JPH0543095Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は例えばアモルフアスシリコンから成る
電子写真感光体ドラムを製造するためのグロー放
電分解装置に関するものである。

〔従来技術及びその問題点〕

今日、アモルフアスシリコンを光導電層とした
電子写真感光体が実用化されており、その優れた
耐摩耗性、耐熱性及び光感度特性並びに無公害性
等々によつて急速に市場に浸透しつつある。

この電子写真感光体は円筒状基板の周面をグロ
ー放電分解法により成膜して得られるが、その成
膜には基板温度を約300℃に設定しており、その
ため、成膜後に基板温度が室温にまで下降した場
合、アモルフアスシリコン層（以下、アモルフア
スシリコンをａ−Siと略す）と基板の熱膨張率の
差が原因となつて基板端部に応力が集中し、これ
により、基板端部が変形したり或いはその端部付
近に成膜されたａ−Si膜が剥離するという問題が
あつた。

このような問題を解決するために本発明者は既
に昭和62年７月30日の実用新案登録願において、
基板周面の端部にマスク体を設置して該端部が成
膜されないようにしたグロー放電分解装置を提案
した。

しかし乍ら、このグロー放電分解装置において
は、マスク体と基板の間で実質上隙間がないよう
にするためにマスク体の形成に当たつて極めて精
度の高い加工が必要となる。従つて、僅かでも隙
間があるとマスク体内側の基板面上にも成膜され
る。

また、このような隙間をなくすためにアルミニ
ウム製基板に対してステンレス製の熱膨張率が比
較的小さいマスク体を用いることも考えられる
が、その場合にはマスク体に対するａ−Si層の密
着性が劣り、これにより、マスク体上に成膜され
たａ−Si層が剥離し、その結果、その剥離片が膜
中に混入され、成膜欠陥が生じる。

〔考案の目的〕

従つて本考案は叙上の事情に鑑みて完成された
ものであり、その目的は基板端部の変形並びに膜
の剥離が生じないようにしたグロー放電分解装置
を提供することにある。

本考案の他の目的は高精度なマスク体を必要と
せず、製造管理が容易となつて製造効率を高める
ことができたグロー放電分解装置を提供すること
にある。

本考案の更に他の目的は高品質な成膜ができる
グロー放電分解装置を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本考案によれば、成膜用ガスが導入される反応
室内部にアルミニウムから成る円筒状基板が設置
され、該基板と対向してグロー放電用電極板が配
置されており、グロー放電により基板周面上に成
膜されるグロー放電分解装置において、前記基板
周面端部に段差を形成し、アルミニウムから成る
マスク体を該段差に載置して該端部面が成膜され
ないようにしたことを特徴とするグロー放電分解
装置が提供される。

〔実施例〕

以下、本考案をａ−Si感光体ドラムを製作する
ことができるグロー放電分解装置を例にとつて詳
細に説明する。

第１図は本考案グロー放電分解装置であり、第
２図はマスク体であり、第３図はマスク体が載置
された基板端部であり、第４図は感光体ドラムの
端部を示す。

第１図において、１は円筒形状の反応容器、１
ａはその蓋体、１ｂはその周壁であり、２は円筒
形状のグロー放電分解用電極板であり、３は筒状
の導電性基板支持体、４は端部に段差４ａを有す
る成膜用筒状基板であり、この基板４は基板支持
体３の鍔部３ａに載置され、両者の周面は相互に
緩やかに接触して電気的に導通している。そし
て、蓋体１ａの上に付設されたモーター５により
回転軸６を介して基板支持体３が回転駆動され、
これに伴つて筒状基板４が回転する。また、基板
支持体３、回転軸６、蓋体１ａ及び周壁１ｂは電
気的に導通しており、周壁１ｂに付設された電力
入力用端子７とグロー放電用電極板２に付設され
た電力入力用端子８は高周波電源９に接続され、
このような電力印加系のもとでグロー放電用電極
板２と基板４の間でグロー放電が発生する。尚、
１０，１１は電極板２と反応容器１を電気的に絶
縁するリング体である。

