KR20130035616A - 서셉터 및 이를 구비하는 화학기상증착 장치 - Google Patents

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김준우
허인회
이창호
김추호
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삼성전자주식회사
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
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    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
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Abstract

서셉터 및 이를 구비하는 화학기상증착 장치에 관해 개시되어 있다. 개시된 서셉터는 기판이 탑재되는 적어도 하나의 탑재부를 갖는 판형 부재를 포함할 수 있고, 상기 판형 부재에서 상기 탑재부에 대응하는 단위 영역의 하면은 그 가장자리보다 중앙부가 아래쪽으로 더 돌출된 구조를 가질 수 있다. 상기 단위 영역의 두께는 그 중앙부에서 가장자리로 갈수록 얇아질 수 있다. 개시된 화학기상증착 장치는 상기 서셉터 및 그 아래에 구비된 가열 수단을 포함할 수 있다.

Description

서셉터 및 이를 구비하는 화학기상증착 장치{Susceptor and chemical vapor deposition apparatus including the same}
본 개시는 서셉터 및 이를 구비하는 화학기상증착 장치에 관한 것이다.
화학기상증착(chemical vapor deposition)(CVD) 장치는 화학 반응을 이용하여 피증착체(반도체 웨이퍼 등의 기판)에 박막을 형성하는 장치로서, 일반적으로 기판이 마련된 진공 챔버 내에 증기압이 높은 반응 가스를 주입하여 상기 반응 가스에 의한 박막을 기판 상에 성장시키도록 구성된다.
최근, 반도체 소자의 고집적화 및 고성능화와 맞물려서, 금속 유기 화학기상증착(metal organic chemical vapor deposition)(MOCVD) 방법과 같은 CVD가 각광 받고 있다. 특히, 고효율/고출력 LED(light emitting device)의 제조시, MOCVD 장비가 유용하게 사용될 수 있다.
화학기상증착 분야에서 대량 생산을 통한 생산성 향상 및 원가 절감 등을 실현하기 위해서는, 반응 챔버의 크기를 증가시키고, 대구경의 피증착체(즉, 기판)를 사용하거나 한 번에 다수의 피증착체에 박막을 증착할 필요가 있다. 이 경우, 대구경의 피증착체 또는 다수의 피증착체 전체에 박막을 균일하게 성장시키는 기술이 요구된다.
균일한 박막 성장에 유리한 서셉터(susceptor)를 제공한다.
피증착체(즉, 기판)의 가열 온도 편차를 줄일 수 있는 서셉터를 제공한다.
상기 서셉터를 포함하는 화학기상증착 장치를 제공한다.
본 발명의 일 측면(aspect)에 따르면, 화학기상증착 장치용 서셉터에 있어서, 상기 서셉터는 기판이 탑재되는 적어도 하나의 탑재부를 갖는 판형 부재를 포함하고, 상기 판형 부재에서 상기 탑재부에 대응하는 단위 영역의 하면은 그 가장자리보다 중앙부가 아래쪽으로 더 돌출된 구조를 갖고, 상기 단위 영역의 두께는 그 중앙부에서 가장자리로 갈수록 얇아지는 서셉터가 제공된다.
상기 단위 영역의 하면은 라운드형으로 돌출될 수 있다.
상기 단위 영역의 하면은 역피라미드 또는 역삼각뿔 모양으로 돌출될 수 있다.
상기 단위 영역의 하면은 계단형으로 돌출될 수 있다.
상기 판형 부재의 중앙부를 중심으로 복수의 상기 탑재부가 원형으로 배열될 수 있다.
상기 판형 부재는 회전축에 의해 회전되는 회전체일 수 있다.
상기 판형 부재는 메인 디스크(main disc)일 수 있다. 이 경우, 상기 탑재부에 새틀라이트 디스크(satellite disc)가 더 구비될 수 있고, 상기 새틀라이트 디스크(satellite disc) 상에 상기 기판이 구비될 수 있다.
