JPS6140773Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 (a) 考案の技術分野 本考案はプラズマ・化学気相成長装置に係り、
特に円筒型基体の外周面に、プラズマ・化学気相
成長法（プラズマ・CVD法）によつてアモルフ
アスシリコン膜等を形成するに適用される円筒状
電極の改良に関するものである。

(b) 技術の背景 電子複写機や光学プリンタ等の潜像形成用ドラ
ムの光導電膜、例えばアモルフアスシリコン膜、
又はアモルフアス水素化シリコン膜等をプラズ
マ・CVD法により形成することは周知であり、
広く用いられている。

(c) 従来技術と問題点 従来の例えばアモルフアスシリコン膜、又はア
モルフアス水素化シリコン膜等をプラズマ・
CVD法により形成する装置としては、第１図に
示すように、基台１上に気密に設置されたベルジ
ヤ２、内周面に外部より導入した反応原料ガスを
噴出する複数のガス噴出孔４が穿設された円筒状
電極３、加熱ヒータ５、基体ホルダー６が連結さ
れた回転駆動部７、反応原料ガス導入口８、排気
口９、上記円筒状電極３及び基体ホルダー６と電
気的に接続された高周波電源１０等から構成され
ている。

しかして、かかる装置の前記円筒状電極３内に
基体ホルダー６によつて円筒型基体１１を配置し
ベルジヤ２内に真空に排気した後、該基体１１を
加熱ヒータ５で所定温度に加熱する。しかる後反
応原料ガス導入口８より所定の反応原料ガスを導
入して回転駆動軸部７により回転させた円筒型基
体１１と前記電極３とに所定の高周波電力を印加
してプラズマを発生させる。そして該反応原料ガ
スをプラズマにより分解して該円筒型基体の外周
面にアモルフアスシリコン等の薄膜を形成してい
る。

ところが上記アモルフアスシリコン等の薄膜の
形成時に、該薄膜が所望とする円筒型基体１１の
外周面は勿論のこと、前記円筒状電極３及びベル
ジヤ２等の内周面にも形成される。

従つてこのように然記円筒状電極３及びベルジ
ヤ２等の内周面に薄膜が残存した状態で次の基体
に対する膜形成を行うと、残存薄膜の剥離片が円
筒型基体１１の外周面に付着してピンホール等の
一因となつたり、又円筒状電極３ろ内周面の状態
変化に起因して薄膜の形成が不均一化する不都合
があつた。そこで薄形成が一回終了する度毎に前
記円筒状電極３及びベルジヤ２内の不要な残存薄
膜を除去して入念に清浄化することが必要とな
る。しかしながら従来の装置にあつては、前記円
筒状電極３をベルジヤ２内より取り外すことは容
易でなく、円筒状電極３及びベルジヤ２内の清浄
化が極めて煩雑になる欠点を有していた。

(d) 考案の目的 本考案は上記従来の欠点に解消するため、円筒
状電極の構造を、複数のガス噴出孔穿設部分と電
極として主に機能する主電極面部分とを嵌脱可能
に分離した構成にして、膜形成後の前記円筒状電
極及びベルジヤ内の不要な残存膜除去等の清浄化
及び保守を容易にすると共に、円筒型基体の外周
面に形成する薄膜の膜質を向上し得る新規なプラ
ズマ・化学気相成長装置を提供することを目的と
するものである。

(e) 考案の構成 そしてこの目的は本考案によれば、内周面に外
部より導入した反応原料ガスを噴出する複数のガ
ス噴出孔が穿設された円筒状電極の内部に、円筒
型基体が回転自在に配置され、回転する円筒型基
体と前記電極との間で反応原料ガスをプラズマに
より分解して該円筒型基体の外周面に薄膜を形成
させる装置構成において、上記円筒状電極が、該
電極の長さ方向に櫛歯環形状を有する電極主体
と、該電極主体の櫛歯環形状部に対応して嵌合す
る櫛歯環形状部の内面に、外部より導入した反応
原料ガスを噴出する複数のガス噴出孔が穿設され
た電極副体とから成り、該両電極体をその各櫛歯
環形状部で嵌脱自在に組み合わせた電極構成を有
することを特徴とするプラズマ・化学気相成長装
置を提供することによつて達成される。

