TWI584405B - Wafer tray - Google Patents

Description

晶圓托盤

本發明涉及半導體技術領域，特別涉及一種晶圓托盤。

半導體器件製作過程中的一些製程，需將晶圓承載在晶圓托盤上完成。例如金屬有機化合物化學氣相沉積(Metal Organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD)以其成長易控制、可成長純度很高的材料、磊晶層大面積均勻性良好等優點，逐漸用於製造高亮度LED晶片。

在MOCVD腔室內，為使得原料氣體分解，從而沉積在晶圓托盤上的晶圓表面，該腔室內還具有加熱器。

習知技術中，晶圓托盤上承載的晶圓具有複數個，該複數個晶圓在受熱過程中，容易出現翹曲。

另外，如何通過掃描晶圓托盤，以精確獲得其上的晶圓的溫度也是本領域技術難題之一。這是因為：習知技術中為了防止晶圓翹曲，會在托盤上表面設置一個或複數個蓋板，這些蓋板圍繞所有的晶圓的外周緣，在完成沉積後先移除這些蓋板，再取出完成沉積的晶圓；由於這些蓋板是後加的，所有蓋板與支撐晶圓的托盤上不可避免的存在縫隙，而氣相沉積反應腔通常氣壓很低接近真空，所有熱量只能通過輻射及傳導傳遞，無法通過對流進行傳遞，所 以這些不均勻的縫隙會導致蓋板與下方的托盤溫度差別很大而且蓋板上的溫度分佈也不均勻，進一步會干擾對晶圓上溫度的測量及調節。

有鑑於此，本發明提供一種新的晶圓托盤，能避免晶圓翹曲，且可通過掃描，精確獲得其上的晶圓的溫度。

本發明實現的目的是避免晶圓翹曲，且可通過掃描，精確獲得其上的晶圓的溫度。

為實現上述目的，本發明的一方面提供一種晶圓托盤，包含：承載盤，上表面具有複數個向下凹陷的晶圓承載區，所述晶圓承載區用於放置晶圓，每一晶圓承載區的部分側壁頂部具有伸向承載區中心的第一凸舌，每一晶圓承載區的底壁、側壁以及與所述側壁連接的第一凸舌一體成型，其中第一凸舌沿所述承載區的邊緣適於覆蓋晶圓的第一部分弧形外周緣，所述第一部分弧形外周緣小於等於晶圓外周緣的一半；以及蓋板，嵌在所述承載盤的上表面，所述蓋板的邊緣具有第二凸舌，所述第二凸舌適於覆蓋所述複數個晶圓的第二部分弧形外周緣，所述第一及第二部分弧形外周緣共同圍繞所述晶圓的整個外周緣。

較佳地，所述蓋板為一塊，所述蓋板上的第二凸舌與所述承載盤上的第一凸舌互補，用於覆蓋所述晶圓的整個外周緣；或所述蓋板由多塊拼接而成，所述多塊蓋板上的第二凸舌共同與所述承載盤上的第一凸舌互補，用於覆蓋所述晶圓的整個外周緣。

較佳地，所述蓋板嵌在所述承載盤的中心區域，所述複數個晶圓承載區圍繞所述蓋板設置，所述蓋板邊緣的第二凸舌沿背離承載盤中心方向延伸，所述晶圓承載區上的第一凸舌沿朝向承載盤中心方向延伸；或所述蓋板圍繞所述複數個晶圓承載區設置，嵌在所述承載盤的邊緣區域，所述蓋板邊緣的第二凸舌沿朝向承載盤中心方向延伸，所述晶圓承載區上的第一凸舌沿背離承載盤中心方向延伸。

較佳地，所述承載盤上表面具有複數個凹槽，每一凹槽形成一所述晶圓承載區，所述蓋板與所述承載盤固定或未固定。

較佳地，晶圓托盤還包含複數個晶圓載盤，所述晶圓載盤位於所述承載盤的上表面，每一晶圓載盤形成一所述晶圓承載區，所述蓋板與所述承載盤固定。

較佳地，所述複數個晶圓載盤固定或未固定在所述承載盤的上表面。

較佳地，所述蓋板通過螺釘固定在所述承載盤的上表面。

較佳地，所述晶圓承載區具有底壁，所述底壁具有相背離的上表面與下表面，所述上表面為晶圓承載面，所述下表面呈平面、凹面、凸面或呈臺階狀。

較佳地，所述蓋板以及所述承載盤適於一體旋轉：a)轉軸連接在所述承載盤的中心，所述承載盤帶動所述蓋板旋轉；或b)所述轉軸連接在所述蓋板的中心，所述蓋板帶動所述承載盤旋轉，所述承載盤具有適於所述轉軸通過的孔。

