JPH0441178Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0441178Y2 JPH0441178Y2 JP12057986U JP12057986U JPH0441178Y2 JP H0441178 Y2 JPH0441178 Y2 JP H0441178Y2 JP 12057986 U JP12057986 U JP 12057986U JP 12057986 U JP12057986 U JP 12057986U JP H0441178 Y2 JPH0441178 Y2 JP H0441178Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- diameter
- support
- cylindrical electrode
- cylindrical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 7
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 7
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 7
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- -1 +B 2 H 6 Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004323 axial length Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本考案は反応ガスをプラズマにより分解して支
持体表面に薄膜を堆積せしめるプラズマCVD
（Chemical Vapor Deposition：化学的気相堆
積）装置に関する。
持体表面に薄膜を堆積せしめるプラズマCVD
（Chemical Vapor Deposition：化学的気相堆
積）装置に関する。
(ロ) 従来の技術
SiH4，SiF4，SiH4＋SiF4，SiH4＋O2，SiH4＋
NH3，SiH4＋B2H6，SiH4＋PH3，SiH4＋CH4
＋B2H6等のシリコン化合物ガス単体、或いは斯
る化合物ガスに価電子制御用の不純物ガス、及び
又はワイドバイドギヤツプ用のガスを混合せしめ
た反応ガスをプラズマ分解することにより水素化
アモルフアスシリコン、フツ素化アモルフアスシ
リコン、アモルフアスシリコンナイトライド、ア
モルフアスシリコンカーバイド等の半導体膜や絶
縁膜が得られる。斯る半導体膜及び絶縁膜は太陽
電池、光センサ、普通紙複写機（PPC）や光学
（レーザ、LED等）プリンタの静電潜像担持体、
或いは半導体装置のパツシペーシヨン膜として実
用化されている。静電潜像担持体は他のデバイス
と異なりプラズマ分解により得られる薄膜は円筒
ドラムからなる支持体の外周面に堆積せしめられ
る。従つて、通常支持体の外周面にプラズマを発
生する電極も特開昭60−11849号公報の如く円筒
電極が用いられ、円筒ドラムの支持体の外周面に
一定の間隔を隔てて対向すべく同心的に配置され
ている。
NH3，SiH4＋B2H6，SiH4＋PH3，SiH4＋CH4
＋B2H6等のシリコン化合物ガス単体、或いは斯
る化合物ガスに価電子制御用の不純物ガス、及び
又はワイドバイドギヤツプ用のガスを混合せしめ
た反応ガスをプラズマ分解することにより水素化
アモルフアスシリコン、フツ素化アモルフアスシ
リコン、アモルフアスシリコンナイトライド、ア
モルフアスシリコンカーバイド等の半導体膜や絶
縁膜が得られる。斯る半導体膜及び絶縁膜は太陽
電池、光センサ、普通紙複写機（PPC）や光学
（レーザ、LED等）プリンタの静電潜像担持体、
或いは半導体装置のパツシペーシヨン膜として実
用化されている。静電潜像担持体は他のデバイス
と異なりプラズマ分解により得られる薄膜は円筒
ドラムからなる支持体の外周面に堆積せしめられ
る。従つて、通常支持体の外周面にプラズマを発
生する電極も特開昭60−11849号公報の如く円筒
電極が用いられ、円筒ドラムの支持体の外周面に
一定の間隔を隔てて対向すべく同心的に配置され
ている。
然し乍ら、支持体の外周面に一定間隔を隔てて
円筒電極を設けただけでは、支持体の表面全域に
亘つて膜質及び膜厚の均一な薄膜を堆積させるこ
とは難しい。
円筒電極を設けただけでは、支持体の表面全域に
亘つて膜質及び膜厚の均一な薄膜を堆積させるこ
とは難しい。
そこで、従来装置にあつては、少なくとも支持
体表面の全域に亘つて均一なプラズマ放電を得る
べく、支持体の両端を保持する一対のホルダの軸
方向の長さを大きくすると共に、該ホルダにも円
筒電極を対向させるために円筒電極の両端を延長
させて、斯る円筒電極の延長部分とホルダ間にも
プラズマ放電を行なわせている。
体表面の全域に亘つて均一なプラズマ放電を得る
べく、支持体の両端を保持する一対のホルダの軸
方向の長さを大きくすると共に、該ホルダにも円
筒電極を対向させるために円筒電極の両端を延長
させて、斯る円筒電極の延長部分とホルダ間にも
プラズマ放電を行なわせている。
