JPS6132851A - アモルフアスシリコン感光体の製造方法 - Google Patents
アモルフアスシリコン感光体の製造方法Info
- Publication number
- JPS6132851A JPS6132851A JP59154020A JP15402084A JPS6132851A JP S6132851 A JPS6132851 A JP S6132851A JP 59154020 A JP59154020 A JP 59154020A JP 15402084 A JP15402084 A JP 15402084A JP S6132851 A JPS6132851 A JP S6132851A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- drum
- amorphous silicon
- cylindrical
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08278—Depositing methods
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、グロー放電により円筒状基体の表面にアモル
ファスシリコン層を形成するアモルファスシリコン感光
体の製造方法に関する。
ファスシリコン層を形成するアモルファスシリコン感光
体の製造方法に関する。
一般に、電子写真装置などにおいては、ａ−８ｅ 、
Ｓｅ −Ｔｅ 、 Ｚ’ｎＯ、有機光導電体（ｏ、 ｐ
。
Ｓｅ −Ｔｅ 、 Ｚ’ｎＯ、有機光導電体（ｏ、 ｐ
。
Ｃ）などの感光体を用いているが、近年アモルファスシ
リコン（以下ａ−８ｉと書く０）が、耐熱性、長寿命、
無公害、高い光感度等の利点を有することから注目をあ
びてきている０このａ−８１感光体は、８ｉＨ４，Ｓｉ
２Ｈ６等Ｓｉを含むガスのグロー放電によシ成膜される
０第２図は従来のａ−Ｓｉ感光体の製造装置の縦断面図
であり、基台２１上に反応容器としての真空チャンバー
２２を気密可能に装着し、図示しない拡散ボンダ及び回
転ボンダで真空チャンバー２２内を１０ ’Ｔｏｒｒ［
減圧するように構成される。真空チャンバー２２内の基
台２１にはドラム保持装置２３が駆動装置２４によシ回
転可能に立設されている０ドラム保持装置２３はＭ等の
導電性材料で作られたドラム状基体２５を装着すること
ができると共に、ヒーター２６を有してドラム状基体２
５を１５０〜２５０℃の間の所定温度に加熱することが
できるように構成される。またドラム保持装置２３の周
囲には。
リコン（以下ａ−８ｉと書く０）が、耐熱性、長寿命、
無公害、高い光感度等の利点を有することから注目をあ
びてきている０このａ−８１感光体は、８ｉＨ４，Ｓｉ
２Ｈ６等Ｓｉを含むガスのグロー放電によシ成膜される
０第２図は従来のａ−Ｓｉ感光体の製造装置の縦断面図
であり、基台２１上に反応容器としての真空チャンバー
２２を気密可能に装着し、図示しない拡散ボンダ及び回
転ボンダで真空チャンバー２２内を１０ ’Ｔｏｒｒ［
減圧するように構成される。真空チャンバー２２内の基
台２１にはドラム保持装置２３が駆動装置２４によシ回
転可能に立設されている０ドラム保持装置２３はＭ等の
導電性材料で作られたドラム状基体２５を装着すること
ができると共に、ヒーター２６を有してドラム状基体２
５を１５０〜２５０℃の間の所定温度に加熱することが
できるように構成される。またドラム保持装置２３の周
囲には。
ガス導入部２７が、このドラム保持装置２３のまわシを
取シ囲むように配置される。ガス導入部２７のドラム保
持装置２３に保持されたドラム状基体２５の外周面に対
向する内周面は、複数個のガス噴出孔２８を有するとと
もに電圧の印加により放電を可能とする電極２９を兼ね
ている。ガス導入部２７はパイプを介して真空チャンバ
ー２２外のパルプ３０によシガスを真空チャンバー２２
内に導き、各々のガスは図示しないガス流量制御装置に
よって一定流量が導入されるように構成されている。こ
のパルプ３０を開にして、ＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６等のＳ
ｉを含むガス又はＳｔを含むガスとＣ，０，Ｈのいずれ
かを含むガス及び周期律表第［［ａ族又は第Ｖａ族のい
ずれかの元素を含むガスとの混合ガスを真空チャンバー
２２内に導入する。
取シ囲むように配置される。ガス導入部２７のドラム保
持装置２３に保持されたドラム状基体２５の外周面に対
向する内周面は、複数個のガス噴出孔２８を有するとと
もに電圧の印加により放電を可能とする電極２９を兼ね
ている。ガス導入部２７はパイプを介して真空チャンバ
ー２２外のパルプ３０によシガスを真空チャンバー２２
