KR101137545B1 - 일체형 웨이퍼 트레이 - Google Patents
일체형 웨이퍼 트레이 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101137545B1 KR101137545B1 KR1020090134195A KR20090134195A KR101137545B1 KR 101137545 B1 KR101137545 B1 KR 101137545B1 KR 1020090134195 A KR1020090134195 A KR 1020090134195A KR 20090134195 A KR20090134195 A KR 20090134195A KR 101137545 B1 KR101137545 B1 KR 101137545B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- tray
- wafer
- ring
- cooling gas
- ridge
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/67333—Trays for chips
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68313—Auxiliary support including a cavity for storing a finished device, e.g. IC package, or a partly finished device, e.g. die, during manufacturing or mounting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
본 발명은 일체형 웨이퍼 트레이에 대한 것이다. 더욱 상세하게는 본 발명은 복수의 웨이퍼를 용이하게 수납하고 웨이퍼 처리 공정 중에 웨이퍼의 효과적인 냉각과 불순물 발생을 최소화하는 일체형 웨이퍼 트레이에 대한 것이다.
본 발명은, 클램핑 개구와 상기 클램핑 개구 상부 내측으로 돌출된 클램핑부를 구비한 상부 트레이; 및 상기 클램핑 개구 방향으로 삽입되도록 돌출 융기되고 상부면에 웨이퍼를 안착하는 가압 융기부를 구비한 하부 트레이를 포함하는 일체형 웨이퍼 트레이를 제공한다.
웨이퍼, 트레이, 플라즈마, 식각, 에칭, 증착
Description
본 발명은 일체형 웨이퍼 트레이에 대한 것이다. 더욱 상세하게는 본 발명은 복수의 웨이퍼를 용이하게 수납하고 웨이퍼 처리 공정 중에 웨이퍼의 효과적인 냉각과 불순물 발생을 최소화하는 일체형 웨이퍼 트레이에 대한 것이다.
반도체 제조에 있어서 기판 상에 박막을 형성하거나 원하는 패턴으로 가공하기 위하여 플라즈마(Plasma)를 이용한다. 플라즈마를 이용한 기판 처리의 대표적인 예로서, 플라즈마 화학기상증착(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition : PECVD) 공정과 플라즈마 식각(Plasma Etching) 공정을 들 수 있다.
플라즈마는 기상의 화학 물질을 반응성이 강한 라디칼(radical)로 만들어 반응성을 증가시킨다. 이러한 원리는 이용한 PECVD 공정은 플라즈마 분위기에서 가스 상태의 공정 가스를 반응시켜 기판 상에 박막을 형성시키는 공정이다. 한편, 플라즈마 내의 이온들이 기판 표면에 충돌하면서 식각하고자 하는 물질을 물리적으로 제거하거나 물질 내의 화학 결합을 절단하여 라디칼에 의한 식각이 빠르게 일어나도록 한다. 이를 이용한 플라즈마 식각 공정은 감광제(Photoresist) 등으로 마스크 처리된 기판 영역은 남겨 두고 나머지 부분은 부식성 가스로 선택적으로 제거함으 로써 기판에 반도체 회로 패턴을 형성한다. 또한, 그 외에 웨이퍼 상에 박막을 형성하는 공정으로서 유기금속 화학증착(Metal-Organic Chemical Vapor Depositon), 물리기상증착(Physical Vapor Deposition)과 같은 여러 종류의 웨이퍼 처리 공정이 활용되고 있다.
한편, 1회 공정에서 2 이상 복수의 웨이퍼를 동시에 처리하기 위하여 복수의 웨이퍼를 수납하여 공정 챔버로 이송되도록 웨이퍼 트레이(Wafer Tray)가 사용되고 있다. 웨이퍼 트레이는 복수의 웨이퍼를 고정함과 동시에 웨이퍼를 효과적으로 냉각시킬 수 있도록 하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 일반적인 LED 칩 제조공정의 첫 단계인 PSS(Patterned Sapphire Substrate) 식각 공정은 상대적으로 열전달율이 좋지 않은 사파이어 기판(Substate) 상에 열에 민감한 감광제를 코팅하여 마스크(mask)로 사용한다. 이에 따라 PSS 공정에서는 공정 중 발생하는 열을 냉각시키는 것이 중요한데 웨이퍼 트레이의 설계는 PSS 공정 결과에 큰 영향을 끼친다.
도 1은 종래 웨이퍼 트레이의 일예를 도시한 도면이다.
