JPH0285368A - アモルファスシリコン膜の形成方法 - Google Patents
アモルファスシリコン膜の形成方法Info
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- JPH0285368A JPH0285368A JP23369688A JP23369688A JPH0285368A JP H0285368 A JPH0285368 A JP H0285368A JP 23369688 A JP23369688 A JP 23369688A JP 23369688 A JP23369688 A JP 23369688A JP H0285368 A JPH0285368 A JP H0285368A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
電子写真用窓光体製造時における円筒基体上へのアモル
ファスシリコン（ａ−５ｉ）膜の形成方法に関し、 クリーンな状態で良質な成膜が行われるようにすること
を目的とし、 真空容器内で、該真空容器と軸線を一致させて配置され
る基体と同軸にダミーを配置し、前記真空容器内の前記
ダミーの周囲のプラズマ室にプラズマ発生用のガスとマ
イクロ波を導入するとともに該プラズマ室に磁場をかけ
、該ガスをプラズマ化させて該プラズマ室に閉じ込め、
前記プラズマにより活性化されて移動する前記ガスの元
素のラジカルと前記真空容器内の前記基体の周囲の成膜
室に供給されるシリコン含有原料ガスとを反応させて前
記基体の表面への成膜を行うように構成する。
ファスシリコン（ａ−５ｉ）膜の形成方法に関し、 クリーンな状態で良質な成膜が行われるようにすること
を目的とし、 真空容器内で、該真空容器と軸線を一致させて配置され
る基体と同軸にダミーを配置し、前記真空容器内の前記
ダミーの周囲のプラズマ室にプラズマ発生用のガスとマ
イクロ波を導入するとともに該プラズマ室に磁場をかけ
、該ガスをプラズマ化させて該プラズマ室に閉じ込め、
前記プラズマにより活性化されて移動する前記ガスの元
素のラジカルと前記真空容器内の前記基体の周囲の成膜
室に供給されるシリコン含有原料ガスとを反応させて前
記基体の表面への成膜を行うように構成する。
本発明は電子写真用窓光体製造時における円筒状基体上
へのａ −３ｉ膜の形成方法に関する。
へのａ −３ｉ膜の形成方法に関する。
円筒基体上に感光層を形成した感光体の表面を一様に帯
電させ、この上に印字情報に基づきレーザ光等を選択的
に照射し感光層の帯電電位を選択的に減衰させて潜像を
形成した後、これを現像して形成されたトナー像を記録
紙に転写記録する電子写真装置は周知であるが、この場
合に使用される感光体としては、近年、セレン系よりも
、機械的強度の大きいａ −５ｉ膜の感光層を備えたも
のが用いられるようになってきている。
電させ、この上に印字情報に基づきレーザ光等を選択的
に照射し感光層の帯電電位を選択的に減衰させて潜像を
形成した後、これを現像して形成されたトナー像を記録
紙に転写記録する電子写真装置は周知であるが、この場
合に使用される感光体としては、近年、セレン系よりも
、機械的強度の大きいａ −５ｉ膜の感光層を備えたも
のが用いられるようになってきている。
従来、この電子写真用感光体のような大面積円筒基体に
対するａ −Ｓｉ膜の形成は高周波プラズマＣＶＤ法ま
たはマイクロ波プラズマＣＶＤ法により行われているが
、そのための装置及び成膜工程は例えば本出願人により
昭和６２年７月２９日に出願された特願昭６２−１８７
７１０号に開示されている。
対するａ −Ｓｉ膜の形成は高周波プラズマＣＶＤ法ま
たはマイクロ波プラズマＣＶＤ法により行われているが
、そのための装置及び成膜工程は例えば本出願人により
昭和６２年７月２９日に出願された特願昭６２−１８７
７１０号に開示されている。
これらを第３，４図により説明すると次の通りである。
第３図は従来のａ −３ｔ膜膜形成用用波プラズマＣＶ
Ｄ装置の構造説明図で、図中、１００は円筒基体（アル
ミニウム製ドラム）である。この基体１００の表面への
ａ−５ｉ膜の形成は次のように行われる。
Ｄ装置の構造説明図で、図中、１００は円筒基体（アル
ミニウム製ドラム）である。この基体１００の表面への
ａ−５ｉ膜の形成は次のように行われる。
