TWI734668B - 在ｅｐｉ腔室中的基材熱控制 - Google Patents

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TWI734668B
TWI734668B TW104117994A TW104117994A TWI734668B TW I734668 B TWI734668 B TW I734668B TW 104117994 A TW104117994 A TW 104117994A TW 104117994 A TW104117994 A TW 104117994A TW I734668 B TWI734668 B TW I734668B
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Abstract

在一個實施例中，提供用於一熱處理腔室的承受器。該承受器包含一基座，該基座具有一前側及一後側，該後側相對於該前側由一熱傳導材料製成，其中該基座包含一周邊區域，該周邊區域環繞一凹陷面積，該凹陷面積具有小於該周邊區域的一厚度之一厚度；及複數個突起特徵，該複數個突起特徵由該前側及該後側的其中一者或兩者突出。

Description

在EPI腔室中的基材熱控制
揭露於此之實施例一般相關於用於半導體基材之熱處理的承受器，且更特定地，相關於具有處理期間改良跨過基材之熱一致性的特徵之承受器。
處理用於廣泛多樣應用的半導體基材，包含整合裝置及微裝置的製造。一個處理基材的方法包含於基材的上方表面上沉積一材料，例如介電材料或傳導性金屬。磊晶為一個使用於在處理腔室中基材表面上長成薄的、超純層(通常為矽或鍺)的沉積處理。磊晶處理能夠藉由維持處理腔室內高一致性的處理條件(例如溫度、壓力及流速)而產生該等品質的層。在基材上方表面附近的面積中維持高一致性的處理條件對於產生高品質層而言是必要的。
通常在磊晶處理中使用承受器以支撐基材以及加熱基材至高一致性的溫度。承受器通常具有使用以由下方繞著基材邊緣支撐基材的橢圓盤或碟狀上方表面，同時留下基材剩下的下方表面及承受器的上方表面之間的一小空隙。精確控制加熱來源(例如設置於承受器下方的複數個加熱照射器)允許在非常嚴格的容忍度內加熱承受器。 被加熱的承受器可接著將熱傳送至基材，主要藉由承受器所發射的輻射。
儘管在磊晶中精確控制加熱基材，持續跨過基材上方表面之溫度非一致性通常減低基材上沉積的層的品質。觀察到靠近基材邊緣以及覆於更靠近基材中央的面積之所不欲的溫度剖面。因此，半導體處理中存在用於支撐及加熱基材的改良承受器之需要。
在一個實施例中，提供用於一熱處理腔室的承受器。該承受器包含一基座，該基座具有一前側及一後側，該後側相對於該前側由一熱傳導材料製成，其中該基座包含一周邊區域，該周邊區域環繞一凹陷面積，該凹陷面積具有小於該周邊區域的一厚度之一厚度；及複數個突起特徵，該複數個突起特徵由該前側及該後側的其中一者或兩者突出。
在另一實施例中，提供用於一熱處理腔室的承受器。該承受器包含一基座，該基座由一熱傳導材料製成且具有一前側及相對於該前側之一後側。該基座進一步包含一周邊區域，該周邊區域環繞一凹陷面積，該凹陷面積具有小於該周邊區域的一厚度之一厚度；及複數個突起特徵，該複數個突起特徵由該前側及該後側的其中一者或兩者突出。該承受器也包含一環，該環由一熱傳導材料製成，其中該周邊區域具有一插入區域以接收該環。
在另一實施例中，提供用於一熱處理腔室的承受器。該承受器包含一基座，該基座具有一前側及一後側，該後側相對於該前側由一熱傳導材料製成。該基座包含一周邊區域，該周邊區域環繞一凹陷面積，該凹陷面積具有小於該周邊區域的一厚度之一厚度。該承受器也包含一環，該環由一熱傳導材料製成且具有一斜坡表面，在該環的一內圓周上形成該斜坡表面以便於將該環上的一基材置中，其中該周邊區域具有一插入區域以接收該環。
100‧‧‧處理腔室
102‧‧‧照射器
103‧‧‧裝載埠
104‧‧‧下方圓頂
105‧‧‧升降銷
106‧‧‧承受器
107‧‧‧反射器