종래 웨이퍼 트레이(1)는 웨이퍼 안착홈(3)이 형성된 하부 패널(2)에 웨이퍼(W)를 안착시키고 그 위에 웨이퍼(W)의 직경보다 작은 직경을 갖는 개구(9)가 형성된 상부 패널(7)을 결합시킴으로써 구성된다. 웨이퍼 안착홈(3)에는 하부 패널(2)의 하방으로 관통 형성된 냉각기체 공급홀(4)이 구비된다. 냉각기체 공급홀(4)을 통해 헬륨(He)과 같은 냉각 기체가 웨이퍼 안착홈(3)으로 공급되어 웨이퍼(W)를 냉각시킨다. 이때, 냉각 기체가 웨이퍼(W)와 웨이퍼 안착홈(3) 사이의 간극을 통해 누설되는 경우 진공에 가까운 공정 압력에 악영향을 주게 되므로, 웨이 퍼 안착홈(3)에는 오링 장착홈(5)을 형성하여 오링(O-ring, 6)을 장착한다. 상부 패널(7)이 웨이퍼(W)를 클램핑하도록 하기 위해 고정 부재(8)가 상부 패널(7)에서 하부 패널(2)로 장착된다.
한편, 대한민국 공개특허공보 제10-2009-0102258호(2009.09.30. 공개)에서는 도 1에 도시된 바와 같은 종래 웨이퍼 트레이의 개선 방안으로 상부 패널을 2중으로 구성한 '플라즈마 처리장치용 기판 트레이'를 기재한다.
그런데 이들 종래 기술에 있어서는 다음과 같은 문제점을 가지고 있다.
첫째, 종래 웨이퍼 트레이에 있어서는 하부 패널(2)에 웨이퍼 안착홈(3)을 오목하게 형성하는데, 오목한 홈을 래핑(lapping)이나 폴리싱(polishing) 등을 통해 가공하더라도 복수의 웨이퍼 안착홈(3)에 대해 균일한 깊이로 면처리되지 않는 문제점이 존재하였다. 웨이퍼 안착홈(3)의 저면을 래핑 또는 폴리싱을 수행하는 이유는 면을 고르게 처리하여 웨이퍼 안착홈(3)의 저면과 웨이퍼(W) 간의 열전달 효율을 극대화하기 위함이다. 그런데 웨이퍼 안착홈(3)의 깊이가 조금씩 다르게 처리됨에 따라 각각의 웨이퍼 안착홈(3)에 안착되는 웨이퍼(W)의 안착 높이가 조금씩 차이를 나타낸다. 이는 상부 패널(7)을 하부 패널(2)에 결합시켜 웨이퍼(W)를 클램핑할 때 클램핑 힘의 차이를 발생시켜 웨이퍼(W)와 웨이퍼 안착홈(3) 간의 열전달율이 복수의 웨이퍼(W)에 대해 상이하게 되는 한편, 일부 웨이퍼(W)에서는 냉각 기체의 누설까지 발생할 수 있다.
둘째, 상부 패널(7)을 고정하는 고정 부재(8)로서는 볼트를 사용할 수 있는데, 복수의 웨이퍼(W)의 외주마다 고정 부재(8)를 소정 갯수만큼 결합시켜야 하므 로 웨이퍼(W)를 많이 장착하는 경우 웨이퍼 트레이(1)에 웨이퍼(W)를 장착시키는 시간 및 노력이 많이 소요되는 문제점이 있다.
셋째, 상부 패널(7)을 고정시키는 고정 부재(8)의 일부분이 공정 가스 또는 플라즈마에 직접 노출되어 이로 인한 파티클의 발생 우려 및 파티클이 고정 부재(8) 또는 고정부재(8)와 상부 패널의 결합 틈에 증착되는 문제점이 존재한다.
본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여, 복수의 웨이퍼를 용이하게 수납하고 웨이퍼 처리 공정 중에 웨이퍼의 효과적인 냉각과 불순물 발생을 최소화하는 일체형 웨이퍼 트레이를 제공함을 목적으로 한다.
본 발명은 상기한 과제를 해결하기 위하여, 클램핑 개구와 상기 클램핑 개구 상부 내측으로 돌출된 클램핑부를 구비한 상부 트레이; 및 상기 클램핑 개구 방향으로 삽입되도록 돌출 융기되고 상부면에 웨이퍼를 안착하는 가압 융기부를 구비한 하부 트레이를 포함하는 일체형 웨이퍼 트레이를 제공한다.
바람직하게는, 상기 가압 융기부에는 하방으로 관통 형성된 냉각기체 공급홀이 형성된다. 더욱 바람직하게는, 상기 가압 융기부 상부면 외곽에는 상기 냉각기체 공급홀을 통해 공급되는 냉각 기체의 누설을 방지하기 위한 제 1 오링이 구비된다. 이 경우, 상기 제 1 오링은 중공형의 오링(hollow O-ring)인 것이 바람직하다.
특히, 본 발명에 있어서는 결합 부재가 상기 하부 트레이의 저면으로부터 상기 상부 트레이로 결합됨으로써 결합 부재가 웨이퍼 트레이의 상부면으로 노출되지 않도록 함이 바람직하다.
