JPS60155676A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
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- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）技術分野
本発明は基体上に堆積膜を形成するプラズマＣＶＤ装置
、例えば円筒状基体表面にアモルファスシリコン膜を堆
積し電子写真感光体を作成すること等に使用できるプラ
ズマＣＶＤ装置に関し、特に量産化に適したプラズマＣ
ＶＤ装置に関する。
、例えば円筒状基体表面にアモルファスシリコン膜を堆
積し電子写真感光体を作成すること等に使用できるプラ
ズマＣＶＤ装置に関し、特に量産化に適したプラズマＣ
ＶＤ装置に関する。
（２）従来技術
従来型のプラズマＣＶＤ装置の代表的な例である円筒状
プラズマＣＶＤ装置の一例を以下に示し、図面も参照し
ながらこの種の技術について説明する。
プラズマＣＶＤ装置の一例を以下に示し、図面も参照し
ながらこの種の技術について説明する。
第１図は、従来型の円筒状プラズマＣＶＤ装置の代表的
な一例の概略であり、その縦断面図を示す。第１図中１
は真空チャンバーは構成している円筒状のカソード電極
、２は該真空チャンバーの中心軸の周りに回転するよう
にこれと同心に配置された対向電極たる７ノード電極を
構成している円筒状の基体、３は該真空チャンバーの壁
体、４は該壁体を該カソード電極から絶縁するためのド
ーナツ形の絶縁ガイシ、５は高周波電源、６は原料ガス
供給パイプ、７は排気方向、８はヒーター、９は上記円
筒状の基体を回転するモータ、１０はアース、１１は真
空計、１２はメインバルブ、１３はリークバルブ、１４
はシールド板、１５はマスフローコントローラーを示す
。
な一例の概略であり、その縦断面図を示す。第１図中１
は真空チャンバーは構成している円筒状のカソード電極
、２は該真空チャンバーの中心軸の周りに回転するよう
にこれと同心に配置された対向電極たる７ノード電極を
構成している円筒状の基体、３は該真空チャンバーの壁
体、４は該壁体を該カソード電極から絶縁するためのド
ーナツ形の絶縁ガイシ、５は高周波電源、６は原料ガス
供給パイプ、７は排気方向、８はヒーター、９は上記円
筒状の基体を回転するモータ、１０はアース、１１は真
空計、１２はメインバルブ、１３はリークバルブ、１４
はシールド板、１５はマスフローコントローラーを示す
。
上記のプラズマＣＶＤ装置の動作を簡単に説明する。
まず、真空チャンバー内に円筒状の基体２をセットし、
排気系７によってチャンバー内を真空にする。同時に基
体２をヒーター８によって加熱し、基体２をモータ９に
よって回転し、基体の温度分布を均一にする。この時、
ヒーターは固定されている。基体温度が一定になったら
、ガス供給バイブロから原料ガスを真空チャンバー内に
供給する。真空チャンバー内にガスが安定して供給され
ている状態で、例えば１３．５θＭＨｚの高周波電源５
によりカソード電極１に高周波電圧を印加し、アース接
地された基体２との間でグロ′−放電を発生させ、カソ
ード電極１から飛び出した電子のガス分子への衝突によ
り、ガス分子をラジカル反応させて基体上に堆積させ、
基体２上に堆積膜、例えばアモルファスシリコン膜を成
膜する。
排気系７によってチャンバー内を真空にする。同時に基
体２をヒーター８によって加熱し、基体２をモータ９に
よって回転し、基体の温度分布を均一にする。この時、
ヒーターは固定されている。基体温度が一定になったら
、ガス供給バイブロから原料ガスを真空チャンバー内に
供給する。真空チャンバー内にガスが安定して供給され
ている状態で、例えば１３．５θＭＨｚの高周波電源５
によりカソード電極１に高周波電圧を印加し、アース接
地された基体２との間でグロ′−放電を発生させ、カソ
ード電極１から飛び出した電子のガス分子への衝突によ
り、ガス分子をラジカル反応させて基体上に堆積させ、
基体２上に堆積膜、例えばアモルファスシリコン膜を成
膜する。
上記のような従来型のプラズマＣＶＤ装置のおいては二
′その構成上どうしても堆積膜は目的とする基体以外の
部分、例えば真空チャンバー壁体３の内壁や真空チャン
バーの一部を構成している円筒状のカソード電極ｌの内
面等にも堆積する。これら目的とする基体以外に堆積す
る堆積膜は剥離しやすく、次回の堆積膜形成時の汚れや
ゴミの発生原因等となる。そのため、基体を交換しなが
ら連続して堆積膜を形成する際には、堆積膜の品質を低
下させないために、基体を交換するたびに基体以外に付
着した堆積膜を取り除く必要があり、したがって、基体
を交換するというだけの作業では、連続した生産がおこ
なえず量産性の向上を図ることができないという欠点が
