KR102382335B1

KR102382335B1 - 반도체 제조 장치

Info

Publication number: KR102382335B1
Application number: KR1020180014586A
Authority: KR
Inventors: 정영환
Original assignee: 주식회사 엘엑스세미콘
Priority date: 2018-02-06
Filing date: 2018-02-06
Publication date: 2022-04-01
Also published as: KR20190094903A

Abstract

본 발명에 의한 반도체 제조장치는, 기판이 안착되며, 하부방향으로 볼록한 곡면을 가지는 바닥면을 포함하는 몸체, 상기 몸체의 상면에 상기 몸체의 가장자리를 따라 배치되며, 상부방향으로 개방된 오목한 홈을 가지는 가이드부 및 상기 가이드부의 내측에서 상기 몸체의 상부방향으로 연장 배치되며, 상기 기판을 지지하는 복수 개의 돌출부를 포함하고, 상기 몸체는, 상기 가이드부가 배치되는 수평선상에서 상기 바닥면의 중심부까지의 깊이가 0.2mm 내지 0.5mm인 것을 특징으로 한다.

Description

반도체 제조 장치{Apparatus for manufacturing semiconductor}

본 발명은 도핑 균일도를 향상시킨 반도체 제조 장치에 관한 것이다.

화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition, CVD) 장치는　화학　반응을 이용하여 피증착물(반도체 웨이퍼 등의 기판)에 박막을 형성하는 장치로서, 일반적으로 기판이 마련된 진공 챔버 내에 증기압이 높은 반응 가스를 주입하여 반응 가스에 의한 박막을 기판 상에 성장시키도록 구성된다.

최근 반도체 소자의 미세화와 고효율, 고출력 LED(Light Emitting Diode) 등의 개발로, 금속 유기　화학적 기상　증착　방법(Metal Organic Chemical Vapor Deposition,　MOCVD)과 같은 CVD가 각광 받고 있으며, 한번에 다수의 피증착물에　증착을 일으키도록 챔버(chamber)와 서셉터(susceptor) 크기가 커짐에 따라 다수의 피증착물에 박막을　균일하게 성장시키도록 하는 것이 중요하다.

여기서, 피증착물은 새틀라이트 디스크(satellite disc) 위에 놓이며, 새털라이트 디스크들은 서셉터 상의 마련된 다수의 포켓(pocket)에 각각 수용된다. 피증착물에 대한 박막의　균일한 성장을 위해서는 서셉터 자체가 회전할 뿐만 아니라 피증착물이 놓이는 새털라이트 디스크도 회전하도록 구성된다.

한편, 이러한 증착 과정은 1400℃ 내지 1600℃의 고온에서 진행되고, 고온의 열이 서셉터에 수용된 웨이퍼에 가해지게 된다. 이때, 웨이퍼의 테두리는 서셉터와 접촉한 상태로 가열되므로, 웨이퍼의 테두리는 중심부에 비해 더 가열되어 웨이퍼가 중심부 방향으로 휘게 된다. 이에 따라, 웨이퍼 전체의 도핑 균일도가 저하되고, 이러한 도핑 균일도 저하 현상은 고온에서 더 크게 나타난다.

따라서, 고온 환경에서 휘어진 웨이퍼 상에 원료 가스를 균일하게 증착시키기 위한 기술의 개발이 요구된다.

본 발명은 기판을 균일한 온도 분포로 가열할 수 있는 구조의 반도체 제조장치를 제공할 수 있도록 한다.

본 발명은 기판 상에 균일한 박막 성장이 가능한 반도체 제조장치를 제공할 수 있도록 한다.

본 발명은 회전하는 반도체 제조장치에서 원심력을 이용하여 기판 전체의 균일한 도핑 농도를 제공할 수 있도록 한다.

본 발명은 반도체 제조장치 내에서 기판에 접촉되는 장비들의 면적을 최소화할 수 있도록 한다.