상기 판형 부재는 그라파이트(graphite)를 포함할 수 있다.
상기 판형 부재는 탄화규소(SiC) 또는 탄소(C)로 코팅될 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 전술한 본 발명의 실시예에 따른 서셉터; 상기 서셉터 아래에 구비된 것으로 상기 서셉터에 탑재되는 기판을 가열하기 위한 가열 수단; 및 상기 서셉터에 탑재된 기판에 반응 가스를 공급하기 위한 가스 공급부;를 포함하는 화학기상증착 장치가 제공된다.
상기 화학기상증착 장치는 방사 플로우 타입(radial flow type)일 수 있다.
상기 화학기상증착 장치는 역 플로우 타입(reverse flow type)일 수 있다.
상기 가열 수단은 RF 코일(radio frequency coil)을 포함할 수 있다.
상기 화학기상증착 장치는 MOCVD(metal organic chemical vapor deposition) 장치일 수 있다.
박막의 증착 균일성을 향상시킬 수 있는 서셉터 및 이를 포함하는 화학기상증착 장치를 구현할 수 있다.
기판의 가열 온도 편차를 줄일 수 있는 서셉터 및 이를 포함하는 화학기상증착 장치를 구현할 수 있다.
상기 화학기상증착 장치를 사용하면, 박막의 균일성을 개선할 수 있고, 결과적으로 상기 박막을 적용한 소자의 특성, 균일성, 생산성 등을 개선할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 서셉터를 보여주는 단면도이다.
도 2는 도 1의 서셉터의 평면 구조를 예시적으로 보여주는 평면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 서셉터를 보여주는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 서셉터를 보여주는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 서셉터를 포함하는 화학기상증착 장치를 보여주는 단면도이다.
도 6는 본 발명의 실시예와 비교되는 비교예에 따른 서셉터를 포함하는 화학기상증착 장치를 보여주는 단면도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 화학기상증착 장치를 보여주는 단면도이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 서셉터의 일부를 보여주는 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시예에 따른 서셉터 및 이를 구비하는 화학기상증착 장치를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 첨부된 도면에 도시된 층이나 영역들의 폭 및 두께는 명세서의 명확성을 위해 다소 과장되게 도시된 것이다. 상세한 설명 전체에 걸쳐 동일한 참조번호는 동일한 구성요소를 나타낸다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 서셉터(susceptor)(100)를 보여주는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 서셉터(100)는 소정의 판형 부재(10)를 포함할 수 있다. 판형 부재(10)는, 예컨대, 디스크(disc) 형상을 가질 수 있다. 이러한 판형 부재(10)는 "메인 디스크(main disc)"라 부를 수 있다. 판형 부재(10)는 그라파이트(graphite)와 같이 열전도율이 높은 물질로 형성될 수 있다. 이 경우, 판형 부재(10)는 탄화규소(SiC) 또는 탄소(C) 등으로 코팅될 수 있다. 상기 탄화규소 및 탄소 등의 코팅재는 판형 부재(10)의 강도를 향상시키는 물질일 수 있다. 그러나 판형 부재(10)의 물질은 전술한 바에 한정되지 않고, 다양하게 변화될 수 있다. 판형 부재(10)는 기판(피증착체)이 탑재되는 적어도 하나의 탑재부(P1)를 가질 수 있다. 탑재부(P1)는 원형의 홈일 수 있다. 이런 점에서 탑재부(P1)는 기판을 수용하기 위한 "포켓(pocket)"이라 할 수 있다. 탑재부(P1)는 복수 개가 구비될 수 있고, 이 경우, 복수의 탑재부(P1)는 판형 부재(10)의 중앙부 둘레에 일정한 간격으로 형성될 수 있다.
