JP3034139B2 - アモルファスシリコン感光体及び薄膜形成装置 - Google Patents
アモルファスシリコン感光体及び薄膜形成装置Info
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- JP3034139B2 JP3034139B2 JP4319904A JP31990492A JP3034139B2 JP 3034139 B2 JP3034139 B2 JP 3034139B2 JP 4319904 A JP4319904 A JP 4319904A JP 31990492 A JP31990492 A JP 31990492A JP 3034139 B2 JP3034139 B2 JP 3034139B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はアモルファスシリコン感
光体、並びにプラズマＣＶＤによりアモルファスシリコ
ン層などを生成する薄膜形成装置に関するものである。
光体、並びにプラズマＣＶＤによりアモルファスシリコ
ン層などを生成する薄膜形成装置に関するものである。
【０００２】
【従来技術並びにその課題】アモルファスシリコン層
（以下、アモルファスシリコンをａ−Ｓｉと略記する）
から成る電子写真用感光体が市場にでているが、その感
光体を製造するためにはプラズマＣＶＤを利用したグロ
ー放電分解装置等の薄膜形成装置が用いられる。このグ
ロー放電分解装置によれば、成膜用ガスが導入される反
応室内部に、円筒状基板を配置し、グロー放電のプラズ
マによって基板外周面に成膜するようにしたものであ
る。
（以下、アモルファスシリコンをａ−Ｓｉと略記する）
から成る電子写真用感光体が市場にでているが、その感
光体を製造するためにはプラズマＣＶＤを利用したグロ
ー放電分解装置等の薄膜形成装置が用いられる。このグ
ロー放電分解装置によれば、成膜用ガスが導入される反
応室内部に、円筒状基板を配置し、グロー放電のプラズ
マによって基板外周面に成膜するようにしたものであ
る。
【０００３】このグロー放電分解装置によれば、円筒形
状の金属製反応炉の内部に、被成膜用円筒体、その内部
に設けた基板加熱用ヒーター、グロー放電用電極板が設
置され、更に被成膜用円筒体の端にダミー用の円筒体を
設置して、その被成膜用円筒体を支持するとともに、そ
の周面の成膜形成を良好にしている。そして、ａ−Ｓｉ
生成用ガスを反応炉内部へ導入するとともに、被成膜面
へ噴出し、更にヒーターによって基板を所要の温度に設
定するとともに、電極板によりグロー放電を発生させ、
更に被成膜用円筒体を回転させることによって、その周
面にａ−Ｓｉ膜に成膜させる。
状の金属製反応炉の内部に、被成膜用円筒体、その内部
に設けた基板加熱用ヒーター、グロー放電用電極板が設
置され、更に被成膜用円筒体の端にダミー用の円筒体を
設置して、その被成膜用円筒体を支持するとともに、そ
の周面の成膜形成を良好にしている。そして、ａ−Ｓｉ
生成用ガスを反応炉内部へ導入するとともに、被成膜面
へ噴出し、更にヒーターによって基板を所要の温度に設
定するとともに、電極板によりグロー放電を発生させ、
更に被成膜用円筒体を回転させることによって、その周
面にａ−Ｓｉ膜に成膜させる。
【０００４】しかしながら、上記グロー放電分解装置を
用いると、被成膜用円筒体の周面端部のａ−Ｓｉ膜が剥
離し易くなっており、特に成膜時には剥離片が飛散し、
それが成膜中に入り、膜欠陥が発生するという問題点が
あった。
用いると、被成膜用円筒体の周面端部のａ−Ｓｉ膜が剥
離し易くなっており、特に成膜時には剥離片が飛散し、
それが成膜中に入り、膜欠陥が発生するという問題点が
あった。
【０００５】このような問題点は、上記ダミー用円筒体
の周面端部についても、同様な問題点であった。また、
上記グロー放電用電極板が円筒体であれば、同様にその
周面端部のａ−Ｓｉ膜が剥離するという問題点であっ