한편, 바람직하게는, 상기 하부 트레이의 상부면과 상기 상부 트레이의 하부면 사이의 간극으로 냉각 기체가 추가로 공급된다. 더불어, 상기 하부 트레이의 상부면과 상기 상부 트레이의 하부면 사이의 간극에는 열전달을 위한 코팅층이 구비 되어 면접촉을 통한 열전달이 이루어지도록 함이 바람직하다.
또한, 상기 상부 트레이의 저면과 상기 하부 트레이의 상부면 중 어느 하나의 외곽에는 상하 실링부재가 구비되어 상부 트레이와 하부 트레이 사이로의 냉각 기체 누설을 방지함이 바람직하다. 더욱 바람직하게는, 상기 상하 실링부재는 립 실(lip seal)로 구성된다.
바람직하게는, 상기 가압 융기부의 외주면에는 제 2 오링이 구비된다.
본 발명에 따르면, 웨이퍼를 지지하는 구성을 종래의 홈 형상에서 융기되어 형성된 가압 융기부로 변경함에 따라 래핑 또는 폴리싱 등의 방법으로 가압 융기부 상부면을 용이하게 가공할 수 있는 장점이 있다. 이에 따라 복수의 웨이퍼를 웨이퍼 트레이에 설치함에 있어서 설치 오차를 최소화할 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면 중공형의 오링을 웨이퍼와 웨이퍼 지지면 사이에 구비함으로써 웨이퍼를 냉각시키는 냉각 기체의 누설을 최소화할 수 있다. 더불어, 상부 트레이와 하부 트레이 사이에도 냉각 기체를 공급함에 따라 상부 트레이를 효과적으로 냉각시킬 수 있는 장점이 있다.
한편, 본 발명에 따르면, 상부 트레이와 하부 트레이의 탈부착이 용이하게 되어 웨이퍼를 웨이퍼 트레이에 장착하고, 처리가 완료된 웨이퍼를 웨이퍼 트레이로부터 분리하는 시간과 노력을 단축시킬 수 있다.
또한 본 발명에 따르면, 웨이퍼 트레이의 상부로 노출되던 고정 부재가 없어짐에 따라 종전 고정 부재의 노출로 인한 불순물의 발생 및 노출 부위에 형성되던 불필요한 증착을 방지할 수 있는 효과가 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면들을 참조하여 상세히 설명한다. 우선 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다. 또한, 이하에서 본 발명의 바람직한 실시예를 설명할 것이나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정하거나 제한되지 않고 당업자에 의해 변형되어 다양하게 실시될 수 있음은 물론이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 트레이의 사시도이고, 도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 트레이의 단면도이다.
본 발명에 따른 웨이퍼 트레이(10)는 상부 트레이(20)와 하부 트레이(30)를 포함한다. 상부 트레이(20)는, 내주면으로 돌출된 클램핑부(24)를 내주면에 구비한 원통형의 클램핑 개구(22)가 복수 개 구비된다. 하부 트레이(30)는 돌출 융기되어 상기 클램핑 개구(22)의 내측으로 삽입되는 가압 융기부(32)가 클램핑 개구(22)에 대응하여 구비된다. 웨이퍼(W)는 가압 융기부(32)의 상부의 평탄한 면에 안착된다. 하부 트레이(30)의 저면으로부터 결합 부재(36)가 결합되어 상부 트레이(20)의 저면에 결합 부재(36)가 고정됨으로써 웨이퍼(W)는 클램핑부(24)에 의해 그 외주연이 클램핑된다.
본 발명에 있어서 웨이퍼(W)가 안착되는 하부 트레이(30)의 가압 융기부(32)는 돌출 융기된 형상으로 구비되므로, 가압 융기부(32)의 상부면은 래핑(lapping) 또는 폴리싱(polishing) 등의 방법으로 용이하게 가공할 수 있다. 또한, 하부 트레이(30)에 구비되는 가압 융기부(32) 전체의 가공 편차를 최소화할 수 있게 된다.
도 3은 도 2에서 A-A′방향으로의 수직 단면도이다. 도 3을 참조하여 하부 트레이(30)의 구성 및 상부 트레이(20)와 하부 트레이(30)의 결합 관계를 보다 상세히 설명한다.
가압 융기부(32)의 상부면으로부터 하방으로는 헬륨(He) 등과 같은 냉각 기체가 공급되는 냉각기체 공급홀(34)이 관통 형성된다. 또한 가압 융기부(32)의 상부면에는 제 1 오링 삽입홈(38)이 형성되고 제 1 오링 삽입홈(38)에는 제 1 오링(40)이 장착된다. 제 1 오링(40)은 냉각기체 공급홀(34)로부터 공급되는 냉각 기체가 가압 융기부(32)와 웨이퍼(W)의 외측으로 누설되는 것을 방지한다. 한편, 웨이퍼(W)의 효과적인 냉각을 위해서는 웨이퍼(W)가 가압 융기부(32)의 상부면과 면접촉하는 면적을 최대화하는 것이 바람직하다. 이를 위해서는 제 1 오링(40)이 충분히 압착될 수 있도록 함이 바람직하다. 따라서 제 1 오링(40)은 내부가 빈 중공형으로 구성함으로써 압축에 따른 변형이 충분히 일어남과 동시에 실링 효과의 손실이 없도록 함이 바람직하다.