판형 부재(10)에서 각 탑재부(P1)에 대응하는 단위 영역(R1)은 그 중앙부에서 가장자리로 갈수록 두께가 얇아지는 구조를 가질 수 있다. 이와 관련해서, 상기 단위 영역(R1)의 하면(S1)은 그 가장자리보다 중앙부가 아래쪽으로 더 돌출된 구조를 가질 수 있다. 다시 말해, 단위 영역(R1)의 하면(S1)이 중앙부로 갈수록 아래쪽으로 더 돌출된 구조를 가짐에 따라, 단위 영역(R1)의 두께는 가장자리에서 중앙부로 갈수록 두꺼워질 수 있다. 단위 영역(R1)의 하면(S1)은, 예컨대, 라운드형(즉, 유선형)으로 돌출될 수 있다. 이러한 판형 부재(10)의 구조에 의해, 탑재부(P1)에 탑재되는 기판의 가열 온도가 균일해질 수 있고, 결과적으로 상기 기판 상에 형성되는 박막의 두께, 특성 등이 균일해질 수 있다. 이에 대해서는 추후에 보다 상세히 설명한다.
판형 부재(10)의 중앙부에 소정의 회전축(20)이 연결될 수 있다. 회전축(20)은 판형 부재(10)의 아래쪽에 구비될 수 있다. 도시하지는 않았지만, 회전축(20)은 소정의 구동장치에 연결될 수 있다. 회전축(20)의 회전에 의해 판형 부재(10)가 회전될 수 있다. 이런 점에서, 판형 부재(10)는 "회전체"라고 할 수 있다.
도 2는 도 1의 서셉터(100)의 평면 구조를 예시적으로 보여주는 평면도이다.
도 2를 참조하면, 판형 부재(10)의 중앙부를 중심으로 복수의 탑재부(P1)가 원형의 궤적을 그리도록 배열될 수 있다. 다시 말해, 복수의 탑재부(P1)는 판형 부재(10)의 중앙부 둘레에 일정 간격을 갖고 배열될 수 있다. 도 2의 A-A'선에 따른 단면도가 도 1과 같을 수 있다. 도 2에 도시된 평면 구조는 예시적인 것에 불과하고, 서셉터(100)의 평면 구조는 다양하게 변형될 수 있다.
도 1에서는 단위 영역(R1)의 하면(S1)이 라운드형(즉, 유선형)으로 돌출된 경우를 도시하였지만, 이는 예시적인 것이고, 하면(S1)의 형상은 다양하게 변형될 수 있다. 그 변형예가 도 3 및 도 4에 도시되어 있다. 즉, 도 3 및 도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 서셉터(100A, 100B)를 보여준다.
도 3을 참조하면, 판형 부재(10A)에서 탑재부(P1)가 구비되는 단위 영역(R2)의 하면(S2)은 역삼각형의 단면 구조를 가질 수 있다. 이 경우, 단위 영역(R2)의 하면(S2)은 역피라미드 또는 역삼각뿔 형태로 둘출될 수 있다. 단위 영역(R2)이 이러한 구조를 갖는 경우에도, 단위 영역(R2)의 두께는 중앙부에서 가장자리로 갈수록 얇아질 수 있다.
도 4를 참조하면, 판형 부재(10B)에서 탑재부(P1)가 구비되는 단위 영역(R3)의 하면(S3)은 계단형으로 돌출된 구조를 가질 수 있다. 이 경우, 단위 영역(R3)의 두께는 중앙부에서 가장자리로 갈수록 단계적으로 얇아질 수 있다.
도 1, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 탑재부(P1)가 구비되는 단위 영역(R1, R2, R3)이 그 중앙부에서 가장자리로 갈수록 두께가 얇아지는 구조를 가질 때, 탑재부(P1)에 구비되는 기판(미도시)의 가열 온도 편차가 감소할 수 있고, 결과적으로, 상기 기판에 형성되는 박막의 특성, 두께 등이 균일해질 수 있다. 이에 대해서는 도 5 및 도 6을 참조하여 보다 상세히 설명한다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 서셉터(100)를 포함하는 화학기상증착 장치(1000)의 일례를 보여주는 단면도이다.
