KR20120071695A - 화학 기상 증착 장치용 서셉터, 화학 기상 증착 장치 및 화학 기상 증착 장치를 이용한 기판의 가열 방법 - Google Patents
화학 기상 증착 장치용 서셉터, 화학 기상 증착 장치 및 화학 기상 증착 장치를 이용한 기판의 가열 방법 Download PDFInfo
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- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 title claims abstract description 59
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 125
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 28
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims abstract description 26
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 claims description 27
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 14
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 8
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 7
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 11
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
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Abstract
본 발명의 일 측면에 따른 화학 기상 증착 장치용 서셉터는 광투과성 물질로 되어 있고 기판을 수용하는 포켓을 적어도 하나 구비하는 서셉터 본체부 및 상기 서셉터 본체부의 상면에 형성되고 광흡수성 물질로 되어 상기 서셉터 본체부를 통과한 빛을 흡수하는 광흡수부를 포함한다.
Description
본 발명은 서셉터 및 화학 기상 증착 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 성장용 기판의 불균일한 가열을 방지할 수 있는 화학 기상 증착 장치용 서셉터 및 이를 포함하는 화학 기상 증착 장치에 관한 것이다.
최근 반도체 소자의 미세화와 고효율, 고출력 LED 개발등으로 화학적 기상 증착(Chemical Vapor Deposition;CVD) 기술 중 금속유기 화학적 기상 증착법(Metal Organic Chemical Vapor Deposition; MOCVD)이 각광을 받고있다.
이러한 MOCVD는 화학적 기상 성장법(CVD) 중의 한가지로 유기금속의 열분해반응을 이용해 반도체 기판상에 금속 화합물을 퇴적, 부착시키는 화합물 반도체의 기상 성장법을 말하는데, 반응가스를 웨이퍼 상에 반응물질 박막의 화학적 증기증착을 일으키면서 가열된 웨이퍼 위를 통과시키고, 연속적인 처리를 거쳐 웨이퍼 상에 다수의 층이 만들어지도록 한다.
이때, 웨이퍼 표면의 전영역에서 박막이 균일한 두께를 가지도록 하는 것이 필요한데, 이를 위해서는 웨이퍼를 가열하는 온도가 웨이퍼의 전영역에 걸쳐 균일하도록 조절하는 것이 가장 중요하다.
본 발명은 서셉터에 장착된 기판을 가열할 때 기판에 휨 현상이 발생되더라도 기판을 균일하게 가열함으로써 우수한 품질의 반도체를 성장할 수 있는 서셉터 및 화학 기상 증착 장치를 제공하는 데 목적이 있다.
본 발명의 일 측면에 따른 화학 기상 증착 장치용 서셉터는 기판을 수용하기 위한 적어도 하나의 포켓이 형성된 상면과 그 대향하는 하면을 가지며, 광투과성 물질로 이루어진 서셉터 본체부 및 상기 서셉터 본체부의 상면에 형성된 광흡수성 물질로 이루어지는 광흡수부를 포함한다.
상기 포켓은 바닥부와, 상기 바닥부로부터 상승된 위치에 상기 기판의 주위부를 거치하도록 형성된 걸림턱을 구비할 수 있다.
상기 걸림턱은 상기 서셉터 본체부에 형성되거나 상기 포켓까지 연장되어 형성된 상기 광흡수부의 단부에 형성될 수 있다.
상기 광투과성 물질은 수정(quartz), 사파이어 및 투광성 세라믹으로 이루어진 군 중에서 적어도 하나일 수 있다.
상기 광흡수성 물질은 흑연(graphite), 탄화실리콘(SiC) 및 탄화실리콘이 코팅된 흑연으로 이루어진 군 중에서 적어도 하나일 수 있다.