内に導き、各々のガスは図示しないガス流量制御装置に
よって一定流量が導入されるように構成されている。こ
のパルプ３０を開にして、ＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６等のＳ
ｉを含むガス又はＳｔを含むガスとＣ，０，Ｈのいずれ
かを含むガス及び周期律表第［［ａ族又は第Ｖａ族のい
ずれかの元素を含むガスとの混合ガスを真空チャンバー
２２内に導入する。
またＳｉを含むガス又はＳｌを含むガスと他のガスとの
混合ガスは、ドラム状基体２５の外側に設けである電極
２９のガス噴出孔２８から第２図の矢印に示すごとく電
極２９とほぼ同軸を有するように対向配設されたドラム
状基体２５に向けて噴きつけられる構造となっている。
混合ガスは、ドラム状基体２５の外側に設けである電極
２９のガス噴出孔２８から第２図の矢印に示すごとく電
極２９とほぼ同軸を有するように対向配設されたドラム
状基体２５に向けて噴きつけられる構造となっている。
真空チャンバー２２内のガス圧が０．１〜１．Ｑ Ｔｏ
ｒｒの間の所定の値になるように排気系を調整した後、
電極２９に電源３１から１３．５６ ＭＨｚの高周波電
力（以下Ｒ，Ｆ、パワーと書く）を印加すると、電極２
９とドラム状基体２５との間Ｋｓｉを含むガス又はＢｋ
を含むガスと他のガスとの混合ガスのプラズマ状態が発
生し、ａ−Ｓｉ層の成膜が開始される。
ｒｒの間の所定の値になるように排気系を調整した後、
電極２９に電源３１から１３．５６ ＭＨｚの高周波電
力（以下Ｒ，Ｆ、パワーと書く）を印加すると、電極２
９とドラム状基体２５との間Ｋｓｉを含むガス又はＢｋ
を含むガスと他のガスとの混合ガスのプラズマ状態が発
生し、ａ−Ｓｉ層の成膜が開始される。
ここでａ−Ｓｉ層の成膜罠寄与しなかった残留ガスは、
排気口３２．ダストトラップ３３及びメカニカルプース
タボング３４．ロータリーポンプ３５を通過した後、図
示しない排ガス処理′装置を経て安全に外気に排出され
る０ ところが、この様な成膜方式でａ−Ｓｉ層の成膜を行な
うと、まず反応チャンバー２２内を１０’Ｔｏｒｒの真
空に引き、同時にドラム状基体２５を１５０〜２５０℃
の間の所定温度に加熱するのに少なくとも２時間要する
、また、ａ−８ｉ層の成膜速度が現状では最大でも６μ
ｍ／時間とａ Ｓｅ等と比べて極めて遅いことから、
電子写真感光体として必要な１５〜２０μｍの膜厚を得
るためには２，５時間程度の成膜時間を必要とする。さ
ら罠はａ−８ｉ層の成膜後、ａ−８ｉ悪感光を大気中に
取り出す時、急激な温度変化を避ける為、ドラム状基体
２５が１５０〜２５０°０から少なくとも１００°Ｃ以
下に冷却するのに約１〜２時間待機しなければならない
。結果的には、１本のａ−８ｉ悪感光を成膜するのに約
６時間も必要とし、量産性に問題があった。
排気口３２．ダストトラップ３３及びメカニカルプース
タボング３４．ロータリーポンプ３５を通過した後、図
示しない排ガス処理′装置を経て安全に外気に排出され
る０ ところが、この様な成膜方式でａ−Ｓｉ層の成膜を行な
うと、まず反応チャンバー２２内を１０’Ｔｏｒｒの真
空に引き、同時にドラム状基体２５を１５０〜２５０℃
の間の所定温度に加熱するのに少なくとも２時間要する
、また、ａ−８ｉ層の成膜速度が現状では最大でも６μ
ｍ／時間とａ Ｓｅ等と比べて極めて遅いことから、
電子写真感光体として必要な１５〜２０μｍの膜厚を得
るためには２，５時間程度の成膜時間を必要とする。さ
ら罠はａ−８ｉ層の成膜後、ａ−８ｉ悪感光を大気中に
取り出す時、急激な温度変化を避ける為、ドラム状基体
２５が１５０〜２５０°０から少なくとも１００°Ｃ以
下に冷却するのに約１〜２時間待機しなければならない
。結果的には、１本のａ−８ｉ悪感光を成膜するのに約
６時間も必要とし、量産性に問題があった。
また、第２図に示す様な製造装置を用いたａ−８ｉ 感
光体の製造方法ではガスの排気口３２が装置の下方に設
けられている為、Ｓｉを含むガス又はＳｉを含むガスと
他のガスとの混合ガスはまずプラズマ領域Ａで励起され
て、Ｔ方に引かれて行くにしたがって連続的に再度励起
される。こ、の為プラズマ領域ＡとＢとを比較するとプ
ラズマ領域Ａでは絶えず新しいガスによるラジカルが存
在するのに反しプラズマ領域Ｂでは上方で励起された古
いラジカルが存在している。この事は、ａ−８ｉ層を高
速で成膜する為に、Ｒ０Ｆパワーを １〜２ＫＷの大電
力とした時、顯著となりプラズマ領域Ｂでは、ラジカル
同士が気相で重合し成膜に寄与しない粉状のＳｉの副生
成物が大量に発生してしまう０そしてこのＳｉの副生成
物が成膜中のａ−８ｉ膜中に取シ込まれて膜中の欠陥と
なり、さらには成膜後の反応チャンバー２２内の洗浄に
長時間髪するという量産性の低下ももたらしだ。ここで
