JPH08153682A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents

プラズマｃｖｄ装置

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JPH08153682A
JPH08153682A JP6294859A JP29485994A JPH08153682A JP H08153682 A JPH08153682 A JP H08153682A JP 6294859 A JP6294859 A JP 6294859A JP 29485994 A JP29485994 A JP 29485994A JP H08153682 A JPH08153682 A JP H08153682A
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JP
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electrode
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glass substrate
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JP6294859A
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Akiyoshi Yamamori
秋喜 山守
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NEC Corp
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NEC Corp
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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Abstract

(57)【要約】 【目的】簡単な治具の取付けにより膜厚の均一性を向上
させる。 【構成】ガラス基板１を保持する領域に窓を有する保持
電極２の窓に外周部が接し、かつガラス基板１を保持す
る内周部を有するリング状の絶縁板１０を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はプラズマＣＶＤ装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜半導体装置等の製造工程においては
薄膜形成の為に平行平板型のプラズマＣＶＤ装置が用い
られている。従来のプラズマＣＶＤ装置は図４に示すよ
うに、反応室５の内壁天井にヒータパネル４が設けられ
そのすぐ下部には図５に示すように、ガラス基板１等の
設置用の窓が設けられた金属製の保持電極２が配置され
ておりその窓の部分にガラス基板１を置きガラス基板１
の上に均熱板３を置き、止め具９で固定し、そして、例
えばＳｉＨ4 とＨ2 をガス導入口７から導入して、ＲＦ
電極６と保持電極２の間にＲＦ電源１１により１３，５
６ＭＨｚの高周波電力を引加してアモルファスシリコン
膜を成長するように構成されていた。
【０００３】このように構成されたプラズマＣＶＤ装置
で薄膜を形成した場合、ガラス基板１の表面と保持電極
２表面の電位が異なるため、ガラス基板１の周辺部は、
保持電極２の影響を受け膜厚が変化し均一性が劣化す
る。
【０００４】この問題を解決するため、特開昭６２−１
８９７２５号公報のように絶縁体基板を取り付ける側の
電極（保持電極）表面に絶縁体をビス等で止めて被覆
し、電界を均一にして、膜厚均一性を向上させる技術
や、特開昭６１−１７７３７４号公報の様に基板と反対
側の電極の周辺部に絶縁体のリングを取り付け放電領域
内のプラズマ分布を均一にし、膜厚均一性を向上させる
技術が提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、成膜時
に基板全体の電界を均一して、膜厚分布を向上させるた
めに、電極表面に絶縁体を取り付ける前者の方法では、
この絶縁体上にも膜が形成され、パーティクルの原因と
なるため定期的に交換する必要がある。交換時には、絶
縁体表面に形成された膜をブラスト処理やエッチング等
で除去し、再び電極表面に絶縁体をビス止めする等の作
業が必要となるため、保守作業が複雑になるという問題
点がある。
【０００６】又、基板と反対側の電極の周辺部に絶縁体
のリングを取付ける後者の方法においても、前者の方法
と同様に保守作業が煩雑になるという問題点がある。
【０００７】本発明の目的は、保守作業が容易でしかも
均一な薄膜の形成が可能なプラズマＣＶＤ装置を提供す
ることにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のプラズマＣＶＤ
装置は、ＲＦ電源に接続するＲＦ電極と、被成膜用の基
板が保持される領域に窓が形成された保持電極とを備え
た平行平板型のプラズマＣＶＤ装置において、前記窓に
外周部が接しかつ前記基板を保持する内周部を有するリ
ング状の絶縁板を着脱自在に取り付けたことを特徴とす
るものである。
【０００９】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１は本発明の一実施例の平行平板型のプ
ラズマＣＶＤ装置の構成図、図２（ａ），（ｂ）は保持
電極の断面図及び絶縁板の下面図である。
【００１０】図１を参照するとプラズマＣＶＤ装置の反
応室５内には、ＲＦ電源１１に接続し反応ガスの噴出孔
を有するＲＦ電極６と、このＲＦ電極６上に設けられ被
成膜用の基板としてのガラス板１が保持される窓を有す
る保持電極２と、ヒータパネル４とが設けられている
が、特に保持電極２の窓部には、図２（ａ），（ｂ）に
示すように、外周部が窓に接しかつガラス基板１を保持
する内周部を有する絶縁板１０が窓の下端部の保持電極
の突起を介して取り付けてある。絶縁板１０としては、
例えば安価なガラス板や石英板を用いる。尚図１、図２
において３は均熱板、４はヒータパネル、７はガス導入
口、８はガス排出口、９は止め具である。
【００１１】成膜はガス排気口８から真空ポンプで一定
圧力に保つ様に反応ガスをガス導入口７から導入し、保
持電極２とＲＦ電極６の間に、例えば、１３．５６ＭＨ
ｚの高周波電力を引加し、上記電極間にプラズマを形成
して行なう。
【００１２】上述した本実施例によれば、ガラス基板１
の周辺部が基板と同一材料の絶縁板（この場合はガラス
板）１０で囲まれているため、成膜時に、ガラス基板１
の表面がチャージアップし、保持電極表面との境界部で
電界が乱されることによる影響を受けることがなくなる
為、ガラス基板１上に均一な膜を形成することができ
る。
【００１３】カラーＬＣＤで使用される、３００〜４０
０ｍｍ口の大型ガラス基板に成膜する場合、従来例のよ
うに保持電極表面全体を絶縁体で覆うと、機械的強度や
取り扱い、維持・管理面で問題があるが、本実施例の構
造を用いると、安価なガラス板を、保持電極２の窓部に
置くだけ良く、交換後の処理も使い捨てもしくはエッチ
ング等の簡単な再生処理だけで済み、従来より簡単な作
業で、ガラス基板１上に厚さの均一な膜を形成すること
が可能となる。絶縁板１０の幅は、３００〜４００ｍｍ
口のガラス基板を用いる場合１０ｍｍ以上あれば問題な
い。
【００１４】上記実施例のプラズマＣＶＤ装置を用い
て、４００ｍｍ口のガラス基板にアモルファスシリコン
膜を１００ｎｍの厚さに成膜した時の膜厚のばらつきは
±３％となり、図４、図５で説明した従来の装置でのば
らつき±２０％に比べ、膜厚の均一性を大幅に向上させ
ることができた。
【００１５】図３は本発明を縦型両面放電方式のプラズ
マＣＶＤ装置に適用した場合の構成図である。図３に於
いて図１と同一符号は同一名称を示し、１２は保持電極
２の移動機構を示す。
【００１６】ガラス基板１を保持するための２つの保持
電極２が背中合せ状態で保持電極移動機構１２につり下
げられており、各保持電極２に対面して、ＲＦ電極６が
配置されている。各保持電極２の窓部には図２（ａ），
（ｂ）で説明した絶縁板１０が設けられている。このよ
うな構造にすることにより膜厚の均一性及び生産性が向
上したプラズマＣＶＤ装置が得られる。
【００１７】尚、上記実施例においては被成膜用の基板
として四角形のガラス基板を用いた場合について説明し
たが、基板は石英等他の絶縁板でもよく、その形状は四
角形に限定されるものではなく、円形状であってもよ
い。すなわち、保持電極や絶縁板に形成する窓は四角形
や円形でもよい。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、被成膜用
の基板の周辺部の保持電極の窓に接して作業や管理が容
易な絶縁板を取り付けることにより、成膜時に基板周辺
部の電位が保持電極の影響を受けることがないため、膜
厚分布を均一にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の構成図。
【図２】実施例に用いる保持電極の断面図及び絶縁板の
下面図。
【図３】本発明の適用例のＣＶＤ装置の断面図。
【図４】従来のＣＶＤ装置の一例の断面図。
【図５】従来の保持電極の断面図。
【符号の説明】
１ ガラス基板 ２ 保持電極 ３ 均熱板 ４ ヒータパネル ５ 反応室 ６ ＲＦ電極 ７ ガス導入口 ８ ガス排気口 ９ 止め具 １０ 絶縁板 １１ ＲＦ電極 １２ 保持電極移動機構