まず、図示のように真空容器１内に基体１００を支持体
２に支持させてセフ）し、真空容器１内をロータリーポ
ンプ３と油拡散ポンプ４とで所定の真空度に排気した後
、メカニカルブースタポンプ５とロータリーポンプ６に
切り替える。排気開始と同時に、回転機構７により支持
台２を介し駆動されて基体１００は回転する。真空度が
所定値に達すると、基体１００はヒータ８により１５０
〜３５０℃に加熱される。９は各ポンプ系に設けられた
真空バルブである。−１真空容器１内には、Ｓ ｉ ｚ
ＩＩ ６ボンベ１０等により反応性ガスがガス流量調
整器１１等を経て導入される。そして、所定の流量、圧
力下で放電電極１２と基体１００間に高周波電源１３に
よってグロー放電を発生させて導入ガスを分解し、これ
により、基体１００上にａＳｉ膜が堆積形成される。１
４は反応性ガス供給系に設けられたバルブである。
２に支持させてセフ）し、真空容器１内をロータリーポ
ンプ３と油拡散ポンプ４とで所定の真空度に排気した後
、メカニカルブースタポンプ５とロータリーポンプ６に
切り替える。排気開始と同時に、回転機構７により支持
台２を介し駆動されて基体１００は回転する。真空度が
所定値に達すると、基体１００はヒータ８により１５０
〜３５０℃に加熱される。９は各ポンプ系に設けられた
真空バルブである。−１真空容器１内には、Ｓ ｉ ｚ
ＩＩ ６ボンベ１０等により反応性ガスがガス流量調
整器１１等を経て導入される。そして、所定の流量、圧
力下で放電電極１２と基体１００間に高周波電源１３に
よってグロー放電を発生させて導入ガスを分解し、これ
により、基体１００上にａＳｉ膜が堆積形成される。１
４は反応性ガス供給系に設けられたバルブである。
また、第４図は従来のａ−３ｔ膜形成用マイクロ波プラ
ズマＣＶＤ装置の構造説明図（第４図（ａｌは平部平面
図、第４図（ｂ）は全体概要を示す正面図）で、図中、
３１は真空容器である。ａ −５ｉ膜の形成に際しては
、まず真空容器３１内で基体１００を支持台３２に支持
させてセットし、真空容器３１内を真空ポンプ等により
所定の真空度に達するまでバルブ３３を介し排気する。
ズマＣＶＤ装置の構造説明図（第４図（ａｌは平部平面
図、第４図（ｂ）は全体概要を示す正面図）で、図中、
３１は真空容器である。ａ −５ｉ膜の形成に際しては
、まず真空容器３１内で基体１００を支持台３２に支持
させてセットし、真空容器３１内を真空ポンプ等により
所定の真空度に達するまでバルブ３３を介し排気する。
次に、モータ３４により基体１００を支持台３２ととも
に回転させ、ヒータ３５により基体１００を１５０〜３
５０℃に加熱する。ここで、バルブ３７を介して原料ガ
スであるシリコン原子含有ガスを真空容器３１内に導入
し、マイクロ波電源３８で発生したマイクロ波を導波管
３９で導き、石英ガラスの窓４０から真空容器３１内の
プラズマ室（真空容器３１と基体１００の間に形成され
て同軸型空洞共振器を構成）４１に入れて共振させる。
に回転させ、ヒータ３５により基体１００を１５０〜３
５０℃に加熱する。ここで、バルブ３７を介して原料ガ
スであるシリコン原子含有ガスを真空容器３１内に導入
し、マイクロ波電源３８で発生したマイクロ波を導波管
３９で導き、石英ガラスの窓４０から真空容器３１内の
プラズマ室（真空容器３１と基体１００の間に形成され
て同軸型空洞共振器を構成）４１に入れて共振させる。
このマイクロ波導入と同時に、マグネット４２．４２’
に所定波形の電流を通し磁界を発生させてプラズマを基
体付近に閉じ込める。これにより、導入ガスは効率良く
分解され、基体１００上にａ −Ｓｉ膜が形成される。
に所定波形の電流を通し磁界を発生させてプラズマを基
体付近に閉じ込める。これにより、導入ガスは効率良く
分解され、基体１００上にａ −Ｓｉ膜が形成される。
しかし、第３図の高周波プラズマＣＶＤ装置により成膜
を行う場合は、成膜速度は一般に３〜５μｍ／時程度で
あるため、１０〜５０μ程度の膜厚が必要な感光層の成
膜には２〜１０数時間を要していた。また、成膜時のガ
ス圧を数ｔｏｒｒ程度と比較的高い値にしないと３〜５
μｍ／時の成膜速度が得られず、このようなガス圧で成
膜を行うと、成膜中に真空容器１内でＳｉ原子を含む多
量の粉状物質が発生して容器内を汚染するため、成膜後
にこの粉状物質を除去する必要があった。さらに、粉状
物質が基体１００上に付着することにより、形成した膜