ＲｏＦ ノくワーが１００〜５００Ｗの低電力とした時
であってもプラズマ領域ＡとＢとではラジカルの種類が
異なる為、ドラム状基体２５の上下方向で膜厚や電子写
真特性が異なるという不具合点があった。
光体の製造方法ではガスの排気口３２が装置の下方に設
けられている為、Ｓｉを含むガス又はＳｉを含むガスと
他のガスとの混合ガスはまずプラズマ領域Ａで励起され
て、Ｔ方に引かれて行くにしたがって連続的に再度励起
される。こ、の為プラズマ領域ＡとＢとを比較するとプ
ラズマ領域Ａでは絶えず新しいガスによるラジカルが存
在するのに反しプラズマ領域Ｂでは上方で励起された古
いラジカルが存在している。この事は、ａ−８ｉ層を高
速で成膜する為に、Ｒ０Ｆパワーを １〜２ＫＷの大電
力とした時、顯著となりプラズマ領域Ｂでは、ラジカル
同士が気相で重合し成膜に寄与しない粉状のＳｉの副生
成物が大量に発生してしまう０そしてこのＳｉの副生成
物が成膜中のａ−８ｉ膜中に取シ込まれて膜中の欠陥と
なり、さらには成膜後の反応チャンバー２２内の洗浄に
長時間髪するという量産性の低下ももたらしだ。ここで
ＲｏＦ ノくワーが１００〜５００Ｗの低電力とした時
であってもプラズマ領域ＡとＢとではラジカルの種類が
異なる為、ドラム状基体２５の上下方向で膜厚や電子写
真特性が異なるという不具合点があった。
本発明は、上記事情にもとづいてなされたものでＢ−８
ｉ層の膜厚分布及び電子写真特性のばらつきが少なく、
成膜速度が速く、量産性の良いａ−８ｉ悪感光の製造方
法を徒供することを目的とする。
ｉ層の膜厚分布及び電子写真特性のばらつきが少なく、
成膜速度が速く、量産性の良いａ−８ｉ悪感光の製造方
法を徒供することを目的とする。
本発明は上記目的を達成するために１円筒状基体の外周
面に沿って複数個のプラズマ生成領域を設けることによ
り、ａ−８ｉ層の膜厚分布及び電子写真特性のばらつき
が少なく、成膜速度が速く、量産性の良いａ−８ｉ悪感
光の製造方法である。
面に沿って複数個のプラズマ生成領域を設けることによ
り、ａ−８ｉ層の膜厚分布及び電子写真特性のばらつき
が少なく、成膜速度が速く、量産性の良いａ−８ｉ悪感
光の製造方法である。
〔発明の実施例〕 □
以下、本発明の一実施例を図を参照しながら説明する。
第１図及び第３図は、本発明の一実施例である製造方法
を実施する為のａ−８ｉ悪感光の製造装置の横断面図及
び縦断面図である。基台１上に反応容器としての真空チ
ャンバー２を気密可能に装着してあり、真空チャンバー
２内の基台１にはドラム保持装置３が駆動装置４によ多
回転可能に立設されている。ドラム保持装置３はＡ／等
の導電性材料で作られたドラム状基体５と、ドラム状基
体５を加熱する為のヒーター６を装着している０またド
ラム保持装置３や周囲には、ガス導入部７がこのドラム
保持装置のまわシを取シ囲む様に配置される。ガス導入
部７の内周面、即ちドラム保持装置３に保持されたドラ
ム状基体５の外周面に対向する位置には、電圧の印加に
よシ放電を可能とする電極９Ａ。
を実施する為のａ−８ｉ悪感光の製造装置の横断面図及
び縦断面図である。基台１上に反応容器としての真空チ
ャンバー２を気密可能に装着してあり、真空チャンバー
２内の基台１にはドラム保持装置３が駆動装置４によ多
回転可能に立設されている。ドラム保持装置３はＡ／等
の導電性材料で作られたドラム状基体５と、ドラム状基
体５を加熱する為のヒーター６を装着している０またド
ラム保持装置３や周囲には、ガス導入部７がこのドラム
保持装置のまわシを取シ囲む様に配置される。ガス導入
部７の内周面、即ちドラム保持装置３に保持されたドラ
ム状基体５の外周面に対向する位置には、電圧の印加に
よシ放電を可能とする電極９Ａ。
９Ｂが円周方向に２分割され配設されている。
８１を含むガス又はＳｉを含むガスと他のガスとの混合
ガス（以下、単にガスと書く。）は、ガス導入バルブ１
０で流量を制限されてガス導入バイブ１１を介して真空
チャンバー２内のガス導入部７に導びかれるようになっ
ている０ここでガス導入バイブ１１は１１Ａ、１１Ｂの
二方向に分かれガス導入バイブＩＩＡから導入されたガ
スは、第１図の矢印に示す様に分離電極の境界即ち電極
９Ａと電極９Ｂとの間に設けられたガス噴出口１２Ａか
ら噴出し、電極９Ａ、９Ｂとほぼ同軸を有する様に対向
配設されたドラム状基体５の外周面に沿って流れ、ガス
噴出口１２Ａと時計回り１８０°の位置に設けられたガ
ス吸引口１３Ａより吸引される。同様にガス導入パイプ
１ ’Ｉ Ｂから導入されたガスもガス噴出口１２Ｂよ
り噴出しこのガス噴出口１２Ｂと時計回１１８０°の位
置に設けられたガス吸引口１３Ｂより吸引される。ここ
で１４Ａ、１４Ｂは絶縁性のガス仕切り板であり、例え
ばガス噴出口１２Ａから噴出したガスがガス吸引口１３
Ｂから吸引されるのを防止している０この様にガスを導