た。
の周面端部についても、同様な問題点であった。また、
上記グロー放電用電極板が円筒体であれば、同様にその
周面端部のａ−Ｓｉ膜が剥離するという問題点であっ
た。
【０００６】また、上記グロー放電分解装置を用いて製
作したａ−Ｓｉ感光体であり、これが製品化された後で
あっても、その円筒体周面端部のａ−Ｓｉ膜は、その膜
の弱い密着力によって、使用中に膜剥がれが生じるとい
う問題点があった。
作したａ−Ｓｉ感光体であり、これが製品化された後で
あっても、その円筒体周面端部のａ−Ｓｉ膜は、その膜
の弱い密着力によって、使用中に膜剥がれが生じるとい
う問題点があった。
【０００７】本発明者は上記事情に鑑みて、鋭意研究を
重ねた結果、いずれの円筒体であっても、その周面端部
の形状が問題解決に大きく影響を及ぼすことを知見し
た。
重ねた結果、いずれの円筒体であっても、その周面端部
の形状が問題解決に大きく影響を及ぼすことを知見し
た。
【０００８】したがって、本発明は上記知見により完成
したものであり、その目的は膜剥がれが生じなくなった
ａ−Ｓｉ感光体、並びに成膜時にそれらの円筒体の周面
端部のａ−Ｓｉ膜が剥がれなくなったａ−Ｓｉ用薄膜形
成装置を提供することにある。
したものであり、その目的は膜剥がれが生じなくなった
ａ−Ｓｉ感光体、並びに成膜時にそれらの円筒体の周面
端部のａ−Ｓｉ膜が剥がれなくなったａ−Ｓｉ用薄膜形
成装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１のａ−Ｓｉ感光
体は、外周面にａ−Ｓｉ層が形成された外径２０乃至６
０ｍｍの被成膜用円筒体の周面端部をＲ面にしたことを
特徴とする。
体は、外周面にａ−Ｓｉ層が形成された外径２０乃至６
０ｍｍの被成膜用円筒体の周面端部をＲ面にしたことを
特徴とする。
【００１０】請求項２の薄膜形成装置においては、ａ−
Ｓｉ成膜用ガスが導入される反応容器の内部に、プラズ
マ発生手段と、被成膜用円筒体とを設置するとともに、
該円筒体の端部に、周面端部が半径０．２乃至１．０ｍ
ｍのＲ面を有し且つ外径が２０乃至６０ｍｍであるダミ
ー用円筒体を配置したことを特徴とする。
Ｓｉ成膜用ガスが導入される反応容器の内部に、プラズ
マ発生手段と、被成膜用円筒体とを設置するとともに、
該円筒体の端部に、周面端部が半径０．２乃至１．０ｍ
ｍのＲ面を有し且つ外径が２０乃至６０ｍｍであるダミ
ー用円筒体を配置したことを特徴とする。
【００１１】請求項３の薄膜形成装置においては、ａ−
Ｓｉ成膜用ガスが導入される反応容器の内部に、被成膜
用円筒体と、外径１００乃至３００ｍｍの円筒状電極体
を備えたプラズマ発生手段とを設置するとともに、その
電極体の周面端部を半径５乃至１０ｍｍのＲ面にしたこ
とを特徴とする。
Ｓｉ成膜用ガスが導入される反応容器の内部に、被成膜
用円筒体と、外径１００乃至３００ｍｍの円筒状電極体
を備えたプラズマ発生手段とを設置するとともに、その
電極体の周面端部を半径５乃至１０ｍｍのＲ面にしたこ
とを特徴とする。
【００１２】
【作用】上記構成のａ−Ｓｉ感光体によれば、外周面に
ａ−Ｓｉ層が形成された外径２０乃至６０ｍｍの被成膜
用円筒体の周面端部をＲ面にしており、これにより、そ
の成膜された製品においては、その周面端部に形成され
たａ−Ｓｉ層が剥離することがなくなる。
ａ−Ｓｉ層が形成された外径２０乃至６０ｍｍの被成膜
用円筒体の周面端部をＲ面にしており、これにより、そ
の成膜された製品においては、その周面端部に形成され
たａ−Ｓｉ層が剥離することがなくなる。
【００１３】また、上記構成の薄膜形成装置によれば、
外径２０乃至６０ｍｍの被成膜用円筒体もしくはダミー
用円筒体の周面端部を半径０．２乃至１．０ｍｍのＲ面
にしたことにより、その端部の膜に加わるストレスが著
しく小さくなり、これにより、その周面端部のａ−Ｓｉ
膜が剥離しなくなり、膜欠陥が発生しなくなる。同様に
外径１００乃至３００ｍｍの円筒状電極体の周面端部を