도 5를 참조하면, 화학기상증착 장치(1000)는 반응 챔버(500) 내에 서셉터(100)를 구비할 수 있다. 서셉터(100)은, 예컨대, 도 1의 서셉터(100)와 동일한 구조를 가질 수 있다. 서셉터(100)의 구조는 도 3 및 도 4와 같이 다양하게 변형될 수 있다. 서셉터(100)의 탑재부(P1)에 소정의 기판(1)이 구비될 수 있다. 서셉터(100) 아래쪽에 기판(1)을 가열하기 위한 가열 수단(200)이 구비될 수 있다. 가열 수단(200)은, 예컨대, RF 코일(radio frequency coil)을 포함할 수 있다. 가열 수단(200)에서 발생된 열이 서셉터(100)의 판형 부재(10)에 전달되고, 그에 따라, 기판(1)이 가열될 수 있다. 반응 챔버(500)의 덮개부, 즉, 리드부(lid part)에는 가스 공급부(300)가 구비될 수 있다. 가스 공급부(300)는 상기 덮개부의 중앙에 위치할 수 있고, 아래쪽으로, 즉, 반응 챔버(500) 내부로 돌출된 구조를 가질 수 있다. 가스 공급부(300)에서 분사된 반응 가스(G1)는 서셉터(100)의 상면을 지나 반응 챔버(500)의 아래쪽에 구비된 배기부(5)를 통해 배출될 수 있다. 반응 가스(G1)가 서셉터(100)의 기판(1)을 지나면서, 기판(1) 상에 소정의 박막이 형성될 수 있다.
도 6은 본 발명의 실시예와 비교되는 비교예에 따른 서셉터(110) 및 이를 포함하는 화학기상증착 장치(1100)를 보여주는 단면도이다.
도 6을 참조하면, 비교예에 따른 서셉터(110)는 평평한(flat) 구조의 판형 부재(11)를 갖는다. 즉, 서셉터(110)의 판형 부재(11)에서 탑재부(P11)가 구비되는 단위 영역(R11)은 전체적으로 균일한 두께를 가질 수 있다. 단위 영역(R11)의 하면(S11)은 평탄하고, 그 아래에 가열 수단(200)이 구비될 수 있다. 그 밖에 구성은 도 5의 그것과 동일하거나 유사할 수 있으므로, 이에 대한 반복 설명은 배제한다.
도 6과 같이 서셉터(110)의 탑재부(P11)가 구비되는 단위 영역(R11)이 평평한 구조를 가질 때, 가열 수단(200)에 의해 가열되는 단위 영역(R11)의 중앙부 온도가 가장자리의 온도보다 상당히 높을 수 있다. 단위 영역(R11)의 가장자리의 경우, 반응 가스(G1)가 주입되는 가스 공급부(300)에 근접하거나 반응 가스(G1)가 배기되는 배기 경로에 근접하기 때문에, 그리고 가열 수단(200)의 가장자리 부분에 대응되기 때문에, 가열 온도가 상대적으로 낮을 수 있다. 반면, 단위 영역(R11)의 중앙부의 경우, 가스 공급부(300) 및 배기 경로로부터 상대적으로 멀리 배치되어 있고, 가열 수단(200)의 중앙부에 대응되기 때문에, 상대적으로 높은 온도로 가열될 수 있다. 따라서, 도 6의 하단에 별도로 도시된 온도 그래프에 나타낸 바와 같이, 단위 영역(R11)의 중앙부와 가장자리의 온도 차이는 매우 클 수 있다.