웨이퍼(W)의 두께를 d1, 가압 융기부(32)의 높이를 d2, 그리고, 클램핑 개구(22)의 클램핑부(24) 저면까지의 깊이를 d3라 할 때, "d1+d2≥d3"를 만족하여야 한다. 다시 말하면, 웨이퍼(W)를 가압 융기부(32) 상부에 안착시킨 상태에서 상부 트레이(20)와 하부 트레이(30)를 결합했을 때 상부 트레이의 저면과 하부 트레이(30)의 상부면은 영(0) 이상의 간극을 유지하여야 한다. 왜냐하면, "d1+d2<d3"인 경우에는 웨이퍼(W)가 클램핑부(24)에 의해 클램핑되지 않기 때문이다.
한편, 본 발명에 있어서, 웨이퍼 처리 공정 중 상부 트레이(20)의 효과적인 냉각을 위해 상부 트레이(20)와 하부 트레이(30)의 상기 간극 사이로 냉각 기체가 공급되도록 할 수 있다. 이를 위해 하부 트레이(30)에는 상부 트레이(20)의 저면으로 연결되는 추가 냉각기체 공급홀(35)이 관통 형성된다. 하부 트레이(30)와 상부 트레이(20)의 간극 사이로 공급되는 냉각 기체의 누설을 방지하기 위하여, 하부 트레이(30)의 상부면 외곽에는 상하 실링부재(48)가 구비된다. 또한, 이 냉각 기체가 클램핑부(24)와 웨이퍼(W) 사이로 누설되는 것을 방지하기 위해 가압 융기부(32)의 외주연 또는 하부에는 제 2 오링(44)이 구비된다. 바람직하게는 가압 융기부(32)의 저부를 챔퍼(Chamfer) 가공부(42)로 처리함으로써 제 2 오링(44)의 실링 효과가 충분히 발휘될 수 있도록 한다. 상하 실링부재(48)는 립 실(lip seal)일 수 있으며, 하부 트레이(30)의 상부면이 아니라 상부 트레이(20)의 저면에 구비되는 것도 가능하다.
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 트레이의 하부 트레이의 평면도이고, 도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 트레이의 하부 트레이에 구비되는 가압 융기부의 상세도이다.
도 4를 참조하면, 하부 트레이(30)의 상부면에는 가압 융기부(32)가 복수 개 구비되며, 가압 융기부(32)의 상부에는 하방으로 관통된 냉각기체 공급홀(34)이 구비된다. 또한, 하부 트레이(30)에는 결합 부재(36)를 위한 결합부재 삽입공(37)이 구비되며, 하부 트레이(30)의 상부면 외곽에는 상하 실링부재(48)의 장착을 위한 상하 실링부재 삽입홈(46)이 구비된다.
도 5를 참조하여 가압 융기부(32)의 구성을 추가 설명한다. 가압 융기부(32)는 돌출 융기된 원통 형상이며, 그 상부면에는 웨이퍼 안착면(50)이 평탄하게 구비된다. 웨이퍼 안착면(50)의 외곽에는 제 1 오링(40)의 삽입을 위한 제 1 오링 삽입홈(38)이 구비된다. 제 1 오링(40)의 설치를 용이하게 하기 위하여 제 1 오링 삽입홈(38)의 외측에는 분리되어 돌출된 복수 개의 제 1 오링 가이드(52)를 형성하도록 할 수 있다.
도 6은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 트레이의 상부 트레이의 평면도이고, 도 7a와 도 7b는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 트레이의 상부 트레이에 구비되는 클램핑부의 각기 다른 실시예이다.
상부 트레이(20)에는 클램핑부(24)를 구비한 클램핑 개구(22)를 복수 개 구비한다.
웨이퍼(W)를 클램핑하는 구성으로서, 도 7a에 있어서는 링 형상의 클램핑부(24)가 원통형의 클램핑 개구(22)의 상부 내측으로부터 돌출되어 구비되는 것으로 도시하였다. 도 7a에 있어서는 링 형상의 클램핑부(24)가 웨이퍼(W)의 외주연 전체를 클램핑한다. 이에 대해, 도 7b에 있어서는 웨이퍼(W)를 클램핑하는 포인트 클램핑부(25)를 세 개(25a, 25b, 25c) 구비하는 것으로 되시하였다. 도 7b에 있어서는 돌출된 형태의 포인트 클램핑부(25)가 웨이퍼(W)의 일부 지점만을 클램핑한다.
