JP2007270221A - 堆積膜形成方法 - Google Patents

Abstract

【課題】円筒状基体に対して膜厚や膜質のムラの少ない膜を形成できるようにするとともに膜剥がれが生じることを抑制し、画像ムラや微小な画像欠陥の少ない電子写真感光体を低コストで提供できるようにする。
【解決手段】複数の基体１０を基体支持体２４に支持させた状態で互いに隣接させ、基体１０の表面に堆積膜を形成する堆積膜形成方法において、連結部材７を介して基体１０どうしを連結した状態で堆積膜を形成する。基体１０は、たとえば電子写真感光体を構成する円筒状基体である。
【選択図】図４

Description

本発明は、電子写真感光体の円筒状基体などの基体に対して、アモルファスシリコン系（ａ−Ｓｉ系）などの堆積膜を形成する方法に関するものである。

電子写真感光体としては、種々の形態が知られているが、ドラム状の形態が一般的である。ドラム状の電子写真感光体は、円筒状基体の表面に、ａ−Ｓｉ系光導電層などの所望とする層を形成したものである。円筒状基体上にａ−Ｓｉ系光導電層を形成する方法としては、種々のものが知られている。なかでも、プラズマＣＶＤ法は、現在実用化が非常に進んでいる。このプラズマＣＶＤ法は、原料ガスを直流または高周波、マイクロ波グロー放電等によって分解し、円筒状基体上に堆積膜を形成する方法である。

このプラズマＣＶＤ法において電子写真感光体を作製する場合には、図１０に示すようなグロー放電プラズマＣＶＤ装置９が用いられている（たとえば特許文献１参照）。

同図に示したグロー放電プラズマＣＶＤ装置９は、円筒状の真空容器９０のほぼ中央に配置した円筒状の導電性基体９１上に、グロー放電プラズマによりａ−Ｓｉ系膜を成膜するものである。このグロー放電プラズマＣＶＤ装置９は、基体支持体９２に対してリング部材９３を介して支持された導電性基体９１を接地電極とするとともに、これを等距離で囲んだ中空の円筒状の金属電極９４を、高周波電力印加用の電極とするものである。金属電極９４には、成膜用の原料ガスを導入するガス導入口９５が設けられており、このガス導入口９５を介して導入された原料ガスが、金属電極９４の内周面に設けられたガス吹き出し孔９４ａから導電性基体９１に向けて吹き出すように構成されている。金属電極９４と導電性基体９１との間には、高周波電源９６により高周波電力を印加してグロー放電が起こるようになされている。基体支持体９２の内部には、ニクロム線やカートリッジヒーターなどからなる基体加熱手段９７が設けられており、導電性基体９１を所望の温度に昇温することができる。基体支持体９２および導電性基体９１は、回転用のモーター９８ａを含めた回転駆動手段９８により、一体で回転させることができる。

このプラズマＣＶＤ装置９を用いて導電性基体９１にａ−Ｓｉ系膜の成膜を行なうに当たっては、所定の流量やガス比に設定された原料ガスが、ガス導入管９５からガス吹き出し孔９４ａを介して金属電極９４と導電性基体９１との間に導入される。その一方で、真空容器９０でのガス圧は、真空ポンプ（図示せず）により排気口９９からの排気量を調整することにより所定値に設定される。そして、高周波電源９６により金属電極９４と導電性基体９１との間に高周波電力を印加し、金属電極９４と導電性基体９１との間にグロー放電プラズマを発生させて原料ガスを分解することにより、所望の温度に設定した導電性基体９１上にａ−Ｓｉ系膜が成膜される。成膜時においては、導電性基体９１は、基体支持体９２とともに回転駆動手段９８により回転させられるため、導電性基体９１に対する周方向における膜厚や膜質の均一化が図られている。

特開２００２−００４０５０号公報

プラズマＣＶＤ装置９を用いて導電性基体９１に所望の膜を形成する場合、たとえば生産性を向上させるために、図１１に示したように、複数の導電性基体９１を基体支持体９２に支持させ、たとえば状態で、プラズマＣＶＤ装置９にセットし、それらの導電性基体９１に対して同時に成膜を行なうことも行われている。