본 발명의 기술적 과제들을 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들을 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

본 발명의 반도체 제조장치는 기판이 안착되며, 하부방향으로 볼록한 곡면을 가지는 바닥면을 포함하는 몸체, 상기 몸체의 상면에 상기 몸체의 가장자리를 따라 배치되며, 상부방향으로 개방된 오목한 홈을 가지는 가이드부 및 상기 가이드부의 내측에서 상기 몸체의 상부방향으로 연장 배치되며, 상기 기판을 지지하는 복수 개의 돌출부를 포함하고, 상기 몸체는, 상기 가이드부가 배치되는 수평선상에서 상기 바닥면의 중심부까지의 깊이가 0.2mm 내지 0.5mm인 것을 특징으로 한다.

본 발명의 상기 복수 개의 돌출부는, 상기 몸체의 중심에서부터 원주방향으로 40mm 내지 75.25mm의 반경 범위에서 배치되는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 상기 돌출부는, 상기 가이드부가 배치되는 수평선상에서부터 상부방향으로 돌출된 높이가 0.1mm 내지 0.3mm인 것을 특징으로 한다.

본 발명의 상기 돌출부의 폭은 10mm 내지 20mm 인 것을 특징으로 한다.

본 발명의 상기 복수 개의 돌출부는, 상기 몸체 내측면의 둘레를 따라 일정한 간격으로 배치되는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 상기 가이드부의 오목한 홈은, 상기 몸체의 중심부를 향하는 방향으로 경사지게 배치되는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 상기 가이드부는, 상기 오목한 홈의 외측 깊이가 0.5mm 내지 0.8mm 이고, 상기 오목한 홈의 내측 깊이가 1.1mm 내지 1.5mm 인 것을 특징으로 한다.

본 발명의 상기 가이드부는, 내측에 상기 몸체의 중심방향으로 복수 개의 고정부를 가지는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 상기 가이드부의 두께는 1mm 내지 5.5mm인 것을 특징으로 한다.

본 발명의 상기 고정부의 폭은 5mm 내지 20mm인 것을 특징으로 한다.

본 발명의 상기 고정부의 높이는 0.3mm 내지 3mm인 것을 특징으로 한다.

본 발명에 의하면, 고온 환경에 배치된 기판을 균일한 온도로 가열할 수 있다.

본 발명에 의하면, 피증착물인 기판의 전 영역에 균일한 농도의 증착물을 제공할 수 있다.

본 발명에 의하면, 기판에 균일한 농도의 증착물을 제공하여 반도체 소자 제조 수율을 높일 수 있다.

본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

도 1은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 반도체 제조장치의 단면을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 반도체 제조장치 상에 기판의 형상이 고온의 환경에서 변형된 모습을 단면으로 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 반도체 제조장치의 단면을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 돌출부가 배치되는 영역을 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 반도체 제조장치를 절단한 단면이 보여지는 사시도이다.
도 6은 본 발명의 반도체 제조장치를 이용하여 제조된 기판의 도핑 농도를 도시한 그래프이다.
도 7은 본 발명의 반도체 제조장치를 이용하여 제조된 기판의 실물 사진이다.
도 8은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 가이드부의 단면을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 9는 도 8의 A 영역을 확대 도시한 도면이다.
도 10은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 가이드부를 이용하여 제조된 기판의 도핑 농도를 도시한 그래프이다.
도 11a는 본 발명의 가이드부를 상면에서 바라본 도면이다.
도 11b 및 도 11c는 본 발명의 제3, 4 실시 예에 따른 가이드부를 A-A' 라인을 따라 절단한 단면을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 12는 본 발명의 제3, 4 실시 예에 따른 가이드부를 이용하여 제조된 기판의 도핑 농도를 도시한 그래프이다.
도 13은 본 발명의 반도체 제조장치의 전체 구성을 개략적으로 도시한 도면이다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 게시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 게시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.

다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다. 본 명세서에서 사용된 용어는 실시 예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다.

명세서에서 사용되는 "포함한다 (comprises)" 및/또는 "포함하는 (comprising)"은 언급된 구성 요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성 요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하도록 한다.

