JP2603296Y2 - 半導体製造装置用サセプター - Google Patents
半導体製造装置用サセプターInfo
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- JP2603296Y2 JP2603296Y2 JP1992058872U JP5887292U JP2603296Y2 JP 2603296 Y2 JP2603296 Y2 JP 2603296Y2 JP 1992058872 U JP1992058872 U JP 1992058872U JP 5887292 U JP5887292 U JP 5887292U JP 2603296 Y2 JP2603296 Y2 JP 2603296Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- susceptor
- substrate
- heater
- semiconductor manufacturing
- manufacturing equipment
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本考案はシリコンウェハ、ＧａＡ
ｓウェハ、液晶ディスプレイのガラス基板等の基板上に
所定の薄膜を形成したり、形成した膜を所定パターンに
エッチングしたりして半導体デバイスやその前駆体等を
得るためのＣＶＤ、スパッタ、エッチング等による半導
体製造装置に使用される前記基板加熱用のサセプターに
関する。
ｓウェハ、液晶ディスプレイのガラス基板等の基板上に
所定の薄膜を形成したり、形成した膜を所定パターンに
エッチングしたりして半導体デバイスやその前駆体等を
得るためのＣＶＤ、スパッタ、エッチング等による半導
体製造装置に使用される前記基板加熱用のサセプターに
関する。
【０００２】
【従来の技術】かかる半導体製造装置用サセプターは、
一般に金属、カーボン等で構成されており、裏面側から
ランプヒータ、抵抗加熱ヒータ等のヒータにて加熱さ
れ、サセプター上に設置される前記基板を均一に加熱
し、薄膜形成やエッチング等の処理を円滑に行わせる。
一般に金属、カーボン等で構成されており、裏面側から
ランプヒータ、抵抗加熱ヒータ等のヒータにて加熱さ
れ、サセプター上に設置される前記基板を均一に加熱
し、薄膜形成やエッチング等の処理を円滑に行わせる。
【０００３】前記ヒータについては、最近では、処理速
度を速くするため、抵抗加熱ヒータより高速加熱が可能
なランプヒータを用いることが多い。
度を速くするため、抵抗加熱ヒータより高速加熱が可能
なランプヒータを用いることが多い。
【０００４】
【考案が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
従来サセプターはその被加熱裏面がいずれも平坦に形成
されているため、たとえヒータにランプヒータを用いて
も、光吸収性が悪く、初期昇温に時間がかかり、それだ
け電力消費が多くなるとともに、半導体製造装置におけ
る処理速度向上の妨げとなっていた。
従来サセプターはその被加熱裏面がいずれも平坦に形成
されているため、たとえヒータにランプヒータを用いて
も、光吸収性が悪く、初期昇温に時間がかかり、それだ
け電力消費が多くなるとともに、半導体製造装置におけ
る処理速度向上の妨げとなっていた。
【０００５】そこで本考案は、従来よりも初期昇温が短
時間で達成される半導体製造装置用サセプターを提供す
ることを課題とする。
時間で達成される半導体製造装置用サセプターを提供す
ることを課題とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決する本考
案のサセプターは、被処理基板が設置され、該基板設置
側とは反対側の裏面側からヒータからの放射熱により加
熱される半導体製造装置用サセプターであって、前記裏
面の、前記設置される被処理基板に対応する領域の全体
にわたり多数の凹凸を形成して該ヒータからの放射熱の
吸収面積を増大させたことを特徴とする。前記凹凸とし
ては、サセプター裏面にうず巻き状、同心円状、平行状
等に多数の溝を形成することにより得られるもの、散点
的に凹部及び（又は）凸部を形成することで得られるも
の等種々考えられる。中でも、前記凹凸はサセプター裏
面に多数の断面山形溝を形成することにより得られるも
のが熱吸収面積を増すうえで好ましい。
案のサセプターは、被処理基板が設置され、該基板設置
側とは反対側の裏面側からヒータからの放射熱により加
熱される半導体製造装置用サセプターであって、前記裏
面の、前記設置される被処理基板に対応する領域の全体
にわたり多数の凹凸を形成して該ヒータからの放射熱の
吸収面積を増大させたことを特徴とする。前記凹凸とし
ては、サセプター裏面にうず巻き状、同心円状、平行状
等に多数の溝を形成することにより得られるもの、散点