しかしながら、基体支持体９２の外径は、基体支持体９２に対する着脱を容易とするために、導電性基体９１の内径よりも若干小さく設定されている。そのため、図１２に示したように、基体支持体９２に対しては、隣接する導電性基体９１の相互において、それらの導電性基体９１の軸心が位置ずれした状態で支持され、そのままの状態で成膜が行なわれてしまうことがある。このような事態が生じた場合には、以下に説明するような不具合が生じる。

第１に、基体支持体９２を回転させたときの金属電極９４（ガス吹き出し口９４ａ）と導電性基体９１の表面との間の距離が一定化しないために、導電性基体９１の表面に形成される膜の厚みや質にムラが生じる。また、金属電極９４（ガス吹き出し口９４ａ）と導電性基体９１の表面との間の距離の不均一さに起因して、それらの間に異常放電が生じることがある。このような異常放電が生じた場合には、膜の異常成長が生じ、導電性基体９１の表面に形成される膜の厚みや質にムラが生じる。とくに、隣接する導電性基体９１の端部においては、位置ずれにより段差が生じるため、段差の部分（端部）の近傍において異常放電が生じやすい。このような膜厚や膜質のムラは、画像ムラや微小な画像欠陥の原因となるため、電子写真装置のカラー化が急速に進むにつれて大きな問題となる。

第２に、隣接する導電性基体９１の端部においては、上述のように位置ずれにより段差が生じるため、段差（端部）の近傍においては、膜の密着性が低くなる。そのため、成膜終了後において基体支持体９２から導電性基体９１を取り外すときに、導電性基体９１の端部において膜剥がれが生じることがある。このような端部での膜剥がれは、歩留りを低下させる原因となるためにコスト低減が図れず、低価格化の要求に対応することができない。

本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであり、円筒状基体に対して膜厚や膜質のムラの少ない膜を形成できるようにするとともに膜剥がれが生じることを抑制し、画像ムラや微小な画像欠陥の少ない電子写真感光体を低コストで提供できるようにすることを課題としている。

本発明では、複数の基体を基体支持体に支持させた状態で互いに隣接させ、前記基体の表面に堆積膜を形成する堆積膜形成方法において、互いに隣接する基体どうしを、連結部材を介して連結した状態で前記堆積膜を形成することを特徴とする、堆積膜形成方法が提供される。

本発明において堆積膜の形成対象となる基体は、たとえば電子写真感光体を構成する円筒状基体である。

円筒状基体は、たとえば端部にフランジを嵌め込むためのインロー部が形成されたものである。この場合、連結部材は、インロー部にはめ込まれることにより、隣接する円筒状基体の軸心を一致または略一致させるもの、たとえば円筒状部材として構成される。

連結部材は、円筒状基体の端面に設けられた凹部にはめ込まれるピン状部材として構成することもできる。

好ましくは、連結部材としては、ステンレス製のものが使用される。

本発明によれば、連結部材を介して複数の基体を連結した状態で堆積膜が形成されるため、堆積膜の膜厚や膜質にムラが生じることを抑制できる。たとえば、基体としての円筒状基体を用いる場合には、連結部材によって隣接する円筒状基体相互の軸心が一致または略一致させられるため、隣接する円筒状基体相互においては、それらの連結部分に段差が生じることが抑制される。そのため、原料ガスの吹き出し孔と円筒状基体との距離を均一化することができ、ガス吹き出し孔と円筒状基体の表面との間の距離の不均一さに起因する膜厚や膜質にムラを抑制できる。また、プラズマＣＶＤ法などの堆積膜形成方法では、連結部分における段差をなくすことにより、異常放電に起因する異状膜成長を抑制し、均質な堆積膜を形成することができる。したがって、本発明の堆積膜形成方法を電子写真感光体の製造に適用した場合には、膜厚や膜質のムラに起因する画像ムラや微小な画像欠陥の発生を抑制でき、電子写真装置のカラー化に適切に対応することができる。

