JPS59100265A - アモルフアスシリコン感光層形成装置 - Google Patents
アモルフアスシリコン感光層形成装置Info
- Publication number
- JPS59100265A JPS59100265A JP21106482A JP21106482A JPS59100265A JP S59100265 A JPS59100265 A JP S59100265A JP 21106482 A JP21106482 A JP 21106482A JP 21106482 A JP21106482 A JP 21106482A JP S59100265 A JPS59100265 A JP S59100265A
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- JP
- Japan
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- photosensitive layer
- electrode
- amorphous silicon
- substrate
- drum
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野）
この発明は、たとえば電子写真複写機に使用可能なアモ
ルファスシリコン感光体におけるアモルファスシリコン
感光層を形成する装置に関する。
ルファスシリコン感光体におけるアモルファスシリコン
感光層を形成する装置に関する。
従来、アモルファスシリコン感光層形成装置は、導電性
ドラム状基板と前記導電性ドラム状基板の表面に対向配
置された電極を有する。そして、シリコン原子含有の分
子を有するガスを前記導電性ドラム状基板と電極との間
に流通させると共に前記ガス中で放電さぜることにより
、プラズマを現出し、前記プラズマを前記導電性ドラム
状基板の表面に接触させることにより、前記導電性ドラ
ム状基板の表面に、アモルファスシリコン感光層を形成
していた。
ドラム状基板と前記導電性ドラム状基板の表面に対向配
置された電極を有する。そして、シリコン原子含有の分
子を有するガスを前記導電性ドラム状基板と電極との間
に流通させると共に前記ガス中で放電さぜることにより
、プラズマを現出し、前記プラズマを前記導電性ドラム
状基板の表面に接触させることにより、前記導電性ドラ
ム状基板の表面に、アモルファスシリコン感光層を形成
していた。
しかしながら、前記アモルファスシリコン感光層の形成
において、プラズマは、前記導電性ドラム状基板の表面
のほかに、電極表面にも接触するのであるから、電極表
面にもアモルファスシリコン感光層が形成される。そう
すると長時間にわたる前記アモルファスシリコン感光層
の形成途中に、アモルファスシリコン層が形成された電
極の性能の低下により、プラズマ状態が変化して、前記
導電性ドラム状基板の表面に均一にアモルファスシリコ
ン感光層を形成することができなくなることがある。ま
た、電極に形成されたアモルファスシリコン感光層が剥
離して、それが導電性ドラム状基板の表面上に形成され
たアモルファスシリコン感光層を汚染することもある。
において、プラズマは、前記導電性ドラム状基板の表面
のほかに、電極表面にも接触するのであるから、電極表
面にもアモルファスシリコン感光層が形成される。そう
すると長時間にわたる前記アモルファスシリコン感光層
の形成途中に、アモルファスシリコン層が形成された電
極の性能の低下により、プラズマ状態が変化して、前記
導電性ドラム状基板の表面に均一にアモルファスシリコ
ン感光層を形成することができなくなることがある。ま
た、電極に形成されたアモルファスシリコン感光層が剥
離して、それが導電性ドラム状基板の表面上に形成され
たアモルファスシリコン感光層を汚染することもある。
さらに、電極状にアモルファスシリコン感光層が形成さ
れるにもかかわらず、プラズマ状態が変化しないことも
ある。かかる場合にあっても、アモルファスシリコン感
光層を前記導電性ドラム状基板の表面に形成する毎に、
電極の表面にあるアモルファスシリコン感光層を除去し
て、次の導電性ドラム状基板の表面にアモルファスシリ
コン感光層を形成するだめに、電極の新鮮な表面を霧出
させなければならない。しだがって、アモルファスシリ
コン感光体の迅速な量産を可能とすることができない。
れるにもかかわらず、プラズマ状態が変化しないことも
ある。かかる場合にあっても、アモルファスシリコン感
光層を前記導電性ドラム状基板の表面に形成する毎に、
電極の表面にあるアモルファスシリコン感光層を除去し