にピンホール等の欠陥が生じ、歩留り低下の原因にもな
っている。
を行う場合は、成膜速度は一般に３〜５μｍ／時程度で
あるため、１０〜５０μ程度の膜厚が必要な感光層の成
膜には２〜１０数時間を要していた。また、成膜時のガ
ス圧を数ｔｏｒｒ程度と比較的高い値にしないと３〜５
μｍ／時の成膜速度が得られず、このようなガス圧で成
膜を行うと、成膜中に真空容器１内でＳｉ原子を含む多
量の粉状物質が発生して容器内を汚染するため、成膜後
にこの粉状物質を除去する必要があった。さらに、粉状
物質が基体１００上に付着することにより、形成した膜
にピンホール等の欠陥が生じ、歩留り低下の原因にもな
っている。
これに対し、第４図のマイクロ波ＣＶＤ装置により成膜
を行う場合は、ガス圧が１０−’〜１Ｏ−Ｉｔｏｒｒ程
度の低圧で成膜が可能であるため、粉状物質の発生はな
く、第３図の場合に必要としていた装置内の清掃はほと
んど必要なくなる。また、当然第３図の場合に問題とな
っているピンホール等の欠陥はなく、非常に高い歩留り
が得られる。しかし、この方式では、プラズマ中で成膜
が行われるため、膜にプラズマダメージが生じ易く、膜
質の劣化が度々生じていた。さらに、マイクロ波導入窓
付近で原料ガスを分解するため、窓にａ −５ｉ膜が付
着し、マイクロ波の導入が困難になるという問題があっ
た。
を行う場合は、ガス圧が１０−’〜１Ｏ−Ｉｔｏｒｒ程
度の低圧で成膜が可能であるため、粉状物質の発生はな
く、第３図の場合に必要としていた装置内の清掃はほと
んど必要なくなる。また、当然第３図の場合に問題とな
っているピンホール等の欠陥はなく、非常に高い歩留り
が得られる。しかし、この方式では、プラズマ中で成膜
が行われるため、膜にプラズマダメージが生じ易く、膜
質の劣化が度々生じていた。さらに、マイクロ波導入窓
付近で原料ガスを分解するため、窓にａ −５ｉ膜が付
着し、マイクロ波の導入が困難になるという問題があっ
た。
本発明はクリーンな状態で良質な成膜を行うことのでき
るアモルファスシリコン膜の形成方法を提供することを
目的とするものである。
るアモルファスシリコン膜の形成方法を提供することを
目的とするものである。
第１図は本発明の原理説明図（第１図（ａ）は本発明を
適用するａ−５ｉ膜形成用マイクロ波ＣＶＤ装置の要部
平面図、第１図（ｂｌは同、全体概要を示す正面図）で
、図中、５１は真空容器、５２はマイクロ波を導く導波
管、５３はマグネット、５４は多数の噴出口を備えたリ
ング状の原料ガス導入管である。
適用するａ−５ｉ膜形成用マイクロ波ＣＶＤ装置の要部
平面図、第１図（ｂｌは同、全体概要を示す正面図）で
、図中、５１は真空容器、５２はマイクロ波を導く導波
管、５３はマグネット、５４は多数の噴出口を備えたリ
ング状の原料ガス導入管である。
成膜に際しては、真空容器５１内で、該真空容器５１と
軸線を一致させて配置される基体１００と同軸にダミー
１０１を配置し、真空容器５１内のダミー１０１の周囲
のプラズマ室５７にプラズマ発生用のＨ２、Ａｒ等のガ
スを供給しかつ導波管５２の窓５６を通してマイクロ波
を導入するとともに、該プラズマ室５７にマグネット５
３により磁場（点線矢印線）をかけ、該ガスをプラズマ
化させて該プラズマ室５７に閉じ込める。そして、プラ
ズマにより活性化されて図の下方に移動する該ガスの元
素のラジカルと、真空容器５１内の基体１００の周囲の
成膜室に供給されるシリコン原子含有原料ガスとを反応
させて基体１００への成膜を行う。
軸線を一致させて配置される基体１００と同軸にダミー
１０１を配置し、真空容器５１内のダミー１０１の周囲
のプラズマ室５７にプラズマ発生用のＨ２、Ａｒ等のガ
スを供給しかつ導波管５２の窓５６を通してマイクロ波
を導入するとともに、該プラズマ室５７にマグネット５
３により磁場（点線矢印線）をかけ、該ガスをプラズマ
化させて該プラズマ室５７に閉じ込める。そして、プラ
ズマにより活性化されて図の下方に移動する該ガスの元
素のラジカルと、真空容器５１内の基体１００の周囲の
成膜室に供給されるシリコン原子含有原料ガスとを反応
させて基体１００への成膜を行う。
上述の成膜時のガス圧は通常では安定したプラズマ状態
が得られない低圧（１０−’〜１（Ｉ’ｔｏｒｒ程度）
であるが、ダミー１０１が真空容器５１と軸線を一致さ
せて配置されて同軸型空洞共振器を構成することと、磁