半径５乃至１０ｍｍのＲ面にしたことによっても、その
周面端部のａ−Ｓｉ膜が剥離しなくなり、膜欠陥が発生
しなくなる。
外径２０乃至６０ｍｍの被成膜用円筒体もしくはダミー
用円筒体の周面端部を半径０．２乃至１．０ｍｍのＲ面
にしたことにより、その端部の膜に加わるストレスが著
しく小さくなり、これにより、その周面端部のａ−Ｓｉ
膜が剥離しなくなり、膜欠陥が発生しなくなる。同様に
外径１００乃至３００ｍｍの円筒状電極体の周面端部を
半径５乃至１０ｍｍのＲ面にしたことによっても、その
周面端部のａ−Ｓｉ膜が剥離しなくなり、膜欠陥が発生
しなくなる。
【００１４】
【実施例】図１は本発明のａ−Ｓｉ用薄膜形成装置であ
って、同時に複数個のａ−Ｓｉ感光体が製作できるグロ
ー放電分解装置１の平面概略図であり、図２はその部分
縦断面概略図である。
って、同時に複数個のａ−Ｓｉ感光体が製作できるグロ
ー放電分解装置１の平面概略図であり、図２はその部分
縦断面概略図である。
【００１５】このグロー放電分解装置１によれば、２は
円筒形状の反応容器、２ａはその上体、２ｂはその周
壁、２ｃはその底体であり、３は反応容器２の中心に設
けた円筒形状のアルミニウム製グロー放電用電極板（外
径２００ｍｍ、長さ４００ｍｍ）であり、この電極板３
の周囲には等距離且つ同心円状に複数個のアルミニウム
製被成膜用円筒状基板４（外径３０ｍｍ、長さ２５４ｍ
ｍ）が並べられている。更に、その外側にガス噴出孔を
多く設けた４本のガス噴出筒５が等距離且つ同心円状に
並べられ、また、グロー放電用電極板３の下に相当する
底体２ｃの中心にはガス排気口６が設けられ、４本のガ
ス噴出筒５から放出したガスが複数個の被成膜用円筒状
基板４の近傍を流れ、ガス排気口６へ向かうようなガス
の流れができている。
円筒形状の反応容器、２ａはその上体、２ｂはその周
壁、２ｃはその底体であり、３は反応容器２の中心に設
けた円筒形状のアルミニウム製グロー放電用電極板（外
径２００ｍｍ、長さ４００ｍｍ）であり、この電極板３
の周囲には等距離且つ同心円状に複数個のアルミニウム
製被成膜用円筒状基板４（外径３０ｍｍ、長さ２５４ｍ
ｍ）が並べられている。更に、その外側にガス噴出孔を
多く設けた４本のガス噴出筒５が等距離且つ同心円状に
並べられ、また、グロー放電用電極板３の下に相当する
底体２ｃの中心にはガス排気口６が設けられ、４本のガ
ス噴出筒５から放出したガスが複数個の被成膜用円筒状
基板４の近傍を流れ、ガス排気口６へ向かうようなガス
の流れができている。
【００１６】上記被成膜用円筒状基板４はアルミニウム
製下ダミー用円筒体７の上に配置され、更に被成膜用円
筒状基板４の上にアルミニウム製上ダミー用円筒体８を
配置した構成であり、また、これら三者の円筒体の内部
にヒーター９を設けられており、基板４を所定の温度に
加熱するようにしている。そして、上体２ａの上に付設
されたモーター１０により回転軸１１を介して上ダミー
用円筒体８が回転駆動し、これに伴って上記三者の円筒
体４、７、８が一体的に回転する。
製下ダミー用円筒体７の上に配置され、更に被成膜用円
筒状基板４の上にアルミニウム製上ダミー用円筒体８を
配置した構成であり、また、これら三者の円筒体の内部
にヒーター９を設けられており、基板４を所定の温度に
加熱するようにしている。そして、上体２ａの上に付設
されたモーター１０により回転軸１１を介して上ダミー
用円筒体８が回転駆動し、これに伴って上記三者の円筒
体４、７、８が一体的に回転する。
【００１７】１２は高周波電源、１３はマッチングボッ
クスであり、このマッチングボックス１３の一方の出力
端子はグロー放電用電極板３に接続され、他方の出力端
子は周壁２ｂから回転軸１１を介して円筒体基板４、
７、８に接続され、しかも、上体２ａの上には、それと
電気的に絶縁するように電極板３を付設した蓋体１４を
設けている。これにより、グロー放電用電極板３と円筒