較佳地，所述轉軸的橫截面呈方形或三角形，對於a)，所述承載盤的中心相應地具有方形或三角形槽；對於b)，所述蓋板的中心相應地具有方形或三角形槽。

較佳地，對於a)，所述承載盤的中心還具有擋塊，用於所述轉軸抵靠，所述蓋板上具有與所述擋塊匹配的鏤空區域。

較佳地，所述蓋板以及所述承載盤適於一體旋轉：a)轉軸連接在所述承載盤的中心，所述承載盤帶動所述複數個晶圓載盤以及所述蓋板旋轉；或b)所述轉軸連接在所述蓋板的中心，所述蓋板帶動所述複數個晶圓載盤以及所述承載盤旋轉，所述承載盤具有適於所述轉軸通過的孔。

較佳地，所述轉軸的橫截面呈方形或三角形，對於a)，所述承載盤的中心相應地具有方形或三角形槽；對於b)，所述蓋板的中心相應地具有方形或三角形槽。

較佳地，對於a)，所述承載盤的中心還具有擋塊，用於所述轉軸抵靠，所述蓋板上具有與所述擋塊匹配的鏤空區域。

本發明的另一方面提供另外一種晶圓托盤，包含：複數個晶圓載盤，每一晶圓載盤具有一向下凹陷的晶圓承載區，所述晶圓承載區用於放置晶圓，每一晶圓承載區的部分側壁頂部具有伸向承載區中心的第一凸舌，每一晶圓承載區的底壁、側壁以及與所述側壁連接的第一凸舌一體成型，其中第一凸舌沿所述承載區的邊緣適於覆蓋晶圓的第一部分弧形外周緣，所述第一部分弧形外周緣小於等於晶圓外周緣的一半；以及蓋板，嵌在所述複數個晶圓載盤的上表面並暴露出所述複數個晶圓承載區，所述蓋板與所述複數個晶圓載盤固定，所述蓋板的邊緣具有第二凸 舌，所述第二凸舌適於覆蓋所述複數個晶圓的第二部分弧形外周緣，所述第一及第二部分弧形外周緣共同圍繞所述晶圓的整個外周緣。

較佳地，所述蓋板為一塊，所述蓋板上的第二凸舌與所述複數個晶圓載盤上的第一凸舌互補，用於覆蓋所述晶圓的整個外周緣；或所述蓋板為多塊，所述多塊蓋板上的第二凸舌共同與所述複數個晶圓載盤上的第一凸舌互補，用於覆蓋所述晶圓的整個外周緣。

較佳地，所述複數個晶圓載盤圍繞所述蓋板設置，所述蓋板邊緣的第二凸舌沿背離蓋板中心方向延伸，所述複數個晶圓載盤上的第一凸舌沿朝向蓋板中心方向延伸；或所述蓋板圍繞所述複數個晶圓載盤設置，所述蓋板邊緣的第二凸舌沿朝向蓋板中心方向延伸，所述複數個晶圓載盤上的第一凸舌沿背離蓋板中心方向延伸。