入すると同時にパルプ１５を閉じ、ガス排出パルプ１６
を開くことによって排気系を図示しないメカニカルブー
スターポンプ及びロータリーポンプ系に切替える０そし
て真空チャンバー２内のガス圧を調整した後、電源１７
からＬＦ、パワーを印加すると各々の電極９Ａ。
ガス（以下、単にガスと書く。）は、ガス導入バルブ１
０で流量を制限されてガス導入バイブ１１を介して真空
チャンバー２内のガス導入部７に導びかれるようになっ
ている０ここでガス導入バイブ１１は１１Ａ、１１Ｂの
二方向に分かれガス導入バイブＩＩＡから導入されたガ
スは、第１図の矢印に示す様に分離電極の境界即ち電極
９Ａと電極９Ｂとの間に設けられたガス噴出口１２Ａか
ら噴出し、電極９Ａ、９Ｂとほぼ同軸を有する様に対向
配設されたドラム状基体５の外周面に沿って流れ、ガス
噴出口１２Ａと時計回り１８０°の位置に設けられたガ
ス吸引口１３Ａより吸引される。同様にガス導入パイプ
１ ’Ｉ Ｂから導入されたガスもガス噴出口１２Ｂよ
り噴出しこのガス噴出口１２Ｂと時計回１１８０°の位
置に設けられたガス吸引口１３Ｂより吸引される。ここ
で１４Ａ、１４Ｂは絶縁性のガス仕切り板であり、例え
ばガス噴出口１２Ａから噴出したガスがガス吸引口１３
Ｂから吸引されるのを防止している０この様にガスを導
入すると同時にパルプ１５を閉じ、ガス排出パルプ１６
を開くことによって排気系を図示しないメカニカルブー
スターポンプ及びロータリーポンプ系に切替える０そし
て真空チャンバー２内のガス圧を調整した後、電源１７
からＬＦ、パワーを印加すると各々の電極９Ａ。
９Ｂとドラム状基体５との間に各々プラズマ生成領域Ｉ
ｌｌが発生し、ａ−８ｉ層の成膜が開始される。
ｌｌが発生し、ａ−８ｉ層の成膜が開始される。
この様な装置においては、ガス噴出口１２Ａ。
１２Ｂ近辺のプラズマ領域とガス吸引口１３Ａ。
１３Ｂ近辺のプラズマ領域ではガスのラジカルの励起さ
れた状態が異なるがドラム状基体５が駆動装置４によっ
て円周方向に回転しているため、成膜後のドラム状基体
５の円周方向での膜厚や電子写真特性にばらつきを生じ
ることはない０ また第４図も本発明の一実施例である製造方法を実施す
るだめのａ−８１感光体の製造装置の横断面図である。
れた状態が異なるがドラム状基体５が駆動装置４によっ
て円周方向に回転しているため、成膜後のドラム状基体
５の円周方向での膜厚や電子写真特性にばらつきを生じ
ることはない０ また第４図も本発明の一実施例である製造方法を実施す
るだめのａ−８１感光体の製造装置の横断面図である。
これは第１図及び第３図に示す製造装置の電極をさらに
２分割した応用例である。装置全体の構成は第１図と同
様であるが、ドラム状基体５の外周面に対するガス導入
部７の内周面に電極４１Ａ、 ４１ Ｂ、 ４１ Ｃ，
４１Ｄが各々円周方向に４分割され配設されている。
２分割した応用例である。装置全体の構成は第１図と同
様であるが、ドラム状基体５の外周面に対するガス導入
部７の内周面に電極４１Ａ、 ４１ Ｂ、 ４１ Ｃ，
４１Ｄが各々円周方向に４分割され配設されている。
ガスはガス導入パルプ１０で流量を制限されて二方向に
分かれたガス導入パイプ１１Ａ、１１Ｂを介して真空チ
ャンバー２内のガス導入部７に導ひかれるようになって
いる。ガス導入パイプＩＩＡから導入されたガスは、第
４図の矢印に示す様に二方向のガス導入路１１Ａ−１゜
１１Ａ−２に分かれガス導入路１１Ａ−１を通るガスは
電極４１Ａのガス導入路１１Ａ−１方向手前に設けられ
たガス噴出口４２Ａから噴出し、ドラム状基体５の外周
面に沿って流れガス噴出口４２Ａと時計回り９０°の位
置に設けられたガス吸引口４３Ａより吸引される。一方
ガス導入路１１Ａ−２を通るガスは電極４１Ｄのガス導
入路１１Ａ−２方向前方に設けられたガス噴出口４２Ｄ
から噴出し、ドラム状基体５の外周面に活って流れガス
噴出口４２Ｄと時計回り９ｏ０の位置に設けられたガス
吸引口４３Ｄより吸引される。ガス導入パイプＩＩＢか
ら導入されたガスも同様にガス導入路１１Ｂ−１゜１１
Ｂ−２に分かれガス導入路１１Ｂ−１を通るガスはガス
噴出口４２Ｂから噴出し、電極４１Ｂに対向するドラム
状基体５の外周面に沿って流れ、ガス吸引口４３Ｂより
吸引され、ガス導入路１１Ｂ−２を通るガスは、ガス噴
出口４２Ｃから噴出し、電極４１Ｃに対向するドラム状
基体５の外周面に沿って流れガス吸引口４３Ｃより吸引
される。ここで４４Ａ、４４Ｃ。
分かれたガス導入パイプ１１Ａ、１１Ｂを介して真空チ
ャンバー２内のガス導入部７に導ひかれるようになって
いる。ガス導入パイプＩＩＡから導入されたガスは、第
４図の矢印に示す様に二方向のガス導入路１１Ａ−１゜
１１Ａ−２に分かれガス導入路１１Ａ−１を通るガスは
電極４１Ａのガス導入路１１Ａ−１方向手前に設けられ