体４、７、８との間に放電が発生するようになってい
る。
クスであり、このマッチングボックス１３の一方の出力
端子はグロー放電用電極板３に接続され、他方の出力端
子は周壁２ｂから回転軸１１を介して円筒体基板４、
７、８に接続され、しかも、上体２ａの上には、それと
電気的に絶縁するように電極板３を付設した蓋体１４を
設けている。これにより、グロー放電用電極板３と円筒
体４、７、８との間に放電が発生するようになってい
る。
【００１８】上記構成のグロー放電分解装置１によりａ
−Ｓｉ感光体を製作するには、上記の電力印加系並びに
ガス流系の下で円筒体４、７、８が回転し、更にその内
部に設けたヒーター１０により基板温度を約２７５℃に
まで高くし、グロー放電により各円筒状基板４の周面に
ａ−Ｓｉ層が気相成長される。そして、この気相成長に
伴って生じるガス分解残余ガスはガス排出口６により排
出される。尚、図中の矢印はガス流を示す。
−Ｓｉ感光体を製作するには、上記の電力印加系並びに
ガス流系の下で円筒体４、７、８が回転し、更にその内
部に設けたヒーター１０により基板温度を約２７５℃に
まで高くし、グロー放電により各円筒状基板４の周面に
ａ−Ｓｉ層が気相成長される。そして、この気相成長に
伴って生じるガス分解残余ガスはガス排出口６により排
出される。尚、図中の矢印はガス流を示す。
【００１９】また、図３は上記被成膜用円筒状基板４
と、アルミニウム製下ダミー用円筒体７と、アルミニウ
ム製上ダミー用円筒体８との配置状態を示す拡大図であ
り、上下ダミー用円筒体７、８のそれぞれの基板４側に
凸状体を設けて、これらの凸状体を円筒状基板４の両端
に嵌着した構造であり、図４はグロー放電用電極板３の
拡大図である。
と、アルミニウム製下ダミー用円筒体７と、アルミニウ
ム製上ダミー用円筒体８との配置状態を示す拡大図であ
り、上下ダミー用円筒体７、８のそれぞれの基板４側に
凸状体を設けて、これらの凸状体を円筒状基板４の両端
に嵌着した構造であり、図４はグロー放電用電極板３の
拡大図である。
【００２０】図３によれば、外径２０乃至６０ｍｍの被
成膜用円筒状基板４の周面両端部４ａ、４ｂをＲ面の曲
面にし、その半径０．２乃至１．０ｍｍにする。また、
外径２０乃至６０ｍｍのダミー用円筒体７、８のそれぞ
れの周面端部７ａ、８ａを半径０．２乃至１．０ｍｍの
Ｒ面にする。同図においては、円筒状基板４とダミー用
円筒体７、８の各外径がほぼ同じであるが、適宜、両者
の外径を違えてもよい。更に、外径１００乃至３００ｍ
ｍのグロー放電用電極板３の周面端部３ａを半径５乃至
１０ｍｍのＲ面にする。
成膜用円筒状基板４の周面両端部４ａ、４ｂをＲ面の曲
面にし、その半径０．２乃至１．０ｍｍにする。また、
外径２０乃至６０ｍｍのダミー用円筒体７、８のそれぞ
れの周面端部７ａ、８ａを半径０．２乃至１．０ｍｍの
Ｒ面にする。同図においては、円筒状基板４とダミー用
円筒体７、８の各外径がほぼ同じであるが、適宜、両者
の外径を違えてもよい。更に、外径１００乃至３００ｍ
ｍのグロー放電用電極板３の周面端部３ａを半径５乃至
１０ｍｍのＲ面にする。
【００２１】以下、本発明者の実験結果を詳述する。上
記構成のグロー放電分解装置１において、高周波電力７
００Ｗの電力印加系、並びに１０００ｓｃｃｍのモノシ
ランと１０ｓｃｃｍのジボランを混合状態で導入し、そ
のガス圧力０．０５Ｔｏｒｒに設定したガス流系の下
で、グロー放電により各円筒状基板４の周面に厚み３５
ミクロンのａ−Ｓｉ層が気相成長した。また、円筒状基
板４またはダミー用円筒体７、８の端部４ａ、４ｂ、７
ａ、８ａのＲ面の半径（単位ｍｍ）を幾通りにも代え
て、それらの成膜後の端部の剥離状況の有無を目視によ
り確認したところ、表１に示す結果となった。また、同
表には、個々のａ−Ｓｉ感光体により得た画像におい
て、感光体の１周当たりに相当する面積での径０．１ｍ
ｍ以上の黒点の数を計測した結果と、これらのａ−Ｓｉ
感光体を２４時間水に浸漬し、各端部の剥離状況の有無