ところが、斯る構造によれば支持体表面の全域
に亘つて均一なプラズマ放電を得ることができる
ものの、ホルダ端部での放電が不均一となり、堆
積されつつある薄膜にピンホールを穿つ原因とな
るフレーク等の副生成物を形成する。
に亘つて均一なプラズマ放電を得ることができる
ものの、ホルダ端部での放電が不均一となり、堆
積されつつある薄膜にピンホールを穿つ原因とな
るフレーク等の副生成物を形成する。
(ハ) 考案が解決しようとする問題点
本考案はピンホールを穿つ原因となるフレーク
等の副生成物の形成を解決しようとするものであ
る。
等の副生成物の形成を解決しようとするものであ
る。
(ニ) 問題点を解決するための手段
本考案は上記問題点を解決すべく、減圧し得る
反応室に反応ガスを導入し、該反応ガスをプラズ
マにより分解して支持体表面に薄膜を堆積するプ
ラズマCVD装置であつて、上記支持体はその両
端が、漸次径が縮小する一対のホルダにより保持
された円筒ドラムからなると共に、上記円筒ドラ
ムの外周面と一定間隙を隔てて対向して該対向間
隙に上記プラズマを発生する円筒電極も上記ホル
ダの縮径面に沿つて径が縮小する面端面を備えて
いることを特徴とする。
反応室に反応ガスを導入し、該反応ガスをプラズ
マにより分解して支持体表面に薄膜を堆積するプ
ラズマCVD装置であつて、上記支持体はその両
端が、漸次径が縮小する一対のホルダにより保持
された円筒ドラムからなると共に、上記円筒ドラ
ムの外周面と一定間隙を隔てて対向して該対向間
隙に上記プラズマを発生する円筒電極も上記ホル
ダの縮径面に沿つて径が縮小する面端面を備えて
いることを特徴とする。
(ホ) 作用
上述の如くプラズマを発生する円筒電極をホル
ダの縮径面に沿つて径が縮小する面端面を備える
ことによつて、ホルダの縮径面と円筒電極の両端
面との対向間隙も円筒ドラムの外周面と円筒電極
との対向間隙と等しくなり、放電状態が全域に亘
つて均一となる。
ダの縮径面に沿つて径が縮小する面端面を備える
ことによつて、ホルダの縮径面と円筒電極の両端
面との対向間隙も円筒ドラムの外周面と円筒電極
との対向間隙と等しくなり、放電状態が全域に亘
つて均一となる。
(ヘ) 実施例
第１図は本考案プラズマCVD装置の一実施例
を示す断面図であつて、１は排気口２，２を介し
て10-5〜10-6程度にまで減圧される反応室、３は
該反応室１の中央に配置されたAl、ステンレス、
或いは絶縁筒の外周面に導電膜を設けた円筒ドラ
ムからなる支持体、４，４は該支持体３の両端開
口部に一端４ａ，４ａが嵌合され当該支持体３を
保持するホルダで、該ホルダ４，４の外周面は他
端４ｂ，４ｂに向つて径が漸次縮小する湾曲面状
となつている。５，５は上記ホルダ４，４の他端
４ｂ，４ｂから突出したホルダ軸、６1，６2は該
ホルダ軸５，５と結合し支持体３を回転せしめる
回転軸で、一方の回転軸６1は反応室１の気密性
を損なうことなく外部に突出し、図示していない
回転モータに連なつている。
を示す断面図であつて、１は排気口２，２を介し
て10-5〜10-6程度にまで減圧される反応室、３は
該反応室１の中央に配置されたAl、ステンレス、
或いは絶縁筒の外周面に導電膜を設けた円筒ドラ
ムからなる支持体、４，４は該支持体３の両端開
口部に一端４ａ，４ａが嵌合され当該支持体３を
保持するホルダで、該ホルダ４，４の外周面は他
端４ｂ，４ｂに向つて径が漸次縮小する湾曲面状
となつている。５，５は上記ホルダ４，４の他端
４ｂ，４ｂから突出したホルダ軸、６1，６2は該
ホルダ軸５，５と結合し支持体３を回転せしめる
回転軸で、一方の回転軸６1は反応室１の気密性
を損なうことなく外部に突出し、図示していない
回転モータに連なつている。
７は上記円筒ドラムの支持体３の外周面と一定
間隙を隔てて対向する円筒電極で、該円筒電極７
は上記ホルダ４，４の縮径した湾曲面に沿つて径
が同心的に縮小する湾曲状の両端面８，８を備え
ている。９は上記円筒電極７に例えば13.56MHz
の高周波電力を付与し該円筒電極７と支持体３及
びホルダ４，４との対向間隙にプラズマを発生せ
しめる給電線、１０は上記円筒電極７の外周面を
絶縁スペーサ１１，１１を介して包囲する内壁
で、電磁波及びプラズマの漏出を防止するシール
ド体としても作用する。１２は上記内壁１０と円
筒電極７との間に形成された空間に一旦少なくと
もシリコン化合物ガスを含む反応ガスを導入する
ガス導入口で、プラズマ放電領域には円筒電極７
に多数穿たれた放出孔１３，１３…から供給され
る。
間隙を隔てて対向する円筒電極で、該円筒電極７
は上記ホルダ４，４の縮径した湾曲面に沿つて径
が同心的に縮小する湾曲状の両端面８，８を備え
ている。９は上記円筒電極７に例えば13.56MHz
の高周波電力を付与し該円筒電極７と支持体３及
びホルダ４，４との対向間隙にプラズマを発生せ
しめる給電線、１０は上記円筒電極７の外周面を
絶縁スペーサ１１，１１を介して包囲する内壁
で、電磁波及びプラズマの漏出を防止するシール
ド体としても作用する。１２は上記内壁１０と円
筒電極７との間に形成された空間に一旦少なくと
もシリコン化合物ガスを含む反応ガスを導入する
ガス導入口で、プラズマ放電領域には円筒電極７
