JPS6137968A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPS6137968A JPS6137968A JP59160335A JP16033584A JPS6137968A JP S6137968 A JPS6137968 A JP S6137968A JP 59160335 A JP59160335 A JP 59160335A JP 16033584 A JP16033584 A JP 16033584A JP S6137968 A JPS6137968 A JP S6137968A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- electrodes
- plasma cvd
- couple
- cvd device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 abstract description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
- C23C16/5093—Coaxial electrodes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［技術分野］
本発明は、改良されたプラズマＣＶＤ装置に関する。
［従来技術］
プラズマＣＶＤ装置によって、例えば電子写真用感光体
ドラムの表面にアモルファス・シリコン膜を蒸着するこ
とができる。
ドラムの表面にアモルファス・シリコン膜を蒸着するこ
とができる。
第１図はこのようなプラズマＣＶＤ装置の概略図である
。第１図において、Ａは反応炉、には反応炉Ａ内に設け
られた筒状のカソード電極、ｄはカソード電！ｌ１ＩＫ
内にこれと同軸上になるように配置された、アノード電
極を構成するドラム、ｈはドラムｄの内側に配置したヒ
ータである。ドラムｄは図示しない駆動手段によって図
中矢印のように回転される。カソード電極には二重壁構
造を有しており、ガス導入口ｐを介して図示しないガス
供給源からの反応ガスをその二重壁構造内に供給し、そ
の２重壁構造の内側壁に形成したガス吹き出し穴ｇから
カソード電極の内側に向って反応ガスを噴出する。また
、図示しない電源からの高周波電力をカソード電極Ｋに
供給する。これによって、カソード電極にとアノード電
極としてのドラムｄとの間にプラズマ放電を発生させド
ラムｄの表面に例えばアモルファス・シリコン膜を生成
させる。このような反応に寄与した後のガスは反応炉Ａ
に形成したガス排出口ｑから外に取り出される。
。第１図において、Ａは反応炉、には反応炉Ａ内に設け
られた筒状のカソード電極、ｄはカソード電！ｌ１ＩＫ
内にこれと同軸上になるように配置された、アノード電
極を構成するドラム、ｈはドラムｄの内側に配置したヒ
ータである。ドラムｄは図示しない駆動手段によって図
中矢印のように回転される。カソード電極には二重壁構
造を有しており、ガス導入口ｐを介して図示しないガス
供給源からの反応ガスをその二重壁構造内に供給し、そ
の２重壁構造の内側壁に形成したガス吹き出し穴ｇから
カソード電極の内側に向って反応ガスを噴出する。また
、図示しない電源からの高周波電力をカソード電極Ｋに
供給する。これによって、カソード電極にとアノード電
極としてのドラムｄとの間にプラズマ放電を発生させド
ラムｄの表面に例えばアモルファス・シリコン膜を生成
させる。このような反応に寄与した後のガスは反応炉Ａ
に形成したガス排出口ｑから外に取り出される。
このような同軸円筒型電極構造を有するプラズマＣＶＤ
装置によって、例えば感光体ドラムを多量に生産するに
は、反応室内に複数個の上述したような構造のカソード
およびアノードから成る一対の電極構造を併設しなけれ
ばならない。しかしながら、このような一対の電極は円
筒型の電極構造をしているので、これを複数個併設する
と、それらの設置部分の間には多くの無駄なスペースが
形成されてしまう。従って所定の容積を有する一反応室
あたりのドラムの収納本数が制限され、その製造効率が
悪いという問題がある。
装置によって、例えば感光体ドラムを多量に生産するに
は、反応室内に複数個の上述したような構造のカソード
およびアノードから成る一対の電極構造を併設しなけれ
ばならない。しかしながら、このような一対の電極は円
筒型の電極構造をしているので、これを複数個併設する
と、それらの設置部分の間には多くの無駄なスペースが
形成されてしまう。従って所定の容積を有する一反応室
あたりのドラムの収納本数が制限され、その製造効率が
悪いという問題がある。
［目的］
本発明の目的は、以上のような同軸円筒型電極構造を有
するプラズマＣＶＤ装置における問題を解消し、極めて
製造効率の高いプラズマＣＶＤ装置を提供することにあ
る。
するプラズマＣＶＤ装置における問題を解消し、極めて
製造効率の高いプラズマＣＶＤ装置を提供することにあ
る。
［実施例］
第２図は本発明に係るプラズマＣＶＤ装置の要部を示す
斜視図である。
斜視図である。
第２図において、１はハニカム構造を構成する、１つ１
つが六角筒状をした第１電極、２は第１電極１内にこれ
と同軸上になるように配置された、円柱状をした第２電
極である。これら複数個の第１電極ｌおよび第２電極２
は図示しない反応室内に収容される。
つが六角筒状をした第１電極、２は第１電極１内にこれ
と同軸上になるように配置された、円柱状をした第２電
極である。これら複数個の第１電極ｌおよび第２電極２
は図示しない反応室内に収容される。
なお、反応ガスは、例えば反応室の天井壁から第１電極
１の上端開口に向って噴出させ、反応処理後のガスは、
反応室の底壁から外に導き出すことができる。また例え
ば、第１電極を二重壁構造にし、この二重壁構造の内側
にガス吹き出し用の複数個の穴を形成し、第１電極の周
壁の外側から適当なパイプ等のガス導入手段によってそ
の二重壁構造内に供給した反応ガスをガス吹き出し用の
穴から第１電極の内側に供給し、反応処理後のガスを第
