JPS63241184A - グロ−放電分解装置 - Google Patents
グロ−放電分解装置Info
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- JPS63241184A JPS63241184A JP62075000A JP7500087A JPS63241184A JP S63241184 A JPS63241184 A JP S63241184A JP 62075000 A JP62075000 A JP 62075000A JP 7500087 A JP7500087 A JP 7500087A JP S63241184 A JPS63241184 A JP S63241184A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、例えばアモルファスシリコンから成る電子写
真感光体ドラムを製造するためのグロー放電分解装置に
関し、詳細にはこのドラムの周面に亘って均質に成膜す
ることができるグロー放電分解装置に関するものである
。
真感光体ドラムを製造するためのグロー放電分解装置に
関し、詳細にはこのドラムの周面に亘って均質に成膜す
ることができるグロー放電分解装置に関するものである
。
今日、アモルファスシリコンを光導電層とした電子写真
感光体が実用化されており、その優れた耐摩耗性、耐熱
性及び光感度特性並びに無公害性等々によって急速に市
場に浸透しつつある。
感光体が実用化されており、その優れた耐摩耗性、耐熱
性及び光感度特性並びに無公害性等々によって急速に市
場に浸透しつつある。
この電子写真感光体はグロー放電分解法によって形成さ
れるが、その形状はドラム状であり、そのためにドラム
周面会体に亘って均質なアモルファスシリコンＮ（以下
、アモルファスシリコンをａ−５ｉと略す）を形成する
のが難しく、これにより、感光体ドラムの周面全体に亘
って電子写真特性が均等にならず、画像形成して得られ
た画面には品質上ムラが生じるという問題がある。
れるが、その形状はドラム状であり、そのためにドラム
周面会体に亘って均質なアモルファスシリコンＮ（以下
、アモルファスシリコンをａ−５ｉと略す）を形成する
のが難しく、これにより、感光体ドラムの周面全体に亘
って電子写真特性が均等にならず、画像形成して得られ
た画面には品質上ムラが生じるという問題がある。
この問題を第２図に示したグロー放電分解装置で説明す
ると、以下の通りである。
ると、以下の通りである。
即ち、ｌは円筒形状の反応容器、１ａはその蓋体、ｌｂ
はその周壁であり、２は円筒形状のグロー放電用電極板
であり、３は筒状の導電性基板支持体、４は成膜用筒状
基板であってこの基板４は基板支持体３の鍔部３ａにＲ
置され、両者の周面は相互にゆるやかに接触して電気的
に導通しておリ、そして、蓋体１ａの上に付設されたモ
ーター５により回転軸６を介して基板支持体３が回転駆
動され、これに伴って筒状基板４も回転可能となる。ま
た、基板支持体３、回転軸６、蓋体１ａ及び周壁１ｂは
電気的に導通しており、周壁１ｂに付設された電力入力
用端子７とグロー放電用電極板に付設された電力入力用
端子８は高周波電源９に接続され、このような電力印加
系のもとでグロー放電用電極板２と基板４の間でグロー
放電が発生する。尚、１０，１１は電極板２と反応容器
ｌを電気的に絶縁するリング体である。
はその周壁であり、２は円筒形状のグロー放電用電極板
であり、３は筒状の導電性基板支持体、４は成膜用筒状
基板であってこの基板４は基板支持体３の鍔部３ａにＲ
置され、両者の周面は相互にゆるやかに接触して電気的
に導通しておリ、そして、蓋体１ａの上に付設されたモ
ーター５により回転軸６を介して基板支持体３が回転駆
動され、これに伴って筒状基板４も回転可能となる。ま
た、基板支持体３、回転軸６、蓋体１ａ及び周壁１ｂは
電気的に導通しており、周壁１ｂに付設された電力入力
用端子７とグロー放電用電極板に付設された電力入力用
端子８は高周波電源９に接続され、このような電力印加
系のもとでグロー放電用電極板２と基板４の間でグロー
放電が発生する。尚、１０，１１は電極板２と反応容器
ｌを電気的に絶縁するリング体である。
１２はガス導入口、１３はガス排出口であり、ａ−５ｔ
成膜用ガスがガス導入口１２を介して反応容器１の内部
へ導入され、次いで電極板２に貫設された複数個のガス