場がかかっていることにより安定した磁場が発生するも
のである。そして、このプラズマ発生領域（プラズマ室
５７）と原料ガスの分解、成膜の領域（成膜室５５）が
分離されているため、マイクロ波導入窓付近での原料ガ
スの分解がなくなり、窓５６へのａ −５ｉ膜の付着を
なくすことができる。また、プラズマダメージのない状
態での成膜が実現される。
が得られない低圧（１０−’〜１（Ｉ’ｔｏｒｒ程度）
であるが、ダミー１０１が真空容器５１と軸線を一致さ
せて配置されて同軸型空洞共振器を構成することと、磁
場がかかっていることにより安定した磁場が発生するも
のである。そして、このプラズマ発生領域（プラズマ室
５７）と原料ガスの分解、成膜の領域（成膜室５５）が
分離されているため、マイクロ波導入窓付近での原料ガ
スの分解がなくなり、窓５６へのａ −５ｉ膜の付着を
なくすことができる。また、プラズマダメージのない状
態での成膜が実現される。
さらに、マイクロ波を用いたプラズマＣＶＤ法であり、
上述のような低圧での成膜が可能なため、クリーンな状
態で良質なａ−Ｓｉ膜を形成することができ、真空容器
５１内の清掃が不要になる。
上述のような低圧での成膜が可能なため、クリーンな状
態で良質なａ−Ｓｉ膜を形成することができ、真空容器
５１内の清掃が不要になる。
なお、成膜時に、基体１００を矢印線で示すように回転
及び上下動させると、均一な成膜が実現される。また、
基体の上下動の代わりに導入管５４を上下動させても良
いし、両者を組み合わせても良い。
及び上下動させると、均一な成膜が実現される。また、
基体の上下動の代わりに導入管５４を上下動させても良
いし、両者を組み合わせても良い。
以下、第２図に関連して本発明の詳細な説明する。
第２図は本発明の実施例のアモルファスシリコン膜形成
用マイクロ波ＣＶＤ装置の構造説明図で、第１図で説明
したものと同様の部材には同じ符号を付している。図中
、５８は基体保持用の支持台、５９は基体加熱用のヒー
タ電源、６０．はＳ ｉ ＋１４（原料ガス）を収納す
るボンベ、６０．はボロンドープ用のＢ、Ｈ，ガスを収
納するボンベ、６０３はＨ２（またはＡｒ）を収納する
ボンベである。
用マイクロ波ＣＶＤ装置の構造説明図で、第１図で説明
したものと同様の部材には同じ符号を付している。図中
、５８は基体保持用の支持台、５９は基体加熱用のヒー
タ電源、６０．はＳ ｉ ＋１４（原料ガス）を収納す
るボンベ、６０．はボロンドープ用のＢ、Ｈ，ガスを収
納するボンベ、６０３はＨ２（またはＡｒ）を収納する
ボンベである。
この装置によるａ −Ｓｉ膜の形成は次のように行われ
る。
る。
まず、真空容器５１内で、基体１００．ダミー１０１を
該真空容器５１と軸線を一致させて支持台５８上にセッ
トし、該真空容器５１内をロータリーポンプ６１と油拡
散ポンプ６２とで所定の真空度に排気した後、メカニカ
ルブースタポンプ６３とロータリーポンプ６４に切り替
える。排気開始と同時に、図示しない回転機構により支
持台５８を介し駆動されて基体１００．ダミー１０１は
回転する。
該真空容器５１と軸線を一致させて支持台５８上にセッ
トし、該真空容器５１内をロータリーポンプ６１と油拡
散ポンプ６２とで所定の真空度に排気した後、メカニカ
ルブースタポンプ６３とロータリーポンプ６４に切り替
える。排気開始と同時に、図示しない回転機構により支
持台５８を介し駆動されて基体１００．ダミー１０１は
回転する。
真空度が所定値に達すると、基体１００はヒー夕霧源５
９に接続するヒータ６５により１５０〜３５０℃に加熱
される。６６は各ポンプ系に設けられた真空パルプであ
る。一方、真空容器５１内の成膜室５５には、ボンベ６
０１等より反応性の原料ガスがガス流量調整器６７等を
介し導入され、プラズマ室５７には、ボンベ ６０３よ
りＨｚ （またはＡｒ）ガスがガス流量調整器６８等を
介し導入される。６９はこれらの各ガス導入系に設けら
れたパルプである。そして、所定の流量、圧力の下で導
波管５２から窓５６を通してプラズマ室５７内にマイク
ロ波を導入するとともに、マグネット５３に所定波形の
電流を供給する。このときのガス圧は、通常では安定し
たプラズマ状態が得られない１０−４〜１０−’ｔｏｒ
ｒの圧力であるが、ダミー１０１が真空容器５１と軸線
をそろえて配置されていて同軸型空洞共振器を構成する