たガス噴出口４２Ａから噴出し、ドラム状基体５の外周
面に沿って流れガス噴出口４２Ａと時計回り９０°の位
置に設けられたガス吸引口４３Ａより吸引される。一方
ガス導入路１１Ａ−２を通るガスは電極４１Ｄのガス導
入路１１Ａ−２方向前方に設けられたガス噴出口４２Ｄ
から噴出し、ドラム状基体５の外周面に活って流れガス
噴出口４２Ｄと時計回り９ｏ０の位置に設けられたガス
吸引口４３Ｄより吸引される。ガス導入パイプＩＩＢか
ら導入されたガスも同様にガス導入路１１Ｂ−１゜１１
Ｂ−２に分かれガス導入路１１Ｂ−１を通るガスはガス
噴出口４２Ｂから噴出し、電極４１Ｂに対向するドラム
状基体５の外周面に沿って流れ、ガス吸引口４３Ｂより
吸引され、ガス導入路１１Ｂ−２を通るガスは、ガス噴
出口４２Ｃから噴出し、電極４１Ｃに対向するドラム状
基体５の外周面に沿って流れガス吸引口４３Ｃより吸引
される。ここで４４Ａ、４４Ｃ。
４４Ｄは絶縁性のρス仕切シ板であ多側＆ばガス仕切り
板４４Ａはガス噴出口４２Ａから噴出したガスがガス吸
引口４３Ｄから吸引されるのを防止している。以下は第
１図及び第３図に示す製造装置と同じ過程で各々の電極
４１Ａ。
板４４Ａはガス噴出口４２Ａから噴出したガスがガス吸
引口４３Ｄから吸引されるのを防止している。以下は第
１図及び第３図に示す製造装置と同じ過程で各々の電極
４１Ａ。
４１Ｂｅ ４１Ｃ，４１Ｄとドラム状基体５との間に各
々プラズマ生成領域ｍ、 ■、Ｖ、Ｗが発生しａ−８１
層の成膜が開始される。
々プラズマ生成領域ｍ、 ■、Ｖ、Ｗが発生しａ−８１
層の成膜が開始される。
この様な装置においては、ドラム状基体に対向するガス
噴出口とガス吸引口の数が多く、新鮮なガスのドラム状
基体表面での滞留時間が短かくなる為、ドラム状基体の
円周方向では絶えず新しいラジカルが存在する。従って
電極に、大電力を印加してもラジカル同士が気相で重合
して粉状のＳｉの副生成物が発生することがなく。
噴出口とガス吸引口の数が多く、新鮮なガスのドラム状
基体表面での滞留時間が短かくなる為、ドラム状基体の
円周方向では絶えず新しいラジカルが存在する。従って
電極に、大電力を印加してもラジカル同士が気相で重合
して粉状のＳｉの副生成物が発生することがなく。
この為粉状の８ｉの副生成物が成膜中のａ−８ｉ膜中に
取シ込まれることなく、更には、成膜後の真空チャンバ
ー内の洗浄も必要なくなシドラム状基体表面へのａ−８
１膜の高速成膜が可能となり量産性も向上する。
取シ込まれることなく、更には、成膜後の真空チャンバ
ー内の洗浄も必要なくなシドラム状基体表面へのａ−８
１膜の高速成膜が可能となり量産性も向上する。
次に第１図及び第３図に示す様に構成された製造装置を
用いて、本発明の製造方法を説明する。まずパルプ１５
を開にして図示しないメカニカルブースターボング及び
ロータリーポンプ千ノ排気系で真空チャンバー２を１０
Ｔｏｒｒまで真空に引く。そしてドラム状基体５を
駆動装置４によって回転させながらヒーター６によって
２３０℃に加熱させ、ガス導入パルプ１０を開いて１０
０％ＳｉＨ４ガス３００８ＣＣＭを各々ガス噴出に１２
Ａ、１２Ｂよシトラム状基体５の表面に導ひくと同時に
パルプ１５を閉じ、ガス排出パルプ１６を開くことによ
り排気系をメカニカルブースターボング及びロータリー
ポンプ系に切替え真空チャンバ−２内部のガス圧が１．
０Ｔｏｒｒになるようにガス排出パルプ１６の開閉を調
整する。次に電極９Ａ、９Ｂに電源１７から合計電力が
５００Ｗになる様に電流を供給する。
用いて、本発明の製造方法を説明する。まずパルプ１５
を開にして図示しないメカニカルブースターボング及び
ロータリーポンプ千ノ排気系で真空チャンバー２を１０
Ｔｏｒｒまで真空に引く。そしてドラム状基体５を
駆動装置４によって回転させながらヒーター６によって
２３０℃に加熱させ、ガス導入パルプ１０を開いて１０
０％ＳｉＨ４ガス３００８ＣＣＭを各々ガス噴出に１２
Ａ、１２Ｂよシトラム状基体５の表面に導ひくと同時に
パルプ１５を閉じ、ガス排出パルプ１６を開くことによ
り排気系をメカニカルブースターボング及びロータリー
ポンプ系に切替え真空チャンバ−２内部のガス圧が１．
０Ｔｏｒｒになるようにガス排出パルプ１６の開閉を調
整する。次に電極９Ａ、９Ｂに電源１７から合計電力が
５００Ｗになる様に電流を供給する。
この様にすると、真空チャンバー２におけるグロー放電
によシＳ ｉ −Ｈ，Ｓ １−Ｈ２，８ｉ −Ｈａ等の
ラジカルが形成され、ドラム状基体５上には、約１時間
の成膜時間で、１８μｍの膜厚を持ったａ−８ｉ＃が成
膜される。その彼、電源１７をオフにし、ガス導入パル
プ１０を閉じて真空チャンバー２内を再びｌｏ’Ｔｏｒ
ｒの真空に引き、ヒーター６をオフ１ＣＬドラム状基体