を目視により確認した結果とを示す。また、この画像黒
点数が３０個以上を合格とした。尚、同表中の○印は剥
離がなかった場合であり、×印は剥離した場合を示す。
記構成のグロー放電分解装置１において、高周波電力７
００Ｗの電力印加系、並びに１０００ｓｃｃｍのモノシ
ランと１０ｓｃｃｍのジボランを混合状態で導入し、そ
のガス圧力０．０５Ｔｏｒｒに設定したガス流系の下
で、グロー放電により各円筒状基板４の周面に厚み３５
ミクロンのａ−Ｓｉ層が気相成長した。また、円筒状基
板４またはダミー用円筒体７、８の端部４ａ、４ｂ、７
ａ、８ａのＲ面の半径（単位ｍｍ）を幾通りにも代え
て、それらの成膜後の端部の剥離状況の有無を目視によ
り確認したところ、表１に示す結果となった。また、同
表には、個々のａ−Ｓｉ感光体により得た画像におい
て、感光体の１周当たりに相当する面積での径０．１ｍ
ｍ以上の黒点の数を計測した結果と、これらのａ−Ｓｉ
感光体を２４時間水に浸漬し、各端部の剥離状況の有無
を目視により確認した結果とを示す。また、この画像黒
点数が３０個以上を合格とした。尚、同表中の○印は剥
離がなかった場合であり、×印は剥離した場合を示す。
【００２２】
【表１】
【００２３】上記実験においては、円筒状基板４または
ダミー用円筒体７、８の外径が３０ｍｍである場合の結
果であるが、この外径が２０ｍｍ乃至６０ｍｍの範囲内
にあれば、Ｒ面の半径を０．２乃至１．０ｍｍにするこ
とにより良好な結果が得られることを実験上確認した。
ダミー用円筒体７、８の外径が３０ｍｍである場合の結
果であるが、この外径が２０ｍｍ乃至６０ｍｍの範囲内
にあれば、Ｒ面の半径を０．２乃至１．０ｍｍにするこ
とにより良好な結果が得られることを実験上確認した。
【００２４】次に、グロー放電用電極板３の周面端部３
ａのＲ面半径（単位ｍｍ）を幾通りにも代えて、それら
の成膜後の端部の剥離状況の有無を目視により確認した
ところ、表２に示す結果となった。また、同表には、個
々のａ−Ｓｉ感光体により得た画像において、径０．１
ｍｍ以上の黒点の数を計測した結果、並びにこれらのａ
−Ｓｉ感光体を２４時間水に浸漬し、各端部の剥離状況
の有無を目視により確認した結果も示す。
ａのＲ面半径（単位ｍｍ）を幾通りにも代えて、それら
の成膜後の端部の剥離状況の有無を目視により確認した
ところ、表２に示す結果となった。また、同表には、個
々のａ−Ｓｉ感光体により得た画像において、径０．１
ｍｍ以上の黒点の数を計測した結果、並びにこれらのａ
−Ｓｉ感光体を２４時間水に浸漬し、各端部の剥離状況
の有無を目視により確認した結果も示す。
【００２５】
【表２】
【００２６】上記実験においては、グロー放電用電極板
３の外径が２００ｍｍである場合の結果であるが、この
外径が１００乃至３００ｍｍの範囲内であれば、Ｒ面の
半径を５乃至１０ｍｍにすることにより良好な結果が得
られることを実験上確認した。
３の外径が２００ｍｍである場合の結果であるが、この
外径が１００乃至３００ｍｍの範囲内であれば、Ｒ面の
半径を５乃至１０ｍｍにすることにより良好な結果が得
られることを実験上確認した。
【００２７】かくして、本実施例により製作したａ−Ｓ
ｉ感光体によれば、外周面にａ−Ｓｉ層が形成された外
径２０乃至６０ｍｍの円筒状基板４の周面端部をＲ面に
しており、これにより、そのａ−Ｓｉ感光体製品を使用
するに際し、その周面端部に形成されたａ−Ｓｉ層が剥
離することがなくなった。しかも、このようなａ−Ｓｉ
感光体製品を製作する上記構成の薄膜形成装置によれ
ば、円筒状基板４もしくはダミー用円筒体７、８の周面
端部をＲ面にしたことにより、その端部の膜に加わるス
トレスが著しく小さくなり、これにより、その周面端部
のａ−Ｓｉ膜が剥離しなくなり、同様にグロー放電用電
極板３の周面端部もＲ面にしたことによっても、その周
面端部のａ−Ｓｉ膜が剥離しなくなった。
ｉ感光体によれば、外周面にａ−Ｓｉ層が形成された外