に多数穿たれた放出孔１３，１３…から供給され
る。
而して、支持体３の両端開口部に一対のホルダ
４，４の一端４ａ，４ａを嵌合したものを用意
し、反応室１内の回転軸６1，６2にホルダ軸５，
５を連結する。次いで、円筒電極７を支持体３の
外周面と一定間隙を隔てて配置する。このとき、
ホルダ４，４の縮径した湾曲面と円筒電極７の湾
曲状両端面８，８が同心的に配置することに留意
する。斯る同心的な配置によりホルダ４，４の湾
曲面と円筒電極７の湾曲状両端面８，８との間隙
長も、上記円筒電極７と支持体３との一定間隙と
等しくなる。従つて円筒電極７の内周面全域と対
向しプラズマ放電を発生させる際の他方の電極と
して作用するホルダ４支持体３及びもう一方のホ
ルダ４の外周面は上記内周面全域に亘つて一定間
隙を隔てて対向することとなり、高周波電力が給
電されると均一なプラズマ放電が得られることに
なる。そして、この様にプラズマ放電状態が全域
に亘つて均一となると斯るプラズマによる反応ガ
スの分解も均一分布となり支持体３表面には膜質
及び膜厚の揃つた薄膜が堆積される。
４，４の一端４ａ，４ａを嵌合したものを用意
し、反応室１内の回転軸６1，６2にホルダ軸５，
５を連結する。次いで、円筒電極７を支持体３の
外周面と一定間隙を隔てて配置する。このとき、
ホルダ４，４の縮径した湾曲面と円筒電極７の湾
曲状両端面８，８が同心的に配置することに留意
する。斯る同心的な配置によりホルダ４，４の湾
曲面と円筒電極７の湾曲状両端面８，８との間隙
長も、上記円筒電極７と支持体３との一定間隙と
等しくなる。従つて円筒電極７の内周面全域と対
向しプラズマ放電を発生させる際の他方の電極と
して作用するホルダ４支持体３及びもう一方のホ
ルダ４の外周面は上記内周面全域に亘つて一定間
隙を隔てて対向することとなり、高周波電力が給
電されると均一なプラズマ放電が得られることに
なる。そして、この様にプラズマ放電状態が全域
に亘つて均一となると斯るプラズマによる反応ガ
スの分解も均一分布となり支持体３表面には膜質
及び膜厚の揃つた薄膜が堆積される。
第２図は本考案の他の実施例の要部である支持
体３の一方の開口部とホルダ４′及び円筒電極７
の一方の端面８′を示している。同図から明らか
な如く、斯る実施例にあつてはホルダ４′は一端
４a′から他端４b′に向つて直線的に径が縮小する
円錐面となつていると共に、円筒電極７の端面
８′も円錐面状となつている。
体３の一方の開口部とホルダ４′及び円筒電極７
の一方の端面８′を示している。同図から明らか
な如く、斯る実施例にあつてはホルダ４′は一端
４a′から他端４b′に向つて直線的に径が縮小する
円錐面となつていると共に、円筒電極７の端面
８′も円錐面状となつている。
(ト) 考案の効果
本考案プラズマCVD装置は以上の説明から明
らかな如く、プラズマを発生する円筒電極もホル
ダの縮径面に沿つて径が縮小する両端面を備える
ことによつて、ホルダの縮径面と円筒電極の両端
面との対向間隙も円筒ドラムの外周面と円筒電極
との対向間隙と等しくなり、放電状態が全域に亘
つて均一となるので、ピンホールを穿つ原因とな
るフレーク等の副生成物の形成を招くことなく膜
質及び膜厚の揃つた薄膜を堆積させることができ
る。
らかな如く、プラズマを発生する円筒電極もホル
ダの縮径面に沿つて径が縮小する両端面を備える
ことによつて、ホルダの縮径面と円筒電極の両端
面との対向間隙も円筒ドラムの外周面と円筒電極
との対向間隙と等しくなり、放電状態が全域に亘
つて均一となるので、ピンホールを穿つ原因とな
るフレーク等の副生成物の形成を招くことなく膜
質及び膜厚の揃つた薄膜を堆積させることができ
る。
第１図は本考案プラズマCVD装置の一実施例
を示す断面図、第２図は他の実施例の要部断面図
を夫々示している。 １……反応室、３……支持体、４，４……ホル
ダ、７……円筒電極、８，８……両端面。
を示す断面図、第２図は他の実施例の要部断面図
を夫々示している。 １……反応室、３……支持体、４，４……ホル
ダ、７……円筒電極、８，８……両端面。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 減圧し得る反応室に反応ガスを導入し、該反
応ガスをプラズマにより分解して支持体表面に
薄膜を堆積するプラズマCVD装置であつて、
上記支持体はその両端が、漸次径が縮小する一
対のホルダにより保持された円筒ドラムからな
ると共に、上記円筒ドラムの外周面と一定間隙
を隔てて対向して該対向間隙に上記プラズマを
発生する円筒電極を上記ホルダの縮径面に沿つ
て径が縮小する面端面を備えていることを特徴
としたプラズマCVD装置。 (2) 上記縮径面は湾曲面であることを特徴とした
実用新案登録請求の範囲第１項記載のプラズマ
CVD装置。 (3) 上記縮径面は円錐面であることを特徴とした
実用新案登録請求の範囲第１項記載のプラズマ
CVD装置。 (4) 上記反応ガスは少なくともシリコン化合物ガ
スを含む実用新案登録請求の範囲第１項乃至第