て、次の導電性ドラム状基板の表面にアモルファスシリ
コン感光層を形成するだめに、電極の新鮮な表面を霧出
させなければならない。しだがって、アモルファスシリ
コン感光体の迅速な量産を可能とすることができない。
この発明は、前記事情に鑑みてなされたものであり、均
一なアモルファスシリコン感光層を有するアモルファス
シリコン感光体を迅速に量産することのできるアモルフ
ァスシリコン感光層形成装置を提供することを目的とす
るものである。
一なアモルファスシリコン感光層を有するアモルファス
シリコン感光体を迅速に量産することのできるアモルフ
ァスシリコン感光層形成装置を提供することを目的とす
るものである。
前記目的を達成するだめのこの発明の概要は、導電性ド
ラム状基板の外周を囲繞するように前記導電性ドラム状
基板の表面に対向配置されると共にガス流通孔を有する
電極における前記導電性ドラム状基板側の表面に、円筒
状の金属製保護部材を着脱自在に配置したことを特徴と
するものである。
ラム状基板の外周を囲繞するように前記導電性ドラム状
基板の表面に対向配置されると共にガス流通孔を有する
電極における前記導電性ドラム状基板側の表面に、円筒
状の金属製保護部材を着脱自在に配置したことを特徴と
するものである。
この発明の一実施例について図面を参照しながら説明を
する。
する。
第１図に示すように、この発明の一実施例であるアモル
ファスシリコン感光層形成装置は、基台１上に真空チェ
ンバ２を気密可能に装着し、基台１に接続するパイプ３
を介して排気装置たとえばメカニカルブースタポンプ４
およびロータリーポンプ５により真空チェンバ２内を減
圧にするように構成される。真空チェンバ２内の基台１
上には、略円筒形のドラム保持装置６が駆動装置７によ
り回転可能に立設されている。前記ドラム保持装置６は
、円筒形の導電性ドラム状基板８を装着することができ
ると共に、ヒータ９を有して前記導電性ドラム状基板８
を所定温度に加熱することができるように構成される。
ファスシリコン感光層形成装置は、基台１上に真空チェ
ンバ２を気密可能に装着し、基台１に接続するパイプ３
を介して排気装置たとえばメカニカルブースタポンプ４
およびロータリーポンプ５により真空チェンバ２内を減
圧にするように構成される。真空チェンバ２内の基台１
上には、略円筒形のドラム保持装置６が駆動装置７によ
り回転可能に立設されている。前記ドラム保持装置６は
、円筒形の導電性ドラム状基板８を装着することができ
ると共に、ヒータ９を有して前記導電性ドラム状基板８
を所定温度に加熱することができるように構成される。
前記ドラム保持装置６の周囲には、ガス導入部１１が前
記ドラム保持装置６を囲繞するように配置される。ガス
導入部１１の、前記ドラム保持装置６の外周に対向する
内周面は、複数個のガス噴出孔１２を有すると共に電圧
の印加により放電を可能とする電極１６を兼ねている。
記ドラム保持装置６を囲繞するように配置される。ガス
導入部１１の、前記ドラム保持装置６の外周に対向する
内周面は、複数個のガス噴出孔１２を有すると共に電圧
の印加により放電を可能とする電極１６を兼ねている。
さらに、前記電極１３における、導出性ドラム状基板８
側の表面には、円筒状の金属製保護部材１０が着脱自在
に配置される。金属製保護部材１０は、第２図に示すよ
うに、ガス導入部１１における前記ドラム保持装置６の
外周に対向する内周の直径と同等の直径を有する円筒形
状をなし、だとえは１０−５００μｍの厚みのアルミニ
ウム箔で形成される。そして、前記円筒形の金属製保護
部材１０の周側面には、ガス導入部１１におけるガス噴
出孔１２に対して孔部１０Ａが開設され、さらに、金属
製保護部材１０の周側上端部には一対の取手１０Ｃが設
けられていると共に、金属製保護部材１０の下面にはド
ラム保持装置６を挿通するだめの開口部１０Ｂが設けら
ｈている。したがって、前記開口部１０Ｂにドラム保持
装置６を挿入するようにして金属製保持部材１０をガス
導入部１１で囲繞される凹状部内に入れ、孔部１０Ａと
ガス噴出孔１２とが一致するようにして金属製保持部材
１０を装着すると、金属製保持部材１０は、電極１３の
表面に密接してこれを覆うこととなる。前記金属製保持
部材１０は、電極１３と密接して一体となるので、電極
１３に電圧を印加すると、電極１３と同じ電位を有する
ことになる。
側の表面には、円筒状の金属製保護部材１０が着脱自在
に配置される。金属製保護部材１０は、第２図に示すよ
うに、ガス導入部１１における前記ドラム保持装置６の
外周に対向する内周の直径と同等の直径を有する円筒形