ことと、マグネット５３への通電により発生した磁場が
加えられていることにより、安定したプラズマが発生す
る。このプラズマは磁場により、図中斜線を記入した領
域内に閉じ込められている。このプラズマにより活性化
された水素ラジカルは、図の下方のプラズマが生成され
ない領域である成膜室５５に移動し、ここで導入管５４
の噴出口から噴出する原料ガスと反応する。これにより
、原料ガスが効率良く分解されて基体１００上へのａ
−Ｓｉ膜の形成が行われる。
９に接続するヒータ６５により１５０〜３５０℃に加熱
される。６６は各ポンプ系に設けられた真空パルプであ
る。一方、真空容器５１内の成膜室５５には、ボンベ６
０１等より反応性の原料ガスがガス流量調整器６７等を
介し導入され、プラズマ室５７には、ボンベ ６０３よ
りＨｚ （またはＡｒ）ガスがガス流量調整器６８等を
介し導入される。６９はこれらの各ガス導入系に設けら
れたパルプである。そして、所定の流量、圧力の下で導
波管５２から窓５６を通してプラズマ室５７内にマイク
ロ波を導入するとともに、マグネット５３に所定波形の
電流を供給する。このときのガス圧は、通常では安定し
たプラズマ状態が得られない１０−４〜１０−’ｔｏｒ
ｒの圧力であるが、ダミー１０１が真空容器５１と軸線
をそろえて配置されていて同軸型空洞共振器を構成する
ことと、マグネット５３への通電により発生した磁場が
加えられていることにより、安定したプラズマが発生す
る。このプラズマは磁場により、図中斜線を記入した領
域内に閉じ込められている。このプラズマにより活性化
された水素ラジカルは、図の下方のプラズマが生成され
ない領域である成膜室５５に移動し、ここで導入管５４
の噴出口から噴出する原料ガスと反応する。これにより
、原料ガスが効率良く分解されて基体１００上へのａ
−Ｓｉ膜の形成が行われる。
このように、本発明では、プラズマ発生場所と原料ガス
の分解、成膜の場所が分離されているため、マイクロ波
導入窓５６付近での原料ガスの分解がなくなり、窓への
ａ−５ｉ膜の付着をなくすことができる。また、プラズ
マダメージのない状態での成膜が実現される。さらに、
本発明はマイクロ波を用いたプラズマＣＶＤ法であり、
低圧での成膜が可能であるため、クリーンな状態で良質
なａ−Ｓｉ膜を形成することができ、真空容器５１内の
清掃が不要となる。
の分解、成膜の場所が分離されているため、マイクロ波
導入窓５６付近での原料ガスの分解がなくなり、窓への
ａ−５ｉ膜の付着をなくすことができる。また、プラズ
マダメージのない状態での成膜が実現される。さらに、
本発明はマイクロ波を用いたプラズマＣＶＤ法であり、
低圧での成膜が可能であるため、クリーンな状態で良質
なａ−Ｓｉ膜を形成することができ、真空容器５１内の
清掃が不要となる。
なお、成膜時に、基体１００を回転させるだけでなく上
下動をも行わせるようにすると、より均一な成膜が実現
される。また、基体１００の上下動の代わりに導入管５
４を上下動させても良いし、両者を組み合わせても良い
。
下動をも行わせるようにすると、より均一な成膜が実現
される。また、基体１００の上下動の代わりに導入管５
４を上下動させても良いし、両者を組み合わせても良い
。
このようにして行われるａ −５ｉ膜形成時における各
種条件設定例を示すと次の通りである。
種条件設定例を示すと次の通りである。
設定例■
導入ガス ；真空容器５１の上部より、Ｈ２５０ＳＣＣ
Ｍ。
Ｍ。
導入管５４より、
５ｉＨａ ５０５ＣＣｒＩ
マイクロ波パワー；実効１００ワツト（入射パワー引く
反射パワー） 基体回転数； １０ ＰＰＭ 基体上下数；１０回／分 磁 場 ；８７５Ｇ（最大点） ガス圧 ； １．９ Ｘ Ｉ Ｏ−’ｔｏｒｒ成膜速
度 ；１０μｍ７時 設定例■ 導入ガス ；真空容器５１の上部より、Ａｒ ３０ＳＣ
ＣＭ、 導入管５４より、 ５ｉｔｌａ ５０ＳＣＣＭ マイクロ波パワー；実効ｌＯＯワット 基体回転数； ｌ ＯＲＰＭ 基体上下数；１０回／分 磁 場 、８７５Ｇ（最大点） ガス圧 ； １． ＯＸ １０−’ｔｏｒｒ成膜速度
；１１μｍ／時 設定例■ 導入ガス ；真空容器５１の上部より、Ｈｚ ５０ＳＣ
ＣＭ。
反射パワー） 基体回転数； １０ ＰＰＭ 基体上下数；１０回／分 磁 場 ；８７５Ｇ（最大点） ガス圧 ； １．９ Ｘ Ｉ Ｏ−’ｔｏｒｒ成膜速