도 1은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 반도체 제조장치의 단면을 개략적으로 도시한 도면이고, 도 2는 본 발명의 반도체 제조장치 상에 기판의 형상이 고온의 환경에서 변형된 모습을 단면으로 도시한 도면이며, 도 3은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 반도체 제조장치의 단면을 개략적으로 도시한 도면이며, 도 4는 본 발명의 돌출부가 배치되는 영역을 도시한 도면이고, 도 5는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 반도체 제조장치를 절단한 단면이 보여지는 사시도이다. 도 1 내지 도 5를 참조하면, 본 발명의 반조체 제조장치(10)는 몸체(200), 가이드부(300)를 포함한다.

본 발명에서 반도체 제조장치(10)는 MOCVD(metal organic chemical vapor deposition), MBE(Molecular Beam Epitaxy), CVD(chemical vapor deposition) 등의 결정 성장 장비에 적용될 수 있다. 실시예에 따라 본 발명의 반도체 제조장치(10)를 이용하여 기판(웨이퍼, 100)의 표면에 질화 갈륨계 반도체 발광소자, HEMT(high electron mobility transistor), FET(field effect transistor), 레이저 다이오드 등의 소자가 성장된다.

본 발명에 있어서, 기판(100)은 몸체(200) 상에 안착되어 반도체 제조장치(10)에 수납될 수 있다. 본 발명에서 기판(100)은 고온의 공정과정에서 휘어짐이 발생하게 되는 6인치 이상의 웨이퍼일 수 있다.

반도체 제조장치(10)가 고온의 환경에서 진행됨에 따라, 기판(100)과 몸체(200) 사이의 간격이 가까운 경우, 휘어진 기판(100)이 몸체(200)와 접촉하여 기판(100)이 손상될 수 있다. 이에 따라, 몸체(200)는 기판(100)을 몸체(200)로부터 소정 간격 이격시키며, 상부방향으로 연장 배치되는 복수 개의 돌출부(210)를 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 복수 개의 돌출부(210)의 돌출된 높이(D3)는 0.1mm 내지 0.3mm일 수 있으며, 바람직하게는 0.2mm일 수 있다.

또한, 복수 개의 돌출부(210)는 기판(100)과의 접촉 면적을 최소화하기 위해, 두께(D4)가 1mm 내지 3mm, 그 폭(W1)이 10mm 내지 20mm일 수 있으며, 바람직하게는 2mm x 15mm일 수 있다.

실시 예에 따라, 복수 개의 돌출부(210)는 몸체(200)의 내측면의 둘레를 따라 일정한 각도(Θ)를 가지고 배치될 수 있다. 예를 들어, 복수 개의 돌출부(210)는 몸체(200)의 중심을 기준으로 몸체(200)의 둘레를 따라 내측에서 90°각도를 가지고 4개씩 배치되거나, 45°각도를 가지고 8개씩 배치될 수 있다.

복수 개의 돌출(210)와 기판(100)이 접촉하는 경우, 열 전도도 차이로 인해 기판(100)의 중심부가 더 휘어질 수 있다. 이때, 기판(100)이 안착되는 몸체(200)의 바닥면(220)이 평평한 경우, 기판(100)과 바닥면(220)이 접촉하게 되고 기판(100)의 중앙 영역이 손상될 가능성이 높다. 따라서, 보다 확실하게 몸체(200)와 기판(100) 사이의 중앙 접촉을 방지하기 위해, 몸체(200)는 하부방향으로 볼록한 곡면을 가지는 바닥면(220)을 포함할 수 있다.

실시예에 따라, 바닥면(220)은 몸체(200)의 중심부로 갈수록 깊어지는 곡면 형상을 가질 수 있으며, 보다 구체적으로 돌출부(210)의 하단부 수평선상을 기준으로 깊이(D2)가 0.2mm 내지 0.5mm 일 수 있다. 또한, 바람직하게는 0.4mm의 깊이(D2)를 가질 수 있다.

다른 실시예에 따라, 몸체(200)의 바닥면(220)과 기판(100) 사이의 간격(D1)은 기판(100)의 전체 영역에서 동일할 수 있다. 이에 따라, 돌출부(210)와 접촉하지 않는 기판(100)의 전체 영역의 온도 균일도가 향상되며, 기판(100) 전체의 도핑 균일도가 상승할 수 있다.