あった。中でも基体と対向する電極の基体側の面には、
多くのラジカルが付着し、堆積する。そのため連続生産
を行う際には基体−Ｆに形成される堆積膜の品質を低下
させないために、これらの堆積膜を除去してやる必要が
あった。
′その構成上どうしても堆積膜は目的とする基体以外の
部分、例えば真空チャンバー壁体３の内壁や真空チャン
バーの一部を構成している円筒状のカソード電極ｌの内
面等にも堆積する。これら目的とする基体以外に堆積す
る堆積膜は剥離しやすく、次回の堆積膜形成時の汚れや
ゴミの発生原因等となる。そのため、基体を交換しなが
ら連続して堆積膜を形成する際には、堆積膜の品質を低
下させないために、基体を交換するたびに基体以外に付
着した堆積膜を取り除く必要があり、したがって、基体
を交換するというだけの作業では、連続した生産がおこ
なえず量産性の向上を図ることができないという欠点が
あった。中でも基体と対向する電極の基体側の面には、
多くのラジカルが付着し、堆積する。そのため連続生産
を行う際には基体−Ｆに形成される堆積膜の品質を低下
させないために、これらの堆積膜を除去してやる必要が
あった。
（３）発明の開示
本発明は、これらの事実に鑑み成されたものであって１
本発明の主な目的は、上記のような従来型プラズマＣＶ
Ｄ装置のもつ欠点を解消し、低コストで連続生産を可能
とする新規なプラズマＣＶＤ装置を提供する事にある。
本発明の主な目的は、上記のような従来型プラズマＣＶ
Ｄ装置のもつ欠点を解消し、低コストで連続生産を可能
とする新規なプラズマＣＶＤ装置を提供する事にある。
本発明の上記目的は、下記のプラズマＣＶＤ装置によっ
て達成される、 基体と電極との間の空間に放電を生起させ、基体上に堆
積膜を形成させるプラズマＣＶＤ装置に於いて、電極の
放電に寄与する面側に、電極と電気的に接触する補助部
材を設け、該補助部材が電極として作用し且つ脱着可能
である事を特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
て達成される、 基体と電極との間の空間に放電を生起させ、基体上に堆
積膜を形成させるプラズマＣＶＤ装置に於いて、電極の
放電に寄与する面側に、電極と電気的に接触する補助部
材を設け、該補助部材が電極として作用し且つ脱着可能
である事を特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
すなわち本発明のプラズマＣＶＤ装置の特長とするとこ
ろは、上記の如き交換が容易な補助部材を設けることで
、従来基体の交換のたび毎に必要であったゴミ等の除去
作業を補助部材を交換するだけという簡単な作業で行え
るようにし、高品質で低コストな製品を連続生産できる
ようにしたことにある。
ろは、上記の如き交換が容易な補助部材を設けることで
、従来基体の交換のたび毎に必要であったゴミ等の除去
作業を補助部材を交換するだけという簡単な作業で行え
るようにし、高品質で低コストな製品を連続生産できる
ようにしたことにある。
（４）発明実施するための最良の形態
本発明における補助部材は、その材質としては、ステン
レス、アルミニウム等の導電性を有する材料が使用でき
るものとして挙げられるが、常に交換して使用する必要
があるので低価格なものが好ましい。また、その構成上
、特に強度を必要とすることはないので、補助部材の厚
さとじては、交換の容易ごや価格等の点から２ｍｍ以下
が適当である。
レス、アルミニウム等の導電性を有する材料が使用でき
るものとして挙げられるが、常に交換して使用する必要
があるので低価格なものが好ましい。また、その構成上
、特に強度を必要とすることはないので、補助部材の厚
さとじては、交換の容易ごや価格等の点から２ｍｍ以下
が適当である。
以下、実施例装置に基づいて図面も参照しながら本発明
の詳細な説明する。
の詳細な説明する。
尚、以下の説明に於いては、主として堆積膜を形成する
基体を電子写真用円筒状基体（ドラＪ、）とした実施例
について本発明を説明するが１本発明装置は、長方形の
基体を円筒状の対向電極上に多角形を成すように配置し
、アモルファス感光体膜や演算素子用アモルファス半導
体膜を堆積する目的にも利用することができ、また、金
型、バイト等の摩擦し易い工具等の表面に超硬質膜を堆
積することによって、＃摩擦性を向上させ、寿命を延ば
す目的にも利用することもできる。また、本発明におけ
る放電としては、グロー放電やアーク放電等があり、以
下の例では主としてグロー放電による場合について説明
するが、アーク放電等についても同様の事が言える。
基体を電子写真用円筒状基体（ドラＪ、）とした実施例
について本発明を説明するが１本発明装置は、長方形の
基体を円筒状の対向電極上に多角形を成すように配置し
、アモルファス感光体膜や演算素子用アモルファス半導