그러나 본 발명의 실시예인 도 5에서와 같이, 단위 영역(R1)의 중앙부 두께가 가장자리보다 상대적으로 두꺼울 경우, 상기 중앙부에서의 열저항이 가장자리의 열저항보다 크기 때문에, 도 6와 같은 온도 편차가 보상되고, 단위 영역(R1) 전체가 대체로 균일한 온도로 가열될 수 있다. 이는 도 5의 하단에 별도로 도시된 온도 그래프에 나타난 바와 같다. 따라서 도 5와 같은 서셉터(100)를 사용할 경우, 기판(1) 전체의 가열 온도가 균일해질 수 있고, 결과적으로, 기판(1)에 형성되는 박막의 특성, 두께 등이 균일해질 수 있다.
만약, 도 6의 비교예에서와 같이 단위 영역(R11)의 가열 온도 편차가 클 경우, 반응 챔버(500) 내부의 온도 편차가 커지기 때문에, 열대류(thermal convection) 현상으로 인해 반응 가스(G1)의 안정적인 층류 유동(laminar flow)이 유지되기 어렵고, 와류(addy)가 발생할 수 있다. 또한 온도 편차로 인해 기판(1)이 휘어지는 현상도 나타날 수 있다. 따라서 기판(1) 상에 균일한 특성 및 두께를 갖는 박막을 형성하기 어렵고, 불량률이 증가할 수 있다. 특히, LED(light emitting device)와 같은 발광소자의 제조를 위해 에피택셜(epitaxial) 박막을 형성하는 경우, 박막의 특성 또는 두께 등이 불균일하면, 이는 발광소자의 발광파장이 불균일해지는 결과로 나타날 수 있다. 여기서 설명한 온도 편차로 인한 문제는 반응 챔버(500)의 사이즈 및 기판(1)의 사이즈가 커질수록 더욱 심각하게 나타날 수 있다.
그러나 본 발명의 실시예인 도 5에서와 같이, 서셉터(100)에서 단위 영역(R1)의 중앙부 두께를 가장자리보다 두껍게 하면, 전술한 온도 편차를 용이하게 줄일 수 있기 때문에, 기판(1) 전체를 균일한 온도로 가열할 수 있고, 반응 가스(G1)의 안정적인 층류 유동(laminar flow)을 유지할 수 있으며, 기판(1)이 휘어지는 문제도 방지(또는 억제)할 수 있다. 따라서, 기판(1) 전체에서 균일한 화학증착이 일어날 수 있고, 기판(1)에 형성되는 박막의 균일도가 향상될 수 있다. 만약, 본 발명의 실시예에 따른 화학기상증착 장치로 LED와 같은 발광소자를 제조하는 경우, 발광파장의 균일도가 향상될 수 있다.
특히, 본 발명의 실시예에서와 같이 서셉터(100)의 하면을 가공하여 단위 영역(R1)의 중앙부와 가장자리의 두께 차이를 유발하는 경우, 서셉터(100)의 상면부를 가공하는 것에 비하여 다양한 이점을 얻을 수 있다. 다시 말해, 단위 영역(R1)의 하면(S1)을 아래로 볼록하게 만드는 것이 단위 영역(R1)의 상면을 위로 볼록하게 만드는 것보다 여러 면에서 유리할 수 있다. 예컨대, 단위 영역(R1)의 상면, 즉, 탑재부(P1)의 표면에 해당하는 상면을 볼록한 구조로 만드는 것은 가공 공정 자체가 매우 어려울 수 있다. 또한 탑재부(P1)의 상면을 위로 볼록하게 만드는 경우, 기판(1)을 탑재부(P1)에 안정적으로 안착시키는 것이 어려울 수 있다. 그러나 본 발명의 실시예와 같이, 단위 영역(R1)의 하면(S1)을 아래로 볼록하게 만드는 것은 가공이 용이할 뿐 아니라, 기판(1) 탑재에도 문제가 없으며, 반응 가스(G1)의 흐름에도 영향을 주지 않기 때문에, 안정적인 박막 증착에 유리할 수 있다.