径２０乃至６０ｍｍの円筒状基板４の周面端部をＲ面に
しており、これにより、そのａ−Ｓｉ感光体製品を使用
するに際し、その周面端部に形成されたａ−Ｓｉ層が剥
離することがなくなった。しかも、このようなａ−Ｓｉ
感光体製品を製作する上記構成の薄膜形成装置によれ
ば、円筒状基板４もしくはダミー用円筒体７、８の周面
端部をＲ面にしたことにより、その端部の膜に加わるス
トレスが著しく小さくなり、これにより、その周面端部
のａ−Ｓｉ膜が剥離しなくなり、同様にグロー放電用電
極板３の周面端部もＲ面にしたことによっても、その周
面端部のａ−Ｓｉ膜が剥離しなくなった。
【００２８】尚、本発明は上記実施例に限定されるもの
ではなく、本考案の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変
更、改良等は何ら差し支えなく、また、グロー放電分解
装置の他に反応性スパッタリング装置等のプラズマＣＶ
Ｄ装置でもよい。
ではなく、本考案の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変
更、改良等は何ら差し支えなく、また、グロー放電分解
装置の他に反応性スパッタリング装置等のプラズマＣＶ
Ｄ装置でもよい。
【００２９】
【発明の効果】以上のように、本発明のａ−Ｓｉ感光体
によれば、外周面にａ−Ｓｉ層が形成された外径２０乃
至６０ｍｍの被成膜用円筒体の周面端部をＲ面にしてお
り、これにより、その成膜された製品においては、その
周面端部に形成されたａ−Ｓｉ層が剥離することがなく
なり、その結果、高品質且つ高信頼性の電子写真感光体
等ａ−Ｓｉ製品を提供することができた。
によれば、外周面にａ−Ｓｉ層が形成された外径２０乃
至６０ｍｍの被成膜用円筒体の周面端部をＲ面にしてお
り、これにより、その成膜された製品においては、その
周面端部に形成されたａ−Ｓｉ層が剥離することがなく
なり、その結果、高品質且つ高信頼性の電子写真感光体
等ａ−Ｓｉ製品を提供することができた。
【００３０】また、本発明の薄膜形成装置によれば、外
径２０乃至６０ｍｍの被成膜用円筒体もしくはダミー用
円筒体の周面端部を半径０．２乃至１．０ｍｍのＲ面に
したことにより、その端部の膜に加わるストレスが著し
く小さくなり、これにより、その周面端部のａ−Ｓｉ膜
が剥離しなくなり、膜欠陥が発生しなくなり、その結
果、この薄膜形成装置を用いることで、高品質且つ高信
頼性の電子写真感光体等ａ−Ｓｉ製品を提供することが
できた。
径２０乃至６０ｍｍの被成膜用円筒体もしくはダミー用
円筒体の周面端部を半径０．２乃至１．０ｍｍのＲ面に
したことにより、その端部の膜に加わるストレスが著し
く小さくなり、これにより、その周面端部のａ−Ｓｉ膜
が剥離しなくなり、膜欠陥が発生しなくなり、その結
果、この薄膜形成装置を用いることで、高品質且つ高信
頼性の電子写真感光体等ａ−Ｓｉ製品を提供することが
できた。
【００３１】また、本発明の薄膜形成装置によれば、同
様に外径１００乃至３００ｍｍの円筒状電極体の周面端
部を半径５乃至１０ｍｍのＲ面にしたことによっても、
その周面端部のａ−Ｓｉ膜が剥離しなくなり、膜欠陥が
発生しなくなり、高品質且つ高信頼性のａ−Ｓｉ製品を
提供することができた。
様に外径１００乃至３００ｍｍの円筒状電極体の周面端
部を半径５乃至１０ｍｍのＲ面にしたことによっても、
その周面端部のａ−Ｓｉ膜が剥離しなくなり、膜欠陥が
発生しなくなり、高品質且つ高信頼性のａ−Ｓｉ製品を
提供することができた。
【図１】実施例のグロー放電分解装置の平面概略図であ
る。
る。
【図２】実施例のグロー放電分解装置の部分縦断面概略
図である。
図である。
【図３】成膜用円筒状基板とダミー用円筒体との配置状
態を示す拡大図である。
態を示す拡大図である。
【図４】グロー放電用電極板の拡大図である。
２ 反応容器 ３ グロー放電用電極板 ４ 被成膜用円筒状基板 ７ 下ダミー用円筒体 ８ 上ダミー用円筒体 ４ａ、７ａ、８ａ 周面端部