噴出口１４を介して基板４に向けて噴き出される。
成膜用ガスがガス導入口１２を介して反応容器１の内部
へ導入され、次いで電極板２に貫設された複数個のガス
噴出口１４を介して基板４に向けて噴き出される。
ａ−Ｓｉ感光体ドラムを製作する場合、上記のような電
力印加系及びガス流系の下で基板４が回転駆動され、更
に基板支持体３の内部に形成されたヒータ１５によって
基板４を所定の温度に設定し、グロー放電分解によって
基板２上にａ−Ｓｉ膜が気相成長する。そして、この気
相成長に伴って生じるガス分解残余ガスはガス排出口１
３を介して排出される。尚、図中の矢印はガス流の方向
を表わす。
力印加系及びガス流系の下で基板４が回転駆動され、更
に基板支持体３の内部に形成されたヒータ１５によって
基板４を所定の温度に設定し、グロー放電分解によって
基板２上にａ−Ｓｉ膜が気相成長する。そして、この気
相成長に伴って生じるガス分解残余ガスはガス排出口１
３を介して排出される。尚、図中の矢印はガス流の方向
を表わす。
しかし乍ら、上記のようなグロー放電分解装置によれぼ
、基板４と蓋体１ａの間の空間領域１６で異常放電が発
生し、この放電が基板４の成膜中上部領域４ａにおける
ａ−Ｓｉの成膜に影響し、これにより、基板の成膜面全
体に亘って均質なａ−Ｓｉ膜が形成されず、その面全体
に亘って均等な電子写真特性が得られないという問題が
ある。
、基板４と蓋体１ａの間の空間領域１６で異常放電が発
生し、この放電が基板４の成膜中上部領域４ａにおける
ａ−Ｓｉの成膜に影響し、これにより、基板の成膜面全
体に亘って均質なａ−Ｓｉ膜が形成されず、その面全体
に亘って均等な電子写真特性が得られないという問題が
ある。
また、このグロー放電分解装置によれば、蓋体１ａの下
側面などにグロー放電に伴って生じる汚染物質が膜状又
は粉体となって付着し、ａ−Ｓｉ膜の形成に際してこの
汚染物質が脱落して膜中に入り、これがａ−Ｓｉ膜を異
常成長させたり或いはピンホールを発生させる原因とな
る。
側面などにグロー放電に伴って生じる汚染物質が膜状又
は粉体となって付着し、ａ−Ｓｉ膜の形成に際してこの
汚染物質が脱落して膜中に入り、これがａ−Ｓｉ膜を異
常成長させたり或いはピンホールを発生させる原因とな
る。
従って本発明の目的は叙上の問題点を解決し、基板面に
均質な成膜形成を行い、更に成膜中に異物混入を防止し
、これによって高性能且つ高信頬性の成膜形成ができる
ようになったグロー放電分解装置を提供することにある
。
均質な成膜形成を行い、更に成膜中に異物混入を防止し
、これによって高性能且つ高信頬性の成膜形成ができる
ようになったグロー放電分解装置を提供することにある
。
本発明によれば、成膜用ガスが導入される反応室内部に
筒状基板が設置され、該基板と対向してグロー放電用電
極板が配置されており、基板と電極板の間のグロー放電
によって基板上に成膜するグロー放電分解装置において
、前記基板の上に筒状の補助基体を載置し、更に該補助
基体の上に絶縁部材を前記電極板に接触しないように設
置することを特徴とするグロー放電分解装置が提供され
る。
筒状基板が設置され、該基板と対向してグロー放電用電
極板が配置されており、基板と電極板の間のグロー放電
によって基板上に成膜するグロー放電分解装置において
、前記基板の上に筒状の補助基体を載置し、更に該補助
基体の上に絶縁部材を前記電極板に接触しないように設
置することを特徴とするグロー放電分解装置が提供され
る。
以下、本発明をａ−３ｉ悪感光ドラムを製作することが
できるグロー放電分解装置を例にとって詳細に説明する
。
できるグロー放電分解装置を例にとって詳細に説明する
。
第１図は本発明グロー放電分解装置であり、第２図と同
一個所には同一符号が付しである。
一個所には同一符号が付しである。
第１図に示すグロー放電分解装置は第２図に示す装置に
対して基板と概ね同一の内径を有する補助基体１７を基
板４上に載置し、更にこの補助基体１７の上に円板状の
絶縁部材１８を設置しており、本発明者等はこのように
補助基体１７と絶縁部材１８を組合せて設置し、更に絶
縁部材１８と電極板２に適当な間隔があれば基板面全体
に亘って均質な成膜形成を行うことができることを見い
出した。
対して基板と概ね同一の内径を有する補助基体１７を基
板４上に載置し、更にこの補助基体１７の上に円板状の
絶縁部材１８を設置しており、本発明者等はこのように