状をなし、だとえは１０−５００μｍの厚みのアルミニ
ウム箔で形成される。そして、前記円筒形の金属製保護
部材１０の周側面には、ガス導入部１１におけるガス噴
出孔１２に対して孔部１０Ａが開設され、さらに、金属
製保護部材１０の周側上端部には一対の取手１０Ｃが設
けられていると共に、金属製保護部材１０の下面にはド
ラム保持装置６を挿通するだめの開口部１０Ｂが設けら
ｈている。したがって、前記開口部１０Ｂにドラム保持
装置６を挿入するようにして金属製保持部材１０をガス
導入部１１で囲繞される凹状部内に入れ、孔部１０Ａと
ガス噴出孔１２とが一致するようにして金属製保持部材
１０を装着すると、金属製保持部材１０は、電極１３の
表面に密接してこれを覆うこととなる。前記金属製保持
部材１０は、電極１３と密接して一体となるので、電極
１３に電圧を印加すると、電極１３と同じ電位を有する
ことになる。
なお、ガス導入部１１は、パイプを介して真空チェンバ
２外のバルブ１６により真空チェンバ２内に導びくガス
の流量が調節されるように構成されている。
２外のバルブ１６により真空チェンバ２内に導びくガス
の流量が調節されるように構成されている。
次に、以上構成の作用について述べる。
先ず、基台１より真空チェンバ２を開放して、ドラム保
持装置６の細径部に導電性ドラム状基板８を装着した後
、基台１に真空チェンバ２を気密に装着する。次いで、
ヒータ９により前記導電性ドラム状基板８を１５０〜３
００℃に加熱し、また、ロータリーポンプ５により真空
チェンバ１内を約１０−５Ｔｅｒｒに減圧する。真空チ
ェンバ１内の排気系を、ロータリーポンプ５からメカニ
カルブースタポンプ４に切り換えると同時にバルブ１６
を開いでＳｉＨ４ガス要ずればＳｉＨ４ガスとＢ２Ｈｒ
，ｐＨ３，Ｏ２、ＣＨ４，等の１種または２種以上のガ
スとの混合ガスを真空チェンバ１内に導びく。前記混合
ガスは、ガス導入部１１内を通り、ガス噴出孔１２より
導電性ドラム状基板８に向って噴出する。噴出する混合
ガスはメカニカルブースタボンフ４により真空チェンバ
１外に排気される。
持装置６の細径部に導電性ドラム状基板８を装着した後
、基台１に真空チェンバ２を気密に装着する。次いで、
ヒータ９により前記導電性ドラム状基板８を１５０〜３
００℃に加熱し、また、ロータリーポンプ５により真空
チェンバ１内を約１０−５Ｔｅｒｒに減圧する。真空チ
ェンバ１内の排気系を、ロータリーポンプ５からメカニ
カルブースタポンプ４に切り換えると同時にバルブ１６
を開いでＳｉＨ４ガス要ずればＳｉＨ４ガスとＢ２Ｈｒ
，ｐＨ３，Ｏ２、ＣＨ４，等の１種または２種以上のガ
スとの混合ガスを真空チェンバ１内に導びく。前記混合
ガスは、ガス導入部１１内を通り、ガス噴出孔１２より
導電性ドラム状基板８に向って噴出する。噴出する混合
ガスはメカニカルブースタボンフ４により真空チェンバ
１外に排気される。
そこで、真空チェンバ１内の混合ガス圧が０．１〜１Ｔ
ｅｒｒになるようにバルブ１６およびメカニカルブース
タボンプ４を調節すると共に、駆動装置７によりドラム
保持装置６を回転させる。１３．５６ＭＨｚ、２０〜３
００Ｗの高周波電力を電極１３に印加することにより混
合ガス中で放電を行なってＳｉＨ４を少なくとも含有す
るガスより生じたラジカルを有するプラズマを現出する
。前記プラズマが導電性ドラム状基板８に接触すると、
前記導電性ドラム状基板８の表面にアモルファスシリコ
ン感光体か形成される。１５〜２０μｍの厚みのアモル
ファスシリコン感光体の形成には、通常６時間程度の時
間を労する。
ｅｒｒになるようにバルブ１６およびメカニカルブース
タボンプ４を調節すると共に、駆動装置７によりドラム
保持装置６を回転させる。１３．５６ＭＨｚ、２０〜３
００Ｗの高周波電力を電極１３に印加することにより混
合ガス中で放電を行なってＳｉＨ４を少なくとも含有す
るガスより生じたラジカルを有するプラズマを現出する
。前記プラズマが導電性ドラム状基板８に接触すると、
前記導電性ドラム状基板８の表面にアモルファスシリコ
ン感光体か形成される。１５〜２０μｍの厚みのアモル
ファスシリコン感光体の形成には、通常６時間程度の時
間を労する。
導電性ドラム状基板８の表面へのアモルファスシリコン
感光層の形成が加工した後、真空チェンバ２を開放し、
導電性ドラム状基８を取り出す。
感光層の形成が加工した後、真空チェンバ２を開放し、
導電性ドラム状基８を取り出す。
次いで、金属製保腔部利１０の取手１０Ｃを把持して、
金属製保護部材１０も取り出すと、電極１３の新鮮な表
面が露出する。次いで、別の新しい金属製保護部材１０