108‧‧‧基材
114‧‧‧下方圓頂
118‧‧‧光學高溫計
122‧‧‧反射器
126‧‧‧通道
128‧‧‧上方圓頂
130‧‧‧夾環
132‧‧‧中央軸件
134‧‧‧方向
136‧‧‧基座環
141‧‧‧燈泡
145‧‧‧照射器頭
149‧‧‧通道
156‧‧‧處理氣體區域
158‧‧‧沖洗氣體區域
163‧‧‧襯墊組件
167A‧‧‧圓形屏蔽
167B‧‧‧圓形屏蔽
167‧‧‧圓形屏蔽
172‧‧‧處理氣體供應來源
173‧‧‧流動路徑
174‧‧‧處理氣體入口
175‧‧‧流動路徑
178‧‧‧氣體出口
180‧‧‧真空幫浦
190‧‧‧基材支撐件
192‧‧‧支撐臂
200‧‧‧承受器
205‧‧‧基座
208‧‧‧周邊區域
210‧‧‧環
212‧‧‧凹陷面積
215‧‧‧升降銷孔洞
220‧‧‧空隙
230‧‧‧斜坡表面
235‧‧‧通氣孔
240‧‧‧可選的空隙
245‧‧‧階梯形區域
250‧‧‧斜坡表面
255‧‧‧肩部區域
260‧‧‧表面
265‧‧‧階梯形區域
270‧‧‧凹陷區域
272‧‧‧周邊邊緣區域
275‧‧‧內環區域
280‧‧‧表面
300‧‧‧承受器
305‧‧‧基座
308‧‧‧凹陷面積
310‧‧‧突出物
315‧‧‧突起部分
320‧‧‧支撐介面結構
325‧‧‧周邊表面
330‧‧‧中央表面
335‧‧‧徑向散熱片
400A‧‧‧承受器
400B‧‧‧承受器
405‧‧‧直徑
410‧‧‧寬度
415‧‧‧直徑
420‧‧‧寬度
500‧‧‧承受器
505‧‧‧弧形通道
510‧‧‧下陷
515‧‧‧表面
600‧‧‧承受器
605‧‧‧環
610‧‧‧孔洞
615‧‧‧基座
620‧‧‧內周邊唇部
625‧‧‧外周邊邊緣
630‧‧‧插入區域
635‧‧‧周邊區域
640‧‧‧凹陷面積
645‧‧‧階梯形區域
650‧‧‧具角度表面
655‧‧‧平面表面
670‧‧‧階梯形區域
675‧‧‧壁
680‧‧‧肩部
700‧‧‧承受器
705‧‧‧基座
710‧‧‧凹溝
715‧‧‧熱區域
720‧‧‧冷區域
725‧‧‧周邊區域
730‧‧‧接觸點
於是，可以詳細理解上方揭露之上述實施例特徵的方式，可藉由參考以下實施例而得到更特定的描述(簡短總結如上)，其中一些圖示於所附圖式中。然而，注意所附圖式僅圖示出典型的實施例，因此不考慮限制其範圍而排除其他等效實施例。
第1圖根據一個實施例圖示一處理腔室的示意截面視圖。
第2A圖為根據一個實施例的可使用於第1圖之處理腔室中的承受器之透視視圖。
第2B圖為第2A圖之承受器的俯視視圖。
第2C圖為第2B圖之承受器的部分橫截面視圖。
第3A及3B圖為根據另一實施例的承受器之等角視圖。
第4A圖為展示承受器及圓形屏蔽的一個實施例之俯視橫截面視圖。
第4B圖展示承受器及圓形屏蔽的另一實施例。
第5圖為承受器的另一實施例之背側的平面視圖。
第6A至6C圖為承受器的另一實施例之多種視圖。
第7圖為承受器的另一實施例之側面橫截面視圖。
為了便於理解，盡可能使用相同元件符號，以標示圖式中常見的相同元件。思量一個實施例中所揭露的元件可有利地於其他實施例上使用，而無須特定敘述。
所揭露實施例一般相關於用於半導體基材之熱處理的承受器。所揭露實施例可藉由在處理期間減低承受器及基材之間的接觸表面面積改良跨過基材表面的熱一致性。減低承受器及基材之間的接觸表面面積在處理期間藉由傳導而減低由承受器傳送至基材的熱的總量。下方描述可減低基材及承受器之間的接觸表面面積的一些結構的實施例。
第1圖為根據一個實施例的一處理腔室100的示意截面視圖。承受器106位於處理腔室100內介於上方圓頂128及下方圓頂114之間。可使用處理腔室100以處理一個或更多個基材，包含於基材108的上方表面上的材料沉積。處理腔室100可包含用於加熱的輻射加熱照射器102的陣列，除了其他組件外，承受器106的背側104設置於處 理腔室100內。在一些實施例中，可設置輻射加熱照射器的陣列覆於上方圓頂128。