본 발명에 있어서, 반도체 제조장치(10)는 챔버(chamber) 내에 배치되며, 전체가 회전한다. 회전하는 몸체(200) 상에 안착된 기판(100)을 고정시키기 위해, 몸체(200)의 상면에 몸체(200)의 가장자리를 따라 가이드부(300)가 배치될 수 있다. 실시예에 따라, 가이드부(300)는 상부 방향으로 개방된 오목한 홈(310)을 가질 수 있으며, 오목한 홈(310)의 기능은 후술하기로 한다.

본 발명의 돌출부(210)는 가이드부(300)의 내측에서 형성될 수 있으며, 기판(100)을 지지할 수 있는 다양한 범위 내에 배치될 수 있다. 도 4를 참조하면, 복수 개의 돌출부(210)는 가이드부(300)의 내측 반지름(R2)과 몸체(200) 외측 반지름(R1) 사이인 중간 영역(R0)에 배치될 수 있다. 실시 예에 따라, 복수 개의 돌출부(210)가 배치될 수 있는 반경은 몸체(200)의 중심에서부터 원주방향으로 40mm 내지 72.25mm일 수 있다.

본 발명에 있어서, 반도체 제조장치(10)를 구성하는 몸체(200), 돌출부(210), 가이드부(300)는 고온의 공정과정에서 안정성을 보장하기 위하여 SiC, TaC(tantalum carbide) 중 하나의 소재를 이용하여　코팅될 수 있다. 또한, 본 발명의 반도체 제조장치(10)가 고온의 환경에 배치되는 바, 기판(100)에 영향을 끼치지 않는, 열전도도가 낮은 소재로 이루어질 수 있다.

도 6은 본 발명의 반도체 제조장치를 이용하여 제조된 기판의 도핑 농도를 도시한 그래프이고, 도 7은 본 발명의 반도체 제조장치를 이용하여 제조된 기판의 실물 사진이다. 도 6 및 도 7을 참조하면, 기판(100)이 안착되는 몸체(200) 상에 어떠한 구조도 형성하지 않은 고온의 화학증착공정의 경우, 비교예의 중앙에서 보이는 바와 같이, 도핑 농도가 급격히 감소한다.

한편, 복수 개의 돌출부(210) 및 하부방향으로 볼록한 곡면을 가지는 바닥면(220)을 포함하는 몸체(200)를 이용하여 고온의 화학증착공정을 진행할 경우, 기판(100)의 중앙 영역이 몸체(200)와 접촉하지 않고 기판(100)이 균일하게 가열되어, 실시예와 같은 도핑 농도를 구현할 수 있다.

또한, 이러한 과정으로 제조된 기판(100)은 일면에 복수 개의 돌출부(210) 형상(B)이 남아, 육안으로 본 발명의 반도체 제조장치(10)로 제조된 기판(100)임을 확인할 수 있다.

도 8은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 가이드부의 단면을 개략적으로 도시한 도면이고, 도 9는 도 8의 A 영역을 확대 도시한 도면이며, 도 10은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 가이드부를 이용하여 제조된 기판의 도핑 농도를 도시한 그래프이다. 도 8 내지 도 10을 참조하면, 회전하는 몸체(200)를 고정하기 위해, 몸체(200)의 하부에 반도체 제조장치(10)의 회전 축(미도시)과 결합하는 고정홈(230)을 포함할 수 있다.

본 발명에 있어서, 몸체(200) 상에 안착되는 기판(100)은 온도뿐만 아니라, 증착 과정에서 몸체(200)가 회전하기 때문에, 도 9에 도시된 바와 같이, 기판(100)의 가장자리가 전체 영역에 비해 균일하게 증착물이 도포되지 않을 수 있다.

이러한, 도핑 농도 차이는 기판(100) 상에 고농도의 증착물을 도포하고자 하는 경우에 더 증대될 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 반도체 제조장치(10)는 증착 과정에서 기판(100)의 가장자리와 인접한 가이드부(300)에 증착시키고자 하는 증착물(M)을 배치시킬 수 있다.