的に凹部及び（又は）凸部を形成することで得られるも
の等種々考えられる。中でも、前記凹凸はサセプター裏
面に多数の断面山形溝を形成することにより得られるも
のが熱吸収面積を増すうえで好ましい。
【０００７】
【作用】本考案サセプターによると、その上に被処理基
板が設置され、裏面側から全体的にヒータで加熱される
ことで、該基板が処理温度に均一に加熱される。しか
も、サセプター裏面には、設置される被処理基板に対応
する領域の全体にわたり凹凸を形成して放射熱吸収面積
を増大させてあるので、ヒータ加熱によるサセプターの
初期昇温速度は速まり、従って、基板の初期昇温も速く
なる。
板が設置され、裏面側から全体的にヒータで加熱される
ことで、該基板が処理温度に均一に加熱される。しか
も、サセプター裏面には、設置される被処理基板に対応
する領域の全体にわたり凹凸を形成して放射熱吸収面積
を増大させてあるので、ヒータ加熱によるサセプターの
初期昇温速度は速まり、従って、基板の初期昇温も速く
なる。
【０００８】
【実施例】以下、本考案の実施例を図面を参照して説明
する。図１の（Ａ）図は本考案に係るサセプター１の平
面図、（Ｂ）図は図１のＸ−Ｘ線に沿う断面図である。
このサセプター１は円形の基板Ｓを載置できるように全
体が直径Ｄ＝１７８ｍｍ、厚さｔ＝１１ｍｍの円板形に
形成されている。基板Ｓを載置する表面には、基板嵌め
置きのための深さｄ＝１．１ｍｍの凹所１１を形成して
ある。また、凹所１１に連続して、基板取り出しのため
の道具を差し入れる凹所１２も形成してある。
する。図１の（Ａ）図は本考案に係るサセプター１の平
面図、（Ｂ）図は図１のＸ−Ｘ線に沿う断面図である。
このサセプター１は円形の基板Ｓを載置できるように全
体が直径Ｄ＝１７８ｍｍ、厚さｔ＝１１ｍｍの円板形に
形成されている。基板Ｓを載置する表面には、基板嵌め
置きのための深さｄ＝１．１ｍｍの凹所１１を形成して
ある。また、凹所１１に連続して、基板取り出しのため
の道具を差し入れる凹所１２も形成してある。
【０００９】ヒータで加熱する裏面には、図１の（Ｂ）
図に示すように、表面に設置される基板Ｓに対応する領
域の全体にわたり、同心円状に多数の断面山形溝１３を
形成することで多数の凹凸を形成してある。隣合う溝１
３は互いに隙間なくつながっている。従って山形の突
部、山形の凹部が形成されている。各溝１３は、この例
では図１の（Ｃ）図に示すように、山形の底辺ａ＝３ｍ
ｍ、高さｈ＝２ｍｍである。以上説明したサセプター１
は例えば図２に示すように、プラズマによるＣＶＤ装置
に設置される。このＣＶＤ装置において、サセプター１
は赤外線ランプヒータ２の上に重ねられ、従って主とし
てヒータ２からの放射熱で加熱されるように設けられて
おり、該ヒータと共に接地電極３に収められている。
図に示すように、表面に設置される基板Ｓに対応する領
域の全体にわたり、同心円状に多数の断面山形溝１３を
形成することで多数の凹凸を形成してある。隣合う溝１
３は互いに隙間なくつながっている。従って山形の突
部、山形の凹部が形成されている。各溝１３は、この例
では図１の（Ｃ）図に示すように、山形の底辺ａ＝３ｍ
ｍ、高さｈ＝２ｍｍである。以上説明したサセプター１
は例えば図２に示すように、プラズマによるＣＶＤ装置
に設置される。このＣＶＤ装置において、サセプター１
は赤外線ランプヒータ２の上に重ねられ、従って主とし
てヒータ２からの放射熱で加熱されるように設けられて
おり、該ヒータと共に接地電極３に収められている。
【００１０】なお、図２の装置は、前記サセプター１及
びヒータ２を含む電極３のほか、電極３上方の高周波電
極４、これらを収容する成膜チャンバ５、チャンバ５に
順次接続された電磁開閉弁６１及び排気装置６２、高周
波電極４に連続するガス導入管７１に順次接続されたマ
スフローコントローラ７２、電磁開閉弁７３、プロセス
ガス源７４を備えており、高周波電極４にはマッチング
ボックス４１、ＲＦパワーアンプ４２及び高周波信号発
生器４３が順次接続されている。
びヒータ２を含む電極３のほか、電極３上方の高周波電
極４、これらを収容する成膜チャンバ５、チャンバ５に
順次接続された電磁開閉弁６１及び排気装置６２、高周
波電極４に連続するガス導入管７１に順次接続されたマ
スフローコントローラ７２、電磁開閉弁７３、プロセス
ガス源７４を備えており、高周波電極４にはマッチング
ボックス４１、ＲＦパワーアンプ４２及び高周波信号発
生器４３が順次接続されている。
【００１１】前記サセプター１による昇温速度をみるた
め、以上のＣＶＤ装置を次の条件で運転してみた。 サセプター１材質 ：高純度カーボン 成膜チャンバ５の真空度：０．５Ｔｏｒｒ プロセスガス ：Ｎ2 ２００ｓｃｃｍ ヒータ２ ：特開平３−２２０７１８号公報記載のタイプの面状 赤外線ランプヒータ。