上方圓頂128、下方圓頂114、及設置於上方圓頂128及下方圓頂114之間的基座環136一般界定出處理腔室100的內區域。可將基材108(未按比例繪製)帶入處理腔室100且經由裝載埠103放置於承受器106上。在升高的處理位置中展示承受器106，該升高的處理位置受中央軸件132支撐。然而，可藉由致動器(未展示)垂直穿過承受器106至處理位置下方的裝載位置。在一個實施例中，降低中央軸件132上的承受器106允許升降銷105接觸下方圓頂114。穿過承受器106中的孔洞的升降銷105由承受器106升高基材108。機械手(未展示)可接著進入處理腔室100以接合且經由裝載埠103由處理腔室100移除基材108。接著可致動承受器106往上至處理位置以放置基材108於承受器106的前側110上(裝置側116面向上)。可藉由基材支撐件190支撐承受器106。基材支撐件190包含至少三個支撐臂192(僅展示兩個)。
在位於處理位置時，承受器106將處理腔室100的內體積分割成基材上方的處理氣體區域156及承受器106下方的沖洗氣體區域158。承受器106在處理期間可藉由中央軸件132旋轉。可使用該旋轉以最小化處理腔室100內的熱及處理氣體流動空間異常的效應，且因而便於基材108的一致性處理。承受器106由中央軸件132所支撐，中央軸件132如上述在裝載及卸載期間將基材108往上及往 下的方向134移動。在一些實施例中，在處理基材108期間可往上及往下方向移動承受器106。
承受器106可由碳化矽或塗碳化矽之石墨形成，以吸收來自照射器102的輻射能量且傳導該輻射能量至基材108。一般而言，上方圓頂128的中央窗部部分及下方圓頂114的底部由光學透明的材料形成，如石英。如將在下方相關於第2A圖更詳細討論，上方圓頂128的厚度及曲度可根據本揭示案配置以提供處理腔室中用於一致之流動一致性的更平坦的幾何形狀。
照射器102可經配置以包含燈泡141且被配置成陣列。可使用照射器102以加熱基材108至約200攝氏度至約1600攝氏度之範圍內的溫度。可使用光學高溫計118於基材108上的溫度量測/控制。各個照射器102耦合至電力分佈板(未展示)，電力經由該電力分佈板供應至各個照射器102。照射器102可被包含於照射器頭145內。在處理期間或處理之後，可藉由如導入位於照射器102之間的通道149之冷卻流體來冷卻照射器頭145。照射器頭145可傳導地及輻射地冷卻下方圓頂104，部分導因於照射器頭145至下方圓頂104靠近的接近度。照射器頭145也可冷卻照射器壁及繞著照射器的反射器107壁。選擇地，下方圓頂104可藉由對流方式冷卻。依據應用，照射器102可或不可與下方圓頂114接觸。
經由形成於基座環136的側壁中的處理氣體入口174，將處理氣體供應來源172所供應的處理氣體導入處 理氣體區域156。處理氣體入口174經配置以在一般徑向向內的方向引導處理氣體。在薄膜形成處理期間，承受器106可位於處理位置中，該處理位置相鄰於處理氣體入口174且與處理氣體入口174處於約相同升高位置。該位置允許處理氣體以層流方式沿著流動路徑173流動跨過基材108的上方表面。處理氣體(沿著流動路徑175)經由氣體出口178離開處理氣體區域156，氣體出口178位於處理腔室100的側面上相對於處理氣體入口174。可藉由耦合至氣體出口178的真空幫浦180而便於經由氣體出口178移除處理氣體。可在處理期間藉由基材108的旋轉提供徑向沉積一致性。可以一特定、最佳所欲方式繞著中央軸件132設置照射器102相鄰於下方圓頂114且位於下方圓頂114下方，以在處理氣體通過時獨立地控制基材108的多種區域處的溫度，因而便於在基材108的上方表面上沉積材料。雖未於此詳細討論，所沉積材料可包含砷化鎵、氮化鎵或氮化鋁鎵。
可以可選地繞著承受器106設置圓形屏蔽167或預先加熱環。承受器106也可藉由襯墊組件163環繞。屏蔽167防止或最小化由照射器102至基材108的裝置側116之熱/光干擾的漏損，同時提供針對處理氣體的預先加熱區域。襯墊組件163屏蔽處理區域(亦即，處理氣體區域156及沖洗氣體區域158)而阻隔處理腔室100的金屬壁。金屬壁可與前驅物作用且引起處理體積中的污染。屏蔽167及/或襯墊組件163可由以下材料製成：CVD SiC、 塗SiC的燒結石墨、長成的SiC、不透明石英、塗覆石英、或對處理及沖洗氣體的化學分解具有阻抗的任何相似的、合適的材料。