상기 광흡수성 물질은 파장 400nm 이상 100㎛인 빛을 흡수할 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따른 화학 기상 증착 장치는 체임버, 상기 체임버의 내부에 구비되고, 기판을 수용하기 위한 적어도 하나의 포켓이 형성된 상면과 그 대향하는 하면을 가지며, 광투과성 물질로 이루어진 서셉터 본체부 및 상기 서셉터 본체부의 상면에 형성된 광흡수성 물질로 이루어지는 광흡수부를 포함하는 화학 기상 증착 장치용 서셉터 및 상기 서셉터의 하면을 가열하도록 광을 방출하는 가열 램프를 포함할 수 있다.
상기 포켓은 바닥부와, 상기 바닥부로부터 상승된 위치에 상기 기판의 주위부를 거치하도록 형성된 걸림턱을 구비할 수 있다.
상기 기판과 상기 광흡수층은 결합되어 있거나 분리되어 있을 수 있다.
상기 포켓은 상기 기판이 장착되는 걸림턱과 바닥을 포함하고, 상기 포켓의 바닥은 상기 걸림턱과 소정 간격으로 이격될 수 있다.
상기 걸림턱은 상기 서셉터 본체부에 형성되거나 상기 포켓까지 연장되어 형성된 상기 광흡수부의 단부에 형성될 수 있다.
상기 광흡수성 물질은 파장 400nm 이상 100㎛인 빛을 흡수할 수 있다.
상기 광투과성 물질은 수정(quartz), 사파이어 및 투광성 세라믹으로 이루어진 군 중에서 적어도 하나일 수 있다.
상기 광흡수성 물질은 흑연(graphite), 탄화실리콘(SiC) 및 탄화실리콘이 코팅된 흑연으로 이루어진 군 중에서 적어도 하나일 수 있다.
상기 광흡수층은 서로 다른 열팽창계수를 가지는 물질층이 복수 개 적층되어 있을 수 있다.
본 발명의 또 다른 측면에 따른 화학 기상 증착 장치를 이용한 기판의 가열 방법은 기판을 수용하기 위한 적어도 하나의 포켓이 형성된 상면과 그 대향하는 하면을 가지며, 광투과성 물질로 이루어진 서셉터 본체부 및 상기 서셉터 본체부의 상면에 형성된 광흡수성 물질로 이루어지는 광흡수부를 포함하는 화학 기상 증착 장치용 서셉터를 마련하는 단계, 광투과성 물질로 된 기판의 하면에 광흡수성 물질로 이루어지는 광흡수층을 형성하는 단계, 상기 광흡수층이 형성된 상기 기판을 상기 포켓에 장착하는 단계, 상기 광흡수층이 형성된 상기 기판을 상기 포켓에 장착하고, 화학기상 증착 장치의 체임버 내에 배치하는 단계 및 상기 서셉터 본체부의 하면에 빛을 조사하여 가열하는 단계를 포함한다.
상기 기판은 수정(quartz), 사파이어 및 투광성 세라믹으로 이루어진 군 중에서 적어도 하나일 수 있다.
상기 기판의 하면에 광흡수층을 증착하거나 본딩하여 형성할 수 있다.
상기 광흡수층은 서로 다른 열팽창계수를 가지는 물질이 복수 개 적층되어 있을 수 있다.
본 발명의 또 다른 측면에 따른 화학 기상 증착 장치를 이용한 기판의 가열 방법은 기판을 수용하기 위한 적어도 하나의 포켓이 형성된 상면과 그 대향하는 하면을 가지며, 광투과성 물질로 이루어진 서셉터 본체부 및 상기 서셉터 본체부의 상면에 형성된 광흡수성 물질로 이루어지는 광흡수부를 포함하는 화학 기상 증착 장치용 서셉터를 마련하는 단계, 상기 포켓에 광흡수층을 장착하는 단계, 상기 광흡수층 위에 기판을 장착하고, 화학기상 증착 장치의 체임버 내에 배치하는 단계 및 상기 서셉터 본체부의 하면에 빛을 조사하여 가열하는 단계를 포함한다.