較佳地，所述晶圓承載區具有底壁，所述底壁具有相背離的上表面與下表面，所述上表面為晶圓承載面，所述下表面呈平面、凹面、凸面或呈臺階狀。

與習知技術相比，本發明的技術方案具有以下優點：1)提供一種晶圓托盤，包含承載盤以及嵌在承載盤上表面的蓋板，該承載盤上表面具有複數個向下凹陷的晶圓承載區，該晶圓承載區用於放置晶圓，每一晶圓承載區的部分側壁頂部具有伸向承載區中心的第一凸舌，該第一凸舌沿承載區的邊緣適於覆蓋晶圓的第一部分弧形外周緣，蓋板的邊緣具有第二凸舌，該第二凸舌適於覆蓋複數個晶圓的第二部分弧形外周緣，第一及第二部分弧形外周緣共同圍繞晶圓的整個外周緣；由於承載區上的第一部分弧形外周緣小於等於晶圓外周緣的一半，因而晶圓在放置時，可以滑入上述承載區，放置好後，蓋上蓋板， 第一凸舌與第二凸舌位於同一高度，對晶圓整個外緣施壓，防止晶圓翹曲；此外，每一晶圓承載區的底壁、側壁以及與側壁連接的第一凸舌一體成型，底壁對晶圓進行加熱，而第一凸舌通過側壁與底壁以一體成型方式連接，一體成型的底壁、側壁與第一凸舌之間有良好的熱傳導性能，因而三者溫度相同，使得在對晶圓托盤掃描過程中，第一凸舌不會因為溫度不同而干擾掃描結果。第三，由於蓋板嵌在承載盤內，兩者互補區域不是位於承載盤中心，加之第一凸舌與第二凸舌互補，兩者也不位於承載盤中心，因而蓋板與承載盤適於一體旋轉，上述旋轉帶動兩者之間的晶圓一起旋轉，高速旋轉的晶圓托盤能使得反應氣體在晶圓表面混合均勻，且在晶圓表面形成平流層，有助於提高沉積成膜的均勻性。

2)可選方案中，a)蓋板為一塊，蓋板上的第二凸舌與承載盤上的第一凸舌互補，即兩者形成一個首尾閉合的環形，可以覆蓋晶圓的整個外周緣，對晶圓整個外緣施壓；b)蓋板由多塊拼接而成，多塊蓋板上的第二凸舌共同與承載盤上的第一凸舌互補，即每個蓋板上的第二凸舌拼接起來，與第一凸舌形成一個首尾閉合的環形，以對晶圓的整個外周緣施壓。本方案提供了兩種蓋板的方案。

3)可選方案中，a)蓋板嵌在承載盤的中心區域，複數個晶圓承載區圍繞蓋板設置，此種情況下，蓋板邊緣的第二凸舌沿背離承載盤中心方向延伸，晶圓承載區上的第一凸舌沿朝向承載盤中心方向延伸；b)蓋板圍繞複數個晶圓承載區設置，嵌在所述承載盤的邊緣區域，此種情況下，蓋板邊緣的第二凸舌沿朝向承載盤中心方向延伸，晶圓承載區上的第一凸舌沿背離承載盤中 心方向延伸。本方案提供了兩種蓋板與晶圓承載區的位置關係，並提供了每種位置關係中，第一凸舌與第二凸舌對應的延伸方向。

4)可選方案中，a)承載盤上表面具有複數個凹槽，每一凹槽形成一晶圓承載區，由於晶圓承載區是通過在承載盤上表面開槽設計，因而蓋板不論與承載盤固定還是不固定，兩者都可以一體旋轉。對於不固定的情況，由於蓋板嵌在承載盤上表面，兩者互補區域不是位於承載盤中心，加之第一凸舌與第二凸舌互補，兩者也不位於承載盤中心，因而不論承載盤旋轉帶動蓋板旋轉，還是後者帶動前者旋轉，兩者都具有卡及關係，能一體旋轉。b)晶圓托盤還包含複數個晶圓載盤，晶圓載盤位於承載盤的上表面，每一晶圓載盤形成一晶圓承載區，此種情況下，蓋板與承載盤固定；與a)方案不同的是，本方案中晶圓承載區是通過額外設置的晶圓載盤上的凹槽形成的，此種情況下，承載盤與蓋板要一體旋轉，兩者需固定，上述固定並能將晶圓載盤夾設在兩者之間，隨兩者旋轉也不會移位。