また、円筒状基体の連結部分における段差がなくなれば、円筒状基体の端部における膜の密着性が低下することも抑制できる。そのため、成膜終了後において隣接する基体を分離するときに、基体の端部において膜剥がれが生じることを抑制できる。その結果、本発明の堆積膜形成方法では、円筒状基体の端部での膜剥がれに起因する歩留りの低下が抑制できるため、コストを低減させることができ、低価格化の要求に対応することが可能となる。

本発明において、円筒状基体のインロー部を利用して円筒状基体の相互を連結するようにすれば、連結部材を用いて円筒状基体を連結するために円筒状部材に対して特別な加工を施す必要がなく、生産性の低下やコスト上昇を抑制することができる。

本発明において、連結部材として円筒状基体の端面に設けられた凹部にはめ込まれるピン状部材を用いれば、インロー部のない円筒状基体に堆積膜を形成する場合においても、膜厚や膜質にムラが生じることを抑制することができる。

本発明において、連結部材としてステンレス製のものを用いれば、連結部材の強度を適切に確保できるため、連結部材の繰り返しの使用が可能となり、製造コスト的に有利なものとなる。

以下においては、本発明に係る堆積膜形成方法について、電子写真感光体を形成する場合を例にとって、第１ないし第３の実施の形態として、図面を参照しつつ説明する。

まず、本発明の第１の実施の形態について、図１ないし図５を参照して説明する。

図１に示したように、本発明により堆積膜が形成される円筒状基体１０は、その外周面に、例えば電荷注入阻止層１１、光導電層１２および表面保護層１３が順次積層形成されることにより電子写真感光体１を構成するものである。円筒状基体１０には、端部にフランジ１４を嵌め込むためのインロー部１０ａが設けられている。

このような円筒状基体１０に対しては、たとえば図２に示したプラズマＣＶＤ装置２を用いることにより、その外周面にアモルファスシリコン膜（ａ−Ｓｉ膜）を形成することができる。

プラズマＣＶＤ装置２は、円筒状電極２０および一対のプレート２１，２２により真空室２３を規定したものであり、基体支持体２４および加熱体２５をさらに備えている。

円筒状電極２０は、全体が金属などの導体により中空に形成されたものであり、絶縁シール２６を介して一対のプレート２１，２２に接合されている。この円筒状電極２０には、ガス導入口２７および複数のガス吹き出し孔２８が設けられているとともに、インピーダンス整合回路３０を介して高周波電源３１が接続されている。

ガス導入口２７は、真空室２３に供給すべき原料ガスを導入するためのものであり、原料ガスタンク４０，４１，４２，４３に配管４０Ａ，４１Ａ，４２Ａ，４３Ａ，４４を介して接続されている。原料ガスタンク４０，４１，４２，４３は、それぞれがＢ２Ｈ６、Ｈ２（またはＨｅ）、ＣＨ４あるいはＳｉＨ４が充填されたものである。配管４０Ａ，４１Ａ，４２Ａ，４３Ａの途中には、バルブ４０Ｂ，４１Ｂ，４２Ｂ，４３Ｂ，４０Ｃ，４１Ｃ，４２Ｃ，４３Ｃおよび流量調整器４０Ｄ，４１Ｄ，４２Ｄ，４３Ｄが設けられており、真空室２３に導入する各原料ガス成分の流量、ガス圧および組成を調整することが可能とされている。

複数のガス吹き出し孔２８は、円筒状電極２０の内部に導入された原料ガスを円筒状基体１０に向けて吹き出すためのものであり、図の上下方向等間隔で配置されているとともに、周方向にも等間隔で配置されている。複数の複数のガス吹き出し孔２８は、同一形状の円形に形成されており、その孔径Ｄは、たとえば０．５〜２．０ｍｍ程度とされている。

一対のプレート２１，２２は、円筒状電極２０の開口２０Ａ，２０Ｂを閉鎖するためのものであり、たとえば金属などの導体により、円筒状電極２０の外径に対応した径を有する円形に形成されている。

