JPH0211771A - グロー放電分解装置 - Google Patents

グロー放電分解装置

Info

Publication number
JPH0211771A
JPH0211771A JP16336888A JP16336888A JPH0211771A JP H0211771 A JPH0211771 A JP H0211771A JP 16336888 A JP16336888 A JP 16336888A JP 16336888 A JP16336888 A JP 16336888A JP H0211771 A JPH0211771 A JP H0211771A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
glow discharge
substrate
electrode plate
gas
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP16336888A
Other languages
English (en)
Inventor
Atsushi Watanabe
渡辺 敦司
Daigoro Okubo
大五郎 大久保
Kazumasa Okawa
大川 和昌
Hisashi Higuchi
永 樋口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Priority to JP16336888A priority Critical patent/JPH0211771A/ja
Publication of JPH0211771A publication Critical patent/JPH0211771A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はアモルファスシリコン膜などを形成できるグロ
ー放電分解装置に関して、成膜速度を高めることができ
たグロー放電分解装置に関するものである。
〔従来技術及びその問題点〕
グロー放電分解法によって製造されたアモルファスシリ
コン感光体ドラムが既に実用化されている。このアモル
ファスシリコン膜(以下、アモルファスシリコンをa−
3tと略す)の厚みは一般的に約20〜40μmであり
、その大きな厚みにより1本の感光体ドラムの製造所要
時間が約5〜10時間にもなっている。
従って、本発明は叙上に鑑みて案出されたものであり、
その目的は成膜速度を高めて製造所要時間を短縮し、こ
れによって製造効率及び製造コストを改善できたグロー
放電分解装置を提供することにある。
また本発明の他の目的は成膜全体に亘って均一な特性が
得られるグロー放電分解装置を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明によれば、成膜用ガスが導入される反応室の内部
に円筒状の電極板が設置され、該電極板の内側に円筒状
の基板が設置され、電極板に形成された複数個のガス噴
出口より上記ガスが吹き出されるとともにグロー放電が
発生し、上記基板上に成膜されるグロー放電分解装置に
おいて、前記電極板の内周面に複数個の磁石板を立設し
、各々の磁石板のなかで最も近づいている2個の磁石板
のそれぞれ対向する主面の磁極が相互に異なり、この対
向する磁石板の間にガス噴出口が設置され、前記成膜用
ガスが基板面に対して非垂直方向へ吹き出されるように
上記磁石板が電極板上に立てられ、成膜中上記ガスが基
板を軸にして螺旋回転しながらグロー放電分解されるこ
とを特徴とするグロー放電分解装置が提供される。
〔実施例〕
以下、本発明をグロー放電分解装置によりa−3i悪感
光ドラムを製作する場合を例にとって詳細に説明する。
第1図は本例グロー放電分解装置の正面概略図であり、
第2図は第1図中の切断面線X−Xによる概略図である
図中、■は金属から成る円筒状の反応容器であり、この
反応容器1の内部には円筒状のグロー放電用電極板2が
設置され、更に電極板2の内部には円筒状の基板支持体
3、基板支持体3に装着した円筒状の基板4が設置され
ている。5は反応容器1の底部であり、この底部5には
細管状のヒータ一部6が接続され、ヒータ一部6が基板
支持体3を加熱し、同時に基板4も加熱する。また、反
応容器1の上部にはモータ一部7が設置され、このモー
タ一部7は基板支持体3と接続されており、そして、モ
ータ一部7により基板支持体3とともに基板4が回転す
る。
8はガス導入部、9は電極板2に多数個形成されたガス
噴出口であり、a−5i成膜用ガスはガス導入部8より
導入され、ガス噴出口9を介して基板4の周面上に吹き
付けられ、グロー放電に供される。そして、その放電に
伴う残余ガスはガス排出部10より排出される。
また、11は高周波電源であり、その一方の出力端子は
アース側に接地され、他方の出力端子は反応容器1の周
