JPH06322533A - コーティング装置又はエッチング装置の真空チャンバ内で扁平の円板状サブストレートを保持する装置 - Google Patents
コーティング装置又はエッチング装置の真空チャンバ内で扁平の円板状サブストレートを保持する装置Info
- Publication number
- JPH06322533A JPH06322533A JP2806494A JP2806494A JPH06322533A JP H06322533 A JPH06322533 A JP H06322533A JP 2806494 A JP2806494 A JP 2806494A JP 2806494 A JP2806494 A JP 2806494A JP H06322533 A JPH06322533 A JP H06322533A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- holding
- substrate support
- frame member
- holes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 公知の保持装置の欠陥を除去し、真空処理中
にサブストレートの効果的冷却が可能で、しかもサブス
トレートの変形又は破損が生じることのないようにす
る。 【構成】 サブストレート支持体３に、サブストレート
に部分的にかぶさるフレーム部材４をクランプ条片７，
７′により固定する。支持体３上に固定された保持ディ
スク１５，１５′…の上側にシールリング１９，１９′
…を配置し、その上にサブストレート２，２′…が載る
ようにする。保持ディスクとサブストレートとの間隙２
５は、流路１４，１４′…を介し負圧源又はガス源に接
続可能である。
にサブストレートの効果的冷却が可能で、しかもサブス
トレートの変形又は破損が生じることのないようにす
る。 【構成】 サブストレート支持体３に、サブストレート
に部分的にかぶさるフレーム部材４をクランプ条片７，
７′により固定する。支持体３上に固定された保持ディ
スク１５，１５′…の上側にシールリング１９，１９′
…を配置し、その上にサブストレート２，２′…が載る
ようにする。保持ディスクとサブストレートとの間隙２
５は、流路１４，１４′…を介し負圧源又はガス源に接
続可能である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、コーティング装置又は
エッチング装置の真空チャンバ内で扁平の円板状サブス
トレートを保持する装置であって、特に、旋回装置に取
付けるための、有利には長方形の底面を有するプレート
状サブストレート支持体を備えている形式のものに関す
る。
エッチング装置の真空チャンバ内で扁平の円板状サブス
トレートを保持する装置であって、特に、旋回装置に取
付けるための、有利には長方形の底面を有するプレート
状サブストレート支持体を備えている形式のものに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】破損し易い材料、たとえばいわゆるウエ
ファ製の薄層サブストレートを、サブストレート保持体
が、たとえば、コーティング工程でサブストレートを垂
直姿勢に保持する必要上、別の姿勢へと旋回せしめられ
る場合、サブストレートを保持体から滑り落ちないよう
に配置することは、実際には厄介な問題である。更に、
また、サブストレートが薄層のため、ごく小さい挟み付
け力で既にサブストレートにたわみが生じ、この結果、
たとえば水冷式のサブストレート支持体上に全面を平ら
に載置できず、サブストレートの十分な冷却が達成され
難くなることも欠点である。
ファ製の薄層サブストレートを、サブストレート保持体
が、たとえば、コーティング工程でサブストレートを垂
直姿勢に保持する必要上、別の姿勢へと旋回せしめられ
る場合、サブストレートを保持体から滑り落ちないよう
に配置することは、実際には厄介な問題である。更に、
また、サブストレートが薄層のため、ごく小さい挟み付
け力で既にサブストレートにたわみが生じ、この結果、
たとえば水冷式のサブストレート支持体上に全面を平ら
に載置できず、サブストレートの十分な冷却が達成され
難くなることも欠点である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の根底をなす課
題は、プレート状サブストレート支持体ないしサブスト
レート保持装置であって、前記の欠点を除去され、かつ
真空処理の間にはサブストレートの効果的な冷却が可能
であって、しかもサブストレートの変形又は破損が生じ
ることのないサブストレート支持体ないし保持装置を製
造することにある。
題は、プレート状サブストレート支持体ないしサブスト
レート保持装置であって、前記の欠点を除去され、かつ