補助基体１７と絶縁部材１８を組合せて設置し、更に絶
縁部材１８と電極板２に適当な間隔があれば基板面全体
に亘って均質な成膜形成を行うことができることを見い
出した。
即ち、絶縁部材１８が基板４と反応室上面１ａの間に介
在させている場合、基板４と上面１ａの間で異常放電が
発生しなくなり、そのために基板周面付近の成膜用放電
領域が上記異常放電によって影響を受けなくなる。しか
し乍ら、この絶縁部材１８を介在させただけであれば、
基板上部付近の放電空間に歪みが生じて基板４の上部領
域４ａとそれ以外の成膜領域とで同じ放電空間が形成さ
れないという問題が生じる。従って、補助基体１８を基
板４上に載置すると基板４と絶縁部材１８を適当な間隔
で離すことができ、これによって上部領域４ａとそれ以
外の成膜領域がそれぞれ同じ放電空間と成り得る。
在させている場合、基板４と上面１ａの間で異常放電が
発生しなくなり、そのために基板周面付近の成膜用放電
領域が上記異常放電によって影響を受けなくなる。しか
し乍ら、この絶縁部材１８を介在させただけであれば、
基板上部付近の放電空間に歪みが生じて基板４の上部領
域４ａとそれ以外の成膜領域とで同じ放電空間が形成さ
れないという問題が生じる。従って、補助基体１８を基
板４上に載置すると基板４と絶縁部材１８を適当な間隔
で離すことができ、これによって上部領域４ａとそれ以
外の成膜領域がそれぞれ同じ放電空間と成り得る。
本発明者等は上記補助基体１８の長さについて実験を繰
り返し行ってその適当な大きさを求めたところ、少なく
とも５■以上、望ましくは１０ｍａ＋以上がよいことを
見い出した。
り返し行ってその適当な大きさを求めたところ、少なく
とも５■以上、望ましくは１０ｍａ＋以上がよいことを
見い出した。
更に上記のように補助基体１７と絶縁部材１８を設置す
るに当たって、電極板２の内径と実質上同じ径を有する
円板状絶縁部材１８を用いて両者間を接触させた場合に
は基板上部領域４ａがそれ以外の成膜領域に比べ成膜速
度が大きくなることが判明した。
るに当たって、電極板２の内径と実質上同じ径を有する
円板状絶縁部材１８を用いて両者間を接触させた場合に
は基板上部領域４ａがそれ以外の成膜領域に比べ成膜速
度が大きくなることが判明した。
この点について詳述するならば、本発明者等の実験によ
ると、第３図に示すように電極板２における内部断面の
面積Ｓ、に対する絶縁部材１８における円板面積Ｓ２の
比率、即ちＳＺ／Ｓ＋を幾通りにも変えて上部領域４ａ
と中心領域４ｂのそれぞれのａ−Ｓｉ成膜速度を測定し
たところ、第４図に示す通りの結果が得られた。
ると、第３図に示すように電極板２における内部断面の
面積Ｓ、に対する絶縁部材１８における円板面積Ｓ２の
比率、即ちＳＺ／Ｓ＋を幾通りにも変えて上部領域４ａ
と中心領域４ｂのそれぞれのａ−Ｓｉ成膜速度を測定し
たところ、第４図に示す通りの結果が得られた。
第４図は全長３５８Ｉｌ１１１、外径１０８ｍｍの基板
４を内径１９０ｍｍの電極板２の内部に載置し、更に基
板４上に長さ６０ｍｍの補助基体１７をｗｉ置した場合
の測定結果を示しており、図中、横軸はＳｔ／ＳＩ比率
、縦軸は基板各部値のａ−Ｓｉ膜成長速度であって○印
は基板上部領域４ａ（測定個所二基板の上端より下方５
０ＩＩ１１の個所）における成膜速度プロットであり、
一方の・印は基板中心領域４ｂ及び下部領域４Ｃ（測定
個所：中心領域４ｂは基板全長の中心部であり、下部領
域４Ｃは基板の下端より上方５０ＩＩＩＩ＋）における
成膜速度のプロットであって両者４ｂと４０の、プロッ
トは実質上同一である。また、Ａ、Ｂはそれぞれの特性
曲線である。
４を内径１９０ｍｍの電極板２の内部に載置し、更に基
板４上に長さ６０ｍｍの補助基体１７をｗｉ置した場合
の測定結果を示しており、図中、横軸はＳｔ／ＳＩ比率
、縦軸は基板各部値のａ−Ｓｉ膜成長速度であって○印
は基板上部領域４ａ（測定個所二基板の上端より下方５
０ＩＩ１１の個所）における成膜速度プロットであり、
一方の・印は基板中心領域４ｂ及び下部領域４Ｃ（測定
個所：中心領域４ｂは基板全長の中心部であり、下部領
域４Ｃは基板の下端より上方５０ＩＩＩＩ＋）における
成膜速度のプロットであって両者４ｂと４０の、プロッ
トは実質上同一である。また、Ａ、Ｂはそれぞれの特性
曲線である。
この結果より明らかな通り、ｈ／Ｓ＋が９０％を超える
と各々の基板領域における成長速度に顕著な差が生じる