이상에서 설명한 웨이퍼 트레이(10)에 웨이퍼(W)를 장착하는 방법을 도 8을 참조하여 설명한다.
도 8은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 트레이에 웨이퍼를 장착하는 상태를 도시한 도면이다.
웨이퍼(W)를 장착하기 위하여 먼저 상부 트레이(20)를 뒤집은 상태로 위치시킨다. 상부 트레이(20)의 클램핑 개구(22)로 웨이퍼(W)를 삽입하면 웨이퍼(W)는 클램핑부(24)에 걸리게 된다. 이 상태에서 제 1 오링(40) 등을 가압 융기부(32)에 장착한 하부 트레이(30)를 상부 트레이(20)에 결합한다. 이때, 결합 부재(36)를 하부 트레이(30)의 결합부재 삽입공(37)을 통해 삽입하여 상부 트레이(20)의 결합부재 고정공(39)에 고정함으로써 하부 트레이(30)와 상부 트레이(20)를 상호 결합한다.
도 9는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 트레이에 있어서 상부 트레이와 하부 트레이의 간극 사이에 코팅층을 추가 구비한 상태를 도시한 단면도이다.
도 3의 설명에 있어서는 상부 트레이(20)와 하부 트레이(30)의 간극 사이로 냉각 기체를 공급하여 상부 트레이(20)의 냉각을 촉진하도록 하였다. 이에 더하여, 하부 트레이(30)의 상부면 또는 상부 트레이(20)의 하부면에 코팅층(54)을 구비하여 상부 트레이(20)와 하부 트레이가(30)가 면접촉을 통해 열전달이 이루어질 수 있도록 함이 바람직하다. 여기서 코팅층(54)은 테프론(teflon) 계열 또는 아크릴 계열 또는 폴리이미드계열 중에서 선택된 재질로 이루어질 수 있으나 본 발명의 실시에 있어서 코팅층(54)의 재질이 위에 기술한 것에 한정되는 것은 아님은 물론이다. 또한, 상기 코팅층(54)은 다수의 홀(hole)을 구비하도록 가공함으로써 냉각 기체가 상부 트레이(20)와 하부 트레이(30) 사이에 고르게 공급될 수 있도록 하는 것도 바람직하다.
이상에서 설명한 웨이퍼 트레이(10)는 공정 챔버(미도시) 내에 구비되는 척(chuck)의 상부에 안착되는데 이를 설명하면 다음과 같다.
도 10은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 트레이를 척에 안착한 상태를 도시한 도면이고, 도 11은 척의 상부면과 하부면의 구성을 도시한 도면이며, 도 12는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 트레이를 척에 안착한 상태의 단면도이다.
척(60)은 상부면 중앙에 냉각 기체가 유입되는 냉각기체 유입홀(64)을 구비하며, 상부면 일단에 냉각 기체를 웨이퍼 트레이(10)로 공급하기 위한 냉각기체 공급유로(62)를 구비한다. 한편, 척(60)의 하부면에는 척(60)을 냉각하기 위한 냉각 유체가 공급되는 척 냉각유로(66)가 구비된다. 더불어 도 12를 참조하면, 척(60)과 웨이퍼 트레이(10)의 사이로 냉각 기체가 누설되는 것을 방지하기 위해, 척(60)의 상부면 외곽에는 척 실링부재(68)가 구비되는데 척 실링부재(68)는 립 실일 수 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정, 변경 및 치환이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예 및 첨부된 도면들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예 및 첨부된 도면에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
도 1은 종래 웨이퍼 트레이의 일예를 도시한 도면,
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 트레이의 사시도,
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 트레이의 단면도,
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 트레이의 하부 트레이의 평면도,
도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 트레이의 하부 트레이에 구비되는 가압 융기부의 상세도,
도 6은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 트레이의 상부 트레이의 평면도,
도 7a와 도 7b는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 트레이의 상부 트레이에 구비되는 클램핑부의 각기 다른 실시예를 도시한 도면,
도 8은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 트레이에 웨이퍼를 장착하는 상태를 도시한 도면,
도 9는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 트레이에 있어서 상부 트레이와 하부 트레이의 간극 사이에 코팅층을 추가 구비한 상태를 도시한 단면도,
도 10은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 트레이를 척에 안착한 상태를 도시한 도면,
도 11은 척의 상부면과 하부면의 구성을 도시한 도면,
도 12는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 트레이를 척에 안착한 상 태의 단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 도면부호의 설명>
1 : 종래 웨이퍼 트레이 10 : 본 발명의 웨이퍼 트레이
20 : 상부 트레이 22 : 클램핑 개구
24 : 클램핑부 30 : 하부 트레이
32 : 가압 융기부 34 : 냉각기체 공급홀
36 : 결합 부재 40 : 제 1 오링
44 : 제 2 오링 48 : 상하 실링부재
60 : 척
Claims (17)
- 클램핑 개구와 상기 클램핑 개구 상부 내측으로 돌출된 클램핑부를 구비한 상부 트레이; 및상기 클램핑 개구 방향으로 삽입되도록 돌출 융기되고 상부면에 웨이퍼를 안착하는 가압 융기부를 구비한 하부 트레이를 포함하고,상기 하부 트레이의 상부면과 상기 상부 트레이의 하부면 사이의 간극으로 냉각 기체가 공급되고, 상기 상부 트레이의 저면 및 상기 하부 트레이의 상부면 중 어느 하나의 외곽에는 상하 실링부재가 구비되며, 상기 가압 융기부의 외주면에는 제 2 오링이 구비되는 것을 특징으로 하는 일체형 웨이퍼 트레이.