体膜を堆積する目的にも利用することができ、また、金
型、バイト等の摩擦し易い工具等の表面に超硬質膜を堆
積することによって、＃摩擦性を向上させ、寿命を延ば
す目的にも利用することもできる。また、本発明におけ
る放電としては、グロー放電やアーク放電等があり、以
下の例では主としてグロー放電による場合について説明
するが、アーク放電等についても同様の事が言える。
第２図は、本発明に係るプラズマＣＶＤ装置の第１の実
施例であり、その縦断面図を示す。第２図中、第１図に
示す装置に於ける部分と同様の部分は同じ参照数字によ
って指示しである。第２図中１は真空チャン／へ一を構
成している円筒状のカソード−極、２は該真空チャンバ
ーの中心軸の周りに回転するようにこれと同心に配置さ
れた対向電極たるアノード電極を構成している円筒状の
基体、３及び３′は該真空チャンバーの壁体、４及び４
′は該壁体を該カソード電極から絶縁するためのドーナ
ツ形の絶縁ガイシ、５は高周波電源、６は原料ガス供給
パイプ、７は排気方向、８はヒーター、９は上記円筒状
の基体を回転するモータ、１０はアース、１１は真空計
、１２はメインバルブ、１３はリークバルブ、１４はシ
ールド板、１５はマスフローコントローラー、１Ｂはカ
ソード電極ｌに接触するように設けられた補助部材を示
す。
施例であり、その縦断面図を示す。第２図中、第１図に
示す装置に於ける部分と同様の部分は同じ参照数字によ
って指示しである。第２図中１は真空チャン／へ一を構
成している円筒状のカソード−極、２は該真空チャンバ
ーの中心軸の周りに回転するようにこれと同心に配置さ
れた対向電極たるアノード電極を構成している円筒状の
基体、３及び３′は該真空チャンバーの壁体、４及び４
′は該壁体を該カソード電極から絶縁するためのドーナ
ツ形の絶縁ガイシ、５は高周波電源、６は原料ガス供給
パイプ、７は排気方向、８はヒーター、９は上記円筒状
の基体を回転するモータ、１０はアース、１１は真空計
、１２はメインバルブ、１３はリークバルブ、１４はシ
ールド板、１５はマスフローコントローラー、１Ｂはカ
ソード電極ｌに接触するように設けられた補助部材を示
す。
補助部材１Ｇは、カソード電極ｌに接触することでカソ
ード電極としての作用をなす。本例では、補助部材１６
を厚さ１ｍｍのステンレス製の円筒とし、外径をカソー
ド電極１の内径と同じにすることで、カソード電極ｌの
内面（基体２の側の面）全面と接触するようにしている
。本発明の目的を達成するために補助部材１６を設ける
部分としては、電極、本例の場合はアノード電極２が基
体を兼ねているのでカソード電極１の放電に寄与する側
の面（すなわちカソード電極１のアノード電極２側の面
）に補助部材１Ｂを設けるだけで十分であるが、本例で
は、真空チャンバー壁体３で不要の堆積膜が形成される
のをも防ＩＦするために、補助部材１６の形状を第２図
のように真空チャンバー壁体３をも覆う形状としである
。更に補助部材１８の着脱を容易にするために、基体２
の固定及び回転を行うモータ部を基体２の真空チャンバ
ーへの出入り側（本例では、真空チャンバー壁体３側）
と反対側に設けである。補助基体１の脱着は、真空チャ
ンバー壁体３に吊すことにより行う（不図示）。
ード電極としての作用をなす。本例では、補助部材１６
を厚さ１ｍｍのステンレス製の円筒とし、外径をカソー
ド電極１の内径と同じにすることで、カソード電極ｌの
内面（基体２の側の面）全面と接触するようにしている
。本発明の目的を達成するために補助部材１６を設ける
部分としては、電極、本例の場合はアノード電極２が基
体を兼ねているのでカソード電極１の放電に寄与する側
の面（すなわちカソード電極１のアノード電極２側の面
）に補助部材１Ｂを設けるだけで十分であるが、本例で
は、真空チャンバー壁体３で不要の堆積膜が形成される
のをも防ＩＦするために、補助部材１６の形状を第２図
のように真空チャンバー壁体３をも覆う形状としである
。更に補助部材１８の着脱を容易にするために、基体２
の固定及び回転を行うモータ部を基体２の真空チャンバ
ーへの出入り側（本例では、真空チャンバー壁体３側）
と反対側に設けである。補助基体１の脱着は、真空チャ
ンバー壁体３に吊すことにより行う（不図示）。
上記例では、補助部材１６をカソード電極ｌの全面と接
触するようにした場合を示したが、必ずしも上記の如く
カソード電極１の全面と接触させる必要はなく、その一
部のみを接触させることで補助部材１６に電極作用を持
たせることも可能である。例えば、円筒状でその外径が
カソード電極１の内径よりも小さいものを使用する場合
には、カソード電極１の排気側に端面（第２図の排気側
の絶縁ガイシ４′の付近の面）に、補助部材ＩＢを設置
し得る程度の張り出しを設けることで、補助部材１６と
カソード電極１を接触させる等の方法が可能である。上