プレート２１には、その中心に回転手段５が設けられている。この回転手段５は、基体支持体２４を回転させるためのものである。回転手段５とプレート２１との接点には、真空室２３の真空を維持できるように回転機構（図示略）が設けられている。このような回転機構としては、回転軸を二重もしくは三重構造としてオイルシールやメカニカルシール等の真空シール手段を用いることができる。また、円筒状基体１０の温度制御のために円筒状基体１０の温度を検出するように構成する場合には、回転軸を中空に形成するとともに、回転軸の内部に温度検出手段やその配線などを設けることもできる。

このような回転手段５により基体支持体２４を回転させて成膜を行なった場合には、基体支持体２４とともに円筒状基体１０が回転させられるために、円筒状基体１０の外周に対して均等に原料ガスの分解成分を堆積させることが可能となる。

一方、プレート２２には、ガス排出口２２Ａおよび圧力計６０が設けられている。

ガス排出口２２Ａは、真空室２３のガスを外部に排出するためのものであり、メカニカルブースタポンプ６１およびロータリーポンプ６２に接続されている。これらのポンプ６１，６２によりガス排気口２２Ａを介して真空室２３からガスを排出させることにより、真空室２３は真空に維持される。真空室２３の圧力は、たとえば１．０〜１００Ｐａ程度とされる。

圧力計６０は、真空室２３の圧力をモニタリングするためのものである。圧力計６０でのモニタリング結果は、メカニカルブースタポンプ６１およびロータリーポンプ６２にフィードバックされ、真空室２３の圧力が所望値に維持される。圧力計６０としては、公知の種々のものを使用することができる。

基体支持体２４は、円筒状基体１０を支持するためのものであり（図３参照）、中空に形成されている。この基体支持体２４は、電極としても機能するものであり、全体が金属などの導体により形成されている。

加熱体２５は、円筒状基体１０を加熱するためのものであり、基体支持体２４の内部に収容されている。加熱体２５としては、たとえばニクロム線やカートリッジヒーターを使用することができる。

このようなプラズマＣＶＤ装置２を用いて円筒状基体１０にａ−Ｓｉ膜を形成する場合には、まず図３に示したように基体支持体２４に複数の円筒状基体１０（図面上は２つ）をセットする。図３および図４に示したように、基体支持体２４に円筒状基体１０をセットするに当たっては、まず、円筒状基体１０のインロー部１０ａを利用して、連結部材７を介して２つの円筒状基体１０を相互に連結する。

連結部材７としては、図５によく表れているように、円筒状のものが使用される。この連結部材７は、その内径が円筒状基体１０の内径と一致または略一致し、その外径が円筒状基体１０におけるインロー部１０ａの内径と一致または略一致している。そのため、図３および図４に示したように連結部材７を介して２つの円筒状基体１０を連結した場合には、円筒状基体１０の表面に段差を生じることなくそれらの軸心を一致または略一致させた状態で円筒状基体１０を一体化させつつも、円筒状基体１０を基体支持体２４に支持させるときに連結部材７が邪魔になることもない。このような連結部材７は、たとえばステンレス、アルミニウムあるいは銅などの金属により形成することができるが、とくにステンレスより形成したものを使用するのが好ましい。ステンレス製の連結部材７は、後述の実施例からも明らかになるように、十分な強度を有しているために繰り返しの使用が可能であるため、製造コスト的に有利なものとなる。

ここで、円筒状基体１０としては、導電性または絶縁性のもの、あるいは絶縁性基体の表面に導電層を形成したものが採用される。

導電性基体としては、たとえばアルミニウム（Ａｌ）、ステンレススチール（ＳＵＳ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、銅（Ｃｕ）、およびチタン（Ｔｉ）などの金属またはこれらの合金により形成されたものを挙げることができる。

絶縁性基体としては、たとえばガラス（ホウ珪酸ガラスやソーダガラスなど）、セラミックス、石英、およびサファイヤなどの無機絶縁物、あるいはフッ素樹脂、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリアミド、ビニロン、エポキシ、およびマイラーなどの合成樹脂絶縁物を挙げることができる。