可選地可放置反射器122於上方圓頂128外部，以反射輻射離開基材108回到基材108上的紅外光。可使用夾環130將反射器122固定至上方圓頂128。反射器122可由金屬製成，例如鋁或不鏽鋼。可藉由以高反射性塗料(例如金)塗覆反射器面積來改良反射器的效率。反射器122可具有一個或更多個通道126以連接至冷卻來源(未展示)。通道126連接至形成於反射器122的側面上的通路(未展示)。該通路經配置以載送一流體的流動(例如水)，且可沿著反射器122的側面以覆蓋反射器122之部分或整體表面的任何所欲圖案水平地運行，以冷卻反射器122。
第2A圖為根據一個實施例的可如同第1圖所展示之承受器106使用的承受器200之透視視圖。第2B圖為第2A圖之承受器200的俯視視圖，且第2C圖為第2B圖之承受器200的部分橫截面視圖。
承受器200包含基座205及安置於基座205上的環210。升降銷孔洞215也在基座中形成。基座205及環210可由相似或相異的材料製成。該材料包含沉積SiC、塗SiC的燒結石墨、長成的SiC、不透明石英、塗覆石英、或對處理及沖洗氣體的化學分解具有阻抗的任何相似的、合適的材料。環210也包含可用以支撐基材(未展示)邊緣 的斜坡表面230。基座205包含環繞凹陷面積212的周邊區域208。如第2C圖中所展示，周邊區域208的厚度較凹陷面積212的厚度大。
在操作中，與基材接觸僅介於部分的環210及基座205之間，而提供環210及基座205之間最小的熱傳導。環210減低基材及承受器200的基座205之間的接觸表面面積，而減低由承受器200進入基材邊緣的熱傳導。也可在基座205及環210之間形成空隙220以最小化基座205及環210之間的接觸。若環210為與基座205相異的材料，也可使用空隙220以補償相異材料之間的熱膨脹差距。可於環210的內圓周上形成斜坡表面230，以便於將基材置中。此外，可在環210及基座205之間提供可選的空隙240(在第2C圖中展示)。可選地或額外地，基座205可具有形成於基座205中的通氣孔235(第2C圖中僅展示一個)。基座205也可包含階梯形區域245。階梯形區域245可包含斜坡表面250及肩部區域255之其中一者或兩者。階梯形區域245於周邊區域208的表面260及凹陷面積212之間轉換。環210也可包含階梯形區域265。階梯形區域265可包含沿著周邊邊緣區域272的凹陷表面270，周邊邊緣區域272轉換至內環區域275。周邊邊緣區域272的厚度較內環區域275的厚度小。環210也包含與基座205的周邊區域208的表面260實質同平面的表面280。
第3A及3B圖為根據另一實施例的承受器300之等角視圖。第3A圖展示基座305之前側312(基材接收 側)，而第3B圖展示基座305之背側314。可使用承受器300如同第1圖中所展示的承受器106。承受器300包含基座305及在基座305之中央面積中的凹陷面積308。基座305可由沉積SiC、塗SiC的燒結石墨、長成的SiC、不透明石英、塗覆石英、或對處理及沖洗氣體的化學分解具有阻抗的任何相似的、合適的材料製成。
前側312可包含複數個突起特徵，展示為：由基座305延伸之徑向定向的突出物310(可為肋條)。突出物310之上方表面提供用於基材(未展示)的支撐表面，使得該基材被放置而與凹陷留出突出物310的厚度之間隔。突出物310減低基材及承受器300之間的接觸表面面積。突出物310可增加用於熱耗損(輻射)的表面面積，且可減低由承受器300進入基材邊緣的熱傳導。