이를 위해, 가이드부(300)는 상부방향으로 개방된 오목한 홈(310)을 포함하며, 오목한 홈(310) 안에 증착물(M)이 담겨 있을 수 있다. 실시예에 따라, 증착물(M)은 다양한 종류의 물질이 가능하며, 예를 들어, 고온에서 녹일 수 있는 파우더 형태의 물질일 수 있다.

한편, 본 발명의 가이드부(300)의 오목한 홈(310)은 회전하는 과정에서 발생하는 원심력(F)에 의해 증착물(M)이 가장자리로 쏠릴 수 있는바, 오목한 홈(310)의 바닥이 경사지도록 배치될 수 있다.

실시예에 따라, 가이드부(300)의 A영역을 확대 도시한 도 9를 참조하면, 오목한 홈(310)은 몸체(200)의 중심을 향하는 방향으로 경사지게 배치될 수 있으며, 가이드부(300)의 전체 높이(D8)의 1/3과 2/3이 되는 지점을 설정하여 이에 맞게 오목한 홈(310)을 배치시킬 수 있다.

보다 구체적으로, 가이드부(300)의 전체 높이(D8)는 1.5mm 내지 2mm일 수 있으며, 오목한 홈(310)의 외측 깊이(D5)는 0.5mm 내지 0.8mm, 내측 깊이(D6)는 1.1mm 내지 1.5mm일 수 있다. 이에 따라, 오목한 홈(310)에 배치된 증착물(M)이 원심력(F)에 의해 외부로 넘어가지 않고, 기판(100)의 가장자리 영역에 증착될 수 있다.

실시 예에 따라, 가이드부(300)의 전체 두께(D9)는 1.15mm 내지 5.15mm 일 수 있으며, 오목한 홈(310)을 형성하기 위한 두께(D7)는 0.1mm 내지 1mm일 수 있다. 여기서 바람직하게 가이드부(300)의 전체 두께(D9)는 5mm, 오목한 홈(310)을 형성하기 위한 두께(D7)는 0.8mm일 수 있다.

또한, 오목한 홈(310)이 경사지게 배치되는 경우, 증착물(M)이 피증착물인 기판(100) 상에 증착되는 과정에서 휘발된 증착물(M)이 원심력(F)과 반대되는 구심력 방향으로 모여, 증착이 완료되는 시점까지 지속적으로 증착물(M)을 공급할 수 있다.

이에 따라, 도 10에 도시된 바와 같이, 가이드부(300)에 어떠한 구조도 배치시키지 않은 비교예에서 기판(100)의 도핑 농도가 가장자리에서 급격하게 감소하는 반면, 본 발명의 오목한 홈(310)을 배치시킨 반도체 제조장치(10)를 이용한 기판(100)의 경우, 가장자리까지 균일한 도핑 농도를 구현할 수 있다.

본 발명에 따르면, 오목한 홈(310)에 놓이는 증착물(M)의 양에 따라, 도핑 농도 조절이 가능하며, 기판(100) 상에 다층 구조물을 쌓을 수 있다. 또한, 기판(100)의 가장자리 도핑 불균일도가 감소하여, 반도체 제조장치(10)의 전체 수율이 상승할 수 있다.

한편, 본 발명의 가이드부(300)는 몸체(200)와 맞닿는 일면에 홈 또는 돌기(미도시)를 배치시켜, 몸체(200)와의 결합력을 증가시킬 수 있다. 결합력이 증대되면, 가이드부(300)가 포함하는 증착물(M)이 흔들려 쏠리는 현상을 방지할 수 있다.

도 11a는 본 발명의 가이드부를 상면에서 바라본 도면이고, 도 11b 및 도 11c는 본 발명의 제3, 4 실시 예에 따른 가이드부를 A-A' 라인을 따라 절단한 단면을 개략적으로 도시한 도면이며, 도 12는 본 발명의 제3, 4 실시 예에 따른 가이드부를 이용하여 제조된 기판의 도핑 농도를 도시한 그래프이다.

도 11 및 도 12를 참조하면, 반도체 제조장치(10)가 적용되는 화학증착공정은 앞서 언급한 바와 같이, 온도와 온도에 따른 도핑 농도가 중요하다. 이때, 가이드부(300)를 포함하는 반도체 제조장치(10)의 경우, 가이드부(300)에서 방출되는 복사열로 인해 기판(100)의 가장자리 영역의 온도가 전체 영역보다 높아질 수 있다.