５の温度が１００℃以下になった後、ａ−Ｓｉ感光体を
大気中に取シ出す。一方真空テヤンバー２内のＳｉＨ４
ガスは排気系によシ排気され図示されない排ガス処理装
置を経て排出される。
によシＳ ｉ −Ｈ，Ｓ １−Ｈ２，８ｉ −Ｈａ等の
ラジカルが形成され、ドラム状基体５上には、約１時間
の成膜時間で、１８μｍの膜厚を持ったａ−８ｉ＃が成
膜される。その彼、電源１７をオフにし、ガス導入パル
プ１０を閉じて真空チャンバー２内を再びｌｏ’Ｔｏｒ
ｒの真空に引き、ヒーター６をオフ１ＣＬドラム状基体
５の温度が１００℃以下になった後、ａ−Ｓｉ感光体を
大気中に取シ出す。一方真空テヤンバー２内のＳｉＨ４
ガスは排気系によシ排気され図示されない排ガス処理装
置を経て排出される。
以上の様にして成膜されたａ−Ｓｉ感光体の膜厚を測定
したところ、１８μｍ ｆ ０．２μｍ の範囲でばら
つきが極めて少なかった。また、電子写真特性について
も帯電後の表面電位は−６，５ＫＶのコロナ帯電に対し
て一２００±２０Ｖの範囲に入り白地対応で２ ｌｕｘ
＊ ｓｅｃの光像照射を行った後、乾式２成分現像剤
を用いて現像したところハーフトーンにむらのない解像
度のすぐれた良好な接写画像が得られた０この様に本発
明の製造方法を用いると膜厚分布、電子写真特性ともに
ばらつきの少ないａ−Ｓｉ感光体を製造することができ
る。捷た、成膜後の真空チャンバー２内に粉状のＳｉの
副生成物はほとんど付着していないので、洗浄の必要も
ない。
したところ、１８μｍ ｆ ０．２μｍ の範囲でばら
つきが極めて少なかった。また、電子写真特性について
も帯電後の表面電位は−６，５ＫＶのコロナ帯電に対し
て一２００±２０Ｖの範囲に入り白地対応で２ ｌｕｘ
＊ ｓｅｃの光像照射を行った後、乾式２成分現像剤
を用いて現像したところハーフトーンにむらのない解像
度のすぐれた良好な接写画像が得られた０この様に本発
明の製造方法を用いると膜厚分布、電子写真特性ともに
ばらつきの少ないａ−Ｓｉ感光体を製造することができ
る。捷た、成膜後の真空チャンバー２内に粉状のＳｉの
副生成物はほとんど付着していないので、洗浄の必要も
ない。
なお、第４図に示す実施例では電極を４つ円周方向に活
って配設したが電極の数はこれに限られない。
って配設したが電極の数はこれに限られない。
寸だ、第５図は、本発明をａ−Ｓｉ感光体の量産装置に
適用した実施例であり、３本のドラム状Ｒ２体５Ａ、５
Ｂ、５Ｃを真空チャンバー２の長手方向に直列に接続し
て、＋の上部に導電性ダミードラム５１．下部にドラム
保持装置３更にドラム状基体５Ａ、５Ｂ、５ｃの各々接
続部に、導電性接続ダミ一部５２Ａ、５２Ｂと設けた。
適用した実施例であり、３本のドラム状Ｒ２体５Ａ、５
Ｂ、５Ｃを真空チャンバー２の長手方向に直列に接続し
て、＋の上部に導電性ダミードラム５１．下部にドラム
保持装置３更にドラム状基体５Ａ、５Ｂ、５ｃの各々接
続部に、導電性接続ダミ一部５２Ａ、５２Ｂと設けた。
ここで導電性接続ダミ一部５２Ａ、５２Ｂは各々のドラ
ム状基体を支え、さらに膜はがれ防止にも役立っている
。真空チャンバー２外の構成は、第１図及び第３図に示
す製造装置と同様であシ、製造方法も同様に行ないａ−
Ｓｉ感光体の量産が可能となる。
ム状基体を支え、さらに膜はがれ防止にも役立っている
。真空チャンバー２外の構成は、第１図及び第３図に示
す製造装置と同様であシ、製造方法も同様に行ないａ−
Ｓｉ感光体の量産が可能となる。
なお、第５図に示す実施例ではドラム状基体を３つ配設
したがその数はこれに限られない０〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明によれば、ａ−Ｓｉ層の膜
厚分布及び電子写真特性のばらつきが少なく、成膜速度
が速く量産性の良いａ−Ｓｉ感光体を製造することがで
きる。
したがその数はこれに限られない０〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明によれば、ａ−Ｓｉ層の膜
厚分布及び電子写真特性のばらつきが少なく、成膜速度
が速く量産性の良いａ−Ｓｉ感光体を製造することがで
きる。
第１図は、本発明の一実施例であるａ−Ｓｉ感光体の製
造方法を実施する為のａ−８７感光体の製造装置の横断
面図、第２図は、従来のａ−Ｓ＋感光体の製造装置の縦
断面図、第３図は第１図に示す製造装置の縦断面図、第
４図は本発明の一実施例であるａ−Ｓｉ感光体の製造方
法を実施する為のａ−Ｓｉ感光体の製造装置の横断面図
、第５図は、本発明の一実施例であるａ−８４感光体の
製造方法を実施する為のａ−Ｓｉ感光体の量産装置の縦
断面図である。 ２・・・反応容器（Ａ空チャンバー）、４・・駆動装置
、５．５Ａ、５Ｂ、５Ｃ・・・円筒状基体（ドラム状基