真空処理の間にはサブストレートの効果的な冷却が可能
であって、しかもサブストレートの変形又は破損が生じ
ることのないサブストレート支持体ないし保持装置を製
造することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この課題は本発明により
次のようにすることにより解決された。すなわち、サブ
ストレート支持体の上側を覆うフレーム部材を設けて、
このフレーム部材が、サブストレートの数と形状に応じ
た数と形状の開口又は穴を有するようにし、更に、前記
フレーム部材がクランプ条片によりサブストレート支持
体に固定可能であり、また、前記クランプ条片にはピン
又はボルトが備えられ、これらのピン又はボルトが、フ
レーム部材の両端面の孔ないしサブストレート支持体の
両端面の孔と対応しており、更にまたサブストレート支
持体及び又は相応の保持ディスクの上側に、それぞれ少
なくとも１個のシールリングが配置され、このシールリ
ングが、サブストレート支持体ないし保持ディスクの上
側を制限する縁部分に沿って延びており、更に負圧源又
はガス源に接続可能な孔が前記上側に開口するようにし
たのである。
次のようにすることにより解決された。すなわち、サブ
ストレート支持体の上側を覆うフレーム部材を設けて、
このフレーム部材が、サブストレートの数と形状に応じ
た数と形状の開口又は穴を有するようにし、更に、前記
フレーム部材がクランプ条片によりサブストレート支持
体に固定可能であり、また、前記クランプ条片にはピン
又はボルトが備えられ、これらのピン又はボルトが、フ
レーム部材の両端面の孔ないしサブストレート支持体の
両端面の孔と対応しており、更にまたサブストレート支
持体及び又は相応の保持ディスクの上側に、それぞれ少
なくとも１個のシールリングが配置され、このシールリ
ングが、サブストレート支持体ないし保持ディスクの上
側を制限する縁部分に沿って延びており、更に負圧源又
はガス源に接続可能な孔が前記上側に開口するようにし
たのである。
【０００５】サブストレート支持体の長辺と平行に延び
る、フレーム部材の部分は、有利には、ほぼＬ字形の横
断面を有している。その場合、それぞれ水平に延びる脚
部が、少なくとも、サブストレート上側上方の平面内ま
で延びており、更に、それぞれ保持ディスクの円筒形側
面に向いた、切欠の面が、サブストレート平面内でのサ
ブストレートの変位を防止する。
る、フレーム部材の部分は、有利には、ほぼＬ字形の横
断面を有している。その場合、それぞれ水平に延びる脚
部が、少なくとも、サブストレート上側上方の平面内ま
で延びており、更に、それぞれ保持ディスクの円筒形側
面に向いた、切欠の面が、サブストレート平面内でのサ
ブストレートの変位を防止する。
【０００６】有利には、保持ディスクの上面の縁部分に
シールリングが配置される。それぞれ、シールリング上
に載置され、フレーム部材が部分的にかぶさっているサ
ブストレート及び保持ディスク上側と一緒に、前記シー
ルリングが狭い間隙を形成し、これら間隙が、それぞれ
流路を介して吸込ポンプ又はガス源に接続可能である。
シールリングが配置される。それぞれ、シールリング上
に載置され、フレーム部材が部分的にかぶさっているサ
ブストレート及び保持ディスク上側と一緒に、前記シー
ルリングが狭い間隙を形成し、これら間隙が、それぞれ
流路を介して吸込ポンプ又はガス源に接続可能である。
【０００７】このほかの特徴及び詳細は特許請求の範囲
に記載され、特徴づけられている。
に記載され、特徴づけられている。
【０００８】
【実施例】本発明は極めて種々の実施例が可能であり、
そのうちの１実施例を、以下で添付図面につき説明す
る。
そのうちの１実施例を、以下で添付図面につき説明す
る。
【０００９】図から分かるように、本発明の装置は、実
質的に、プレート状の、平面図で見て長方形のサブスト
レート支持体３から成っている。支持体３の上側５には
合計４個の円筒形保持ディスク１５，１５′…が列状に
固定配置されている。この場合、各保持ディスク１５，
１５′…の区域には流路１４，１４′…が設けられ、こ
れら流路の一端は保持ディスクの上側に、また他端は支
持体３の下側に、それぞれ開口している。また、サブス
トレート支持体３の上側５には、外縁部と平行に延びる
シールリング１３が配置されている。更に、上側５は横
孔２２，２２′…を介して流路１４と連通している。ま
た、２個のクランプ条片７，７′は、それぞれボルト又
はピン８，８′ないし９，９′…を介してサブストレー
ト支持体３の端面１２，１２′…と結合可能である。支
持体３の端面には、これらピン又はボルトに対応する袋
孔２３，２３′…が設けられている。更に、横断面がＬ
字形のフレーム部材４をサブストレート支持体上にかぶ
せることができる。フレーム部材４にも、短辺の両端面
１１，１１′に、ピン８，８′に対応する受容孔１０，