度 ；１０μｍ７時 設定例■ 導入ガス ；真空容器５１の上部より、Ａｒ ３０ＳＣ
ＣＭ、 導入管５４より、 ５ｉｔｌａ ５０ＳＣＣＭ マイクロ波パワー；実効ｌＯＯワット 基体回転数； ｌ ＯＲＰＭ 基体上下数；１０回／分 磁 場 、８７５Ｇ（最大点） ガス圧 ； １． ＯＸ １０−’ｔｏｒｒ成膜速度
；１１μｍ／時 設定例■ 導入ガス ；真空容器５１の上部より、Ｈｚ ５０ＳＣ
ＣＭ。
導入管５４より、
５ｉＨ４６０ＳＣＣＭ。
マイクロ波パワー；実効１００ワツト
基体回転数； １０ ＰＰＭ
導入管上下数；１０回／分
磁 場 １８７５Ｇ（最大点）
ガス圧 ； １．９ Ｘ １０−３ｔｏｒｒ成膜速度
；１０μｍ／時 設定例■ 真空容器５１の上部よりの導入ガスを１２の代りに＋Ｉ
ｅとして、後は設定例■と同じ。成膜速度１０μｍ／時 設定例■ 基体上下数５回／分、導入管上下数５回／分で、後は設
定例■と同じ。成膜速度１１μｍ／時〔発明の効果〕 以上述べたように、本発明によれば、次の各種の優れた
効果を奏することが可能である。
；１０μｍ／時 設定例■ 真空容器５１の上部よりの導入ガスを１２の代りに＋Ｉ
ｅとして、後は設定例■と同じ。成膜速度１０μｍ／時 設定例■ 基体上下数５回／分、導入管上下数５回／分で、後は設
定例■と同じ。成膜速度１１μｍ／時〔発明の効果〕 以上述べたように、本発明によれば、次の各種の優れた
効果を奏することが可能である。
（１１真空容器とその内に配置されたダミ一部分とで同
軸型空洞共振器が構成されるので、低圧でも安定したプ
ラズマが発生し易い。また磁場が加わって初めてプラズ
マが生成されるので、プラズマ発生領域を限定できる。
軸型空洞共振器が構成されるので、低圧でも安定したプ
ラズマが発生し易い。また磁場が加わって初めてプラズ
マが生成されるので、プラズマ発生領域を限定できる。
そして、このプラズマ発生領域と成膜領域とを分離する
ことにより、プラズマダメージのない状態での成膜が可
能となった。
ことにより、プラズマダメージのない状態での成膜が可
能となった。
（２）低圧での成膜が可能なため、クリーンな状態で良
質なａ−５ｉ膜を形成することができ、真空容器内の清
掃が不要となる。
質なａ−５ｉ膜を形成することができ、真空容器内の清
掃が不要となる。
（３） マイクロ波導入窓へのａ −５ｉの付着が起
らず、安定した成膜を続けることが可能になった。
らず、安定した成膜を続けることが可能になった。
第１図（ａｌ、 （ｂｌは本発明の原理説明図、第２図
は本発明の実施例のアモルファスシリコン膜形成用マイ
クロ波ＣＶＤ装置の構造説明図、第３図は従来のアモル
ファスシリコン膜形成用高周波プラズマＣＶＤ装置の構
造説明図、第４図（ａｌ、 （ｂｌは従来のアモルファ
スシリコン膜形成用マイクロ波プラズマＣＶＤ装置の構
造説明図で、 図中、 ５１は真空容器、５２は導波管、５３はマグネット、５
４は原料ガス導入管、５５は成膜室、５６は窓、５７は
プラズマ室、１００は基体、１０１はダミーである。
は本発明の実施例のアモルファスシリコン膜形成用マイ
クロ波ＣＶＤ装置の構造説明図、第３図は従来のアモル
ファスシリコン膜形成用高周波プラズマＣＶＤ装置の構
造説明図、第４図（ａｌ、 （ｂｌは従来のアモルファ
スシリコン膜形成用マイクロ波プラズマＣＶＤ装置の構
造説明図で、 図中、 ５１は真空容器、５２は導波管、５３はマグネット、５
４は原料ガス導入管、５５は成膜室、５６は窓、５７は
プラズマ室、１００は基体、１０１はダミーである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 真空容器（５１）内で、該真空容器（５１）と軸線を一
致させて配置される基体（１００）と同軸にダミー（１
０１）を配置し、 前記真空容器（５１）内の前記ダミー（１０１）の周囲
のプラズマ室（５７）に、プラズマ発生用のガスとマイ
クロ波を導入するとともに該プラズマ室（５７）に磁場
をかけ、該ガスをプラズマ化させて該プラズマ室（５７
）に閉じ込め、 前記プラズマにより活性化されて移動する前記ガスの元
素のラジカルと前記真空容器（５１）内の前記基体（１
００）の周囲の成膜室（５５）に供給されるシリコン原
子含有原料ガスとを反応させて前記基体（１００）上へ
の成膜を行うことを特徴とするアモルファスシリコン膜