体）、９Ａ、９１１．４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃ。 ４１Ｄ・・円筒状電極、分離電極（電極） 、 １２Ａ
。 １２Ｌ（，４２Ａ、４２Ｂ、４２Ｃ，４２Ｄ・・・ガス
噴出口、１３Ａ、１３Ｂ、４３Ａ、４３Ｂ、４３Ｃ，４
３Ｄ ・・・ガス吸引臼、１４Ａ、１．４Ｂ、４４Ａ、
４４Ｂ、４４Ｃ，４４Ｄ・・・絶縁部材（ガス仕切り板
）、５２Ａ、５２Ｂ・・・接続部分（４電性接続ダミ一
部）、■。■。 ｍ、 ■、Ｖ、ＶＩ・・・プラズマ生成領域。 代理人１ｒ８！士 則近憲佑（はが１名）第２図 第３図
造方法を実施する為のａ−８７感光体の製造装置の横断
面図、第２図は、従来のａ−Ｓ＋感光体の製造装置の縦
断面図、第３図は第１図に示す製造装置の縦断面図、第
４図は本発明の一実施例であるａ−Ｓｉ感光体の製造方
法を実施する為のａ−Ｓｉ感光体の製造装置の横断面図
、第５図は、本発明の一実施例であるａ−８４感光体の
製造方法を実施する為のａ−Ｓｉ感光体の量産装置の縦
断面図である。 ２・・・反応容器（Ａ空チャンバー）、４・・駆動装置
、５．５Ａ、５Ｂ、５Ｃ・・・円筒状基体（ドラム状基
体）、９Ａ、９１１．４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃ。 ４１Ｄ・・円筒状電極、分離電極（電極） 、 １２Ａ
。 １２Ｌ（，４２Ａ、４２Ｂ、４２Ｃ，４２Ｄ・・・ガス
噴出口、１３Ａ、１３Ｂ、４３Ａ、４３Ｂ、４３Ｃ，４
３Ｄ ・・・ガス吸引臼、１４Ａ、１．４Ｂ、４４Ａ、
４４Ｂ、４４Ｃ，４４Ｄ・・・絶縁部材（ガス仕切り板
）、５２Ａ、５２Ｂ・・・接続部分（４電性接続ダミ一
部）、■。■。 ｍ、 ■、Ｖ、ＶＩ・・・プラズマ生成領域。 代理人１ｒ８！士 則近憲佑（はが１名）第２図 第３図
Claims (10)
- （１）反応容器内に設けられた円筒状電極と、この円筒
状電極とほぼ同軸を有する様に対向配設した円筒状基体
との間に、グロー放電を発生させ、前記反応容器内に導
入されたシリコンを含むガスを分解して前記円筒状基体
上にアモルファスシリコン層を形成するものにおいて、
前記円筒状基体の外周面に沿つて複数個のプラズマ生成
領域を設けることを特徴とするアモルファスシリコン感
光体の製造方法。 - （２）前記複数個のプラズマ生成領域は、前記円筒状基
体と、前記円筒状電極を円周方向に分割して成る分離電
極との間に、各々設けられていることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載のアモルファスシリコン感光体の
製造方法。 - （３）前記分離電極の境界に、各々ガス噴出口及びガス
吸引口が設けられていることを特徴とする特許請求の範
囲第２項記載のアモルファスシリコン感光体の製造方法
。 - （４）前記分離電極の境界に、各々絶縁部材が設けられ
ていることを特徴とする特許請求の範囲第２項又は第３
項記載のアモルファスシリコン感光体の製造方法。 - （５）前記円筒状基体は、駆動装置により回転すること
と特徴とする特許請求の範囲第１項記載のアモルファス
シリコン感光体の製造方法。 - （６）反応容器内に設けられた円筒状電極と、この円筒
状電極とほぼ同軸を有する様に対向配設した接続部分を
有する複数本の円筒状基体との間に、グロー放電を発生
させ、前記反応容器内に導入されたシリコンを含むガス
を分解して、前記円筒状基体上にアモルファスシリコン
層を形成するものにおいて、前記複数本の円筒状基体の
外周面に沿つて各々複数個のプラズマ生成領域を設ける
ことを特徴とするアモルファスシリコン感光体の製造方
法。 - （７）前記複数個のプラズマ生成領域は、前記複数本の
円筒状基体と前記円筒状電極を円周方向に分割して成る
分離電極との間に、各々設けられていることを特徴とす
る特許請求の範囲第６項記載のアモルファスシリコン感
光体の製造方法。 - （８）前記分離電極の境界に各々ガス噴出口及びガス吸
引口が設けられていることを特徴とする特許請求の範囲
第７項記載のアモルファスシリコン感光体の製造方法。 - （９）前記分離電極の境界に、各々絶縁部材が設けられ
ていることを特徴とする特許請求の範囲第７項又は第８
項記載のアモルファスシリコン感光体の製造方法。 - （１０）前記複数本の円筒状基体は駆動装置により回転
することを特徴とする特許請求の範囲第６項記載のアモ
ルファスシリコン感光体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59154020A JPS6132851A (ja) | 1984-07-26 | 1984-07-26 | アモルフアスシリコン感光体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59154020A JPS6132851A (ja) | 1984-07-26 | 1984-07-26 | アモルフアスシリコン感光体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6132851A true JPS6132851A (ja) | 1986-02-15 |