- 제 1 항에 있어서,상기 가압 융기부에는 하방으로 관통 형성된 냉각기체 공급홀이 형성된 것을 특징으로 하는 일체형 웨이퍼 트레이.
- 제 2 항에 있어서,상기 가압 융기부 상부면 외곽에는 상기 냉각기체 공급홀을 통해 공급되는 냉각 기체의 누설을 방지하기 위한 제 1 오링이 구비되는 것을 특징으로 하는 일체형 웨이퍼 트레이.
- 제 3 항에 있어서,상기 제 1 오링은 중공형의 오링인 것을 특징으로 하는 일체형 웨이퍼 트레이.
- 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,결합 부재가 상기 하부 트레이의 저면으로부터 상기 상부 트레이로 결합되는 것을 특징으로 하는 일체형 웨이퍼 트레이.
- 삭제
- 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 하부 트레이의 상부면과 상기 상부 트레이의 하부면 사이의 간극에는 열전달을 위한 코팅층이 구비되는 것을 특징으로 하는 일체형 웨이퍼 트레이.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,상기 상하 실링부재는 립 실(lip seal)인 것을 특징으로 하는 일체형 웨이퍼 트레이.
- 삭제
- 제 3 항에 있어서,상기 가압 융기부의 상부면은 웨이퍼 안착면을 형성하고, 상기 웨이퍼 안착면의 외측으로는 제 1 오링 삽입홈이 구비되는 것을 특징으로 하는 일체형 웨이퍼 트레이.
- 제 11 항에 있어서,상기 제 1 오링 삽입홈의 외측으로는 상기 제 1 오링의 이탈을 방지하는 제 1 오링 가이드가 구비되는 것을 특징으로 하는 일체형 웨이퍼 트레이.
- 제 1 항에 있어서,상기 클램핑부는 링 형상 또는 포인트 클램핑부인 것을 특징으로 하는 일체형 웨이퍼 트레이.
- 돌출 융기된 가압 융기부의 상부면에 웨이퍼를 안착하도록 하는 하부 트레이; 및상기 가압 융기부가 삽입되는 클램핑 개구를 형성하여 상기 웨이퍼를 클램핑하는 상부 트레이를 포함하고,상기 하부 트레이의 상부면과 상기 상부 트레이의 하부면 사이의 간극으로 냉각 기체가 공급되고, 상기 상부 트레이의 저면 및 상기 하부 트레이의 상부면 중 어느 하나의 외곽에는 상하 실링부재가 구비되며, 상기 가압 융기부의 외주면에는 제 2 오링이 구비되는 것을 특징으로 하는 일체형 웨이퍼 트레이.
- 제 14 항에 있어서,상기 가압 융기부에는 하방으로 관통 형성된 냉각기체 공급홀이 형성된 것을 특징으로 하는 일체형 웨이퍼 트레이.
- 제 14 항 또는 제 15 항에 있어서,결합 부재가 상기 하부 트레이의 저면으로부터 상기 상부 트레이로 결합되는 것을 특징으로 하는 일체형 웨이퍼 트레이.