め、以上のＣＶＤ装置を次の条件で運転してみた。 サセプター１材質 ：高純度カーボン 成膜チャンバ５の真空度：０．５Ｔｏｒｒ プロセスガス ：Ｎ2 ２００ｓｃｃｍ ヒータ２ ：特開平３−２２０７１８号公報記載のタイプの面状 赤外線ランプヒータ。
【００１２】ヒータ発熱温度 ４００℃ サセプター測温位置 ：サセプター内部 基板Ｓ ：６インチシリコンウェハ なお、特開平３−２２０７１８号公報に記載のタイプの
面状ヒータは、図４に示すように、上面を複数個の扇形
の区画２１に等分割した板状の熱板２２と、前記各区画
毎に中心部側から周縁部へと、周縁部側から中心部側へ
と、ジグザグに折返しつつ形成された溝２３と、該溝に
埋設された横方向に長寸の断面矩形状の赤外線ヒータ２
４と、熱板２２上に重合され、赤外線の透過の良好な石
英からなる板状の押え板２５とにより構成したものであ
る。なお、２６はもう一つの押え板である。
面状ヒータは、図４に示すように、上面を複数個の扇形
の区画２１に等分割した板状の熱板２２と、前記各区画
毎に中心部側から周縁部へと、周縁部側から中心部側へ
と、ジグザグに折返しつつ形成された溝２３と、該溝に
埋設された横方向に長寸の断面矩形状の赤外線ヒータ２
４と、熱板２２上に重合され、赤外線の透過の良好な石
英からなる板状の押え板２５とにより構成したものであ
る。なお、２６はもう一つの押え板である。
【００１３】また、比較のため、サセプター１に代え、
裏面を従来どおり平坦なままとし、他の条件はサセプタ
ー１と同じとしたサセプターを用い、前記と同様の条件
でＣＶＤ装置を運転してみた。サセプターの昇温状態は
図３に示すとおりとなった。比較例サセプターでは４０
０℃に達するまでに約５分要したが、本考案サセプター
１では、その裏面に、設置基板Ｓに対応する領域の全体
にわたり多数の断面山形の溝１３を形成することで多数
の山形の凹凸を形成し、光吸収面積を増大させたから、
４００℃に達するのに約３分要しただけであった。しか
も、ヒータ消費電力は本考案サセプター１、比較例サセ
プター共に同一であった。すなわち、サセプター１では
従来と同じ電力で、初期昇温時間を短縮でき、従って、
基板処理もそれだけ速く行うことができ、その結果、電
力が節約されることになる。
裏面を従来どおり平坦なままとし、他の条件はサセプタ
ー１と同じとしたサセプターを用い、前記と同様の条件
でＣＶＤ装置を運転してみた。サセプターの昇温状態は
図３に示すとおりとなった。比較例サセプターでは４０
０℃に達するまでに約５分要したが、本考案サセプター
１では、その裏面に、設置基板Ｓに対応する領域の全体
にわたり多数の断面山形の溝１３を形成することで多数
の山形の凹凸を形成し、光吸収面積を増大させたから、
４００℃に達するのに約３分要しただけであった。しか
も、ヒータ消費電力は本考案サセプター１、比較例サセ
プター共に同一であった。すなわち、サセプター１では
従来と同じ電力で、初期昇温時間を短縮でき、従って、
基板処理もそれだけ速く行うことができ、その結果、電
力が節約されることになる。
【００１４】
【考案の効果】以上説明したように本考案によると、従
来よりも初期昇温が短時間で達成される半導体製造装置
用サセプターを提供することができる。
来よりも初期昇温が短時間で達成される半導体製造装置
用サセプターを提供することができる。
【図１】本考案の１実施例を示すもので、図（Ａ）はそ
の平面図、図（Ｂ）は図（Ａ）のＸ−Ｘ線に沿う断面
図、図（Ｃ）はサセプター裏面の断面山形溝寸法の説明
図である。
の平面図、図（Ｂ）は図（Ａ）のＸ−Ｘ線に沿う断面
図、図（Ｃ）はサセプター裏面の断面山形溝寸法の説明
図である。
【図２】図１のサセプターを用いたプラズマＣＶＤ装置
の概略構成を示す図である。
の概略構成を示す図である。
【図３】本考案のサセプターと比較例サセプターの初期
昇温状態を示すグラフである。
昇温状態を示すグラフである。
【図４】図（Ａ）は面状赤外線ランプヒータの一部切欠
の平面図、図（Ｂ）は該ヒータの一部を断面で示す側面
図である。
の平面図、図（Ｂ）は該ヒータの一部を断面で示す側面
図である。
１ サセプター １１ 基板嵌め置き凹所１２ 基板取り出しのための凹所 １３ サセプター裏面の断面山形溝 ２ ヒータ Ｓ 基板
Claims (2)
- 【請求項１】 被処理基板が設置され、該基板設置側と
は反対側の裏面側からヒータからの放射熱により加熱さ
れる半導体製造装置用サセプターであって、前記裏面
の、前記設置される被処理基板に対応する領域の全体に
わたり多数の凹凸を形成して前記ヒータからの放射熱の
吸収面積を増大させたことを特徴とするサセプター。 - 【請求項２】 前記サセプター裏面の多数の凹凸は、該
裏面に形成された多数の断面山形溝からなっている請求