ことが判る。
と各々の基板領域における成長速度に顕著な差が生じる
ことが判る。
本発明者等が繰り返し行った実験によれば、基板や電極
板の大きさにもよるが、Ｓｔ／Ｓ＋が６０乃至９０％、
好適には７０乃至８５％の範囲内に設定すれば均質成膜
に有利であることを見い出した。
板の大きさにもよるが、Ｓｔ／Ｓ＋が６０乃至９０％、
好適には７０乃至８５％の範囲内に設定すれば均質成膜
に有利であることを見い出した。
また本発明においては、上記絶縁部材１８の材質として
セラミックス、耐熱性プラスチックス、ガラス等々があ
るが、就中、セラミックスが耐熱性、耐摩耗性、耐食性
、高周波電流に対する耐絶縁性等々に優れているという
点で望ましい。
セラミックス、耐熱性プラスチックス、ガラス等々があ
るが、就中、セラミックスが耐熱性、耐摩耗性、耐食性
、高周波電流に対する耐絶縁性等々に優れているという
点で望ましい。
この絶縁部材１８を設置した場合、その下面１８ａには
グロー放電に伴って反応種が堆積し易くなっており、前
述したような成膜欠陥が生じることになるが、この絶縁
部材１８を所定の温度範囲内に加熱すれば、この問題を
解決することができる。
グロー放電に伴って反応種が堆積し易くなっており、前
述したような成膜欠陥が生じることになるが、この絶縁
部材１８を所定の温度範囲内に加熱すれば、この問題を
解決することができる。
即ち、本発明の装置であれば、絶縁部材１８を基板支持
体３の内部に配設したヒータ１５に近接もしくは接触さ
せることができ、これにより、絶縁部材１８が適当な温
度にまで高められ、その結果、下面１８ａ上の成膜体が
剥離しなくなる。
体３の内部に配設したヒータ１５に近接もしくは接触さ
せることができ、これにより、絶縁部材１８が適当な温
度にまで高められ、その結果、下面１８ａ上の成膜体が
剥離しなくなる。
本発明者等の実験によれば、この絶縁部材１８の温度を
１４０乃至４００℃、好適には２００乃至３００℃の範
囲内に設定すれば、上記目的を有利に達成できることを
見い出した。
１４０乃至４００℃、好適には２００乃至３００℃の範
囲内に設定すれば、上記目的を有利に達成できることを
見い出した。
以上の通り、本発明のグロー放電分解装置によれば、基
板面全体に亘って均質に成膜できるように補助基体と絶
縁部材を設置しており、更に絶縁部材を加熱することに
よって成膜中の異物混入を防止しており、これによって
高性能且つ高イε顛の成膜形成ができるグロー放電分解
装置が提供される。
板面全体に亘って均質に成膜できるように補助基体と絶
縁部材を設置しており、更に絶縁部材を加熱することに
よって成膜中の異物混入を防止しており、これによって
高性能且つ高イε顛の成膜形成ができるグロー放電分解
装置が提供される。
尚、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本
発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良
等々は何等差支えない。
発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良
等々は何等差支えない。
第１図は本発明グロー放電分解装置の概略図、第２図は
従来のグロー放電分解装置の概略図、第３図はグロー放
電分解用電極板の内部断面の面積と円板状絶縁部材の面
積との関係を表わす説明図、第４図は第３図にて示す関
係の比率に対する基板各部値の成膜速度を表わす線図で
ある。 １・・・反応容器 ２・・・グロー放電用電極板３・・
・導電性基板支持体 ４・・・成膜用筒状基板 １７・・・補助基体 １８・・・絶縁部材 特許出願人（６６３）京セラ株式会社 代表者安城欽寿 第１図 第４図 ５２／Ｓｔ （％）
従来のグロー放電分解装置の概略図、第３図はグロー放
電分解用電極板の内部断面の面積と円板状絶縁部材の面
積との関係を表わす説明図、第４図は第３図にて示す関
係の比率に対する基板各部値の成膜速度を表わす線図で
ある。 １・・・反応容器 ２・・・グロー放電用電極板３・・
・導電性基板支持体 ４・・・成膜用筒状基板 １７・・・補助基体 １８・・・絶縁部材 特許出願人（６６３）京セラ株式会社 代表者安城欽寿 第１図 第４図 ５２／Ｓｔ （％）
Claims (1)
- 成膜用ガスが導入される反応室内部に筒状基板が設置さ