記のような方法によれば、補助部材１６の脱着も容易で
ある。
触するようにした場合を示したが、必ずしも上記の如く
カソード電極１の全面と接触させる必要はなく、その一
部のみを接触させることで補助部材１６に電極作用を持
たせることも可能である。例えば、円筒状でその外径が
カソード電極１の内径よりも小さいものを使用する場合
には、カソード電極１の排気側に端面（第２図の排気側
の絶縁ガイシ４′の付近の面）に、補助部材ＩＢを設置
し得る程度の張り出しを設けることで、補助部材１６と
カソード電極１を接触させる等の方法が可能である。上
記のような方法によれば、補助部材１６の脱着も容易で
ある。
また、補助部材１６の脱着方法としては、例えば、Ｌ記
の如き吊る方法や張り出しを設ける方法の他、導電性の
リング等を補助部材１６とカソード電極１との間に設け
る方法等を、カソード電極１と補助部材１６との接触方
法等に合せ適宜選択することが可能である。
の如き吊る方法や張り出しを設ける方法の他、導電性の
リング等を補助部材１６とカソード電極１との間に設け
る方法等を、カソード電極１と補助部材１６との接触方
法等に合せ適宜選択することが可能である。
次に、上記の装置の各部の動作を順を追って説明する。
まず、真空チャンへ−内に円筒状の基体２をセットした
後、補助部材１８をセットする。次に、排気系７によっ
てチャンバー内を真空にする。一般に排気系には、所用
到達真空度と生産性との兼ね合いで、ロータリーポンプ
、メカニカルブースターポンプ、ディフュージョンポン
プまたはそれらを組み合わせたものが使用される。チャ
ンバー内を真空にするのと同時に基体２をヒーター８に
よって加熱し、基体２をモータ９に連結された回転軸に
よって通常数〜数十秒回転し、基体の温度分布を均一に
する。この時、ヒーターは固定されている。基体温度が
一定になったら、ガス供給バイブロから原料ガスを真空
チャンバー内に供給する。真空チャンバー内にガスが安
定して供給されている状態で、高周波電源５によりカソ
ード、電極１に高周波電圧を印加し、アース設置された
アノード電極を兼ねる基体２と補助部材１６との間でグ
ロー放電を発生させ、カソード電極として作用する補助
部材１６から飛び出した電子のガス分子への衝突により
、ガス分子をラジカル反応させて基体上に堆積され、堆
Ｍ膜を成膜させる。
後、補助部材１８をセットする。次に、排気系７によっ
てチャンバー内を真空にする。一般に排気系には、所用
到達真空度と生産性との兼ね合いで、ロータリーポンプ
、メカニカルブースターポンプ、ディフュージョンポン
プまたはそれらを組み合わせたものが使用される。チャ
ンバー内を真空にするのと同時に基体２をヒーター８に
よって加熱し、基体２をモータ９に連結された回転軸に
よって通常数〜数十秒回転し、基体の温度分布を均一に
する。この時、ヒーターは固定されている。基体温度が
一定になったら、ガス供給バイブロから原料ガスを真空
チャンバー内に供給する。真空チャンバー内にガスが安
定して供給されている状態で、高周波電源５によりカソ
ード、電極１に高周波電圧を印加し、アース設置された
アノード電極を兼ねる基体２と補助部材１６との間でグ
ロー放電を発生させ、カソード電極として作用する補助
部材１６から飛び出した電子のガス分子への衝突により
、ガス分子をラジカル反応させて基体上に堆積され、堆
Ｍ膜を成膜させる。
成膜後、補助部材１６及び基体ｌを交換し、上記の操作
を行うことで、連続的に所望の堆積膜を所望の基体上に
成膜することができる。
を行うことで、連続的に所望の堆積膜を所望の基体上に
成膜することができる。
上記例では電極がチャンバー壁体の一部を兼ねる場合を
示したが、以下に本発明の別の実施態様として、電極が
真空チャンバー内に配置されている諸例を、第３図ない
し第５図に示し、本発明について更に詳しく説明する。
示したが、以下に本発明の別の実施態様として、電極が
真空チャンバー内に配置されている諸例を、第３図ない
し第５図に示し、本発明について更に詳しく説明する。
第３図は、本発明に係るプラズマＣＶＤ装置の第２の実
施例であり、第３図（ａ）にはその斜視図を、第３図（
ｂ）にはこれを第３図（ａ）に示した原料ガス導入方向
から見た図を示す。本例における電極は、半月状の２枚
のカソード電極１７．１７’の間に、アノード電極を兼
ねる円筒状の基体１８が真空チャンバー（電極部を明示
するため点線で示しである）１８内に配設される構成と
なっている。
施例であり、第３図（ａ）にはその斜視図を、第３図（
ｂ）にはこれを第３図（ａ）に示した原料ガス導入方向
から見た図を示す。本例における電極は、半月状の２枚
のカソード電極１７．１７’の間に、アノード電極を兼
ねる円筒状の基体１８が真空チャンバー（電極部を明示