本發明還提供了另一種晶圓托盤，與習知技術相比，本發明的另一種晶圓托盤具有以下優點：提供一種晶圓托盤，包含相互固定的複數個晶圓載盤以及蓋板，每一晶圓載盤具有一向下凹陷的晶圓承載區，該晶圓承載區用於放置晶圓，每一晶圓承載區的部分側壁頂部具有伸向承載區中心的第一凸舌，該第一凸舌沿承載區的邊緣適於覆蓋晶圓的第一部分弧形外周緣，蓋板的邊緣具有第二凸舌，該第二凸舌適於覆蓋複數個晶圓的第二部分弧形外周緣，第一及第二部分弧形外周緣共同圍繞晶圓的整個外周緣；由於承載區上的第一部分弧形外周緣小於等於晶圓外周緣的一半，因而晶圓在放置時，可以滑入上述承載區，放置好後，固定上蓋板，第一凸舌與第二凸舌位於同一高度，對晶 圓整個外緣施壓，防止晶圓翹曲；此外，每一晶圓承載區的底壁、側壁以及與側壁連接的第一凸舌一體成型，底壁對晶圓提供溫度，而第一凸舌通過側壁與底壁以一體成型方式連接，因而兩者溫度相同，使得在對晶圓托盤掃描過程中，第一凸舌不會因為溫度不同而干擾掃描結果。第三，本方案中，由於每個晶圓載盤是固定在蓋板上，因而該晶圓載盤可以更換，研究表明，在同一加熱器的加熱下，晶圓承載區的底壁的下表面具有不同形貌，例如平面、凹面、凸面或呈臺階狀時，其上承載的晶圓的溫度不同，這樣，在加熱過程中，可以根據晶圓受熱調整需要更換具有不同形貌下表面的晶圓載盤。

1‧‧‧承載盤

10‧‧‧晶圓承載區

11‧‧‧第一凸舌

12‧‧‧擋塊

2‧‧‧蓋板

21‧‧‧第二凸舌

22‧‧‧鏤空區域

3‧‧‧晶圓

4‧‧‧固定裝置

第1圖是本發明一實施例中的晶圓托盤的分解結構示意圖；第2圖是第1圖中的晶圓托盤在裝配完畢後的部分結構的剖視圖；第3圖是晶圓裝配在第1圖中的晶圓托盤過程中的結構示意圖；第4圖是第3圖中的部分結構在裝配完畢後的剖視圖；第5圖是本發明另一實施例中的晶圓托盤在與晶圓裝配過程中的結構示意圖；以及第6圖是第5圖中的部分結構在裝配完畢後的剖視圖。

如先前技術中所述，現有的晶圓托盤上承載的晶圓具有複數個，該複數個晶圓在受熱過程中，容易出現翹曲。另外，如何通過掃描晶圓托盤，以精確獲得其上的晶圓的溫度也是本領域技術難題之一。針對上述問題，本發明提供一種新的晶圓托盤，包含承載盤以及嵌在承載盤上表面的蓋板，該承載 盤上表面具有複數個向下凹陷的晶圓承載區，該晶圓承載區用於放置晶圓，每一晶圓承載區的部分側壁頂部具有伸向承載區中心的第一凸舌，該第一凸舌沿承載區的邊緣適於覆蓋晶圓的第一部分弧形外周緣，蓋板的邊緣具有第二凸舌，該第二凸舌適於覆蓋複數個晶圓的第二部分弧形外周緣，第一及第二部分弧形外周緣共同圍繞晶圓的整個外周緣；由於承載區上的第一部分弧形外周緣小於等於晶圓外周緣的一半，因而晶圓在放置時，可以滑入上述承載區，放置好後，蓋上蓋板，第一凸舌與第二凸舌位於同一高度，對晶圓整個外緣施壓，防止晶圓翹曲；此外，每一晶圓承載區的底壁、側壁以及與側壁連接的第一凸舌一體成型，底壁對晶圓提供溫度，而第一凸舌通過側壁與底壁以一體成型方式連接，因而兩者溫度相同，使得在對晶圓托盤掃描過程中，第一凸舌不會因為溫度不同而干擾掃描結果。再者，由於蓋板嵌在承載盤內，兩者互補區域不是位於承載盤中心，加之第一凸舌與第二凸舌互補，兩者也不位於承載盤中心，因而蓋板與承載盤適於一體旋轉，上述旋轉帶動兩者之間的晶圓一起旋轉，高速旋轉的晶圓托盤能使得反應氣體在晶圓表面混合均勻，且在晶圓表面形成平流層，有助於提高沉積成膜的均勻性。