３項何れか記載のプラズマCVD装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12057986U JPH0441178Y2 (ja) | 1986-08-06 | 1986-08-06 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12057986U JPH0441178Y2 (ja) | 1986-08-06 | 1986-08-06 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6327470U JPS6327470U (ja) | 1988-02-23 |
| JPH0441178Y2 true JPH0441178Y2 (ja) | 1992-09-28 |
Family
ID=31009024
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12057986U Expired JPH0441178Y2 (ja) | 1986-08-06 | 1986-08-06 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0441178Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2682221B2 (ja) * | 1990-09-20 | 1997-11-26 | 株式会社村田製作所 | ディスクリミネータ |
-
1986
- 1986-08-06 JP JP12057986U patent/JPH0441178Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6327470U (ja) | 1988-02-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5443645A (en) | Microwave plasma CVD apparatus comprising coaxially aligned multiple gas pipe gas feed structure | |
| US4438188A (en) | Method for producing photosensitive film for electrophotography | |
| JP2582553B2 (ja) | プラズマｃｖｄ法による機能性堆積膜形成装置 | |
| US5582648A (en) | Apparatus for preparing a functional deposited film by microwave plasma chemical vapor deposition | |
| JPH0441178Y2 (ja) | ||
| US5338580A (en) | Method of preparation of functional deposited film by microwave plasma chemical vapor deposition | |
| JPS624872A (ja) | 成膜装置 | |
| JPH0364466A (ja) | アモルファスシリコン系半導体膜の製法 | |
| KR100269930B1 (ko) | 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 처리방법 | |
| JPH0438449B2 (ja) | ||
| JP3259453B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置に用いる電極及びプラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH057462B2 (ja) | ||
| JP3673568B2 (ja) | 堆積膜形成装置及びこれを用いた堆積膜形成方法 | |
| JPS60215767A (ja) | グロ−放電分解装置 | |
| JPH06167823A (ja) | アモルファスシリコン感光体及び薄膜形成装置 | |
| JPS62174383A (ja) | 薄膜堆積装置 | |
| JPS5990628A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH0579940U (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JP2958850B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置およびそれを用いるアモルファスシリコン感光体の製造方法 | |
| JP2994658B2 (ja) | マイクロ波ｃｖｄ法による堆積膜形成装置及び堆積膜形成方法 | |
| JPS62250176A (ja) | 電子写真感光体の製造装置 | |
| JP3802990B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPS62276557A (ja) | 電子写真感光体の製造装置 | |
| JP2776087B2 (ja) | 電子写真感光体製造装置 | |
| JPH0545672B2 (ja) |