１０′が設けられている。フレーム部材４には４つの穴
又は開口６，６′…が設けられ、これら開口の側面が保
持ディスク１５，１５′…の直径に適合せしめられてお
り、かつまたフレーム部材４の上方内周縁部２８，２
８′…が、それぞれ各サブストレート２，２′…にかぶ
さるようにされている。
質的に、プレート状の、平面図で見て長方形のサブスト
レート支持体３から成っている。支持体３の上側５には
合計４個の円筒形保持ディスク１５，１５′…が列状に
固定配置されている。この場合、各保持ディスク１５，
１５′…の区域には流路１４，１４′…が設けられ、こ
れら流路の一端は保持ディスクの上側に、また他端は支
持体３の下側に、それぞれ開口している。また、サブス
トレート支持体３の上側５には、外縁部と平行に延びる
シールリング１３が配置されている。更に、上側５は横
孔２２，２２′…を介して流路１４と連通している。ま
た、２個のクランプ条片７，７′は、それぞれボルト又
はピン８，８′ないし９，９′…を介してサブストレー
ト支持体３の端面１２，１２′…と結合可能である。支
持体３の端面には、これらピン又はボルトに対応する袋
孔２３，２３′…が設けられている。更に、横断面がＬ
字形のフレーム部材４をサブストレート支持体上にかぶ
せることができる。フレーム部材４にも、短辺の両端面
１１，１１′に、ピン８，８′に対応する受容孔１０，
１０′が設けられている。フレーム部材４には４つの穴
又は開口６，６′…が設けられ、これら開口の側面が保
持ディスク１５，１５′…の直径に適合せしめられてお
り、かつまたフレーム部材４の上方内周縁部２８，２
８′…が、それぞれ各サブストレート２，２′…にかぶ
さるようにされている。
【００１０】この保持装置は水平姿勢でサブストレート
を装着されるが、その場合、サブストレート２，２′…
には、装置の旋回後に垂直位置でコーティングないし表
面処理を施すことができる。
を装着されるが、その場合、サブストレート２，２′…
には、装置の旋回後に垂直位置でコーティングないし表
面処理を施すことができる。
【００１１】保持ディスク１５，１５′…上に置かれた
サブストレート２，２′…は保持ディスク１５，１５′
…上に配置されたシール１９，１９′…に対して、処理
工程開始前に負圧により引付けられ、シール１９，１
９′…は、そのさい大気圧により圧縮される。シール１
９，１９′…の圧縮後、フレーム部材４がサブストレー
ト支持体３の上に載置され、支持体３にクランプ条片
７，７′により固定される。いま真空チャンバ内で装置
が処理圧力にさらされると、シール１９，１９′…が、
下方からサブストレート２，２′…をフレーム部材４の
下側２４ないし縁部２８，２８′…に対して、ないしは
脚部１８，１８′…に対して押圧し、狭い間隙２５が生
じる。この間隙２５には、サブストレート２，２′…の
冷却中にガスが流過する。この目的のため、たとえばヘ
リウムが流路１４ないし２２にポンプにより供給され
る。図４の（ａ）に明示されているように、脚部１８，
１８′の下側と、サブストレート支持体３の上側５と、
シールリング１３と、保持ディスク１５，１５′…の円
筒形外とう面との間にも、同じく間隙２６が設けられ、
この間隙にも冷却ガスが流過せしめられる。
サブストレート２，２′…は保持ディスク１５，１５′
…上に配置されたシール１９，１９′…に対して、処理
工程開始前に負圧により引付けられ、シール１９，１
９′…は、そのさい大気圧により圧縮される。シール１
９，１９′…の圧縮後、フレーム部材４がサブストレー
ト支持体３の上に載置され、支持体３にクランプ条片
７，７′により固定される。いま真空チャンバ内で装置
が処理圧力にさらされると、シール１９，１９′…が、
下方からサブストレート２，２′…をフレーム部材４の
下側２４ないし縁部２８，２８′…に対して、ないしは
脚部１８，１８′…に対して押圧し、狭い間隙２５が生
じる。この間隙２５には、サブストレート２，２′…の
冷却中にガスが流過する。この目的のため、たとえばヘ
リウムが流路１４ないし２２にポンプにより供給され
る。図４の（ａ）に明示されているように、脚部１８，
１８′の下側と、サブストレート支持体３の上側５と、
シールリング１３と、保持ディスク１５，１５′…の円
筒形外とう面との間にも、同じく間隙２６が設けられ、
この間隙にも冷却ガスが流過せしめられる。
【図１】サブストレート支持体と付属クランプ条片との
平面図。
平面図。
【図２】サブストレート１支持体、フレーム部材、サブ
ストレートをそれぞれ横断面で示した図。
ストレートをそれぞれ横断面で示した図。
【図３】フレーム部材の平面図。
【図４】組立てられた保持装置を図５のＡ−Ｂ線に沿っ
て切断して示した断面図と、図４の（ａ）の拡大図。
て切断して示した断面図と、図４の（ａ）の拡大図。
【図５】サブストレートを装着した装置の平面図。