展示於第3B圖中的基座305的背側可包含突起部分315(可為散熱片)。突起部分315可為弧形、突起結構、且被同心地放置於基座305上。在一個實施例中，突起部分315包括同心弧形區段。突起部分315增加基座305的表面面積，而可用以增加至基座305的熱能量之吸收。可在基座305之背側中形成支撐介面結構320，支撐介面結構320與第1圖中所展示的基材支撐190之支撐臂192具有介面。可選地或額外地，可修改基座305之表面(例如，周邊表面325及突起部分315內部的中央表面330)以改變熱能量之吸收。例如，可個別粗糙化或平滑化表面325及330以便增加表面面積或減少表面面積。在一個實施例 中，可粗糙化中央表面330至一程度，該程度較周邊表面325的粗糙度高以便增加相對於基座305邊緣之基座305中央中的熱能量吸收。
第3C圖展示承受器300的背側314之另一實施例。在該實施例中，背側314包含由基座305之表面330延伸的徑向散熱片335。粗糙化表面325、330也可增加來自置於承受器300上的基材(未展示)的熱傳導。
第4A圖為展示承受器400A及設置於基座環136內的圓形屏蔽167A的一個實施例之俯視平面視圖。承受器400A可與展示於第3A及3B圖中的承受器300相似，雖然，也可使用其他承受器，例如展示於第2A至2C圖中的承受器200。承受器400A包含一直徑405，可調整直徑405大小稍微大於基材(未展示)的直徑。圓形屏蔽167A可包含稍微大於直徑405的寬度410。
第4B圖為展示承受器400B及設置於基座環136內的圓形屏蔽167B的另一實施例之俯視平面視圖。承受器400B可與展示於第3A及3B圖中的承受器300相似，雖然，也可使用其他承受器，例如展示於第2A至2C圖中的承受器200。在該實施例中，承受器400B具有較第4A圖中所展示的承受器400A之表面面積大的表面面積。承受器400B包含一直徑415，可調整直徑415大小稍微大於基材(未展示)的直徑。然而，直徑415較第4A圖的承受器400A的直徑405大。圓形屏蔽167B可包含稍微大於直徑415的寬度420。然而，寬度420較第4A圖的圓形屏蔽 167A的寬度410小。承受器400B提供更多表面面積，而可經由傳導增加熱耗損，因而減低置於承受器400B上的基材(未展示)邊緣處的溫度。
第5圖為承受器500的另一實施例之背側314的平面視圖。可使用承受器500如同第1圖中所展示的承受器106。承受器500可由沉積SiC、塗SiC的燒結石墨、長成的SiC、不透明石英、塗覆石英、或對處理及沖洗氣體的化學分解具有阻抗的任何相似的、合適的材料製成。根據該實施例，在承受器500中形成複數個弧形通道505。弧形通道505可包含形成於承受器500的表面515中的下陷510，而最小化承受器500邊緣處的質量。弧形通道505可改良承受器500邊緣處的熱耗損。可在承受器500的背側314中形成弧形通道505，如所展示。選擇地，可在承受器500的前側中形成弧形通道505(亦即，承受器面對或接觸基材(未展示)的側)。
第6A至6C圖為承受器600的前側之另一實施例之多種視圖。承受器600包含基座615及與基座615具有介面的環605。基座615也包含複數個孔洞610。基座615及環605可由相似或相異的材料製成，例如沉積SiC、塗SiC的燒結石墨、長成的SiC、不透明石英、塗覆石英、或對處理及沖洗氣體的化學分解具有阻抗的任何相似的、合適的材料。孔洞610的數量可為約3及約120之間，且可在基座615上均勻地間隔。環605可包含經配置以支撐基材(未展示)的內周邊唇部620。環605也可包含與基座615 之插入區域630具有介面的外周邊邊緣625。基座615包含環繞凹陷面積640的周邊區域635。如第6C圖中所展示，周邊區域635的厚度較凹陷面積640的厚度大。