Family
ID=15575149
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59154020A Pending JPS6132851A (ja) | 1984-07-26 | 1984-07-26 | アモルフアスシリコン感光体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6132851A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6453759U (ja) * | 1987-09-29 | 1989-04-03 | ||
| JPS6453758U (ja) * | 1987-09-30 | 1989-04-03 | ||
| JP2007270221A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Kyocera Corp | 堆積膜形成方法 |
-
1984
- 1984-07-26 JP JP59154020A patent/JPS6132851A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6453759U (ja) * | 1987-09-29 | 1989-04-03 | ||
| JPS6453758U (ja) * | 1987-09-30 | 1989-04-03 | ||
| JP2007270221A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Kyocera Corp | 堆積膜形成方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS59207620A (ja) | アモルフアスシリコン成膜装置 | |
| KR19990087693A (ko) | 벌크물질 진공코팅 장치 | |
| JPS6132851A (ja) | アモルフアスシリコン感光体の製造方法 | |
| EP2601054A1 (en) | Print head element, print head and ionographic printing apparatus | |
| JP3513206B2 (ja) | 堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置 | |
| JP3135031B2 (ja) | 堆積膜形成装置 | |
| JP3387616B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH06326080A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JP3606399B2 (ja) | 堆積膜形成装置 | |
| JPS60125373A (ja) | 堆積膜製造法 | |
| JPS6247486A (ja) | 電子写真用感光体の製造装置 | |
| JPS59217614A (ja) | アモルフアスシリコン成膜装置 | |
| JPH0411626B2 (ja) | ||
| JPH05217915A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JP3368142B2 (ja) | 堆積膜形成装置 | |
| JPH0520502B2 (ja) | ||
| JPS6247485A (ja) | プラズマｃｖｄ法による堆積膜形成装置 | |
| JPS62139878A (ja) | プラズマによる成膜装置 | |
| JPS62146263A (ja) | 電子写真用感光体製造装置 | |
| JP5645554B2 (ja) | 電子写真用感光体および画像形成装置 | |
| JPS6013074A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPS6010619A (ja) | グロ−放電による膜形成方法 | |
| JPH0987856A (ja) | 堆積膜形成装置 | |
| JPS59131512A (ja) | アモルフアスシリコン膜の形成方法 | |
| JP2005068455A (ja) | 堆積膜形成方法及び装置 |