２，２′ サブストレート、 ３ サブストレート支持
体、 ４ フレーム部材、 ５ 支持体上側、 ６，
６′… 穴、 ７，７′… クランプ条片、 ８，８′
… ピン又はボルト、 １０，１０′… 孔、 １１，
１１′… フレーム部材端面、 １２，１２′… 支持
体端面、 １３ シール、 １４，１４′… 流路、
１５，１５′… 保持ディスク、 １６ 下側、 １
７，１７′長手側、 １８，１８′ 脚部、 ２０ シ
ール、 ２１，１２′ シール、２２，２２′… 孔、
２３，３２′… 袋孔、 ２４ フレーム部材の下
側、２５，２５′… 間隙、 ２６ 間隙、 ２７，２
７′… 保持ディスク上側、 ２８，２８′… 上方内
周縁部
体、 ４ フレーム部材、 ５ 支持体上側、 ６，
６′… 穴、 ７，７′… クランプ条片、 ８，８′
… ピン又はボルト、 １０，１０′… 孔、 １１，
１１′… フレーム部材端面、 １２，１２′… 支持
体端面、 １３ シール、 １４，１４′… 流路、
１５，１５′… 保持ディスク、 １６ 下側、 １
７，１７′長手側、 １８，１８′ 脚部、 ２０ シ
ール、 ２１，１２′ シール、２２，２２′… 孔、
２３，３２′… 袋孔、 ２４ フレーム部材の下
側、２５，２５′… 間隙、 ２６ 間隙、 ２７，２
７′… 保持ディスク上側、 ２８，２８′… 上方内
周縁部
Claims (4)
- 【請求項１】 コーティング装置又はエッチング装置の
真空チャンバ内で扁平の円板状サブストレート（２，
２′…）を保持する装置であって、有利には長方形の底
面を有するプレート状のサブストレート支持体（３）を
有する形式のものにおいて、サブストレート支持体
（３）の上側（５）を覆うフレーム部材（４）が備えら
れ、このフレーム部材（４）がサブストレート（２，
２′…）の数と形状に対応する数と形状の開口又は穴
（６）を有しており、しかもこのフレーム部材（４）が
クランプ条片（７，７′）によりサブストレート支持体
（３）に固定可能であり、かつまたクランプ条片（７，
７′）がピン又はボルト（８，８′…ないし９，９′
…）を有し、これらのピンが、フレーム部材（４）の両
端面（１１，１１′）の孔（１０，１０′…）及びサブ
ストレート支持体（３）の両端面（１２，１２′…）の
孔（２３，２３′…）と対応しており、更に、サブスト
レート支持体（３）の上側（５）、及び又は支持体
（３）上に配置された保持ディスク（１５，１５′…）
の上に、それぞれ少なくとも１個のシールリング（２
０）が配置され、このシールリング（２０）が、サブス
トレート支持体（３）ないし保持ディスク（１５，１
５′…）の上側を制限する縁部に沿って延びており、更
に、上側（５ないし２７）には孔（１４，１４′…ない
し２２，２２′…）が開口し、これらの孔が負圧源又は
ガス源に接続可能であることを特徴とする、コーティン
グ装置又はエッチング装置の真空チャンバ内で扁平の円
板状サブストレートを保持する装置。 - 【請求項２】 サブストレート支持体（３）の長辺（１
７，１７′）と平行びる、フレーム部材（４）の部分
が、ほぼＬ字形の断面を有し、しかもそれぞれ水平に延
びる脚（１８，１８′）が、保持ディスク（１５，１
５′…）の上側に配置されたシールリング（１９，１
９′…）の上側上方平面内まで延びており、更に、それ
ぞれ、保持ディスク（１５，１５′…）の円筒形側面に
向いた切欠（６，６′…）の面により、サブストレート
がサブストレート平面内で変位することが防止されるこ
とを特徴とする、請求項１記載の装置。 - 【請求項３】 保持ディスク（１５，１５′…）の上面
の縁部分上に配置され、これらシールリング（１９，１
９′…）が、それぞれ載置されるサブストレート（２，
２′…）と、保持ディスク（１５，１５′…）の上側
（２７，２７′…）と共に狭い間隙（２５，２５′…）
を形成し、これらの間隙が、それぞれ流路（１４，１
４′…）を介して吸込ポンプ又はガス源に接続可能であ
ることを特徴とする、請求項１又は２記載の装置。 - 【請求項４】 サブストレート支持体（３）の上側
（５）の縁部分に沿ってシールリング（２０）が配置さ
れ、このシールリング（２０）が、保持ディスク（１
５，１５′…）上に載置される別のシールリング（１
９，１９′…）と共に、フレーム部材（４）の載置時
に、間隙（２５，２５′…ないし２６）を形成し、これ
らの間隙が流路（１４，１４′…）を介して吸込ポンプ
又はガス源に接続可能であることを特徴とする、請求項
１から３までのいずれか１項に記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4305750.0 | 1993-02-25 | ||