絶縁性基体に形成される導電層としては、たとえば絶縁性基体の表面にＩＴＯ（インジウム・スズ・酸化物）、酸化錫、酸化鉛、酸化インジウム、およびヨウ化銅などの導電層の他、Ａｌ、Ｎｉ、および金（Ａｕ）などの金属層を採用することができる。また、導電層は、たとえば真空蒸着法、活性反応蒸着法、イオンプレーティング法、ＲＦスパッタリング法、ＤＣスパッタリング法、ＲＦマグネトロンスパッタリング法、ＤＣマグネトロンスパッタリング法、熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、スプレー法、塗布法、あるいは浸漬法などにより形成することができる。

連結部材７を介して一体化させた円筒状基体１０を基体支持体２４に支持させた後は、加熱体２５により円筒状基体１０を加熱するとともに、真空室２３を減圧する。

加熱体２５による円筒状基体１０の加熱は、たとえば加熱体２５に対して外部から電力を供給して加熱体２５を発熱させることにより行なわれる。このような加熱体５２の発熱により、円筒状基体３が目的とする温度に昇温される。円筒状基体１０の温度は、その表面に形成すべき膜の種類によって選択されるが、たとえばａ−Ｓｉ膜を形成する場合には２５０〜３００℃の範囲に設定される。

一方、真空室２３の減圧は、メカニカルブースタポンプ６１およびロータリーポンプ６２によってガス排出口２２Ａを介して真空室２３からガスを排出させることにより行なわれる。真空室２３の減圧の程度は、たとえば１．０〜１００Ｐａ程度とされる。

次いで、円筒状基体１０の温度が所望温度となり、真空室２３の圧力が所望圧力となった場合には、配管４０Ａ，４１Ａ，４２Ａ，４３Ａ，４４を介して原料ガスタンク４０，４１，４２，４３の原料ガスを、所望の組成、流量およびガス圧で、ガス導入口２７を介して円筒状電極２０の内部に導入する。円筒状電極２０の内部に導入された原料ガスは、複数のガス吹き出し孔２８を介して円筒状基体１０に向けて吹き出される。

一方、円筒状電極２０と基体支持体２４との間には、インピーダンス整合回路３０を介して高周波電源３１により高周波を印加する。これにより、円筒状電極２０と基体支持体２４との間にグロー放電が起こり、原料ガス成分が分解されてプラズマ化される。原料ガスの分解成分は、円筒状基体１０の表面に堆積される。そして、バルブ４０Ｂ，４１Ｂ，４２Ｂ，４３Ｂ，４０Ｃ，４１Ｃ，４２Ｃ，４３Ｃおよび流量調整器４０Ｄ，４１Ｄ，４２Ｄ，４３Ｄによって原料ガスの組成を適宜切り替えることにより、円筒状基体１０の表面には、電荷注入阻止層１１、光導電層１２および表面保護層１３が順次積層形成される。

円筒状基体１０に対する膜形成が終了した場合には、基体支持体２４から円筒状基体１０を抜き取ることにより、図１に示した電子写真感光体１を得ることができる。

このような堆積膜形成方法では、２つの円筒状基体１０の軸心を一致または略一致させ、それらの連結部分における段差がほとんどないものとされている。そのため、基体支持体２４を回転させたときの円筒状電極２０（複数のガス吹き出し孔２８）と円筒状基体１０の表面との間の距離が一定化することができる。その結果、円筒状電極２０（複数のガス吹き出し孔２８）と円筒状基体１０の表面との間の距離の不均一さに起因する膜厚や膜質にムラ、あるいは異常放電に起因する異状膜成長を抑制して均質な体積膜を形成することができる。したがって、本発明の堆積膜形成方法により得られる電子写真感光体１では、膜厚や膜質のムラに起因する画像ムラや微小な画像欠陥の発生を抑制でき、電子写真装置のカラー化に適切に対応することができる。