を電極１３の表面に配置して、次の導電性ドラム状基板
８へのアモルファスシリコン感光層の形成に取りかかる
。
金属製保護部材１０も取り出すと、電極１３の新鮮な表
面が露出する。次いで、別の新しい金属製保護部材１０
を電極１３の表面に配置して、次の導電性ドラム状基板
８へのアモルファスシリコン感光層の形成に取りかかる
。
以上のように、アモルファスシリコン形成装置において
は、金属製保護部材１０を電極１３の表面に密接一体に
配置しているので、導電性ドラム状基板８へのアモルフ
ァスシリコン感光層の形成のために生じさせたプラズマ
は、電極１３に接触することがなく、電極１３の表面は
常に新鮮に維持される。そして、前記プラズマが金属製
保護部材１０に接触することにより、前記金属製保護部
材１０にもアモルファスシリコン層感光層形成されると
しても、アモルファスシリコン感光体の製造の完了後に
、アモルファスシリコン感光層が形成された前記金属製
保護部材１０を他の新しい金属製保護部材１０に取りか
えるだけで、次のアモルファスシリコン感光体の製造に
着手することができる。しτあがって、従来におけるよ
うな、アモルファスシリコン感光体の製造毎に電極表面
を清掃する作業および作業時間を省略して、アモルファ
スシリコン感光体の迅速な量産を可能とすることかでき
る。
は、金属製保護部材１０を電極１３の表面に密接一体に
配置しているので、導電性ドラム状基板８へのアモルフ
ァスシリコン感光層の形成のために生じさせたプラズマ
は、電極１３に接触することがなく、電極１３の表面は
常に新鮮に維持される。そして、前記プラズマが金属製
保護部材１０に接触することにより、前記金属製保護部
材１０にもアモルファスシリコン層感光層形成されると
しても、アモルファスシリコン感光体の製造の完了後に
、アモルファスシリコン感光層が形成された前記金属製
保護部材１０を他の新しい金属製保護部材１０に取りか
えるだけで、次のアモルファスシリコン感光体の製造に
着手することができる。しτあがって、従来におけるよ
うな、アモルファスシリコン感光体の製造毎に電極表面
を清掃する作業および作業時間を省略して、アモルファ
スシリコン感光体の迅速な量産を可能とすることかでき
る。
以上、この発明の一実施例について詳述したが、この発
明は前記実施例に限定されるものではなく、この発明の
要旨の範囲内で適宜に変形して実施することができるの
はいうまでもない。
明は前記実施例に限定されるものではなく、この発明の
要旨の範囲内で適宜に変形して実施することができるの
はいうまでもない。
「発明の効果〕
この発明によると、アモルファスシリコン感光体の製造
毎に電極を清掃する作業が全く不要になるばかりか、金
属製保獲部材を電極に配置するだけで、次のアモルファ
スシリコン感光体の製造に着手することができる。しだ
がって、アモルファスシリコン感光体の迅速な量産を可
能にすることかできる。
毎に電極を清掃する作業が全く不要になるばかりか、金
属製保獲部材を電極に配置するだけで、次のアモルファ
スシリコン感光体の製造に着手することができる。しだ
がって、アモルファスシリコン感光体の迅速な量産を可
能にすることかできる。
第１図はこの発明の一実施例を示す概略断面図および第
２図は前記実施例における金属保護部材を示す概略斜視
図である。 ８・・・導電性ドラム状基板、１０・・・金属製保護部
材、１２・・・ガス流通孔、 １３・・・電極。 らｔ’ｓ−，１図 寸 ５ ３４４− 第２１ネ１ ２．・ＩＯｃ ゝ、 １゛０８ ）
２図は前記実施例における金属保護部材を示す概略斜視
図である。 ８・・・導電性ドラム状基板、１０・・・金属製保護部
材、１２・・・ガス流通孔、 １３・・・電極。 らｔ’ｓ−，１図 寸 ５ ３４４− 第２１ネ１ ２．・ＩＯｃ ゝ、 １゛０８ ）
Claims (3)
- （１）導電性ドラム状基板と、この導電性ドラム状基板
の外周表面に対向配置されると共に、ガス送通孔を有す
る電極とを有し、シリコン原子含有の分子を有するガス
中での、前記電極と導電性ドラムとの間の放電により生
ずるプラズマを前記導電性ドラム状基板の表面に接触さ
せることによりアモルファスシリコン感光層を形成する
アモルファスシリコン感光層形成装置において、前記電
極と前記導電性ドラム状基板外周表面との間に、円筒状
の金属製保護部材を着脱自在に配置したことを特徴とす
るアモルファスシリコン感光層形成装置。 - （２）前記金属製保護部材の厚みが１０〜５００μｍで
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のア