するため点線で示しである）１８内に配設される構成と
なっている。
２０．２０′ は補助部材であり、アノード電極１８が
基体を兼ねているためカソード電極１７．１７′ のア
ノード電極１８側の面にそれぞれに、これ等と接触し電
極として作用するように設けられている。これら補助部
材２０．２０′の電極への固定は、ビス止め等の着脱可
能な固定手段による。
基体を兼ねているためカソード電極１７．１７′ のア
ノード電極１８側の面にそれぞれに、これ等と接触し電
極として作用するように設けられている。これら補助部
材２０．２０′の電極への固定は、ビス止め等の着脱可
能な固定手段による。
本例では、カソード電極１７．１７′のアノード電極１
８側の面のみに補助部材２０．２０′ を設けたが、カ
ソード電極１７．１７′の背面（すなわちアノード電極
１８と反対側の面）や側面（すなわち前記２面以外の電
極面）にビス止め等の固定手段により着脱可能とされた
補助部材を設けることも可能である。また、第２図にお
けると同様に真空チャンバーを構成する壁体の電極側の
面にも着脱可能な補助部材を設けてもよい。電極の放電
に寄与する面以外に設けられるこれ等の補助部材には、
前述の導電性材料の他、ガラス、塩化ビニール等の絶縁
性材料も使用しうるちのである。また、本例では真空チ
ャンバー１９の形状を円筒形としであるが、カソード電
極１８が真空チャンバー１９内に設けられるので、真空
チャンバー形状は箱状等の所望の形状とし得る。また、
本例の電極構成によれば、基体を持ち上げることなく横
にスライドするだけで移動することが可能である。
８側の面のみに補助部材２０．２０′ を設けたが、カ
ソード電極１７．１７′の背面（すなわちアノード電極
１８と反対側の面）や側面（すなわち前記２面以外の電
極面）にビス止め等の固定手段により着脱可能とされた
補助部材を設けることも可能である。また、第２図にお
けると同様に真空チャンバーを構成する壁体の電極側の
面にも着脱可能な補助部材を設けてもよい。電極の放電
に寄与する面以外に設けられるこれ等の補助部材には、
前述の導電性材料の他、ガラス、塩化ビニール等の絶縁
性材料も使用しうるちのである。また、本例では真空チ
ャンバー１９の形状を円筒形としであるが、カソード電
極１８が真空チャンバー１９内に設けられるので、真空
チャンバー形状は箱状等の所望の形状とし得る。また、
本例の電極構成によれば、基体を持ち上げることなく横
にスライドするだけで移動することが可能である。
第４図は、本発明に係るプラズマＣＶＤ装置の第３の実
施例であり、その縦断面図を示す。本例における電極は
平行平盤状とされており、２１がカソード電極、２２は
アノード電極である。アノード電極２２には平板状の基
体２６が設置されてし）る。
施例であり、その縦断面図を示す。本例における電極は
平行平盤状とされており、２１がカソード電極、２２は
アノード電極である。アノード電極２２には平板状の基
体２６が設置されてし）る。
２３．２３′が補助部材である。
本例の補助部材２３．２３′は、電極の放電に寄与する
面すなわちカソード電極２１とアノード電極２２の対向
する側の面に設けられている。アノード電極２２には基
体２６が設置されるので、補助部材２３′はその部分を
除く形状としである。本例の場合にも、第３図における
と同様、これ以外の部分に補助部材を設けることが可能
である。
面すなわちカソード電極２１とアノード電極２２の対向
する側の面に設けられている。アノード電極２２には基
体２６が設置されるので、補助部材２３′はその部分を
除く形状としである。本例の場合にも、第３図における
と同様、これ以外の部分に補助部材を設けることが可能
である。
第５図は、本発明に係るプラズマＣＶＤ装置の第４の実
施例であり、その縦断面図を示す。本例における電極は
、カソード電極２７が円盤状、アノード電極２８がこれ
と同形状でしかもメ・ンシュ状とされている。基体２８
は、両電極によって形成される放電空間外に設置されて
いる。両電極間の放電により形成されたラジカルは、ア
ノード電極２８のメツシュ部を通りぬけて基体２８−ヒ
に堆積する。
施例であり、その縦断面図を示す。本例における電極は
、カソード電極２７が円盤状、アノード電極２８がこれ
と同形状でしかもメ・ンシュ状とされている。基体２８
は、両電極によって形成される放電空間外に設置されて
いる。両電極間の放電により形成されたラジカルは、ア
ノード電極２８のメツシュ部を通りぬけて基体２８−ヒ
に堆積する。
３１．３１’が補助部材であり、対向する両電極の対向
面の形状と同形状とされている。本例の場合にも、第３
図におけると同様、これ以外の部分に補助部材を設けて
もよい。
面の形状と同形状とされている。本例の場合にも、第３
図におけると同様、これ以外の部分に補助部材を設けて
もよい。