可將孔洞610使用於通氣，而可減低在快速壓力斜線下降期間由「氣穴(air pocket)」效應所引發的基材(未展示)滑動。當在承受器600上處理基材時，孔洞610在基座615之背側314上曝露於處理環境下而未遭遇處理氣體，而防止了基材背側上的沉積。孔洞610可垂直於基座615的表面，如所展示，或相對於基座615的表面具有角度。環605藉由將基材放置遠離基座615的較高質量面積(於周邊區域635處)而減低基材的邊緣溫度梯度。基座615可具有如第6C圖中所展示的階梯形區域645以減低環605的不對齊。階梯形區域645可包含以下之一者或組合：插入區域630、具角度表面650、及平面表面655。可設置平面表面655於一平面，該平面實質垂直於凹陷面積640的平面。環605也可包含階梯形區域670。階梯形區域670可包含內周邊唇部620及壁675，壁675以向外延伸肩部680接合內周邊唇部620。壁675的平面可實質垂直於向外延伸肩部680的平面。選擇地，壁675可相對於向外延伸肩部680的平面具有角度。
第7圖為承受器700的另一實施例之側面橫截面視圖。可使用承受器700如同第1圖中所展示的承受器106。承受器700包含基座705，基座705由沉積SiC、塗SiC的燒結石墨、長成的SiC、不透明石英、塗覆石英、或 對處理及沖洗氣體的化學分解具有阻抗的任何相似的、合適的材料製成。基座705也包含形成於基座705中的凹溝710以提供熱中斷。例如，在處理期間，基座705包含相鄰於基座705的中央之熱區域715。熱區域715在冷區域720的周邊區域725處被相對的冷區域720環繞。包括周邊區域725的較大質量之相對較冷的部分可能無法促使由中央至邊緣的平衡之熱傳輸。此可促使基材108上的接觸點730相對於基材108中央更熱。由於相對於中央增加的溫度，接觸點730可促使相較於基材108中央更厚的薄膜沉積。凹溝710可部分地隔絕由熱區域715至冷區域720的熱傳輸。此可減低接觸點730處的溫度且促使基材108上更一致的沉積。凹溝710可為連續的或被配置為第5圖之弧形通道505。
雖然使用圓形幾何形狀來描述前述示範性承受器之實施例以用於半導體「晶圓」上，所揭露實施例可適用以符合不同的幾何形狀。
前述係典型之實施例，可修改其他及進一步的實施例而不遠離其基本範圍，且該基本範圍由下方的申請專利範圍決定。
205‧‧‧基座
208‧‧‧周邊區域
210‧‧‧環
212‧‧‧凹陷面積
215‧‧‧升降銷孔洞
220‧‧‧空隙
230‧‧‧斜坡表面

Claims (9)

  1. 一種用於一熱處理腔室的承受器，包括：一基座，該基座具有一前側及一後側，該後側相對於該前側由一熱傳導材料製成，其中該基座包含：一周邊區域，該周邊區域環繞一凹陷面積，該凹陷面積具有小於該周邊區域的一厚度之一厚度，其中該基座包含複數個通氣孔，並且在該基座中是在該周邊區域內形成該複數個通氣孔；複數個突起特徵，該複數個突起特徵由該凹陷面積的該前側突出；一具角度平面，該具角度平面設置於該凹陷面積與該周邊區域之間；及一插入區域，該插入區域設置於該周邊區域與該具角度區域之間以接收一環。
  2. 如請求項1所述之承受器，其中該等突起特徵為同心的弧形區段。
  3. 如請求項1所述之承受器，其中該後側包含形成於該後側中的一通道。
  4. 如請求項1所述之承受器，其中該後側包含由該後側延伸的複數個突起特徵。
  5. 如請求項4所述之承受器，其中該複數個突起特徵為同心的。
  6. 如請求項4所述之承受器，其中該等突起特徵為徑向地定向。
  7. 如請求項1所述之承受器，其中該等突起特徵為徑向地定向。
  8. 如請求項1所述之承受器，其中該等突起特徵為在該基座上同心地定向的弧形區段。
  9. 一種用於一熱處理腔室的承受器，包括：一基座，該基座具有一前側及一後側，該後側相對於該前側由一熱傳導材料製成，其中該基座更包含：一周邊區域，該周邊區域環繞一凹陷面積，該凹陷面積具有小於該周邊區域的一厚度之一厚度，其中該基座包含複數個通氣孔，並且在該基座中是在該周邊區域內形成該複數個通氣孔；複數個突起特徵，該複數個突起特徵由該凹陷面積的該前側突出；一具角度平面，該具角度平面設置於該凹陷面積與該周邊區域之間；及一環，該環由一熱傳導材料製成且具有一斜坡表面，在該環的一內圓周上形成該斜坡表面以便於將該環上的一基材置中，其中該周邊區域具有一插入區域以接收該環。
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