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ＲＦ電源に接続するＲＦ電極と、被成膜
    用の基板が保持される領域に窓が形成された保持電極と
    を備えた平行平板型のプラズマＣＶＤ装置において、前
    記窓に外周部が接しかつ前記基板を保持する内周部を有
    するリング状の絶縁板を着脱自在に取り付けたことを特
    徴とするプラズマＣＶＤ装置。
  2. 【請求項２】 絶縁板は基板と同一材料から形成される
    請求項１記載のプラズマＣＶＤ装置。
  3. 【請求項３】 絶縁板はガラス又は石英である請求項１
    又は請求項２記載のプラズマＣＶＤ装置。
JP6294859A 1994-11-29 1994-11-29 プラズマｃｖｄ装置 Pending JPH08153682A (ja)

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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5942042A (en) * 1997-05-23 1999-08-24 Applied Materials, Inc. Apparatus for improved power coupling through a workpiece in a semiconductor wafer processing system
ES2283020T3 (es) * 1997-07-16 2007-10-16 Metacure Nv Controlador del musculo liso.
WO2003073489A1 (fr) * 2002-02-28 2003-09-04 Tokyo Electron Limited Dispositif de traitement a plasma et unite d'alimentation
US20060160367A1 (en) * 2005-01-19 2006-07-20 Micron Technology, Inc. And Idaho Research Foundation Methods of treating semiconductor substrates
US20070084720A1 (en) * 2005-07-13 2007-04-19 Akihiro Hosokawa Magnetron sputtering system for large-area substrates having removable anodes
US20070012558A1 (en) * 2005-07-13 2007-01-18 Applied Materials, Inc. Magnetron sputtering system for large-area substrates
US20070012663A1 (en) * 2005-07-13 2007-01-18 Akihiro Hosokawa Magnetron sputtering system for large-area substrates having removable anodes
US20070202636A1 (en) * 2006-02-22 2007-08-30 Applied Materials, Inc. Method of controlling the film thickness uniformity of PECVD-deposited silicon-comprising thin films
JP2012069635A (ja) * 2010-09-22 2012-04-05 Hitachi Kokusai Electric Inc 成膜装置、ウェハホルダ及び成膜方法
CN113445029A (zh) * 2020-03-25 2021-09-28 拓荆科技股份有限公司 双面沉积设备及方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6299062A (ja) * 1985-10-25 1987-05-08 Pilot Pen Co Ltd:The 振動加工方法
JPS62189725A (ja) * 1986-02-14 1987-08-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマｃｖｄ装置
JPH0216721A (ja) * 1988-07-04 1990-01-19 Fuji Electric Co Ltd 薄膜形成方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3436255A (en) * 1965-07-06 1969-04-01 Monsanto Co Electric resistance heaters
US4367114A (en) * 1981-05-06 1983-01-04 The Perkin-Elmer Corporation High speed plasma etching system
JPH067548B2 (ja) * 1983-09-30 1994-01-26 株式会社日立製作所 薄膜形成方法
JPS60180998A (ja) * 1984-02-27 1985-09-14 Anelva Corp 分子線エピタキシヤル成長装置用の基板保持装置
US4512841A (en) * 1984-04-02 1985-04-23 International Business Machines Corporation RF Coupling techniques
JPH062952B2 (ja) * 1985-01-30 1994-01-12 株式会社島津製作所 プラズマｃｖｄ装置及びプラズマｃｖｄによる成膜方法
US4793975A (en) * 1985-05-20 1988-12-27 Tegal Corporation Plasma Reactor with removable insert
US5262029A (en) * 1988-05-23 1993-11-16 Lam Research Method and system for clamping semiconductor wafers
JPH02105417A (ja) * 1988-10-13 1990-04-18 Nec Corp プラズマ気相成長装置
JPH03187994A (ja) * 1989-12-15 1991-08-15 Furukawa Electric Co Ltd:The 分子線気相成長装置における基板保持装置
JP2900713B2 (ja) * 1992-07-23 1999-06-02 日新電機株式会社 プラズマｃｖｄ装置
JP3227522B2 (ja) * 1992-10-20 2001-11-12 株式会社日立製作所 マイクロ波プラズマ処理方法及び装置
US5490881A (en) * 1992-11-02 1996-02-13 Gen Electric Maintaining uniformity of deposited film thickness in plasma-enhanced chemical vapor deposition
DE4305750C2 (de) * 1993-02-25 2002-03-21 Unaxis Deutschland Holding Vorrichtung zum Halten von flachen, kreisscheibenförmigen Substraten in der Vakuumkammer einer Beschichtungs- oder Ätzanlage

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6299062A (ja) * 1985-10-25 1987-05-08 Pilot Pen Co Ltd:The 振動加工方法
JPS62189725A (ja) * 1986-02-14 1987-08-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマｃｖｄ装置
JPH0216721A (ja) * 1988-07-04 1990-01-19 Fuji Electric Co Ltd 薄膜形成方法

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Publication number Publication date
US5609691A (en) 1997-03-11
TW279243B (ja) 1996-06-21

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