도 5에 도시한 화학기상증착 장치(1000)는 반응 챔버(500)의 중앙부에서 반응 가스(G1)가 방사형으로 분사되기 때문에, 이런 관점에서 방사 플로우 타입(radial flow type) 장치라 할 수 있다. 그러나 본 발명의 실시예에 따른 화학기상증착 장치(1000)는 도 5와 같은 방사 플로우 타입(radial flow type)에 한정되지 않고 다양하게 변형될 수 있다. 예컨대, 본 발명의 실시예에 따른 화학기상증착 장치는 역 플로우 타입(reverse flow type)의 반응 챔버를 사용할 수도 있다. 그 예가 도 7에 도시되어 있다.
도 7을 참조하면, 화학기상증착 장치(1000A)는 반응 챔버(550)의 상단 측부에 복수의 가스 공급부(350)를 구비할 수 있다. 복수의 가스 공급부(350)는 반응 챔버(550)의 상단 측부에 등간격으로 배치될 수 있다. 복수의 가스 공급부(350)에서 분사된 반응 가스(G10)는 서셉터(150)의 표면부를 지나 서셉터(150)의 중앙에 마련된 배기부(50)를 통해서 반응 챔버(550) 외부로 배기될 수 있다. 서셉터(150)는 중앙에 배기부(50)를 갖는 것을 제외하면, 도 1의 서셉터(100)와 동일한(혹은 유사한) 구조를 가질 수 있다. 즉, 서셉터(150)의 판형 부재(15) 및 회전축(25)은 이들의 중앙에 배기부(50)를 갖는 것을 제외하면, 도 1의 판형 부재(10) 및 회전축(20)과 동일한(혹은 유사한) 구조를 가질 수 있다. 도 7에서 가스 공급부(350)와 배기부(50)의 형성 위치 등을 제외한 나머지 구성은 도 5의 그것과 동일하거나 유사할 수 있으므로, 나머지 구성요소에 대한 자세한 설명은 반복하지 않는다.
도 5 및 도 7을 참조하여 설명한 본 발명의 실시예에 따른 화학기상증착 장치(1000, 1000A)는, 예컨대, 금속 유기 화학기상증착(metal organic chemical vapor deposition)(MOCVD) 장치일 수 있다. 이러한 MOCVD 장치는 고효율/고출력의 LED(light emitting device) 제조시 유용하게 사용될 수 있다. 그러나 본 발명의 실시예에 따른 화학기상증착 장치는 MOCVD 장치로 한정되지 않고, 다양한 방식의 증착 장치에 적용될 수 있다.
부가적으로, 전술한 도 1 내지 도 5 및 도 7에서 도시하지 않았지만, 판형 부재(10, 10A, 10B, 15)의 탑재부(P1) 각각에 새틀라이트 디스크(satellite disc)가 구비될 수 있고, 상기 새틀라이트 디스크 상에 기판(1)이 구비될 수 있다. 일례로, 도 8에 도시된 바와 같이, 판형 부재(10)의 탑재부(P1)에 새틀라이트 디스크(satellite disc)(3)가 구비될 수 있고, 새틀라이트 디스크(3) 상에 기판(1)이 구비될 수 있다. 이 경우, 판형 부재(10)는 메인 디스크(main disc)라 할 수 있다. 새틀라이트 디스크(3)는 판형 부재(10)의 회전과 별개로 그 자체가 회전하도록 구성될 수 있다. 이러한 새틀라이트 디스크(3)를 사용함으로써, 박막의 증착 특성을 더욱 향상시킬 수 있다. 그러나 새틀라이트 디스크(3)의 사용은 선택적인(optional) 것이고, 새틀라이트 디스크(3)의 구조도 도시된 바에 한정되지 않고 다양하게 변형될 수 있다.