また、円筒状基体１０の連結部分における段差がなくなれば、円筒状基体１０の端部における膜の密着性が低下することも抑制できる。そのため、成膜終了後において基体支持体２４から円筒状基体１０を取り外すときに、円筒状基体１０の端部において膜剥がれが生じることを抑制できる。その結果、本発明の堆積膜形成方法では、歩留りの低下を抑制して製造コストを低減させることができるため、低価格化の要求に対応することが可能となる。

さらに、円筒状基体１０のインロー部１０ａを利用して円筒状基体１０の相互を連結するようにすれば、円筒状基体１０を連結するために円筒状基体１０に対して特別な加工を施す必要がないために、生産性の低下やコスト上昇を抑制することができる。

次に、本発明の第２の実施の形態について、図６および図７を参照しつつ説明する。

本実施の形態に係る堆積膜形成方法は、円筒状基体１０′の端部１０Ｂ′および連結部材７′の構成が先に説明した堆積膜形成方法とは異なっている。

本実施の形態において用いられる円筒状基体１０′は、インロー部１０ａ（図１参照）が設けられていないものであり、端面１０ｂ′において複数の凹部１０ｃ′が設けられたものである。一方、連結部材７′は、凹部１０ｃ′に嵌合するためのピン状部材として構成されている。

本実施の形態では、凹部１０ｃ′に連結部材７′を嵌め込むことにより２つの円筒状基体１０′が相互に連結される。このような連結部材７′を用いる方法は、インロー部１０ａ（図１参照）が設けられていない円筒状基体１０′に堆積膜を形成する場合に有用である。

次に、本発明の第３の実施の形態について、図８および図９を参照しつつ説明する。

本実施の形態に係る堆積膜形成方法は、連結部材７″の構成が先に説明した第２の実施の形態の堆積膜形成方法とは異なっている。

連結部材７″は、円筒状部材７０″の端面７１″から複数のピン状部７２″が突出して形成されたものである。この連結部材７″では、各ピン状部７２″を円筒状基体１０″の凹部１０ｃ″に嵌め込むことにより、２つの円筒状基体１０″を連結することができる。このような連結部材７″では、図６および図７に示したような、複数のピン状部材７′により円筒状基体１０′を連結する場合のように、凹部１０ｃ′に対して個別にピン状部材を嵌め込む必要がないために作業性が向上する。

本発明は、上述した実施の形態には限定されず、種々に変更可能である。たとえば、上述の実施の形態では、プラズマＣＶＤ法によりａ−Ｓｉ膜を形成する場合を例にとって説明したが、本発明は、その他のＣＶＤ法（たとえば熱ＣＶＤ法や発熱体ＣＶＤ法）、あるいはＣＶＤ法以外の堆積膜形成方法に対しても適用することができ、またａ−Ｓｉ膜以外の膜を形成する場合にも適用することができる。

また、連結部材としては、円筒状やピン状、あるいはそれらを組み合わせたもの以外に、たとえばプレート状のもの、あるいは円筒状部材の端面からピン状以外のフィンが突出したものなどを使用することもできる。

先の実施の形態では、２つの円筒状基体を連結して堆積膜を形成する場合を例にとって説明したが、本発明は３つ以上の円筒状基体を連結して堆積膜を形成する場合にも適用することができる。

本実施例では、図２に示した構成のプラズマＣＶＤ装置２を用いて図１に示した構成の電子写真感光体１を形成したときの電位特性、画像特性および外観特性について評価した。

円筒状基体としては、図１などに示したようにインロー部１０ａが設けられたものであり、アルミニウムよりなる直径８４ｍｍ、長さ３４０ｍｍのものを用いた。基体支持体２４に対しては、図３に示したように、２つの円筒状基体１０を円筒状の連結部材７を介して連結した状態で支持させた。連結部材７としては、ステンレス製のものを用いた。堆積膜は、下記表１に示す条件で形成した。各特性の評価結果については、下記表２に示した。表２においては、連結部材を用いずに基体支持体に２つの円筒状基体を支持させて堆積膜を形成した場合の結果を同時に示した。