為使本發明的上述目的、特徵及優點能夠更為淺顯易懂，下面結合附圖對本發明的具體實施例做詳細的說明。

第1圖是本發明一實施例提供的晶圓托盤的分解結構示意圖。第2圖是第1圖中的晶圓托盤在裝配完畢後的部分結構的剖視圖。第3圖是晶圓3裝配在第1圖中的晶圓托盤過程中的結構示意圖。第4圖是第3圖中的部分結構在裝配完畢後的剖視圖。參照第1圖與第4圖所示，該晶圓托盤包含： 承載盤1，上表面具有複數個向下凹陷的晶圓承載區10，晶圓承載區10用於放置晶圓3，每一晶圓承載區10的部分側壁頂部具有伸向承載區10中心的第一凸舌11，每一晶圓承載區10的底壁、側壁以及與側壁連接的第一凸舌 11一體成型，其中第一凸舌11沿承載區10的邊緣適於覆蓋晶圓3的第一部分弧形外周緣，該第一部分弧形外周緣小於等於晶圓3外周緣的一半； 蓋板2，嵌在承載盤1的上表面，蓋板2的邊緣具有第二凸舌21，第二凸舌21適於覆蓋複數個晶圓3的第二部分弧形外周緣，所述第一及第二部分弧形外周緣共同圍繞晶圓3的整個外周緣。

以下分別介紹各部件。

參照第1圖與第2圖所示，本實施例中的承載盤1上表面具有複數個凹槽，每一凹槽形成一晶圓承載區10，該晶圓承載區10具有5個。其他實施例中，形成在一承載盤1上的晶圓承載區10也可以具有其他數目。

仍參照第1圖與第2圖所示，由於晶圓3需滑入上述承載區10，因而第一凸舌11所覆蓋的第一部分弧形外周緣需小於等於晶圓3外周緣的一半。

此外，每一晶圓承載區10的底壁、側壁以及與側壁連接的第一凸舌11一體成型，這是因為：在對晶圓3處理過程中，由承載區10的底壁對晶圓3加熱，本實施例中，上述底壁由承載盤1充當，在上方對晶圓托盤掃描過程中，第一凸舌11若與底壁溫度不同，則會干擾掃描結果。

承載盤1的材質可以為石墨。

參照第1圖至第4圖所示，可以看出，蓋板2嵌在承載盤1的中心區域，5個晶圓承載區10圍繞蓋板2設置，因而，蓋板2邊緣的第二凸舌21沿背離承載盤1中心方向延伸，晶圓承載區10上的第一凸舌11沿朝向承載盤1中心方向延伸。其他實施例中，蓋板2也可以圍繞複數個晶圓承載區10設置，蓋板2嵌在承載盤1的邊緣區域，此種情況下，蓋板2邊緣的第二凸舌21沿朝向承載盤1中心方向延伸，晶圓承載區10上的第一凸舌11沿背離承載盤1中心方向延伸。

參照第1圖與第3圖所示，本實施例中，蓋板2為一塊，蓋板2上的第二凸舌21與承載盤1上的第一凸舌11互補，即兩者形成一個首尾閉合的環形， 可以覆蓋晶圓3的整個外周緣，對晶圓3整個外緣施壓。其他實施例中，蓋板2也可以由多塊拼接而成，多塊蓋板2上的第二凸舌21共同與承載盤1上的第一凸舌11互補，即每個蓋板2上的第二凸舌21拼接起來，與第一凸舌11形成一個首尾閉合的環形，以對晶圓3的整個外周緣施壓。

在對晶圓3處理過程中，蓋板2與承載盤1適於一體旋轉。本實施例中，由於晶圓承載區10是通過在承載盤1上表面開槽設計，因而承載盤1與蓋板2即使不固定也能實現一體旋轉。這是因為，由於蓋板2嵌在承載盤1上表面，兩者互補區域不是位於承載盤1中心，加之第一凸舌11與第二凸舌21互補，兩者都具有卡及關係，能一體旋轉。

蓋板2與承載盤1的一體旋轉可以通過下述兩種方式實現：a)轉軸(未圖示)連接在承載盤1的中心，承載盤1帶動蓋板2旋轉，此過程中，晶圓承載區10內的晶圓3也被帶動旋轉；或b)轉軸連接在蓋板2的中心，蓋板2帶動承載盤1旋轉，此時，承載盤1具有適於轉軸通過的孔，上述過程中，晶圓承載區10內的晶圓3也被帶動旋轉。

