JPH062952B2 - プラズマｃｖｄ装置及びプラズマｃｖｄによる成膜方法 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置及びプラズマｃｖｄによる成膜方法Info
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- JPH062952B2 JPH062952B2 JP60017078A JP1707885A JPH062952B2 JP H062952 B2 JPH062952 B2 JP H062952B2 JP 60017078 A JP60017078 A JP 60017078A JP 1707885 A JP1707885 A JP 1707885A JP H062952 B2 JPH062952 B2 JP H062952B2
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- plasma cvd
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- cvd apparatus
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
- C23C16/5096—Flat-bed apparatus
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明はプラズマＣＶＤ（Chemical Vapour Depositi
on）装置及びプラズマＣＶＤによる成膜方法に係り、特
に電極端部のプラズマ強度を抑制して膜厚分布を均一に
することができるプラズマＣＶＤ装置及びプラズマＣＶ
Ｄによる成膜方法に関する。
on）装置及びプラズマＣＶＤによる成膜方法に係り、特
に電極端部のプラズマ強度を抑制して膜厚分布を均一に
することができるプラズマＣＶＤ装置及びプラズマＣＶ
Ｄによる成膜方法に関する。
従来の技術 従来の平行平板型のプラズマＣＶＤ装置は、放電領域側
の面に基板が取り付けられた平板状の基板電極と、もう
１つの電極とが平行に配設されており、前記両電極に高
周波電圧を印加させて反応ガスをプラズマ状態にして基
板上に薄膜を生成している。
の面に基板が取り付けられた平板状の基板電極と、もう
１つの電極とが平行に配設されており、前記両電極に高
周波電圧を印加させて反応ガスをプラズマ状態にして基
板上に薄膜を生成している。
発明が解決しようとする問題点 しかしながら上述した平行平板型の電極構造を用いたプ
ラズマＣＶＤ方式は、電極端部に電気力線が集中するた
めに、電極周辺部に強いプラズマが発生する。そのため
電極周辺部に位置する基板の膜厚が厚くなるという問題
がある。しかして膜厚分布はガス圧、投入電力、電極間
距離、ガス流などに依存するため、電極端部の膜厚を抑
えるために前記諸条件を変化さすと他の部分の膜厚が薄
くなり不都合である。
ラズマＣＶＤ方式は、電極端部に電気力線が集中するた
めに、電極周辺部に強いプラズマが発生する。そのため
電極周辺部に位置する基板の膜厚が厚くなるという問題
がある。しかして膜厚分布はガス圧、投入電力、電極間
距離、ガス流などに依存するため、電極端部の膜厚を抑
えるために前記諸条件を変化さすと他の部分の膜厚が薄
くなり不都合である。
従ってこの発明は比較的簡単な手段で膜厚分布を均一に
することができるプラズマＣＶＤ装置及びプラズマＣＶ
Ｄによる成膜方法を提供することを目的としている。
することができるプラズマＣＶＤ装置及びプラズマＣＶ
Ｄによる成膜方法を提供することを目的としている。
問題点を解決するための手段 本発明のプラズマＣＶＤ装置は、平行平板型の電極間に
電圧を印加し、一方の電極に載置した基板上に成膜させ
るプラズマＣＶＤ装置であって、他方の電極の外面を基
板対向面を除いて取り囲むアースシールド板と、他方の
電極の基板対向側の周縁とアースシールド板の基板対向
側の周縁とが露出しないように覆う絶縁体リングとを備
えていることを特徴としている。
電圧を印加し、一方の電極に載置した基板上に成膜させ
るプラズマＣＶＤ装置であって、他方の電極の外面を基
板対向面を除いて取り囲むアースシールド板と、他方の
電極の基板対向側の周縁とアースシールド板の基板対向
側の周縁とが露出しないように覆う絶縁体リングとを備
えていることを特徴としている。
本発明のプラズマＣＶＤによる成膜方法は、平行平板型
の電極間に電圧を印加し、一方の電極に載置した基板上
に成膜させるプラズマＣＶＤによる成膜方法であって、
他方の電極の外面をアースシールド板により基板対向面
を除いて取り囲むようにした上で、他方の電極の基板対
向側の周縁とアースシールド板の基板対向側の周縁とを
絶縁体リングで覆って双方が露出しないようにしたこと
を特徴としている。
の電極間に電圧を印加し、一方の電極に載置した基板上
に成膜させるプラズマＣＶＤによる成膜方法であって、
他方の電極の外面をアースシールド板により基板対向面
を除いて取り囲むようにした上で、他方の電極の基板対
向側の周縁とアースシールド板の基板対向側の周縁とを
絶縁体リングで覆って双方が露出しないようにしたこと
を特徴としている。
作用 他方の電極の基板対向側の周縁とアースシールド板の基
板対向側の周縁とを絶縁体リングで覆って双方を露出し
ないようにしたので、電極端面付近の電気力線の集中が
緩和されるとともに、強いプラズマの発生も抑制され
る。この結果、放電領域におけるプラズマ強度が均一と