| DE4305750A DE4305750C2 (de) | 1993-02-25 | 1993-02-25 | Vorrichtung zum Halten von flachen, kreisscheibenförmigen Substraten in der Vakuumkammer einer Beschichtungs- oder Ätzanlage |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06322533A true JPH06322533A (ja) | 1994-11-22 |
Family
ID=6481274
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2806494A Pending JPH06322533A (ja) | 1993-02-25 | 1994-02-25 | コーティング装置又はエッチング装置の真空チャンバ内で扁平の円板状サブストレートを保持する装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5376180A (ja) |
| JP (1) | JPH06322533A (ja) |
| CH (1) | CH687985A5 (ja) |
| DE (1) | DE4305750C2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006173560A (ja) * | 2004-11-16 | 2006-06-29 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ウエハガイド、有機金属気相成長装置および窒化物系半導体を堆積する方法 |
| KR101137545B1 (ko) * | 2009-12-30 | 2012-04-20 | 주식회사 탑 엔지니어링 | 일체형 웨이퍼 트레이 |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5620525A (en) * | 1990-07-16 | 1997-04-15 | Novellus Systems, Inc. | Apparatus for supporting a substrate and introducing gas flow doximate to an edge of the substrate |
| US5843233A (en) * | 1990-07-16 | 1998-12-01 | Novellus Systems, Inc. | Exclusion guard and gas-based substrate protection for chemical vapor deposition apparatus |
| JP3433760B2 (ja) * | 1993-05-14 | 2003-08-04 | ソニー株式会社 | 光ディスクの保護膜機 |
| JPH08153682A (ja) * | 1994-11-29 | 1996-06-11 | Nec Corp | プラズマｃｖｄ装置 |
| US5476549A (en) * | 1995-01-24 | 1995-12-19 | Cvd, Inc. | Process for an improved laminate of ZnSe and ZnS |
| US5679404A (en) * | 1995-06-07 | 1997-10-21 | Saint-Gobain/Norton Industrial Ceramics Corporation | Method for depositing a substance with temperature control |
| KR100207451B1 (ko) * | 1995-12-14 | 1999-07-15 | 윤종용 | 반도체 웨이퍼 고정장치 |
| US5656093A (en) * | 1996-03-08 | 1997-08-12 | Applied Materials, Inc. | Wafer spacing mask for a substrate support chuck and method of fabricating same |
| US6001183A (en) * | 1996-06-10 | 1999-12-14 | Emcore Corporation | Wafer carriers for epitaxial growth processes |
| US5810931A (en) * | 1996-07-30 | 1998-09-22 | Applied Materials, Inc. | High aspect ratio clamp ring |
| TW524873B (en) | 1997-07-11 | 2003-03-21 | Applied Materials Inc | Improved substrate supporting apparatus and processing chamber |