- 삭제
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090134195A KR101137545B1 (ko) | 2009-12-30 | 2009-12-30 | 일체형 웨이퍼 트레이 |
TW099129163A TW201133680A (en) | 2009-12-30 | 2010-08-30 | Integrated wafer tray |
CN2010105709919A CN102130035A (zh) | 2009-12-30 | 2010-11-26 | 集成晶片托盘 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090134195A KR101137545B1 (ko) | 2009-12-30 | 2009-12-30 | 일체형 웨이퍼 트레이 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20110077574A KR20110077574A (ko) | 2011-07-07 |
KR101137545B1 true KR101137545B1 (ko) | 2012-04-20 |
Family
ID=44268055
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020090134195A KR101137545B1 (ko) | 2009-12-30 | 2009-12-30 | 일체형 웨이퍼 트레이 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101137545B1 (ko) |
CN (1) | CN102130035A (ko) |
TW (1) | TW201133680A (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101630203B1 (ko) | 2015-06-12 | 2016-06-14 | 제이엔케이히터(주) | 기판 유닛 리프트 장치 |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101157587B1 (ko) * | 2011-02-14 | 2012-06-18 | 에이피티씨 주식회사 | 반도체제조용 챔버의 웨이퍼 고정장를 이용한 웨이퍼 고정방법 |
KR101235928B1 (ko) * | 2011-10-05 | 2013-02-21 | 전종근 | 플라즈마 처리장치용 웨이퍼 트레이 |
CN102522322A (zh) * | 2011-12-15 | 2012-06-27 | 华东光电集成器件研究所 | 一种半导体芯粒的清洗装置 |
KR101303005B1 (ko) * | 2012-03-22 | 2013-09-03 | (재)한국나노기술원 | 가스를 이용한 웨이퍼 및 웨이퍼커버 냉각장치 |
KR101355021B1 (ko) * | 2012-04-12 | 2014-01-23 | 김문석 | 웨이퍼 연마용 지그 |
KR20130119211A (ko) * | 2012-04-23 | 2013-10-31 | (주)제이하라 | 기판처리장치용 트레이 |
KR101950692B1 (ko) * | 2012-11-08 | 2019-02-21 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 식각 장치 |
KR101379707B1 (ko) * | 2013-02-08 | 2014-04-02 | 주식회사 기가레인 | 기판 로딩 장치 및 기판 로딩 방법 |
CN104124185B (zh) * | 2013-04-26 | 2017-09-01 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 晶片盖板和晶片加工设备 |
KR101442752B1 (ko) * | 2014-02-11 | 2014-11-04 | 케이세미(주) | 패턴화 사파이어 기판 식각 장치용 웨이퍼 트레이 |
KR101599798B1 (ko) * | 2014-05-07 | 2016-03-14 | 세교 (주) | 플라즈마 처리장치의 기판재치대 |
US9396983B2 (en) * | 2014-06-02 | 2016-07-19 | Epistar Corporation | Susceptor |
KR102230847B1 (ko) * | 2014-08-20 | 2021-03-23 | 주식회사 탑 엔지니어링 | 웨이퍼 트레이 조립 지그 및 방법 |
KR20160047857A (ko) * | 2014-10-23 | 2016-05-03 | 주식회사 탑 엔지니어링 | 웨이퍼 트레이, 웨이퍼 트레이 조립 지그 및 조립 방법 |
KR101504880B1 (ko) * | 2014-11-14 | 2015-03-20 | 주식회사 기가레인 | 기판 안착유닛 |
CN104538331B (zh) * | 2014-12-12 | 2018-06-05 | 通富微电子股份有限公司 | 一种晶圆翘曲处理的装置及方法 |
CN105810626B (zh) * | 2014-12-31 | 2019-01-25 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 晶圆托盘 |
CN105810625B (zh) * | 2014-12-31 | 2018-10-16 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 晶圆托盘 |
CN105185735A (zh) * | 2015-08-13 | 2015-12-23 | 浙江东晶博蓝特光电有限公司 | 一种用于干法刻蚀led图形化蓝宝石衬底的托盘 |
CN107591354A (zh) * | 2016-07-06 | 2018-01-16 | 苏州能讯高能半导体有限公司 | 一种可适用于多尺寸样片的样片托盘 |
KR101984929B1 (ko) | 2017-01-17 | 2019-06-03 | 주식회사 네패스 | 반도체 패키지 제조용 트레이 |
USD860146S1 (en) | 2017-11-30 | 2019-09-17 | Veeco Instruments Inc. | Wafer carrier with a 33-pocket configuration |
USD866491S1 (en) | 2018-03-26 | 2019-11-12 | Veeco Instruments Inc. | Chemical vapor deposition wafer carrier with thermal cover |
USD858469S1 (en) | 2018-03-26 | 2019-09-03 | Veeco Instruments Inc. | Chemical vapor deposition wafer carrier with thermal cover |
USD854506S1 (en) | 2018-03-26 | 2019-07-23 | Veeco Instruments Inc. | Chemical vapor deposition wafer carrier with thermal cover |
USD863239S1 (en) | 2018-03-26 | 2019-10-15 | Veeco Instruments Inc. | Chemical vapor deposition wafer carrier with thermal cover |
USD860147S1 (en) | 2018-03-26 | 2019-09-17 | Veeco Instruments Inc. | Chemical vapor deposition wafer carrier with thermal cover |
CN114250433A (zh) * | 2020-09-22 | 2022-03-29 | 东莞令特电子有限公司 | 用于电弧喷涂应用的掩蔽托盘组件 |
CN113064333A (zh) * | 2021-03-19 | 2021-07-02 | 北京智创芯源科技有限公司 | 一种微小晶片的光刻方法、晶片载片及光刻工装 |