以上、第２図ないし第５図に示した本発明のプラズマＣ
ＶＤ装置に原料ガスを導入し、基体（アルミ製）の温度
を １００℃〜３５０℃に保ち１３．５８ＭＨｚの高周
波電源によりカソード電極に高周波電圧を印加して成膜
を行なった。基体及び補助部材を取り替えるだけの操作
で、連続して基体上に成膜を行ったが、どの場合にも順
調なグロー放電が継続され、電子写真用の感光体として
均一性の高い成膜を低コストで歩留り良〈実施すること
ができた。なお、原料ガスとしては、アモルファスシリ
コン成膜材料としてのシラン（ＳｉＨ＝、Ｓ ＋２ Ｈ
＆、Ｓ １３Ｖｂ 、Ｓ １４ Ｈｉｏ ）の他、ベー
スガスとしての比、希ガス、フ・ンン導入用のＳ ｉ
Ｆｌ、ｐまたはｎ伝導の制御用のＢ２ Ｈｓ、ＰＨ３、
Ａｓ）ｂ、窒素ドープ用のＮｌ、ＮＨ３，酸素ドープ用
のＮ２０．ＮＯ１炭素ドープ用の炭化水素例えばＣ）（
４、Ｃ２）（４等をはじめ、その他のプラズマＣｖＤに
よってドーピング可能なものとして知られている各種ガ
スを、マスフローコントローラー等に用いて所定の比率
で混合したものを使用した。
ＶＤ装置に原料ガスを導入し、基体（アルミ製）の温度
を １００℃〜３５０℃に保ち１３．５８ＭＨｚの高周
波電源によりカソード電極に高周波電圧を印加して成膜
を行なった。基体及び補助部材を取り替えるだけの操作
で、連続して基体上に成膜を行ったが、どの場合にも順
調なグロー放電が継続され、電子写真用の感光体として
均一性の高い成膜を低コストで歩留り良〈実施すること
ができた。なお、原料ガスとしては、アモルファスシリ
コン成膜材料としてのシラン（ＳｉＨ＝、Ｓ ＋２ Ｈ
＆、Ｓ １３Ｖｂ 、Ｓ １４ Ｈｉｏ ）の他、ベー
スガスとしての比、希ガス、フ・ンン導入用のＳ ｉ
Ｆｌ、ｐまたはｎ伝導の制御用のＢ２ Ｈｓ、ＰＨ３、
Ａｓ）ｂ、窒素ドープ用のＮｌ、ＮＨ３，酸素ドープ用
のＮ２０．ＮＯ１炭素ドープ用の炭化水素例えばＣ）（
４、Ｃ２）（４等をはじめ、その他のプラズマＣｖＤに
よってドーピング可能なものとして知られている各種ガ
スを、マスフローコントローラー等に用いて所定の比率
で混合したものを使用した。
以上説明した如く、本発明のプラズマＣＶＤ装置によれ
ば、不要な堆積物を補助部材に付着させ、基体を交換す
るたび毎にこれを新しい補助部材と交換するので、従来
型プラズマＣＶＤ装置のように付着物の掃除をする必要
がなく、付着物の取り残しによるゴミの発生や汚染物の
基体への付着を防止することができ、品質的に安定な製
品を低コストでしかも連続的に生産することが可能とな
った。
ば、不要な堆積物を補助部材に付着させ、基体を交換す
るたび毎にこれを新しい補助部材と交換するので、従来
型プラズマＣＶＤ装置のように付着物の掃除をする必要
がなく、付着物の取り残しによるゴミの発生や汚染物の
基体への付着を防止することができ、品質的に安定な製
品を低コストでしかも連続的に生産することが可能とな
った。
第１図は、従来型の円筒形プラズマＣＶＤ装置、第２図
ないし第５図は本発明に係るプラズマＣＶＤ装置の実施
例である。 １ 、１．？、 １７’ 、 ２１．２？・・・ カソ
ード電極２ 、２６．２８ ・・・ ・・・ ・・・
基体３．３′・・・ ・・・ ・・・ ・・・ 真空チ
ャンバー壁体４．４′・・・ ・・・ ・・・ ・・・
絶縁ガイシ５ ・・・ ・・・ ・・・ ・・・ ・
・・ 高周波電源６ ・・・ ・・・ ・・・ ・・・
・・・ 原料ガス供給パイプ７ 、２５’ 、 ３２
′、 ３３’・・・ 排気方向８ ・・・ ・・・ ・
・・ ・・・ ・・・ ヒーター９ ・・・ ・・・
・・・ ・・・ ・・・ モータ１０ ・・・ ・・・
・・・ ・・・ ・・・ アース１１ ・・・ ・・
・ ・・・ ・・・ ・・・ 真空計１２ ・・・ ・
・・ ・・・ ・・・ ・・・ ガス排気メインバルブ
１３ ・・・ ・・・ ・・・ ・・・ ・・・ リー
クバルブ１４ ・・・ ・・・ ・・・ ・・・ ・・
・ シールド板１５ ・・・ ・・・ ・・・ ・・・
マスフローコントローラー１Ｂ、 ２０．２０” 、
２３．２３’ 、 ３１．３１’・・・ 補助部材 １８、２２．２８ ・・・ ・・・ ・・・ アノード
電極１９、２４．３０ ・・・ ・・・ ・・・ 真空
チャンバー２５、３２．３３ ・・・ ・・・ ・・・
原料ガス導入方向第 １ 図 第２図
ないし第５図は本発明に係るプラズマＣＶＤ装置の実施
例である。 １ 、１．？、 １７’ 、 ２１．２？・・・ カソ
ード電極２ 、２６．２８ ・・・ ・・・ ・・・
基体３．３′・・・ ・・・ ・・・ ・・・ 真空チ
ャンバー壁体４．４′・・・ ・・・ ・・・ ・・・
絶縁ガイシ５ ・・・ ・・・ ・・・ ・・・ ・
・・ 高周波電源６ ・・・ ・・・ ・・・ ・・・
・・・ 原料ガス供給パイプ７ 、２５’ 、 ３２