なる。
板対向側の周縁とを絶縁体リングで覆って双方を露出し
ないようにしたので、電極端面付近の電気力線の集中が
緩和されるとともに、強いプラズマの発生も抑制され
る。この結果、放電領域におけるプラズマ強度が均一と
なる。
実施例 第１図はこの発明に係るプラズマＣＶＤ装置の一実施例
を示した説明図である。
を示した説明図である。
同図において１は内部孔を有する円板状の電極である。
電極１の表面には複数のガス噴出孔２が開設されてい
る。電極１は、その下面において内部孔に連通する導電
パイプによって接続支持されている。
電極１の表面には複数のガス噴出孔２が開設されてい
る。電極１は、その下面において内部孔に連通する導電
パイプによって接続支持されている。
３は前記電極１を、その表面を除いて覆う絶縁物であ
る。
る。
４は前記絶縁物３をさらに覆うように配設されるシール
ド板（アースシールド板に相当する）である。即ち、シ
ールド板４は電極１の外面を基板対向面を除いて取り囲
むようになっている。
ド板（アースシールド板に相当する）である。即ち、シ
ールド板４は電極１の外面を基板対向面を除いて取り囲
むようになっている。
５は電極１の表面周辺部からシールド板４の端面にかけ
て覆うように載置される絶縁体リングを示している。こ
の絶縁体リング５の内・外径及び厚み寸法は、電極端面
の放電強さに応じて適宜に設定される。
て覆うように載置される絶縁体リングを示している。こ
の絶縁体リング５の内・外径及び厚み寸法は、電極端面
の放電強さに応じて適宜に設定される。
即ち、絶縁体リング５により、電極１の基板対向側の周
縁とシールド板４の基板対向側の周縁との双方が覆われ
て露出しないようになっている。
縁とシールド板４の基板対向側の周縁との双方が覆われ
て露出しないようになっている。
６は前記電極１と略平行して配設される円板状の基板電
極である。この基板電極６と前記電極１との間隙はいわ
ゆる放電領域を形成しており、基板電極６の放電領域側
の面には基板７が取り付けられている。
極である。この基板電極６と前記電極１との間隙はいわ
ゆる放電領域を形成しており、基板電極６の放電領域側
の面には基板７が取り付けられている。
８は基板電極６の放電領域側と反対の面に近接して取り
付けられるヒータである。
付けられるヒータである。
９は前記電極１及び基板電極６などを気密状態に取り囲
むチヤンバを示している。チヤンバ９内の余剰ガスは、
図示しない排気ポンプによって排気孔10を介して排気さ
れる。
むチヤンバを示している。チヤンバ９内の余剰ガスは、
図示しない排気ポンプによって排気孔10を介して排気さ
れる。
なお、11は前記電極１及び基板電極６に高周波電圧を与
える高周波電源、12はヒータ８に電力を供給するヒータ
用電源をそれぞれ示している。
える高周波電源、12はヒータ８に電力を供給するヒータ
用電源をそれぞれ示している。
次ぎに第１図に示したプラズマＣＶＤ装置の動作につい
て説明する。これによりプラズマＣＶＤによる成膜方法
の一実施例の内容も明らかになろう。
て説明する。これによりプラズマＣＶＤによる成膜方法
の一実施例の内容も明らかになろう。
反応ガスは電極１を支持する導電パイプを介して電極１
の内部穴に導入される。この反応ガスはさらにその表面
に形成されたガス噴出孔２を介して放電領域に噴出され
る。
の内部穴に導入される。この反応ガスはさらにその表面
に形成されたガス噴出孔２を介して放電領域に噴出され
る。
一方、電極１及び基板電極６に高周波電圧が印加される
ことにより、反応ガスが励起されてプラズマが発生す
る。このとき電極１の周辺部が前記絶縁体リング５で覆
われているために、電極端面部分で放電が弱められる。
本来、他の部分よりも放電状態が強くなる傾向にある電
極端面部分の放電が弱められることにより、放電領域内
のプラズマ分布が均一化し、これにより基板７に均一に
薄膜を形成させることができる。
ことにより、反応ガスが励起されてプラズマが発生す
る。このとき電極１の周辺部が前記絶縁体リング５で覆
われているために、電極端面部分で放電が弱められる。
本来、他の部分よりも放電状態が強くなる傾向にある電
極端面部分の放電が弱められることにより、放電領域内
のプラズマ分布が均一化し、これにより基板７に均一に
薄膜を形成させることができる。
しかも電極１の外面が基板対向面を除いてシールド板４
により取り囲まれているので、この部分とチャンバ９と
の間で不必要なプラズマ放電が生じず、この点でも大き
なメリットがある。
により取り囲まれているので、この部分とチャンバ９と
の間で不必要なプラズマ放電が生じず、この点でも大き
なメリットがある。
なお上述の実施例では電極形状を円板状として説明した
が、この考案はこれに限られるものでなく例えば角状の
電極であってもよい。この場合絶縁体リングは前記電極
周辺部を覆うように角状のリングに形成される。
が、この考案はこれに限られるものでなく例えば角状の
電極であってもよい。この場合絶縁体リングは前記電極
周辺部を覆うように角状のリングに形成される。
発明の効果 以上述べたようにこの発明によれば平行平板の電極間に
介在させた絶縁体リングによって、電極端面のプラズマ
強度を抑制できるので、比較的簡単な手段で膜厚分布を
均一にすることができる。
介在させた絶縁体リングによって、電極端面のプラズマ
強度を抑制できるので、比較的簡単な手段で膜厚分布を
均一にすることができる。
第１図はこの発明に係るプラズマＣＶＤ装置の一実施例
を略示した説明図である。 １・・・電極、５・・・絶縁体リング、６・・・基板電