１２はガス導入口、１３はガス排出口であり、
ａ−Si成膜用ガスがガス導入口１２を介して反応
容器１の内部へ導入され、次いで、電極板２に貫
設された複数個のガス噴出口１４を介して基板４
に向けて噴き出される。

ａ−Si感光体ドラムを製作する場合、上記のよ
うな電力印加系及びガス流系の下で基板４が回転
駆動され、更に基板支持体３の内部に配置された
ヒータ３ｂによつて基板４を所定の温度に設定
し、グロー放電分解によつて基板４上にａ−Si層
が気相成長される。そして、この気相成長に伴つ
て生じるガス分解残余ガスはガス排出口１３を介
して排出される。尚、図中の矢印はガス流の方向
を表わす。

そして、上記グロー放電分解装置においては、
基板４の上端及び／又は下端にそれぞれリング状
のマスク体１５を挿着しており、基板４の端部面
が成膜されないようにしている。

即ち、マスク体１５は第２図に示すように鍔部
１５ａを有するリング形状を成し、このマスク体
１５が第３図に示すように基板４の段差４ａ上に
載置されている。そして、鍔部１５ａも基板４の
上端に載置されており、これにより、マスク体１
５の内側にａ−Si成膜用ガスが入り込まない。

このように本考案のグロー放電分解装置は、マ
スク体１５を基板端部に載置するだけでよく、そ
のマスク体１５の内径寸法を基板の外形寸法に対
して精度ある調整を必要としない。

また、マスク体１５の外周面には成膜時にａ−
Si層が形成されるが、マスク体１５がアルミニウ
ムから成るためにａ−Si層との密着性に優れてお
り、これにより、そのａ−Si層の剥離が生じな
い。

本発明者は、上記グロー放電分解装置を用いて
成膜し、成膜終了後にマスク体１５を取り外すと
第４図Ａに示すようにａ−Si層１７が形成される
が基板周面端部には非成膜部４ａができることを
確認した。このように成膜された基板４において
はその端部に応力が集中せず、その結果、基板端
部が変形せず、その端部面におけるａ−Si層の剥
離がない。然るに、マスク体１５を用いない従来
のグロー放電分解装置においては、第４図Ｂに示
すように基板端部で変形し、また、ａ−Si層の一
部がＣ箇所で剥離していた。

〔考案の効果〕

以上の通り、本考案のグロー放電分解装置によ
れば、基板周面端部が成膜されず、膜と基板の熱
膨張差が原因となる応力集中がなくなり、これに
より、基板端部の変形並びに膜の剥離がなくなつ
た。

また、本考案のグロー放電分解装置によれば、
高精度なマスク体を必要としないために製造管理
が容易となり、これにより、製造効率を高めて製
造コストを低減させることができる。

更に、このように製造された基板面上の成膜体
には膜の剥離片が混入しなくなり、これによつて
高品質且つ高信頼性の成膜形成ができるグロー放
電分解装置が提供できた。

尚、本考案は上記実施例に限定されず、本考案
の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改
良等は何等差支えない。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案グロー放電分解装置の説明図、
第２図はマスク体の外観図、第３図はマスク体が
載置された基板端部の説明図、第４図Ａはマスク
体を用いて成膜された場合の基板端部の概略図、
第４図Ｂはマスク体を用いなくて成膜された場合
の基板端部の概略図である。 １……反応容器、２……グロー放電用電極板、
４……成膜用筒状基板、４ａ……段差、１５……
マスク体、１５ａ……鍔部。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 成膜用ガスが導入される反応室内部にアルミニ
   ウムから成る円筒状基板が設置され、該基板と対
   向してグロー放電用電極板が配置されており、グ
   ロー放電により基板周面上に成膜されるグロー放
   電分解装置において、前記基板周面端部に段差を
   形成し、アルミニウムから成るマスク体を該段差
   に載置して該端部面が成膜されないようにしたこ
   とを特徴とするグロー放電分解装置。