′、 ３３’・・・ 排気方向８ ・・・ ・・・ ・
・・ ・・・ ・・・ ヒーター９ ・・・ ・・・
・・・ ・・・ ・・・ モータ１０ ・・・ ・・・
・・・ ・・・ ・・・ アース１１ ・・・ ・・
・ ・・・ ・・・ ・・・ 真空計１２ ・・・ ・
・・ ・・・ ・・・ ・・・ ガス排気メインバルブ
１３ ・・・ ・・・ ・・・ ・・・ ・・・ リー
クバルブ１４ ・・・ ・・・ ・・・ ・・・ ・・
・ シールド板１５ ・・・ ・・・ ・・・ ・・・
マスフローコントローラー１Ｂ、 ２０．２０” 、
２３．２３’ 、 ３１．３１’・・・ 補助部材 １８、２２．２８ ・・・ ・・・ ・・・ アノード
電極１９、２４．３０ ・・・ ・・・ ・・・ 真空
チャンバー２５、３２．３３ ・・・ ・・・ ・・・
原料ガス導入方向第 １ 図 第２図
Claims (1)
- 基体と電極との間の空間に放電を生起させ、基体上に堆
積膜を形成させるプラズマＣＶＤ装置に於いて、電極の
放電に寄与する面側に、電極と電気的に接触する補助部
材を設け、該補助部材が電極として作用し且つ脱着可能
である事を特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59009518A JPS60155676A (ja) | 1984-01-24 | 1984-01-24 | プラズマｃｖｄ装置 |
| US07/397,353 US4998968A (en) | 1984-01-24 | 1989-08-23 | Plasma CVD apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59009518A JPS60155676A (ja) | 1984-01-24 | 1984-01-24 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60155676A true JPS60155676A (ja) | 1985-08-15 |
Family
ID=11722476
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59009518A Pending JPS60155676A (ja) | 1984-01-24 | 1984-01-24 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4998968A (ja) |
| JP (1) | JPS60155676A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63241184A (ja) * | 1987-03-27 | 1988-10-06 | Kyocera Corp | グロ−放電分解装置 |
| JP2001323376A (ja) * | 2000-03-06 | 2001-11-22 | Canon Inc | 堆積膜の形成装置 |
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| JPH0653151A (ja) * | 1992-06-03 | 1994-02-25 | Showa Shell Sekiyu Kk | アモルファスシリコン薄膜およびそれを応用した太陽電池 |
| JP3387616B2 (ja) * | 1994-04-18 | 2003-03-17 | キヤノン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| EP0724026B1 (de) * | 1995-01-25 | 1999-10-13 | Balzers Aktiengesellschaft | Verfahren zur reaktiven Schichtabscheidung |
| US5753045A (en) * | 1995-01-25 | 1998-05-19 | Balzers Aktiengesellschaft | Vacuum treatment system for homogeneous workpiece processing |
| US6406760B1 (en) | 1996-06-10 | 2002-06-18 | Celestech, Inc. | Diamond film deposition on substrate arrays |
| US6173672B1 (en) | 1997-06-06 | 2001-01-16 | Celestech, Inc. | Diamond film deposition on substrate arrays |