在具體實施過程中，轉軸可以呈方形或三角形(橫截面)，對於a)方案，承載盤1的中心相應地具有方形或三角形槽；對於b)方案，蓋板2的中心相應地具有方形或三角形槽。優選地，對於a)方案，如第1圖所示，承載盤1的中心還具有擋塊12，上述擋塊12用於轉軸抵靠，此種情況下，蓋板2上具有與擋塊12匹配的鏤空區域22。

參照第1圖與第2圖所示，晶圓承載區10的底壁具有相背離的上表面與下表面，上表面為承載面，該下表面可以為平面、凹面、凸面或呈臺階狀，研究表明，在同一加熱器的加熱下，具有不同形貌的下表面，例如平面、凹面、凸面或呈臺階狀時，其上承載的晶圓3的溫度不同，因而可以根據晶圓3受熱調 整需要選擇不同形貌的承載區下表面。對於凹面、凸面，還可以為不同曲度的凹面、凸面，對於臺階狀，還可以為不同步長、不同臺階高度差的臺階狀。

第5圖是本發明另一實施例中的晶圓托盤在與晶圓3裝配過程中的結構示意圖。第6圖是第5圖中的部分結構在裝配完畢後的剖視圖。參照第5圖與第6圖所示，蓋板2與承載盤1也可以通過固定裝置4，實現兩者固定。上述固定裝置4可以為螺釘，也可以為其他類型的固定裝置。上述固定裝置4可以從下往上依次穿過承載盤1與蓋板2，以實現兩者之間的固定，也可以從上往下依次穿過蓋板2與承載盤1，以實現兩者之間的固定。前者情況中，若固定裝置為螺釘，螺釘的頭部可以不透出蓋板2的表面。

本發明再一實施例中還提供了一種晶圓托盤，上述晶圓托盤與第1圖至第6圖中的晶圓托盤大致相同，區別在於：晶圓承載區10是通過額外設置的晶圓載盤上的凹槽形成的。相應地，該晶圓托盤除了包含蓋板2與承載盤1，還包含複數個個晶圓載盤。本實施例中，蓋板2與承載盤1固定，上述固定例如通過螺釘實現。兩者固定並能將晶圓載盤夾設在蓋板2與承載盤1之間，隨兩者旋轉也不會移位。此種情況下，晶圓載盤可以固定，也可以不固定在承載盤1上。

本實施例中，蓋板2以及承載盤1的一體旋轉可以通過下述兩種方案實現：a)轉軸連接在承載盤1的中心，承載盤1帶動複數個晶圓載盤以及蓋板2旋轉；或b)轉軸連接在蓋板2的中心，蓋板2帶動複數個晶圓載盤以及承載盤1旋轉，此種情況下，承載盤1具有適於轉軸通過的孔。

在具體實施過程中，轉軸可以呈方形或三角形(橫截面)，對於a)方案，承載盤1的中心相應地具有方形或三角形槽；對於b)方案，蓋板2的中心相應地具有方形或三角形槽。優選地，對於a)方案，承載盤1的中心還具有擋塊，該擋塊用於轉軸抵靠，蓋板2上具有與擋塊匹配的鏤空區域。

本發明又一實施例還提供一種晶圓托盤，上述晶圓托盤前述實施例中的晶圓托盤相比，區別在於：無承載盤1，而是將複數個晶圓載盤固定在蓋板2上。上述固定例如通過螺釘實現。每一晶圓載盤具有一向下凹陷的晶圓承載區10，即晶圓承載區10由晶圓載盤上的凹槽提供。

本實施例的好處在於：由於每個晶圓載盤是固定在蓋板1上，因而該晶圓載盤可以更換，這樣在加熱過程中，可以根據晶圓3受熱調整需要更換具有不同形貌承載區下表面，例如下表面呈平面、凹面、凸面或呈臺階狀的晶圓載盤。