KR102374393B1 (ko) * | 2021-07-09 | 2022-03-15 | 주식회사 기가레인 | 웨이퍼 트레이 조립 장치 및 웨이퍼 트레이 조립 방법 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4113547A (en) * | 1976-10-05 | 1978-09-12 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Formation of epitaxial layers on substrate wafers utilizing an inert heat radiation ring to promote uniform heating |
JPH06322533A (ja) * | 1993-02-25 | 1994-11-22 | Leybold Ag | コーティング装置又はエッチング装置の真空チャンバ内で扁平の円板状サブストレートを保持する装置 |
KR20060032716A (ko) * | 2004-10-13 | 2006-04-18 | 주식회사 에이디피엔지니어링 | 플라즈마 처리장치 |
KR100854974B1 (ko) * | 2007-04-25 | 2008-08-28 | (주)리드 | 기판 캐리어 및 그것을 사용하는 발광다이오드 제조를 위한장치 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI329789B (en) * | 2002-05-29 | 2010-09-01 | Sanei Giken Co Ltd | Exposure method and exposure apparatus |
JP2007066956A (ja) * | 2005-08-29 | 2007-03-15 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | ウエハ端面保護装置及びウエハ処理装置 |
JP5102500B2 (ja) * | 2007-01-22 | 2012-12-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
-
2009
- 2009-12-30 KR KR1020090134195A patent/KR101137545B1/ko active IP Right Grant
-
2010
- 2010-08-30 TW TW099129163A patent/TW201133680A/zh unknown
- 2010-11-26 CN CN2010105709919A patent/CN102130035A/zh active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4113547A (en) * | 1976-10-05 | 1978-09-12 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Formation of epitaxial layers on substrate wafers utilizing an inert heat radiation ring to promote uniform heating |
JPH06322533A (ja) * | 1993-02-25 | 1994-11-22 | Leybold Ag | コーティング装置又はエッチング装置の真空チャンバ内で扁平の円板状サブストレートを保持する装置 |
KR20060032716A (ko) * | 2004-10-13 | 2006-04-18 | 주식회사 에이디피엔지니어링 | 플라즈마 처리장치 |
KR100854974B1 (ko) * | 2007-04-25 | 2008-08-28 | (주)리드 | 기판 캐리어 및 그것을 사용하는 발광다이오드 제조를 위한장치 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101630203B1 (ko) | 2015-06-12 | 2016-06-14 | 제이엔케이히터(주) | 기판 유닛 리프트 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102130035A (zh) | 2011-07-20 |
KR20110077574A (ko) | 2011-07-07 |
TW201133680A (en) | 2011-10-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101137545B1 (ko) | 일체형 웨이퍼 트레이 | |
US10745807B2 (en) | Showerhead with reduced backside plasma ignition | |
US8333842B2 (en) | Apparatus for etching semiconductor wafers | |
KR101174816B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치의 포커스 링 및 이를 구비한 플라즈마 처리 장치 | |
KR100655079B1 (ko) | 트랜스퍼 챔버와 프로세스 챔버 사이의 기밀유지장치 | |
US20070026772A1 (en) | Apparatus for use in processing a semiconductor workpiece | |
US9583377B2 (en) | Installation fixture for elastomer bands | |
JP2010197415A (ja) | ワークステージ及びそのワークステージを備えた露光装置 | |
US9502279B2 (en) | Installation fixture having a micro-grooved non-stick surface | |
KR20130119211A (ko) | 기판처리장치용 트레이 | |
JP7250525B2 (ja) | ウエハ搬送用トレイ | |
TWI436448B (zh) | 夾盤結構與半導體製程設備 | |
KR101857237B1 (ko) | 웨이퍼 트레이를 고정하는 클램프 | |
KR100877740B1 (ko) | 반도체용 플라즈마 가공장치 | |
KR100669111B1 (ko) | 챔버 어셈블리 및 이를 갖는 기판 가공 장치 | |
US20240021413A1 (en) | Substrate process apparatus and substrate process method using the same | |
KR101532415B1 (ko) | 웨이퍼 트레이 | |
KR20080060426A (ko) | 리모트 플라즈마 애싱 장치 | |
US20220098737A1 (en) | Showerhead and substrate processing apparatus having the same | |
CN117026212A (zh) | 静电吸盘 | |
WO2024127384A1 (en) | Device and method for holding a workpiece | |
KR101600269B1 (ko) | 플라즈마 처리장치의 기판재치대 | |
KR20060003975A (ko) | 반도체 제조설비의 척 어셈블리 | |
TW201430996A (zh) | 用於在供基板處理之一真空腔室內之一環形組件的機械式夾具總成 | |
KR20050063132A (ko) | 공정 챔버 밀폐용 캡 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150225 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170221 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180220 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190218 Year of fee payment: 8 |