상기 광흡수층은 서로 다른 열팽창계수를 가지는 물질이 복수 개 적층되어 있을 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면 기판을 가열할 때 기판에 휨 현상이 발생되더라도 기판을 균일하게 가열함으로써 기판 위에 우수한 품질의 반도체를 성장할 수 있다.
도 1은 종래 서셉터를 도시한 구성도이다
도 2는 종래 서셉터에 기판을 장착하고 가열하였을 때 모습을 나타낸다.
도 3은 본 발명의 일 측면에 따른 화학 기상 증착 장치용 서셉터를 나타낸다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치용 서셉터와 기판을 나타낸다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치용 서셉터와 기판을 나타낸다.
도 6은 본 발명의 다른 측면으로서, 화학 기상 증착 장치를 개념적으로 나타낸다.
도 7은 본 발명의 또 다른 측면으로서, 화학 기상 증착 장치를 이용한 기판의 가열 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 2는 종래 서셉터에 기판을 장착하고 가열하였을 때 모습을 나타낸다.
도 3은 본 발명의 일 측면에 따른 화학 기상 증착 장치용 서셉터를 나타낸다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치용 서셉터와 기판을 나타낸다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치용 서셉터와 기판을 나타낸다.
도 6은 본 발명의 다른 측면으로서, 화학 기상 증착 장치를 개념적으로 나타낸다.
도 7은 본 발명의 또 다른 측면으로서, 화학 기상 증착 장치를 이용한 기판의 가열 방법을 나타내는 흐름도이다.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시 예를 상세하게 설명한다. 다만, 본 발명의 사상은 제시되는 실시 예에 제한되지 아니하고, 본 발명의 사상을 이해하는 당업자는 동일한 사상의 범위 내에서 다른 구성요소를 추가, 변경, 삭제 등을 통하여, 퇴보적인 다른 발명이나 본 발명의 사상의 범위 내에 포함되는 다른 실시 예를 용이하게 제안할 수 있을 것이나, 이 또한 본원 발명 사상 범위 내에 포함된다고 할 것이다.
또한, 각 실시 예의 도면에 나타나는 동일 또는 유사한 사상의 범위 내의 기능이 동일 또는 유사한 구성요소는 동일 또는 유사한 참조부호를 사용하여 설명한다.
도 1은 종래 서셉터를 도시한 구성도이다 도 1의 (a)를 참조하면, 상기 서셉터(10)는 상부면에 작업 대상물인 기판이 올려져 장착되도록 일정 깊이로 함몰 형성되는 포켓(15)을 복수 개 구비하고 있다. 도 1의 (b)는 도 1의 (a)에 도시된 서셉터(10)를 X-X' 방향의 단면도를 나타낸다.
도 2는 종래 서셉터에 기판을 장착하고 가열하였을 때 모습을 나타낸다. 도 2를 참조하면, 기판(11, 21)에 열을 가하면 기판의 휨 현상(bowing effect)이 나타난다.
서셉터(10)의 왼쪽 포켓에 있는 기판이 서셉터(10) 방향으로 볼록하게 휘어있다. 이 경우 기판(11)의 중심부가 포켓의 바닥(14)과 접하게 되고 기판(11)의 가장자리는 포켓의 바닥(14)에서 떨어지게 되어 기판(11)의 중심부의 온도가 기판(11)의 가장자리의 온도보다 높아지게 되어 기판 온도가 불균일하게 된다.
서셉터(10)의 오른쪽 포켓에 있는 기판(21)은 위로 볼록하게 휘어 있다. 이 경우 기판(21)의 가장자리가 포켓의 바닥(14)과 접하게 되고 기판(21)의 중심부는 포켓의 바닥(14)에서 떨어지게 되어 기판(21)의 가장자리의 온도가 기판(21)의 중심부의 온도보다 높아지게 되어 기판 온도가 불균일하게 된다.