壁に接続され、そして、この周壁と電気的に導通された
電極板2にグロー放電用電力が印加される。
なお、図中の矢印はガス流の方向を示し、また、12は
絶縁性のリング体である。
上記構成のグロー放電分解装置において、本発明者等は
一定寸法の永久磁石板13(例えば希土類、アルニコな
どから成る)を用意し、これらの永久磁石板13を電極
板2の内周面に立設した。
しかも、この立設に際して、上記磁石板13のなかで最
も近い2個の磁石板のそれぞれ対向する主面の磁極が相
互にS極−N極の関係にあり、これにより、その磁石板
間で強力な磁場が生じる。そして、この磁場のなかにガ
スが吹き出されるようにガス噴出口9が配置される。
また、上記磁石板13を電極板2の上に立設するに当た
って、いずれの磁石板13も同一方向に−様に傾斜させ
、これにより、ガス噴出口9より吹き出たガスの基板面
に吹き出される方向が−様な角度となり、そのため、電
極板2の内部に吹き出されたガスは、第3図の矢印Aが
示すガス流の通り、基板4を軸にして螺旋回転しながら
下方へ向かう。
このような構成のグロー放電分解装置によれば、a−5
i成膜用ガスはガス噴出口9より吹き出されると同時に
、そのガスには磁界が加わり、しかも、基板4が200
〜300°Cの温度に設定されるとともに回転し、基板
4と電極板2の間でグロー放電が発生する。そのため、
発生したプラズマの内部に電子のサイクロトロン回転運
動が生じ、これにより、ガスの分解効率が高くなり、ガ
スの成膜に寄与する利用効率が高くなり、その結果、成
膜速度を高めることができた。
また、上記構成のグロー放電分解装置においては、ガス
噴出口9より吹き出たガスが基板4の周面に対してスポ
ット的に多く当たる箇所ができず、そのため、その箇所
で不均一な成膜がなされず、膜面全体に亘って均質なa
−3i膜を形成することができる。
(実験例1) 上記グロー放電分解装置において、5iHnガスを20
0secmの流量で導入し、基板温度を260°Cに設
定し、そして、グロー放電用高周波電力を幾通りにも変
えながらa−5i膜の成膜速度を測定したところ、第4
図に示す通りの結果が得られた。
同図中、横軸は高周波電力量であり、縦軸は成膜速度で
あり、また、○印は本例の測定プロットである。
本発明者等は比較例として永久磁石板13を配置せず、
その他の成膜条件を同じに設定した場合の成膜速度も測
定した。この測定プロットはΔ印で示されている。
第4図に示す結果より明らかな通り、本発明のグロー放
電分解装置によれば、高周波電力量が大きくなるに伴っ
て成膜速度が大きくなり、しかも、その成膜速度は従来
に比べて3倍以上にもなっている。
(実験例2) 本例においては、高周波電力を600wに設定し、基板
温度を260℃に設定し、そして、S i It aガ
スの流量を幾通りにも変えながらa−5t膜の成長速度
を測定したところ、第5図に示す通りの結果が得られた
同図中、横軸は5iHaガス流量であり、縦軸は成膜速
度であり、また、○印は本例の測定プロットである。そ
して、永久磁石板13を用いないで成膜した比較例につ
いては、Δ印で示されている。
第5図に示す結果より明らかな通り、本発明のグロー放
電分解装置によれば、SiH4ガス流量が大きくなるに
伴って成膜速度が大きくなり、しかも、その成膜速度が
従来に比べて著しく大きくなっていることが判る。
〔発明の効果〕
以上の通り、本発明のグロー放電分解装置によれば、成
膜用ガスの分解効率が大きくなり、これに伴ってガスの
成膜に供与される割合が大きくなり、これにより、ガス
の利用効率が大きくなり、しかも、成膜速度が高くなり
、その結果、製造効率及び製造コストが改善される。
また、本発明のグロー放電分解装置によれば成膜用ガス
を基板を軸にして螺旋回転させており、これにより、成
膜全体に亘って均一な特性が得られ、また、個々の成膜
製品の間で品質上バラツキがなくなる。
更にまた、本発明によれば、上記のようにガスを螺旋回
転させているため、成膜中基板を回転させなくてもよい
という利点もある。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものでなく、本
発明の要旨を逸脱しない範囲において、種々の変更、改
善は何隻差支えなく、また、a−3t成膜用ガス以外の
種々のガスを用いてもよい。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明グロー放電分解装置の正面概略図、第2
図は第1図中の切断面線X−Xによる概略図、第3図は
円筒状基板の周囲のガス流通状態を示す概略図、第4図
は高周波電力と成膜速度の関係を示す線図、第5図はS
iH4ガス流量と成膜速度の関係を示す線図である。 ・反応容器 ・グロー放電用電極板 基板 ・ガス噴出口 ・永久磁石板 特許出願人(663)京セラ株式会社 代表者安城欽寿