の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23369688A JP2657531B2 (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | アモルファスシリコン膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23369688A JP2657531B2 (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | アモルファスシリコン膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0285368A true JPH0285368A (ja) | 1990-03-26 |
| JP2657531B2 JP2657531B2 (ja) | 1997-09-24 |
Family
ID=16959116
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23369688A Expired - Fee Related JP2657531B2 (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | アモルファスシリコン膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2657531B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0513634A2 (en) * | 1991-05-14 | 1992-11-19 | Yuzo Mori | High-speed film-forming processes by plasma CVD and Radical CVD under high pressure |
| FR2678956A1 (fr) * | 1991-07-12 | 1993-01-15 | Pechiney Recherche | Dispositif et procede de depot de diamant par dcpv assiste par plasma microonde. |
| WO1995033867A1 (en) * | 1994-06-03 | 1995-12-14 | Materials Research Corporation | Method and apparatus for producing thin films |
-
1988
- 1988-09-20 JP JP23369688A patent/JP2657531B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0513634A2 (en) * | 1991-05-14 | 1992-11-19 | Yuzo Mori | High-speed film-forming processes by plasma CVD and Radical CVD under high pressure |
| EP0513634A3 (ja) * | 1991-05-14 | 1994-08-31 | Yuzo Mori | |
| FR2678956A1 (fr) * | 1991-07-12 | 1993-01-15 | Pechiney Recherche | Dispositif et procede de depot de diamant par dcpv assiste par plasma microonde. |
| WO1995033867A1 (en) * | 1994-06-03 | 1995-12-14 | Materials Research Corporation | Method and apparatus for producing thin films |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2657531B2 (ja) | 1997-09-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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