도 3은 본 발명의 일 측면에 따른 화학 기상 증착 장치용 서셉터를 나타낸다. 도 3의 (a)를 참조하면 화학 기상 증착 장치용 서셉터(100)는 서셉터 본체부(104) 및 광흡수부(107)를 포함하고 있다.
서셉터 본체부(104)는 광투과성 물질로 되어 있고 포켓(105)을 적어도 하나 구비한다. 광투과성 물질로 수정(quartz), 사파이어 및 투광성 세라믹으로 이루어진 군 중에서 적어도 하나일 수 있다.
포켓(105)은 기판이 장착되는 걸림턱(105a) 및 바닥(105b)을 포함할 수 있다. 걸림턱(105a)은 바닥(105b)으로부터 상승된 위치에 기판의 주위부를 거치하도록 형성되어 있다. 나중에 자세히 설명하겠지만, 걸림턱(105a)이 바닥(105b)으로부터 상승된 위치에 형성됨으로써 가열된 기판이 서셉터 쪽으로 볼록하게 휘게 될 때, 기판을 수용할 수 있는 공간을 형성하여 휘어진 상기 기판이 바닥(105b)에 닿지 않게 한다.
광흡수부(107)는 상기 서셉터 본체부(104)의 상면에 형성되고 광흡수성 물질로 되어 상기 서셉터 본체부(104)를 통과한 빛을 흡수할 수 있다. 광흡수성 물질로서, 흑연(graphite), 탄화실리콘(SiC) 및 탄화실리콘(SiC)이 코팅된 흑연으로 이루어진 군 중에서 적어도 하나일 수 있다. 상기 광흡수성 물질은 파장 400nm 이상 100㎛인 빛을 흡수할 수 있다.
도 3의 (b)를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치용 서셉터(110)에 있어서, 걸림턱(115a)은 포켓(115)까지 연장되어 형성된 광흡수부(117)의 단부에 형성될 수 있다. 서셉터 본체부(114) 및 포켓(115), 포켓의 바닥(115b)을 비롯한 그 외의 구성은 도 3의 (a)에 대해 설명한 내용과 대동소이하므로 자세한 설명은 생략하기로 한다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치용 서셉터와 기판을 나타낸다. 도 4의 (a)를 참조하면 서셉터(100)는 기판(101) 및 상기 기판(101) 하면에 형성되고 광흡수성 물질로 되어 있는 제1 광흡수층(102)을 구비할 수 있다.
기판(101)과 제1 광흡수층(102)은 분리되어 있을 수도 있고, 기판(101)에 제1 광흡수층(102)을 증착하거나, 기판(101)에 제1 광흡수층(102)을 본딩하여 결합할 수 있다.
기판(101)은 일 예로 광투과성 재질로서, 수정(quartz), 사파이어 및 투광성 세라믹으로 이루어진 군 중에서 적어도 하나일 수 있다. 기판(101)의 상면은 반도체 구조가 적층될 수 있다.
제1 광흡수층(102)은 광흡수성 물질로 되어 서셉터의 서셉터 본체부를 통과하는 빛을 흡수하고 기판(101)에 열을 전달한다. 광흡수성 물질로 흑연(graphite), 탄화실리콘(SiC) 및 탄화실리콘(SiC)이 코팅된 흑연으로 이루어진 군 중에서 적어도 하나일 수 있다. 제1 광흡수층(102)의 열팽창계수는 기판(101)의 열팽창계수에 근접하는 것이 바람직하다. 그리하여 기판(101)에 휨 현상이 발생하더라도 제1 광흡수층(102)이 기판(101)에 밀착되어 기판(101)에 열을 골고루 전달하는 것이 바람직하다.