이를 위해, 가이드부(300)와 기판(100)과의 접촉 면적이 최소화 되어야 하는바, 본 발명의 가이드부(300)는 내측에 몸체(200)의 중심방향으로 복수 개의 고정부(320)를 가질 수 있다.

고정부(320)를 배치함에 따라 가이드부(300)의 두께가 감소하며, 기판(100)과 접촉하는 복수 개의 고정부(320)는 적어도 3개 이상 배치될 수 있다. 보다 구체적으로 복수 개의 고정부(320)는 3개 이상 최대 8개까지 배치될 수 있으며, 접촉 면적을 최소화하기 위해, 폭(W2)이 5mm 내지 20mm일 수 있다. 또한, 복수 개의 고정부(320)는 바람직하게 10mm의 폭을 가질 수 있다.

본 발명에 따르면, 고정부의 높이(D10)는 0.3mm 내지 3mm로 기판(100)의 측면을 고정할 수 있을 정도의 높이일 수 있다.

이와 같이, 복수 개의 고정부(320)를 배치한 반도체 제조장치(10)의 도핑 농도는 고정부(320)를 배치하지 않은 비교예와 대조하였을 경우, 도핑 농도가 균일해짐을 알 수 있다.

도 13는 본 발명의 반도체 제조장치의 전체 구성을 개략적으로 도시한 도면이다. 도 13을 참조하면, 반도체 제조장치(10)는 둘 이상의 기판(100)을 수용할 수 있도록, 복수 개의 홀(H)을 포함할 수 있다. 따라서, 볼록한 곡면을 가지는 바닥면(220) 및 돌출부(210)를 가지는 몸체(200)와 가이드부(300)의 한 쌍이 홀(H) 안에 삽입될 수 있다.

또한, 도핑 균일도 높은 기판(100)이 한번의 화학증착공정을 통하여 복수 개 생성될 수 있다.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.

Claims

기판이 안착되며, 하부방향으로 볼록한 곡면을 가지는 바닥면을 포함하는 몸체;
상기 몸체의 상면에 상기 몸체의 가장자리를 따라 배치되며, 상부방향으로 개방된 오목한 홈을 가지는 가이드부; 및
상기 가이드부의 내측에서 상기 몸체의 상부방향으로 연장 배치되며, 상기 기판을 지지하는 복수 개의 돌출부; 를 포함하고,
상기 몸체는,
상기 가이드부가 배치되는 수평선상에서 상기 바닥면의 중심부까지의 깊이가 0.2mm 내지 0.5mm인 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
제1항에 있어서,
상기 복수 개의 돌출부는,
상기 몸체의 중심에서부터 원주방향으로 40mm 내지 75.25mm의 반경 범위에서 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
제1항에 있어서,
상기 돌출부는,
상기 가이드부가 배치되는 수평선상에서부터 상부방향으로 돌출된 높이가 0.1mm 내지 0.3mm인 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
제1항에 있어서,
상기 돌출부의 폭은 10mm 내지 20mm 인 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
제1항에 있어서,
상기 복수 개의 돌출부는,
상기 몸체 내측면의 둘레를 따라 일정한 간격으로 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
제1항에 있어서,
상기 가이드부의 오목한 홈은,
상기 몸체의 중심부를 향하는 방향으로 경사지게 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
제6항에 있어서,
상기 가이드부는,
상기 오목한 홈의 외측 깊이가 0.5mm 내지 0.8mm 이고,
상기 오목한 홈의 내측 깊이가 1.1mm 내지 1.5mm 인 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
제1항에 있어서,
상기 가이드부는,
내측에 상기 몸체의 중심방향으로 복수 개의 고정부를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
제8항에 있어서,
상기 가이드부의 두께는 1mm 내지 5.5mm인 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
제8항에 있어서,
상기 고정부의 폭은 5mm 내지 20mm인 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
제8항에 있어서,
상기 고정부의 높이는 0.3mm 내지 3mm인 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.