偿构件200可具有彼此不同的热膨胀系数。因此，当基板支撑设备被加热到高温时，基板支撑设备可能由于支撑构件100与温度补偿构件200之间的热膨胀系数不同而变形或损坏。
因此，在图3所示的实施方式中，温度补偿构件200B的主体部分210B由与支撑构件100相同的材料形成，因而有效地避免由上述热膨胀系数的不同导致的基板支撑设备的变形或损坏。
如图3所示，由于主体部分210B与支撑构件100一体形成，因此主体部分210B的底表面可与支撑构件100一体地连接，并且涂层220B可设置在主体部分210B的两个侧表面和顶表面上。
此外，涂层220B可由比主体部分210B的材料具有更高热导率的材料形成。例如，涂层220B可由陶瓷形成。
支撑构件100可由石英形成，并且温度补偿构件200B的至少一部分可由黑体形成。也就是说，支撑构件100和主体部分210B可由石英形成，而涂层220B可由接近黑体的材料形成。这里，接近黑体的材料可包括碳化硅(SiC)、黑色陶瓷、氧化铝(Al2O3)、石墨或黑色石英中的至少之一。然而，这仅是示例性的。
此外，支撑构件100和主体部分210B可由透光石英，即透明石英形成，并且涂层220B可由不透光黑体，即不透明黑体形成。
图4是示出图2的另外实施方式的截面图。与图3的实施方式一样，在图4的实施方式中，温度补偿构件200C包括主体部分210C和涂覆在主体部分210C的表面上的涂层220C。
然而，不同于图3的实施方式，在图4的实施方式中，温度补偿构件200C可与支撑构件100分开制造，并且可耦接到支撑构件100。此时，可使用紧固构件将温度补偿构件200C耦接到支撑构件100。
参考图4，在该实施方式中，涂层220C可设置在主体部分210C的两个侧表面及顶表面和底表面上。因此，当在截面中观看时，温度补偿构件200C可被配置成使得涂层220C包裹主体部分210C。
与图3的实施方式一样，在图4的实施方式中，温度补偿构件200C的主体部分210C可由与支撑构件100相同的材料形成，从而有效地避免由上述热膨胀系数的不同导致的基板支撑设备的变形或损坏。
图5是示出图2的另外实施方式的截面图。与之前的实施方式一样，在图5的实施方式中，温度补偿构件200D包括主体部分210D和涂覆在主体部分210D的表面上的涂层220D。主体部分210D可与支撑构件100一体地形成。
主体部分210D和涂层220D可由彼此不同的材料形成。涂层220D可由比主体部分210D的材料具有更高热导率的材料形成。将省略与图3和4的上述实施方式相同的配置的重复说明。
参考图5，涂层220D可形成为使得其一部分设置在凹陷部分120的侧表面和下表面上，并且使得其一端与基板10的边缘的底表面接触。
由于该配置，涂层220D的面向基板10的侧表面和边缘的暴露部分的表面面积增大。因此，从涂层220D传送到基板10的侧表面和边缘的热量增加，因此，可有效地补偿基板10的边缘温度。
此外，由于涂层220D的一端与基板10的边缘的底表面接触，因此热可通过热传导从涂层220D传送到基板10的边缘。
由于因热传导而快速地发生从涂层220D到基板10的边缘的热传送，因此可更有效地补偿基板10的边缘温度。
图6是示出图2的另外实施方式的截面图。在该实施方式中，温度补偿构件200E和基板10可设置在支撑构件100的顶表面上。
与之前的实施方式一样，温度补偿构件200E和基板10可被布置成使得它们的侧表面彼此分隔开并彼此面对。
此时，温度补偿构件200E的底表面和基板10的底表面可在垂直方向上设置在相同高度。也就是说，温度补偿构件200E和基板10可设置在同一平面中。这里，“同一平面”可指支撑构件100的顶表面。
因此，不同于之前的实施方式，该实施方式可不包括从支撑构件100的顶表面凸出的上述安置部分110或从支撑构件100的顶表面凹陷的上述凹陷部分120。
由于该配置，在图6的实施方式，可容易地实现支撑构件100的形成。
此外，由于温度补偿构件200E的底表面和基板10的底表面设置在同一平面中，因此面向基板10的侧表面的温度补偿构件200E的侧表面的表面面积可最大化，因而可有效地实现从温度补偿构件200E到基板10的边缘的热传送。
图7是示出应用图1的实施方式的基板处理设备700的截面图。基板处理设备700可包括腔室600、至少一个支撑构件100、支撑构件载体300和气体喷淋单元500，腔室600限定用于处理基板10的反应空间，至少一个支撑构件100设置在腔室600内以支撑安置于其上的基板10，支撑构件载体300容纳支撑构件100并允许支撑构件100可绕腔室600内的中心轴移动，气体喷淋单元500向安置在支撑构件100上的基板10喷淋工艺气体。
基板处理设备700可包括加热器(未图示)，所述加热器设置在支撑构件载体300的下侧以加热基板10。例如，加热器可以是光学加热器。从光学加热器发射的光可依序穿过支撑构件载体300和支撑构件100，从而可加热基板10。此时，支撑构件载体300可由与支撑构件100相同的材料形成。
加热器可以不是光学加热器，但替代地可以是电感加热器或电阻加热器。加热器可替代地设置在支撑构件载体300内。
支撑构件100可沿腔室600的向上方向从支撑构件载体300凸出。安置于支撑构件100上的基板10可位于高于支撑构件载体300的顶表面的位置。支撑构件100可耦接至支撑构件载体300或与支撑构件载体300分离。在两个或更多个支撑构件100被耦接到支撑构件载体300的情况中，支撑构件100可被可移除地耦接到支撑构件载体300。