極、７・・・基板。
を略示した説明図である。 １・・・電極、５・・・絶縁体リング、６・・・基板電
極、７・・・基板。
Claims (2)
- 【請求項１】平行平板型の電極間に電圧を印加し、一方
の電極に載置した基板上に成膜させるプラズマＣＶＤ装
置において、他方の電極の外面を基板対向面を除いて取
り囲むアースシールド板と、他方の電極の基板対向側の
周縁とアースシールド板の基板対向側の周縁とが露出し
ないように覆う絶縁体リングとを備えていることを特徴
とするプラズマＣＶＤ装置。 - 【請求項２】平行平板型の電極間に電圧を印加し、一方
の電極に載置した基板上に成膜させるプラズマＣＶＤに
よる成膜方法において、他方の電極の外面をアースシー
ルド板により基板対向面を除いて取り囲むようにした上
で、他方の電極の基板対向側の周縁とアースシールド板
の基板対向側の周縁とを絶縁体リングで覆って双方が露
出しないようにしたことを特徴とするプラズマＣＶＤに
よる成膜方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60017078A JPH062952B2 (ja) | 1985-01-30 | 1985-01-30 | プラズマｃｖｄ装置及びプラズマｃｖｄによる成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60017078A JPH062952B2 (ja) | 1985-01-30 | 1985-01-30 | プラズマｃｖｄ装置及びプラズマｃｖｄによる成膜方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61177374A JPS61177374A (ja) | 1986-08-09 |
| JPH062952B2 true JPH062952B2 (ja) | 1994-01-12 |
Family
ID=11933938
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60017078A Expired - Fee Related JPH062952B2 (ja) | 1985-01-30 | 1985-01-30 | プラズマｃｖｄ装置及びプラズマｃｖｄによる成膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH062952B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5669583A (en) * | 1994-06-06 | 1997-09-23 | University Of Tennessee Research Corporation | Method and apparatus for covering bodies with a uniform glow discharge plasma and applications thereof |
| KR960702844A (ko) * | 1993-05-28 | 1996-05-23 | 앤 제이. 로버슨 | 중합체 물질을 대기압하에서 글로우 방전 플라즈마로 처리하는 방법 및 장치(nethod and apparatus for glow discharge plasma treatment of polymer materials at atmospheric pressure) |
| US5414324A (en) * | 1993-05-28 | 1995-05-09 | The University Of Tennessee Research Corporation | One atmosphere, uniform glow discharge plasma |
| US5387842A (en) * | 1993-05-28 | 1995-02-07 | The University Of Tennessee Research Corp. | Steady-state, glow discharge plasma |
| JPH08153682A (ja) * | 1994-11-29 | 1996-06-11 | Nec Corp | プラズマｃｖｄ装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5989759A (ja) * | 1982-11-12 | 1984-05-24 | Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd | 気体電気化学反応装置 |
| JPS60234974A (ja) * | 1984-05-04 | 1985-11-21 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
-
1985
- 1985-01-30 JP JP60017078A patent/JPH062952B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61177374A (ja) | 1986-08-09 |
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|---|---|---|---|
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