상기한 설명에서 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나, 그들은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다, 구체적인 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 예들 들어, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면, 도 1 내지 도 4의 서셉터의 구조는 다양하게 변형될 수 있음을 알 수 있을 것이다. 또한 도 5 및 도 7의 화학기상증착 장치의 구조도 다양하게 변화될 수 있다. 부가해서, 당업자라면 본 발명의 사상(idea)은 화학기상증착 장치뿐 아니라 그 밖에 다른 증착 장치에도 적용될 수 있음을 알 수 있을 것이다. 때문에 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 의하여 정하여 질 것이 아니고 특허 청구범위에 기재된 기술적 사상에 의해 정하여져야 한다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호설명 *
1 : 기판 3 : 새틀라이트 디스크(satellite disc)
5, 50 : 배기부 10, 10A, 10B, 15 : 판형 부재(메인 디스크)
20, 25 : 회전축 100, 100A, 100B, 150 : 서셉터
200 : 가열 수단 300, 350 : 가스 공급부
500, 550 : 반응 챔버 1000, 1000A : 화학기상증착 장치
G1, G10 : 반응 가스 P1, P11 : 탑재부
R1, R2, R3 : 단위 영역 S1, S2, S3 : 단위 영역의 하면

Claims (14)

  1. 화학기상증착 장치용 서셉터에 있어서,
    상기 서셉터는 기판이 탑재되는 적어도 하나의 탑재부를 갖는 판형 부재를 포함하고,
    상기 판형 부재에서 상기 탑재부에 대응하는 단위 영역의 하면은 그 가장자리보다 중앙부가 아래쪽으로 더 돌출된 구조를 갖고, 상기 단위 영역의 두께는 그 중앙부에서 가장자리로 갈수록 얇아지는 서셉터.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 단위 영역의 하면은 라운드형으로 돌출된 서셉터.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 단위 영역의 하면은 역피라미드 또는 역삼각뿔 모양으로 돌출된 서셉터.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 단위 영역의 하면은 계단형으로 돌출된 서셉터.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 판형 부재의 중앙부를 중심으로 복수의 상기 탑재부가 원형으로 배열된 서셉터.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 판형 부재는 회전축에 의해 회전되는 회전체인 서셉터.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 판형 부재는 메인 디스크(main disc)이고,
    상기 탑재부에 새틀라이트 디스크(satellite disc)가 더 구비되며,
    상기 새틀라이트 디스크(satellite disc) 상에 상기 기판이 구비되는 서셉터.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 판형 부재는 그라파이트(graphite)를 포함하는 서셉터.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 판형 부재는 탄화규소(SiC) 또는 탄소(C)로 코팅된 서셉터.
  10. 청구항 1 내지 9 중 어느 하나에 기재된 서셉터;
    상기 서셉터 아래에 구비된 것으로, 상기 서셉터에 탑재되는 기판을 가열하기 위한 가열 수단; 및
    상기 서셉터에 탑재된 기판에 반응 가스를 공급하기 위한 가스 공급부;를 포함하는 화학기상증착 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 화학기상증착 장치는 방사 플로우 타입(radial flow type)의 챔버를 사용하는 화학기상증착 장치.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 화학기상증착 장치는 역 플로우 타입(reverse flow type)의 챔버를 사용하는 화학기상증착 장치.
  13. 제 10 항에 있어서,
    상기 가열 수단은 RF 코일(radio frequency coil)을 포함하는 화학기상증착 장치.
  14. 제 10 항에 있어서,
    상기 화학기상증착 장치는 MOCVD(metal organic chemical vapor deposition) 장치인 화학기상증착 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160067619A (ko) * 2014-12-04 2016-06-14 삼성전자주식회사 발광 소자 제조용 화학 기상 증착 장치 및 이를 이용한 발광 소자 제조 방법
DE102018129109B4 (de) * 2017-11-24 2021-03-25 Showa Denko K.K. SiC-EPITAXIALWACHSTUMVORRICHTUNG

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