(f) 考案の実施例 以下図面を用いて本考案の好ましい実施例につ
いて詳細に説明する。

第２図は本考案に係るプラズマ・化学気相成長
装置の円筒状電極の一実施例を示す概略斜視図で
あり、第３図及び第４図は第２図の円筒状電極の
分解概略斜視図である。これらの図から明らかな
ように本考案に係るプラズマ・化学気相成長装置
の円筒状電極２３は、電極主体２３ａを電極副体
２３ｂよりなる。該電極主体２３ａは電極の長さ
方向に櫛歯環形状Ａを有する。一方、電極副体２
３ｂは外部より反応原料ガスを導入するガス導入
管２８が配設され、かつ該電極主体２３ａの櫛歯
環形状部Ａに対応して嵌合する櫛歯環形状部Ｂの
内面に、該ガス導入管２８により流入した反応原
料ガスを図示しないガス流入路を通つて噴出する
複数のガス噴出孔２４が穿設されている。そして
これら電極主体２３ａと電極副体２３ｂとがその
各櫛歯環形状部Ａ，Ｂで嵌脱自在に組み合わせた
電極構造となつている。

従つて上記のように構成された円筒状電極２３
を第１図に示す装置のベルジヤ２内に設置する
（この場合、該円筒状電極２３は該電極２３を構
成する電極副体２３ｂでベルジヤ２に取り付けら
れる）ことにより、膜形成後、前記円筒状電極２
３及びベルジヤ２内の不要な残存薄膜を除去、清
浄化する際に、該円筒状電極２３の内面に於い
て、最も多く薄膜が被着される前記電極主体２３
ａ部分のみを容易に取り外すことが出来るので、
該電極主体２３ａは勿論のこと、電極副体２３ｂ
及びベルジヤ２内面に被着した不要な残存薄膜の
除去、清浄化等を簡単、かつ効率良く行うことが
可能となる。

(g) 考案の効果 以上の説明から明らかなように、本考案に係る
プラズマ・化学気相成長装置によれば、円筒状電
極のガス噴出孔穿設部分以外の電極主体部分が嵌
脱自在な構成となつているので、該円筒状電極及
びベルジヤ内の不要な残存薄膜の除去、清浄化等
を容易に、また効率良く実施することができる利
点を有する。従つて円筒状電極及びベルジヤ内の
不要な薄膜の残存に起因する不均一な膜形成等を
容易に防止することが可能になり、良質の薄膜、
例えば電子複写機、或いは光学プリンタ用等のア
モルフアスシリコン感光膜、又はアモルフアス水
素化シリコン感光膜等を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のプラズマ・化学気相成長装置の
基本構成を示す概略要部断面図、第２図は本考案
に係るプラズマ・化学気相成長装置の円筒状電極
の一実施例を示す概略斜視図、第３図及び第４図
は第２図の円筒状電極の分解概略斜視図である。 図面において、２３は円筒状電極、２３ａは電
極主体、２３ｂ電極副体、２４は複数のガス噴出
孔、２８はガス導入管、Ａ，Ｂは櫛歯環形状部を
示す。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 内周面に外部より導入した反応原料ガスを噴出
   する複数のガス噴出孔が穿設された円筒状電極の
   内部に、円筒型基体を回転自在に配置し、回転す
   る円筒型基体と前記電極との間で反応原料ガスを
   プラズマにより分解して、該円筒型基体の外周面
   に薄膜を形成させる装置構成において、上記円筒
   状電極が、該電極の長さ方向に櫛歯環形状を有す
   る電極主体と、該電極主体の櫛歯環形状部に対応
   して嵌合する櫛歯環形状部の内面に、外部より導
   入した反応原料ガスを噴出する複数のガス噴出孔
   が嵌設された電極副体とから成り、該両電極体を
   その各櫛歯環形状部で嵌脱自在に組み合わせた電
   極構成を有することを特徴とするプラズマ・化学
   気相成長装置。