| US6210546B1 (en) * | 1998-10-29 | 2001-04-03 | Lucent Technologies Inc. | Fixture with at least one trough and method of using the fixture in a plasma or ion beam |
| US6464795B1 (en) | 1999-05-21 | 2002-10-15 | Applied Materials, Inc. | Substrate support member for a processing chamber |
| US6277198B1 (en) | 1999-06-04 | 2001-08-21 | Applied Materials, Inc. | Use of tapered shadow clamp ring to provide improved physical vapor deposition system |
| US6187134B1 (en) * | 1999-07-09 | 2001-02-13 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Reusable wafer support for semiconductor processing |
| US6709721B2 (en) | 2001-03-28 | 2004-03-23 | Applied Materials Inc. | Purge heater design and process development for the improvement of low k film properties |
| US6808741B1 (en) * | 2001-10-26 | 2004-10-26 | Seagate Technology Llc | In-line, pass-by method for vapor lubrication |
| US6944006B2 (en) * | 2003-04-03 | 2005-09-13 | Applied Materials, Inc. | Guard for electrostatic chuck |
| DE102004018249B3 (de) * | 2004-04-15 | 2006-03-16 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Bearbeiten eines Werkstücks an einem Werkstückträger |
| US20060096857A1 (en) * | 2004-11-08 | 2006-05-11 | Ilya Lavitsky | Physical vapor deposition chamber having a rotatable substrate pedestal |
| JP2008159097A (ja) * | 2006-12-20 | 2008-07-10 | Hitachi Ltd | 基板ホルダ及び基板のエッチング方法及び磁気記録媒体の製造方法 |
| CN102549190A (zh) * | 2009-08-26 | 2012-07-04 | 佳能安内华股份有限公司 | 成膜设备 |
| TW201122148A (en) * | 2009-12-24 | 2011-07-01 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | Chemical vapor deposition device |
| JP2012069635A (ja) * | 2010-09-22 | 2012-04-05 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 成膜装置、ウェハホルダ及び成膜方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4535835A (en) * | 1982-05-25 | 1985-08-20 | Varian Associates, Inc. | Optimum surface contour for conductive heat transfer with a thin flexible workpiece |
| US4823736A (en) * | 1985-07-22 | 1989-04-25 | Air Products And Chemicals, Inc. | Barrel structure for semiconductor epitaxial reactor |