| US6121532A (en) * | 1998-01-28 | 2000-09-19 | Kay; Stephen R. | Method and apparatus for creating a melodic repeated effect |
| USD433301S (en) * | 1999-02-26 | 2000-11-07 | Carl E Pack | Hot glue gun stand |
| JP4066292B2 (ja) * | 1999-06-09 | 2008-03-26 | 株式会社小糸製作所 | 自動車用プラスチック部品の保護膜形成方法 |
| KR100320198B1 (ko) * | 1999-08-21 | 2002-03-13 | 구자홍 | 메쉬 형태의 전극이 설치된 플라즈마중합처리장치 |
| JP3861069B2 (ja) * | 2003-05-02 | 2006-12-20 | 有限会社真空実験室 | 加熱装置及び加熱方法 |
| US9293303B2 (en) * | 2013-08-30 | 2016-03-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Low contamination chamber for surface activation |
Family Cites Families (7)
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| US4223048A (en) * | 1978-08-07 | 1980-09-16 | Pacific Western Systems | Plasma enhanced chemical vapor processing of semiconductive wafers |
| JPS57186321A (en) * | 1981-05-12 | 1982-11-16 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | Producing method for amorphous silicon film |
| US4379943A (en) * | 1981-12-14 | 1983-04-12 | Energy Conversion Devices, Inc. | Current enhanced photovoltaic device |
| US4452686A (en) * | 1982-03-22 | 1984-06-05 | Axenov Ivan I | Arc plasma generator and a plasma arc apparatus for treating the surfaces of work-pieces, incorporating the same arc plasma generator |
| US4462333A (en) * | 1982-10-27 | 1984-07-31 | Energy Conversion Devices, Inc. | Process gas introduction, confinement and evacuation system for glow discharge deposition apparatus |
| US4616597A (en) * | 1984-10-31 | 1986-10-14 | Rca Corporation | Apparatus for making a plasma coating |
| US4576830A (en) * | 1984-11-05 | 1986-03-18 | Chronar Corp. | Deposition of materials |
-
1984
- 1984-01-24 JP JP59009518A patent/JPS60155676A/ja active Pending
-
1989
- 1989-08-23 US US07/397,353 patent/US4998968A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63241184A (ja) * | 1987-03-27 | 1988-10-06 | Kyocera Corp | グロ−放電分解装置 |
| JP2001323376A (ja) * | 2000-03-06 | 2001-11-22 | Canon Inc | 堆積膜の形成装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4998968A (en) | 1991-03-12 |
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