１電極の上下両端の開口からその外側に導き出し、反応
室外に取り出すことができる。
１の上端開口に向って噴出させ、反応処理後のガスは、
反応室の底壁から外に導き出すことができる。また例え
ば、第１電極を二重壁構造にし、この二重壁構造の内側
にガス吹き出し用の複数個の穴を形成し、第１電極の周
壁の外側から適当なパイプ等のガス導入手段によってそ
の二重壁構造内に供給した反応ガスをガス吹き出し用の
穴から第１電極の内側に供給し、反応処理後のガスを第
１電極の上下両端の開口からその外側に導き出し、反応
室外に取り出すことができる。
このような構成において、第２電極２を例えば電子写真
用感光体ドラムとして適用する場合は、この第２電極２
をアノード電極としてアース接地し、また第１電極１を
カソード電極として図示しない電源からの高周波電力を
これに供給する。
用感光体ドラムとして適用する場合は、この第２電極２
をアノード電極としてアース接地し、また第１電極１を
カソード電極として図示しない電源からの高周波電力を
これに供給する。
また、以上のような構成によって平板状基体に、例えば
アモルファスシリコン（ａ−９ｉ）ＢｆＪを形成するこ
とができる。すなわち、この場合には第１電極１の内側
壁面に、平板状基板を配置し、この第１電極をアノード
電極としてアース接地し、一方、第２電極２をカソード
電極としこれに、電源からの高周波電力を供給する。こ
のような電極構造をとることによって、平板状基体に、
ａ−９ｉ膜を効率的に形成することができる。
アモルファスシリコン（ａ−９ｉ）ＢｆＪを形成するこ
とができる。すなわち、この場合には第１電極１の内側
壁面に、平板状基板を配置し、この第１電極をアノード
電極としてアース接地し、一方、第２電極２をカソード
電極としこれに、電源からの高周波電力を供給する。こ
のような電極構造をとることによって、平板状基体に、
ａ−９ｉ膜を効率的に形成することができる。
［効果］
以上説明したように本発明によれば、第１電極をハニカ
ム構造にすることによって、１反応窒出りの被処理部材
（例えばドラム、平板状基体）の個数を効果的に増加さ
せることができ、膜特性および成膜速度を低下させるこ
とがないプラズマＣＶＤ装置を提供することができる。
ム構造にすることによって、１反応窒出りの被処理部材
（例えばドラム、平板状基体）の個数を効果的に増加さ
せることができ、膜特性および成膜速度を低下させるこ
とがないプラズマＣＶＤ装置を提供することができる。
第１図は従来の同軸円筒型電極構造を有するプラズマＣ
ＶＤ装置の概略図、 第２図は本発明に係るプラズマＣＶＤ装置の要部を示す
斜視図である。 ■・・・第１電極、 ２・・・第２電極。
ＶＤ装置の概略図、 第２図は本発明に係るプラズマＣＶＤ装置の要部を示す
斜視図である。 ■・・・第１電極、 ２・・・第２電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一対の電極を有するプラズマＣＶＤ装置において、 前記一対の電極の一方を、ハニカム構造をもたせた複数
個の六角柱状電極から構成し、 他方の電極を、前記各六角柱状電極内に前記六角柱状電
極と同軸上になるように配置した柱状電極から構成した
ことを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59160335A JPS6137968A (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | プラズマｃｖｄ装置 |
| US06/758,118 US4648348A (en) | 1984-07-31 | 1985-07-23 | Plasma CVD apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59160335A JPS6137968A (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6137968A true JPS6137968A (ja) | 1986-02-22 |
Family
ID=15712746
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59160335A Pending JPS6137968A (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4648348A (ja) |
| JP (1) | JPS6137968A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61164219A (ja) * | 1985-01-14 | 1986-07-24 | ゼロツクス コーポレーシヨン | 薄膜トランジスタアレイの製造装置 |
| JPH01111871A (ja) * | 1987-10-23 | 1989-04-28 | Nec Corp | プラズマ気相成長装置 |
| JP2009127131A (ja) * | 2007-11-23 | 2009-06-11 | Applied Materials Inc | コーティング装置及び電極アセンブリの製造方法 |
| KR20150100466A (ko) * | 2014-02-25 | 2015-09-02 | 한국전자통신연구원 | 플라즈마 발생장치 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4140158A1 (de) * | 1991-12-05 | 1993-06-09 | Krupp Widia Gmbh, 4300 Essen, De | Verfahren und vorrichtung zur hartstoffbeschichtung von substratkoerpern |
| KR0131987B1 (ko) * | 1994-08-17 | 1998-04-18 | 김은영 | 고주파 플라즈마 화학 증착법을 이용한 원형 기판용 코팅층의 대량합성장치 및 합성방법 |