| US4796562A (en) * | 1985-12-03 | 1989-01-10 | Varian Associates, Inc. | Rapid thermal cvd apparatus |
| CH681308A5 (ja) * | 1990-05-22 | 1993-02-26 | Satis Vacuum Ag | |
| US5238499A (en) * | 1990-07-16 | 1993-08-24 | Novellus Systems, Inc. | Gas-based substrate protection during processing |
-
1993
- 1993-02-25 DE DE4305750A patent/DE4305750C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1993-09-08 CH CH02684/93A patent/CH687985A5/de not_active IP Right Cessation
-
1994
- 1994-02-25 US US08/201,874 patent/US5376180A/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-02-25 JP JP2806494A patent/JPH06322533A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006173560A (ja) * | 2004-11-16 | 2006-06-29 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ウエハガイド、有機金属気相成長装置および窒化物系半導体を堆積する方法 |
| KR101137545B1 (ko) * | 2009-12-30 | 2012-04-20 | 주식회사 탑 엔지니어링 | 일체형 웨이퍼 트레이 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE4305750C2 (de) | 2002-03-21 |
| CH687985A5 (de) | 1997-04-15 |
| DE4305750A1 (de) | 1994-09-01 |
| US5376180A (en) | 1994-12-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH06322533A (ja) | コーティング装置又はエッチング装置の真空チャンバ内で扁平の円板状サブストレートを保持する装置 | |
| TWI595593B (zh) | 接合裝置及接合系統 | |
| JP3312164B2 (ja) | 真空吸着装置 | |
| JP3312163B2 (ja) | 真空吸着装置 | |
| US6866564B2 (en) | Method of backgrinding wafers while leaving backgrinding tape on a chuck | |
| JPH0322058B2 (ja) | ||
| JP2003174077A (ja) | 吸着保持装置 | |
| JP2004510334A5 (ja) | ||
| JP2010103332A (ja) | 真空吸着装置 | |
| JP4096636B2 (ja) | ウエハ支持治具およびそれを用いた半導体素子製造方法 | |
| JP2018041776A (ja) | チャックテーブル及び搬送パッド | |
| KR20070037831A (ko) | 진공척 | |
| JP3252074B2 (ja) | 真空吸着装置、真空吸着装置用シール具および真空吸着方法 | |
| JPH08330401A (ja) | ウエハチャック | |
| KR960015775A (ko) | 연마 처리 장치 및 연마 처리 방법 | |
| JP2009141173A (ja) | 貼り合わせ装置 | |
| JPS62287639A (ja) | 薄板回路基板における感圧性粘着テ−プの貼着方法 | |
| JPH05315434A (ja) | 半導体ウェーハ保持具 | |
| JPH05235151A (ja) | 基板保持盤 | |
| JP2008226976A (ja) | 基板等の取扱装置及び基板等の取扱方法 | |
| JP3164629B2 (ja) | 半導体ウエハ用真空チャックステージ | |
| JPH02256256A (ja) | 半導体ウエハ処理装置のウエハ保持機構 | |
| JPH0253558A (ja) | 吸着治具 | |
| JP2015095649A (ja) | 接合装置及び接合システム | |
| JPH0516088A (ja) | 吸着保持具 |