モルファスシリコン感光層形成装置。 - （３）前記金属製保護部材が、アルミニウム製であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項に記
載のアモルファスシリコン感光層形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21106482A JPS59100265A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | アモルフアスシリコン感光層形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21106482A JPS59100265A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | アモルフアスシリコン感光層形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59100265A true JPS59100265A (ja) | 1984-06-09 |
Family
ID=16599796
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21106482A Pending JPS59100265A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | アモルフアスシリコン感光層形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59100265A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62218570A (ja) * | 1986-03-20 | 1987-09-25 | Canon Inc | 堆積膜製造装置 |
| US4709656A (en) * | 1984-11-21 | 1987-12-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Layer forming apparatus |
| EP0730266A2 (en) * | 1995-02-06 | 1996-09-04 | Hitachi, Ltd. | Apparatus for plasma-processing a disk substrate and method of manufacturing a magnetic disk |
| US8056257B2 (en) * | 2006-11-21 | 2011-11-15 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
-
1982
- 1982-11-30 JP JP21106482A patent/JPS59100265A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4709656A (en) * | 1984-11-21 | 1987-12-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Layer forming apparatus |
| JPS62218570A (ja) * | 1986-03-20 | 1987-09-25 | Canon Inc | 堆積膜製造装置 |
| EP0730266A2 (en) * | 1995-02-06 | 1996-09-04 | Hitachi, Ltd. | Apparatus for plasma-processing a disk substrate and method of manufacturing a magnetic disk |
| EP0730266A3 (en) * | 1995-02-06 | 1998-07-01 | Hitachi, Ltd. | Apparatus for plasma-processing a disk substrate and method of manufacturing a magnetic disk |
| US8056257B2 (en) * | 2006-11-21 | 2011-11-15 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
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