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)成膜用ガスが導入される反応室の内部に円筒状の
    電極板が設置され、該電極板の内側に円筒状の基板が設
    置され、電極板に形成された複数個のガス噴出口より上
    記ガスが吹き出されるとともにグロー放電が発生し、上
    記基板上に成膜されるグロー放電分解装置において、前
    記電極板の内周面に複数個の磁石板を立設し、各々の磁
    石板のなかで最も近づいている2個の磁石板のそれぞれ
    対向する主面の磁極が相互に異なり、この対向する磁石
    板の間にガス噴出口が配置され、前記成膜用ガスが基板
    面に対して非垂直方向へ吹き出されるように上記磁石板
    が電極板上に立てられ、成膜中上記ガスが基板を軸にし
    て螺旋回転しながらグロー放電分解されることを特徴と
    するグロー放電分解装置。
  2. (2)成膜用ガスがアモルファスシリコン成膜用ガスで
    ある請求項(1)記載のグロー放電分解装置。
JP16336888A 1988-06-30 1988-06-30 グロー放電分解装置 Pending JPH0211771A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16336888A JPH0211771A (ja) 1988-06-30 1988-06-30 グロー放電分解装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16336888A JPH0211771A (ja) 1988-06-30 1988-06-30 グロー放電分解装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0211771A true JPH0211771A (ja) 1990-01-16

Family

ID=15772557

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP16336888A Pending JPH0211771A (ja) 1988-06-30 1988-06-30 グロー放電分解装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0211771A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5396696A (en) * 1992-08-26 1995-03-14 Sanyo Electric Co., Ltd. Flyback transformer device and apparatus for preparing same
US7292785B2 (en) 1992-04-08 2007-11-06 Hitachi, Ltd. Optical transmission system constructing method and system
KR20160137353A (ko) * 2016-03-17 2016-11-30 인투코어테크놀로지 주식회사 플라즈마 장치

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7292785B2 (en) 1992-04-08 2007-11-06 Hitachi, Ltd. Optical transmission system constructing method and system
US5396696A (en) * 1992-08-26 1995-03-14 Sanyo Electric Co., Ltd. Flyback transformer device and apparatus for preparing same
KR20160137353A (ko) * 2016-03-17 2016-11-30 인투코어테크놀로지 주식회사 플라즈마 장치

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20080015364A (ko) 표면 프로세싱 장치들
US4404076A (en) Film forming process utilizing discharge
JPH0211771A (ja) グロー放電分解装置
JPS5938375A (ja) プラズマcvd装置
JPH01316464A (ja) グロー放電分解装置
JPS6277479A (ja) プラズマcvd法による薄膜形成方法
JPS5931977B2 (ja) プラズマcvd装置
JPS5889943A (ja) プラズマcvd法
JP2920637B2 (ja) グロー放電分解装置
JPS5938377A (ja) プラズマcvd装置
JPH0243367A (ja) グロー放電分解装置
JPS6115978A (ja) プラズマcvd装置
JPS59100265A (ja) アモルフアスシリコン感光層形成装置
JPH0438449B2 (ja)
JPS6119779A (ja) プラズマcvd装置
JPS63479A (ja) プラズマcvd法による機能性堆積膜形成装置
JPS59217614A (ja) アモルフアスシリコン成膜装置
JPH0472378B2 (ja)
JPS6242028B2 (ja)
JPS63255374A (ja) 電子写真用感光体の製造方法
JPH0532472B2 (ja)
JPH01177371A (ja) 非晶質ケイ素感光体製造用横型プラズマcvd装置
JPS63163859A (ja) 電子写真感光体の製造方法
JPH0689892A (ja) プラズマcvd装置
JPH0442471B2 (ja)