具體地，該晶圓載盤可以具有兩個對稱的耳部，螺釘固定在耳部上。其他實施例中，螺釘也可以穿過該晶圓載盤的邊緣區域。

在具體實施過程中，螺釘優選從下往上依次穿過晶圓載盤與蓋板2，以實現兩者之間的固定，如此，在更換晶圓載盤時，向下旋下螺釘，即可進行新的晶圓載盤更換，使得更換過程中，不污染其他晶圓載盤上所承載的晶圓3。此外，上述自下而上的固定方式還可以使得螺釘的頭部不透出蓋板2的表面，實現蓋板2上表面的整潔。其他實施例中，螺釘也可以從上往下依次穿過蓋板2與晶圓載盤以實現兩者固定。

螺釘4的材質可以為石墨或鎢。

可以看出，不論晶圓承載區10由承載盤1上的凹槽提供，還是由晶圓載盤上的凹槽提供，不論有無承載盤1，承載區10的部分側壁頂部伸向承載區中心的第一凸舌11與蓋板2的邊緣的第二凸舌21互補，兩者位於同一高度且共同圍繞晶圓3的整個外周緣，即可對晶圓3的整個外周緣施壓，避免晶圓3的加工過程中翹曲。另外，每一晶圓承載區10的底壁、側壁以及與側壁連接的第一凸舌11一體成型，即能防止在對晶圓托盤掃描過程中，第一凸舌11不會因為與底壁溫度不同而干擾掃描結果。

雖然本發明披露如上，但本發明並非限定於此。任何本領域技術人員，在不脫離本發明的精神及範圍內，均可作各種更動與修改，因此本發明的保護範圍應當以權利要求所限定的範圍為准。

1‧‧‧承載盤

10‧‧‧晶圓承載區

11‧‧‧第一凸舌

12‧‧‧擋塊

2‧‧‧蓋板

21‧‧‧第二凸舌

22‧‧‧鏤空區域

Claims (16)