| US20060124588A1 (en) * | 1999-01-05 | 2006-06-15 | Berg & Berg Enterprises, Llc | System and method for reducing metal oxides with hydrogen radicals |
| EP2067877A1 (en) * | 2007-11-23 | 2009-06-10 | Applied Materials, Inc. | Coating device and method of producing an electrode assembly |
| US20090133631A1 (en) * | 2007-11-23 | 2009-05-28 | Applied Materials Inc. | Coating device and method of producing an electrode assembly |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5846057B2 (ja) * | 1979-03-19 | 1983-10-14 | 富士通株式会社 | プラズマ処理方法 |
| US4298443A (en) * | 1979-08-09 | 1981-11-03 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | High capacity etching apparatus and method |
| US4466380A (en) * | 1983-01-10 | 1984-08-21 | Xerox Corporation | Plasma deposition apparatus for photoconductive drums |
-
1984
- 1984-07-31 JP JP59160335A patent/JPS6137968A/ja active Pending
-
1985
- 1985-07-23 US US06/758,118 patent/US4648348A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61164219A (ja) * | 1985-01-14 | 1986-07-24 | ゼロツクス コーポレーシヨン | 薄膜トランジスタアレイの製造装置 |
| JPH01111871A (ja) * | 1987-10-23 | 1989-04-28 | Nec Corp | プラズマ気相成長装置 |
| JP2009127131A (ja) * | 2007-11-23 | 2009-06-11 | Applied Materials Inc | コーティング装置及び電極アセンブリの製造方法 |
| KR20150100466A (ko) * | 2014-02-25 | 2015-09-02 | 한국전자통신연구원 | 플라즈마 발생장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4648348A (en) | 1987-03-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5449410A (en) | Plasma processing apparatus | |
| US7927455B2 (en) | Plasma processing apparatus | |
| US4452828A (en) | Production of amorphous silicon film | |
| JPS6137968A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JP2004200345A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| US4851256A (en) | Apparatus and method for manufacturing photosensitive amorphous silicon objects | |
| JPH0568096B2 (ja) | ||
| JP2009253102A (ja) | プラズマｃｖｄ用のカソード電極、およびプラズマｃｖｄ装置 | |
| JP3144165B2 (ja) | 薄膜生成装置 | |
| JP3477387B2 (ja) | ガス供給装置及びコネクタ構造体 | |
| JPH02198138A (ja) | 平行平板型ドライエッチング装置の電極板 | |
| JP2920637B2 (ja) | グロー放電分解装置 | |
| JPH0549751B2 (ja) | ||
| JPS5938377A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH0211771A (ja) | グロー放電分解装置 | |
| JPH0532472B2 (ja) | ||
| JPS62139878A (ja) | プラズマによる成膜装置 | |
| JPS5990628A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPS58154226A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH01260799A (ja) | プラズマ装置 | |
| JPH01177371A (ja) | 非晶質ケイ素感光体製造用横型プラズマｃｖｄ装置 | |
| JP2670248B2 (ja) | 堆積膜形成方法 | |
| JPH0551952U (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH0579940U (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH0545672B2 (ja) |