れ、該基板と対向してグロー放電用電極板が配置されて
おり、基板と電極板の間のグロー放電によって基板上に
成膜するグロー放電分解装置において、前記基板の上に
筒状の補助基体を載置し、更に該補助基体の上に絶縁部
材を前記電極板に接触しないように設置することを特徴
とするグロー放電分解装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62075000A JP2598640B2 (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | グロー放電分解装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62075000A JP2598640B2 (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | グロー放電分解装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63241184A true JPS63241184A (ja) | 1988-10-06 |
| JP2598640B2 JP2598640B2 (ja) | 1997-04-09 |
Family
ID=13563505
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62075000A Expired - Lifetime JP2598640B2 (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | グロー放電分解装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2598640B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998001600A1 (fr) * | 1996-07-08 | 1998-01-15 | Citizen Watch Co., Ltd. | Bague de guidage et procede de formation d'un film sur une bague de guidage |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6086277A (ja) * | 1983-10-18 | 1985-05-15 | Canon Inc | 放電による堆積膜の形成方法 |
| JPS60155676A (ja) * | 1984-01-24 | 1985-08-15 | Canon Inc | プラズマｃｖｄ装置 |
-
1987
- 1987-03-27 JP JP62075000A patent/JP2598640B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6086277A (ja) * | 1983-10-18 | 1985-05-15 | Canon Inc | 放電による堆積膜の形成方法 |
| JPS60155676A (ja) * | 1984-01-24 | 1985-08-15 | Canon Inc | プラズマｃｖｄ装置 |
Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
| WO1998001600A1 (fr) * | 1996-07-08 | 1998-01-15 | Citizen Watch Co., Ltd. | Bague de guidage et procede de formation d'un film sur une bague de guidage |
| US6056443A (en) * | 1996-07-08 | 2000-05-02 | Citizen Watch Co., Ltd. | Guide bush and method of forming film over guide bush |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2598640B2 (ja) | 1997-04-09 |
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