在基板处理设备700中，当支撑构件100从支撑构件载体300的顶表面凸出时，支撑构件100的顶表面的边缘及其侧表面暴露到反应空间，因而比支撑构件100的其上安置基板的部分经历更高的热损失。安置在支撑构件100上的基板的边缘可能比基板的中心经历更高的热损失。因此，通过将以上参考图1至6描述的温度补偿构件200安装到支撑构件100，从温度补偿构件200散出的热补偿基板10的边缘的热损失，从而确保基板上的均匀温度分布。此外，可根据情况进一步增加基板边缘的温度。
由参考图3至6描述的基板支撑设备的配置获得的其他效果与以上参考图1和2描述的效果相同或相似，因此将省略其重复说明。
尽管以上仅描述了有限数量的实施方式，但各种其他实施方式是可能的。上述实施方式的技术内容可结合为各种形式，只要它们不相互矛盾，因此可实施成新的实施方式。
发明模式
发明模式已完全说明于上述“具体实施方式”中。
工业实用性
实施方式涉及基板支撑设备并且具有基板支撑设备中的工业实用性。

Claims (20)

1.一种基板支撑设备，包括：
用于支撑基板的支撑构件；和
温度补偿构件，所述温度补偿构件设置在所述支撑构件的边缘，
其中所述支撑构件由透明材料形成，并且所述温度补偿构件由不透明材料形成，
其中所述温度补偿构件包括对清洁气体具有腐蚀抵抗性的材料形成的表面。
2.根据权利要求1所述的基板支撑设备，其中所述温度补偿构件包括涂覆有对清洁气体具有腐蚀抵抗性的材料的表面。
3.根据权利要求1或2所述的基板支撑设备，其中所述支撑构件由石英形成，并且所述温度补偿构件由选自由以下项组成的组的至少一种材料形成：碳化硅(SiC)、黑色陶瓷、黑色石英和石墨。
4.根据权利要求1或2所述的基板支撑设备，其中所述基板和所述温度补偿构件彼此分隔开，使得所述基板的侧表面和所述温度补偿构件的侧表面彼此面对。
5.根据权利要求1或2所述的基板支撑设备，其中所述温度补偿构件由比所述支撑构件的材料具有更高热导率的材料形成。
6.根据权利要求1所述的基板支撑设备，其中所述温度补偿构件包括：
主体部分，所述主体部分由与所述支撑构件相同的材料形成；和
涂覆在所述主体部分的表面上的涂层，所述涂层由与所述主体部分不同的材料形成。
7.根据权利要求6所述的基板支撑设备，其中所述涂层由比所述主体部分的材料具有更高热导率的材料形成。
8.根据权利要求7所述的基板支撑设备，其中所述支撑构件和所述主体部分由石英形成，并且所述涂层由黑体形成。
9.根据权利要求1所述的基板支撑设备，其中所述温度补偿构件形成为围绕所述基板设置的环的形状。
10.根据权利要求1所述的基板支撑设备，其中所述支撑构件包括：
安置所述基板的安置部分；和
具有环形状的凹陷部分，所述凹陷部分形成在所述安置部分与所述温度补偿构件的内侧表面之间。
11.根据权利要求10所述的基板支撑设备，其中所述基板设置在所述凹陷部分上，使得所述基板的边缘的侧表面和底表面被暴露。
12.根据权利要求11所述的基板支撑设备，其中所述温度补偿构件散热，并且从所述温度补偿构件散出的热加热所述基板的边缘的顶表面、侧表面和底表面。
13.根据权利要求1所述的基板支撑设备，其中所述温度补偿构件和所述基板设置在所述支撑构件的顶表面上，使得所述温度补偿构件的底表面和所述基板的底表面在垂直方向上设置在相同高度。
14.一种基板支撑设备，包括：
用于支撑基板的支撑构件；和
温度补偿构件，所述温度补偿构件设置在所述支撑构件的边缘，所述温度补偿构件由与所述支撑构件不同的材料形成，
其中所述支撑构件包括：
安置所述基板的安置部分；和
具有环形状的凹陷部分，所述凹陷部分形成在所述安置部分与所述温度补偿构件的内侧表面之间，
其中所述温度补偿构件包括对清洁气体具有腐蚀抵抗性的材料形成的表面，
其中所述基板设置在所述凹陷部分上，使得所述基板的边缘的侧表面和底表面被暴露并且被所述温度补偿构件散出的热加热。
15.根据权利要求14所述的基板支撑设备，其中所述温度补偿构件由比所述支撑构件的材料具有更高热导率的材料形成。
16.根据权利要求15所述的基板支撑设备，其中所述支撑构件由石英形成，并且所述温度补偿构件的至少一部分由黑体形成。
17.根据权利要求14所述的基板支撑设备，其中所述温度补偿构件包括：
主体部分，所述主体部分由与所述支撑构件相同的材料形成；和
涂覆在所述主体部分的表面上的涂层，所述涂层由与所述主体部分不同的材料形成，
其中所述涂层形成为使得所述涂层的一部分设置在所述凹陷部分的侧表面和下表面上并且使得所述涂层的一端与所述基板的边缘的底表面接触。
18.根据权利要求17所述的基板支撑设备，其中所述涂层由比所述主体部分的材料具有更高热导率的材料形成。
19.根据权利要求14所述的基板支撑设备，其中所述温度补偿构件包括涂覆有对清洁气体具有腐蚀抵抗性的材料的表面。
20.根据权利要求8或16所述的基板支撑设备，其中所述黑体包括选自由以下项组成的组的至少一种材料：碳化硅(SiC)、陶瓷、氧化铝(Al2O3)、石墨和石英。
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GR01 Patent grant
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