도 4의 (b)를 참조하면, 서셉터(100)는 기판(101) 및 상기 기판(101) 아래에 형성되고 광흡수성 물질로 되어 있는 제2 광흡수층(103)을 구비할 수 있다. 제2 광흡수층(103)은 서로 다른 열팽창계수를 가지는 물질층(103a, 103b)이 적층되어 있을 수 있다. 서로 다른 열팽창계수를 가지는 물질을 적절히 조합하여 기판(101)의 열팽창계수와 근접하도록 제2 광흡수층(103)을 구성할 수 있다. 기판(101) 및 제2 광흡수층(103)은 결합되어 있을 수 있고, 분리되어 있을 수도 있다. 기판(101)에 고르게 열을 가하기 위해서 기판(101)과 제2 광흡수층(103)은 결합되어 있는 것이 바람직하다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치용 서셉터와 기판을 나타낸다. 도 5의 (a), (b)는 도 3의 (b)에 개시된 서셉터(110)에 기판을 장착한 모습이다. 도 5의 (a), (b)는 각각 도 4의 (a), (b)과 대동소이하므로 자세한 설명은 생략하기로 한다.
도 6은 본 발명의 다른 측면으로서, 화학 기상 증착 장치를 개념적으로 나타낸다. 도 6의 (a)를 참조하면, 기판(101) 및 서셉터(104)가 충분히 가열되기 전의 화학 기상 증착 장치를 나타낸다. 화학 기상 증착 장치는 체임버(미도시), 서셉터(104) 및 가열 램프(120)를 포함할 수 있다. 체임버(미도시)는 기판(101), 서셉터(100)를 구비하는 공간이다.
기판(101)은 충분히 가열되기 전이므로 기판(101)의 휨 현상이 발생되지 않아 비교적 직선형태를 유지하고 있다. 기판(101) 및 서셉터(100)의 위쪽에는 상기 기판(101)에 증착될 반도체의 원료가 되는 소스가스가 흐르고 있다.
가열 램프(120)는 서셉터(100)의 하면에 광을 조사하여 서셉터 본체부(104)를 거쳐 광흡수부(107)까지 열이 전달된다. 가열 램프(120)에서 방출되는 빛의 파장은 일 예로 약 400nm 내지 약 100㎛일 수 있다. 적외선 영역의 파장, 즉 약 700nm 내지 약 100㎛의 파장이 보다 바람직하다.
도 6의 (b)를 참조하면, 서셉터(100) 및 기판이 충분히 가열되어 기판의 휨 현상이 발생한 모습을 나타낸다. 서셉터(100)의 왼쪽 포켓에 있는 기판은 제1 광흡수층(102) 방향으로 볼록하게 휘어 있다. 걸림턱(105a)은 포켓의 바닥(105b)으로부터 상승된 위치에 형성되어 있어 휘어진 기판(101)을 수용할 수 있는 공간을 구비하고 있다.
서셉터(100)의 오른쪽 포켓에 있는 기판(101)은 기판(101) 방향으로 볼록하게 휘어 있다. 본 발명의 실시예에 따르면, 기판(101)이 기판(101) 방향으로 볼록하게 휘어 있든, 제1 광흡수층(102) 방향으로 볼록하게 휘어 있든 기판(101)과 제1 광흡수층(102)은 밀착되어 있으므로 반도체층이 형성되는 기판(101)에 균일하게 열을 공급하여 기판이 균일한 온도를 유지할 수 있으므로 우수한 품질의 반도체층이 형성될 수 있다.
도 7은 본 발명의 또 다른 측면에 따른, 화학 기상 증착 장치를 이용하여 기판을 가열하는 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 7을 참조하면, 서셉터 본체부 및 광흡수부를 포함하는 화학 기상 증착 장치용 서셉터를 마련한다(710). 상기 화학 기상 증착 장치용 서셉터는 광투과성 물질로 이루어진 서셉터 본체부의 상면에 광흡수성 물질을 도포하거나 증착하여 광흡수부를 형성할 수 있다. 또는 서셉터 본체부의 상면에 광흡수부를 본딩하여 서셉터를 마련할 수도 있다.
광투과성 물질로 된 기판의 하면에 광흡수성 물질로 이루어지는 광흡수층을 형성한다(720). 일 예로 상기 기판의 하면에 광흡수층을 증착하여 형성할 수 있다. 다른 예로 기판의 하면에 광흡수층을 본딩하여 형성할 수 있다.