1. 一種晶圓托盤，其包含：一承載盤，其上表面具有向下凹陷的複數個晶圓承載區，該複數個晶圓承載區用於放置晶圓，每一該晶圓承載區的側壁頂部之一部份具有伸向各該晶圓承載區中心的第一凸舌，每一該晶圓承載區的底壁、該側壁以及與該側壁連接的該第一凸舌一體成型，其中該第一凸舌沿各該晶圓承載區的邊緣適於覆蓋複數個晶圓的第一部分弧形外周緣，該第一部分弧形外周緣小於等於晶圓外周緣的一半；以及一蓋板，嵌在該承載盤的該上表面，該蓋板的邊緣具有一第二凸舌，該第二凸舌適於覆蓋該複數個晶圓的第二部分弧形外周緣，該第一部分弧形外周緣及該第二部分弧形外周緣共同圍繞該複數個晶圓的整個外周緣，其中該蓋板為一塊，該蓋板上的該第二凸舌與該承載盤上的該第一凸舌互補，用於覆蓋該複數個晶圓的該整個外周緣；或該蓋板由多塊拼接而成，多塊的該蓋板上的該第二凸舌共同與該承載盤上的該第一凸舌互補，用於覆蓋該複數個晶圓的該整個外周緣。
2. 如申請專利範圍第1項所述的晶圓托盤，其中該蓋板嵌在該承載盤的中心區域，該複數個晶圓承載區圍繞該蓋板設置，該蓋板邊緣的該第二凸舌沿背離該承載盤的中心方向延伸，該複數個晶圓承載區上的該第一凸舌沿朝向該承載盤的中心方向延伸； 或該蓋板圍繞該複數個晶圓承載區設置，嵌在該承載盤的邊緣區域，該蓋板邊緣的該第二凸舌沿朝向該承載盤的中心方向延伸，該晶圓承載區上的該第一凸舌沿背離該承載盤中心方向延伸。
3. 如申請專利範圍第1項所述的晶圓托盤，其中該承載盤上表面具有複數個凹槽，每一該凹槽形成該晶圓承載區，該蓋板與該承載盤固定或未固定。
4. 如申請專利範圍第1項所述的晶圓托盤，其中還包含複數個晶圓載盤，該複數個晶圓載盤位於該承載盤的上表面，每一該晶圓載盤形成該晶圓承載區，該蓋板與該承載盤固定。
5. 如申請專利範圍第4項所述的晶圓托盤，其中該複數個晶圓載盤固定或未固定在該承載盤的上表面。
6. 如申請專利範圍第4項所述的晶圓托盤，其中該蓋板通過一螺釘固定在該承載盤的上表面。
7. 如申請專利範圍第1項所述的晶圓托盤，其中該晶圓承載區的該底壁具有相背離的上表面與下表面，該上表面為晶圓承載面，該下表面呈平面、凹面、凸面或呈臺階狀。
8. 如申請專利範圍第3項所述的晶圓托盤，其中該蓋板以及該承載盤適於一體旋轉：a)一轉軸連接在該承載盤的中心，該承載盤帶動該蓋板旋轉；或b)該轉軸連接在該蓋板的中心，該蓋板帶動該承載盤旋轉，該承載盤具有適於該轉軸通過的孔。
9. 如申請專利範圍第8項所述的晶圓托盤，其中該轉軸的橫截面呈方形或三角形，對於a)，該承載盤的中心相應地具有方形或三角形槽；對於b)，該蓋板的中心相應地具有方形或三角 形槽。
10. 如申請專利範圍第9項所述的晶圓托盤，其中對於a)，該承載盤的中心還具有一擋塊，用於該轉軸抵靠，該蓋板上具有與該擋塊匹配的鏤空區域。
11. 如申請專利範圍第4項所述的晶圓托盤，其中該蓋板以及該承載盤適於一體旋轉：a)一轉軸連接在該承載盤的中心，該承載盤帶動該複數個晶圓載盤以及該蓋板旋轉；或b)該轉軸連接在該蓋板的中心，該蓋板帶動該複數個晶圓載盤以及該承載盤旋轉，該承載盤具有適於該轉軸通過的孔。
12. 如申請專利範圍第11項所述的晶圓托盤，其中該轉軸的橫截面呈方形或三角形，對於a)，該承載盤的中心相應地具有方形或三角形槽；對於b)，該蓋板的中心相應地具有方形或三角形槽。
13. 如申請專利範圍第12項所述的晶圓托盤，其中對於a)，該承載盤的中心還具有擋塊，用於該轉軸抵靠，該蓋板上具有與該擋塊匹配的鏤空區域。
14. 一種晶圓托盤，其包含：複數個晶圓載盤，每一該晶圓載盤具有向下凹陷的一晶圓承載區，該晶圓承載區用於放置晶圓，每一該晶圓承載區的側壁頂部的一部分具有伸向承載區中心的第一凸舌，每一晶圓承載區的底壁、該側壁以及與該側壁連接的該第一凸舌一體成型，其中該第一凸舌沿該晶圓承載區的邊緣適於覆蓋複數個晶圓的第一部分弧形外周緣，該第一部分弧形外周緣小於等於該複數個晶圓的外周緣的一半；以及 蓋板，嵌在該複數個晶圓載盤的上表面並暴露出該複數個晶圓承載區，該蓋板與該複數個晶圓載盤固定，該蓋板的邊緣具有第二凸舌，該第二凸舌適於覆蓋該複數個晶圓的第二部分弧形外周緣，該第一部分弧形外周緣及該第二部分弧形外周緣共同圍繞該複數個晶圓的整個外周緣，其中該蓋板為一塊，該蓋板上的該第二凸舌與該複數個晶圓載盤上的該第一凸舌互補，用於覆蓋該複數個晶圓的整個外周緣；或該蓋板由多塊拼接而成，多塊的該蓋板上的該第二凸舌共同與該複數個晶圓載盤上的該第一凸舌互補，用於覆蓋該複數個晶圓的整個外周緣。
15. 如申請專利範圍第14項所述的晶圓托盤，其中該複數個晶圓載盤圍繞該蓋板設置，該蓋板邊緣的該第二凸舌沿背離該蓋板的中心方向延伸，該複數個晶圓載盤上的該第一凸舌沿朝向該蓋板的中心方向延伸；或該蓋板圍繞該複數個晶圓載盤設置，該蓋板邊緣的該第二凸舌沿朝向該蓋板的中心方向延伸，該複數個晶圓載盤上的該第一凸舌沿背離該蓋板的中心方向延伸。
16. 如申請專利範圍第14項所述的晶圓托盤，其中該晶圓承載區的該底壁具有相背離的上表面與下表面，該上表面為晶圓承載面，該下表面呈平面、凹面、凸面或呈臺階狀。