なお、電位特性は京セラ株式会社製の電位測定器を用いて評価し、画像特性は京セラミタ社製 KM7530を用いて評価した。

また、表２において、○は「良好」、△は「不良率が高くなるが実使用上問題ない」、×は「実使用上問題あり」で評価した。

表２の結果から分かるように、連結部材７を用いて２つの円筒状基体１０を連結した状態で堆積膜を形成した場合には、連結部材７を用いずに堆積膜を形成する場合に比べて、画像および外観品質が大きく向上している。とくに、円筒状基体１０の端部５０ｍｍまでの領域での画像および外観品質が大きく向上していた。その一方で、連結部材７を用いて堆積膜を形成した場合において、電位特性についての劣化も見受けられなかった。そのため、本発明の堆積膜形成方法によれば、実用上問題のない特性を有する電子写真感光体を提供できるため、歩留りが向上させることが可能となる。

本実施例においては、材質の異なる連結部材７を用いて、実施例１と同様にして円筒状基体１０に堆積膜を形成するとともに、各種特性を評価した。各種特性の評価結果については、下記表３に示した。なお、下記表３において、○は「良好」、×は「実使用上問題あり」である。

表３の結果から分かるように、連結部材７の材質に関わらず品質が向上した。ＡｌやＣｕ製の連結部材７は、材質が軟らかいため、堆積後の円筒状基体１０と連結部材７との切り離しは容易ではなかった。その一方で、ＳＵＳ製の連結部材７は強度が十分に保たれているために、円筒状基体７からの切り離しが容易に行え、また繰り返し使用してもその効果が得られた。

本発明に係る堆積膜形成方法により得られる電子写真感光体の一例を示す断面図およびその要部拡大図である。 本発明の第１の実施の形態に係る堆積膜形成方法を説明するためのＣＶＤ装置の断面図である。 図２に示したＣＶＤ装置における基体支持体に２つの円筒状基体を支持させた状態を示す断面図である。 図３に示した２つの円筒状基体の連結部分を拡大して示した断面図である。 図４に示した連結部分を分解して示した斜視図である。 本発明の第２の実施の形態を説明するための図４に相当する断面図である。 図６に示した連結部分の図５に相当する分解斜視図である。 本発明の第３の実施の形態を説明するための図４に相当する断面図である。 図８に示した連結部分の図５に相当する分解斜視図である。 従来の堆積膜形成方法の一例を、プラズマＣＶＤ法を例にとって説明するための断面図である。 図１０に示したＣＶＤ装置における基体支持体に２つの円筒状基体を支持させた状態を示す断面図である。 図１１に示した２つの円筒状基体の連結部分を拡大して示した断面図である。

符号の説明

１ 電子写真感光体
１０，１０′，１０″ 円筒状基体
１０ａ （円筒状基体の）インロー部
１４ （電子写真感光体の）フランジ
２４ 基体支持体
７，７′，７″ 連結部材

Claims (6)

1. 複数の基体を基体支持体に支持させた状態で互いに隣接させ、前記基体の表面に堆積膜を形成する堆積膜形成方法において、
   互いに隣接する基体どうしを、連結部材を介して連結した状態で前記堆積膜を形成することを特徴とする、堆積膜形成方法。
2. 前記基体は、電子写真感光体を構成する円筒状基体である、請求項１に記載の堆積膜形成方法。
3. 前記円筒状基体は、端部にフランジを嵌め込むためのインロー部が形成されたものであり、
   前記連結部材は、前記インロー部にはめ込まれることにより、隣接する円筒状基体の軸心を一致または略一致させるものである、請求項２に記載の堆積膜形成方法。
4. 前記連結部材は、円筒状部材である、請求項３に記載の堆積膜形成方法。
5. 前記連結部材は、前記円筒状基体の端面に設けられた凹部にはめ込まれるピン状部材である、請求項２に記載の堆積膜形成方法。
6. 前記連結部材は、ステンレス製である、請求項１ないし５のいずれかに記載の堆積膜形成方法。
   

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