상기 광흡수층이 형성된 상기 기판을 상기 포켓에 장착하고, 화학 기상 증착 장치의 체임버 내에 배치한다(730). 상기 광흡수층이 포켓의 걸림턱에 거치되도록 상기 기판을 상기 포켓에 장착할 수 있다.
기판의 하면에 광흡수층을 형성하는(720) 대신, 기판과 분리된 별도의 광흡수층을 포켓에 장착하고, 그 위에 기판을 장착할 수도 있다.
다음 상기 서셉터 본체부의 하면에 가열램프로 빛을 조사하여 상기 서셉터 및 기판을 가열한다(740).
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시 예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어서는 안 될 것이다.
10, 100, 110: 서셉터 11, 21, 101:기판
14, 105b, 115b: 포켓의 바닥 15, 105, 115: 포켓
102, 103: 광흡수층 104, 114: 서셉터 본체부
105a, 115a: 걸림턱 107, 117: 광흡수부
120: 가열 램프
14, 105b, 115b: 포켓의 바닥 15, 105, 115: 포켓
102, 103: 광흡수층 104, 114: 서셉터 본체부
105a, 115a: 걸림턱 107, 117: 광흡수부
120: 가열 램프
Claims (22)
- 기판을 수용하기 위한 적어도 하나의 포켓이 형성된 상면과 그 대향하는 하면을 가지며, 광투과성 물질로 이루어진 서셉터 본체부; 및 상기 서셉터 본체부의 상면에 형성된 광흡수성 물질로 이루어지는 광흡수부를 포함하는 화학 기상 증착 장치용 서셉터.
- 제1항에 있어서,
상기 포켓은 바닥부와, 상기 바닥부로부터 상승된 위치에 상기 기판의 주위부를 거치하도록 형성된 걸림턱을 구비하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치용 서셉터.
- 제2항에 있어서,
상기 걸림턱은 상기 서셉터 본체에 형성되는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치용 서셉터.
- 제2항에 있어서,
상기 걸림턱은 상기 포켓까지 연장되어 형성된 상기 광흡수부의 단부에 형성되는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치용 서셉터.
- 제1항에 있어서,
상기 광투과성 물질은 수정(quartz), 사파이어 및 투광성 세라믹으로 이루어진 군 중에서 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치용 서셉터.
- 제1항에 있어서,
상기 광흡수성 물질은 흑연(graphite), 탄화실리콘(SiC) 및 탄화실리콘이 코팅된 흑연으로 이루어진 군 중에서 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치용 서셉터.
- 제1항에 있어서,
상기 광흡수성 물질은 파장 400nm 이상 100㎛인 빛을 흡수하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치용 서셉터.
- 체임버;
상기 체임버의 내부에 구비되고, 기판을 수용하기 위한 적어도 하나의 포켓이 형성된 상면과 그 대향하는 하면을 가지며, 광투과성 물질로 이루어진 서셉터 본체부 및 상기 서셉터 본체부의 상면에 형성된 광흡수성 물질로 이루어지는 광흡수부를 포함하는 화학 기상 증착 장치용 서셉터; 및
상기 서셉터의 하면을 가열하도록 광을 방출하는 가열 램프를 포함하는 화학 기상 증착 장치.
- 제8항에 있어서,
상기 포켓은 바닥부와, 상기 바닥부로부터 상승된 위치에 상기 기판의 주위부를 거치하도록 형성된 걸림턱을 구비하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.
- 제9항에 있어서,
상기 걸림턱은 상기 서셉터 본체에 형성되는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.
- 제9항에 있어서,
상기 걸림턱은 상기 포켓까지 연장되어 형성된 상기 광흡수부의 단부에 형성되는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.
- 제8항에 있어서,
상기 광흡수성 물질은 파장 400nm 이상 100㎛인 빛을 흡수하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.