Claims (3)
- 【請求項１】 外周面にアモルファスシリコン層が形成
された外径２０乃至６０ｍｍの被成膜用円筒体の周面端
部をＲ面にしたことを特徴とするアモルファスシリコン
感光体。 - 【請求項２】 アモルファスシリコン成膜用ガスが導入
される反応容器の内部に、プラズマ発生手段と、被成膜
用円筒体とを設置するとともに、該円筒体の端部に、周
面端部が半径０．２乃至１．０ｍｍのＲ面を有し且つ外
径が２０乃至６０ｍｍであるダミー用円筒体を配置した
ことを特徴とする薄膜形成装置。 - 【請求項３】 アモルファスシリコン成膜用ガスが導入
される反応容器の内部に、被成膜用円筒体と、外径１０
０乃至３００ｍｍの円筒状電極体を備えたプラズマ発生
手段とを設置するとともに、該電極体の周面端部を半径
５乃至１０ｍｍのＲ面にしたことを特徴とする薄膜形成
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4319904A JP3034139B2 (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | アモルファスシリコン感光体及び薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4319904A JP3034139B2 (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | アモルファスシリコン感光体及び薄膜形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06167823A JPH06167823A (ja) | 1994-06-14 |
| JP3034139B2 true JP3034139B2 (ja) | 2000-04-17 |
Family
ID=18115535
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4319904A Expired - Fee Related JP3034139B2 (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | アモルファスシリコン感光体及び薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3034139B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101570340B1 (ko) * | 2015-04-17 | 2015-11-19 | (주)삼성엔지니어링 | 배전용 입상관 연결장치 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4273139B2 (ja) | 2006-06-30 | 2009-06-03 | 京セラ株式会社 | 電子写真感光体およびその製造方法 |
| JP4851500B2 (ja) * | 2008-07-31 | 2012-01-11 | 京セラ株式会社 | 電子写真感光体およびその製造方法 |
-
1992
- 1992-11-30 JP JP4319904A patent/JP3034139B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101570340B1 (ko) * | 2015-04-17 | 2015-11-19 | (주)삼성엔지니어링 | 배전용 입상관 연결장치 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06167823A (ja) | 1994-06-14 |
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