項１記載のサセプター。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992058872U JP2603296Y2 (ja) | 1992-08-21 | 1992-08-21 | 半導体製造装置用サセプター |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992058872U JP2603296Y2 (ja) | 1992-08-21 | 1992-08-21 | 半導体製造装置用サセプター |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0623240U JPH0623240U (ja) | 1994-03-25 |
| JP2603296Y2 true JP2603296Y2 (ja) | 2000-03-06 |
Family
ID=13096845
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1992058872U Expired - Lifetime JP2603296Y2 (ja) | 1992-08-21 | 1992-08-21 | 半導体製造装置用サセプター |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2603296Y2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100651258B1 (ko) * | 2004-10-11 | 2006-11-29 | 두산디앤디 주식회사 | 유기 박막 증착 공정용 멀티 노즐 도가니 장치 |
| JP5477314B2 (ja) | 2011-03-04 | 2014-04-23 | 信越半導体株式会社 | サセプタ及びこれを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法 |
| US9814099B2 (en) * | 2013-08-02 | 2017-11-07 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with surface feature for reduced reflection and manufacturing techniques for producing same |
| TWI734668B (zh) * | 2014-06-23 | 2021-08-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 在ｅｐｉ腔室中的基材熱控制 |
| US10629415B2 (en) | 2017-03-28 | 2020-04-21 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method for processing substrate |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51135363A (en) * | 1975-05-19 | 1976-11-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of manufacturing semiconductors and its equipment |
| JPS5453962A (en) * | 1977-10-07 | 1979-04-27 | Toshiba Ceramics Co | Gas phase growing wafer fixing jig |
| JPS559577U (ja) * | 1978-07-06 | 1980-01-22 | ||
| JPS55117839U (ja) * | 1979-02-12 | 1980-08-20 | ||
| JPS5654033A (en) * | 1979-10-09 | 1981-05-13 | Matsushita Electronics Corp | Heater for substrate and chemical evaporation using said heater |
| JPS61144633U (ja) * | 1985-02-27 | 1986-09-06 | ||
| JP2535552B2 (ja) * | 1987-09-10 | 1996-09-18 | 富士通株式会社 | インライン形連続常圧ｃｖｄ装置のサセプタ |
| JP2764416B2 (ja) * | 1989-01-13 | 1998-06-11 | 東芝セラミックス株式会社 | サセプタ |
-
1992
- 1992-08-21 JP JP1992058872U patent/JP2603296Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0623240U (ja) | 1994-03-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980303 |