- 제8항에 있어서,
상기 광투과성 물질은 수정(quartz), 사파이어 및 투광성 세라믹으로 이루어진 군 중에서 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.
- 제8항에 있어서,
상기 광흡수성 물질은 흑연(graphite), 탄화실리콘(SiC) 및 탄화실리콘이 코팅된 흑연으로 이루어진 군 중에서 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.
- 제8항에 있어서,
상기 광흡수층은 서로 다른 열팽창계수를 가지는 물질층이 복수 개 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.
- 기판을 수용하기 위한 적어도 하나의 포켓이 형성된 상면과 그 대향하는 하면을 가지며, 광투과성 물질로 이루어진 서셉터 본체부 및 상기 서셉터 본체부의 상면에 형성된 광흡수성 물질로 이루어지는 광흡수부를 포함하는 화학 기상 증착 장치용 서셉터를 마련하는 단계;
광투과성 물질로 된 기판의 하면에 광흡수성 물질로 이루어지는 광흡수층을 형성하는 단계;
상기 광흡수층이 형성된 상기 기판을 상기 포켓에 장착하고, 화학기상 증착 장치의 체임버 내에 배치하는 단계; 및
상기 서셉터 본체부의 하면에 빛을 조사하여 가열하는 단계;
를 포함하는 화학 기상 증착 장치를 이용한 기판의 가열방법.
- 제16항에 있어서,
상기 기판은 수정(quartz), 사파이어 및 투광성 세라믹으로 이루어진 군 중에서 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치를 이용한 기판의 가열방법.
- 제16항에 있어서,
상기 기판의 하면에 광흡수층을 증착하여 형성하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치를 이용한 기판의 가열방법.
- 제16항에 있어서,
상기 기판의 하면에 광흡수층을 본딩하여 형성하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치를 이용한 기판의 가열방법.
- 제16항에 있어서,
상기 광흡수층은 서로 다른 열팽창계수를 가지는 물질이 복수 개 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치를 이용한 기판의 가열방법.
- 기판을 수용하기 위한 적어도 하나의 포켓이 형성된 상면과 그 대향하는 하면을 가지며, 광투과성 물질로 이루어진 서셉터 본체부 및 상기 서셉터 본체부의 상면에 형성된 광흡수성 물질로 이루어지는 광흡수부를 포함하는 화학 기상 증착 장치용 서셉터를 마련하는 단계;
상기 포켓에 광흡수층을 장착하는 단계;
상기 광흡수층 위에 기판을 장착하고 화학기상 증착 장치의 체임버 내에 배치하는 단계; 및
상기 서셉터 본체부의 하면에 빛을 조사하여 가열하는 단계;
를 포함하는 화학 기상 증착 장치를 이용한 기판의 가열방법.
- 제21항에 있어서,
상기 광흡수층은 서로 다른 열팽창계수를 가지는 물질이 복수 개 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치를 이용한 기판의 가열방법.
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020100133341A KR20120071695A (ko) | 2010-12-23 | 2010-12-23 | 화학 기상 증착 장치용 서셉터, 화학 기상 증착 장치 및 화학 기상 증착 장치를 이용한 기판의 가열 방법 |
| US13/331,737 US20120164347A1 (en) | 2010-12-23 | 2011-12-20 | Susceptor for cvd apparatus, cvd apparatus and substrate heating method using the same |
| EP11194723A EP2469588A2 (en) | 2010-12-23 | 2011-12-21 | Susceptor for CVD Apparatus, CVD Apparatus and Substrate Heating Method using the Same |
| CN201110448650.9A CN102534562B (zh) | 2010-12-23 | 2011-12-22 | 基座、化学气相沉积设备和基板加热方法 |
| JP2011281859A JP2012134504A (ja) | 2010-12-23 | 2011-12-22 | 化学気相蒸着装置用サセプタ、化学気相蒸着装置及び化学気相蒸着装置を用いる基板の加熱方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020100133341A KR20120071695A (ko) | 2010-12-23 | 2010-12-23 | 화학 기상 증착 장치용 서셉터, 화학 기상 증착 장치 및 화학 기상 증착 장치를 이용한 기판의 가열 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20120071695A true KR20120071695A (ko) | 2012-07-03 |
Family
ID=45445813
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020100133341A KR20120071695A (ko) | 2010-12-23 | 2010-12-23 | 화학 기상 증착 장치용 서셉터, 화학 기상 증착 장치 및 화학 기상 증착 장치를 이용한 기판의 가열 방법 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20120164347A1 (ko) |
| EP (1) | EP2469588A2 (ko) |
| JP (1) | JP2012134504A (ko) |
| KR (1) | KR20120071695A (ko) |
| CN (1) | CN102534562B (ko) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8535445B2 (en) * | 2010-08-13 | 2013-09-17 | Veeco Instruments Inc. | Enhanced wafer carrier |
| JP6559706B2 (ja) | 2014-01-27 | 2019-08-14 | ビーコ インストルメンツ インコーポレイテッド | 化学蒸着システム用の複合半径を有する保持ポケットを有するウェハキャリア |
| JP6532424B2 (ja) * | 2016-03-30 | 2019-06-19 | 三菱電機株式会社 | 基板設置部材、ウェハプレート、およびＳｉＣエピタキシャル基板の製造方法 |
| JP7345397B2 (ja) * | 2017-06-23 | 2023-09-15 | ジュソン エンジニアリング カンパニー リミテッド | 基板支持装置 |
| US11075105B2 (en) | 2017-09-21 | 2021-07-27 | Applied Materials, Inc. | In-situ apparatus for semiconductor process module |
| CN109103308A (zh) * | 2018-09-18 | 2018-12-28 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种led晶圆及其制作方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0758041A (ja) * | 1993-08-20 | 1995-03-03 | Toshiba Ceramics Co Ltd | サセプタ |
| JPH1025200A (ja) * | 1996-07-11 | 1998-01-27 | Nippon Sanso Kk | 成膜用基板および電気素子 |
| US6530994B1 (en) * | 1997-08-15 | 2003-03-11 | Micro C Technologies, Inc. | Platform for supporting a semiconductor substrate and method of supporting a substrate during rapid high temperature processing |
| US6444027B1 (en) * | 2000-05-08 | 2002-09-03 | Memc Electronic Materials, Inc. | Modified susceptor for use in chemical vapor deposition process |
| US6634882B2 (en) * | 2000-12-22 | 2003-10-21 | Asm America, Inc. | Susceptor pocket profile to improve process performance |
| KR100972976B1 (ko) * | 2008-05-06 | 2010-07-29 | 삼성엘이디 주식회사 | 서셉터 및 이를 구비하는 화학 기상 증착 장치 |
| JP5098873B2 (ja) * | 2008-07-30 | 2012-12-12 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | 気相成長装置用のサセプタ及び気相成長装置 |
| US9758871B2 (en) * | 2008-12-10 | 2017-09-12 | Sumco Techxiv Corporation | Method and apparatus for manufacturing epitaxial silicon wafer |
-
2010
- 2010-12-23 KR KR1020100133341A patent/KR20120071695A/ko not_active Application Discontinuation
-
2011
- 2011-12-20 US US13/331,737 patent/US20120164347A1/en not_active Abandoned
- 2011-12-21 EP EP11194723A patent/EP2469588A2/en not_active Withdrawn
- 2011-12-22 CN CN201110448650.9A patent/CN102534562B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-12-22 JP JP2011281859A patent/JP2012134504A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20120164347A1 (en) | 2012-06-28 |
| CN102534562B (zh) | 2014-12-24 |
| EP2469588A2 (en) | 2012-06-27 |
| JP2012134504A (ja) | 2012-07-12 |
| CN102534562A (zh) | 2012-07-04 |
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|---|---|---|---|
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