JPH02198138A - 平行平板型ドライエッチング装置の電極板 - Google Patents
平行平板型ドライエッチング装置の電極板Info
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- JPH02198138A JPH02198138A JP1885189A JP1885189A JPH02198138A JP H02198138 A JPH02198138 A JP H02198138A JP 1885189 A JP1885189 A JP 1885189A JP 1885189 A JP1885189 A JP 1885189A JP H02198138 A JPH02198138 A JP H02198138A
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- electrode plate
- electrode
- dry etching
- etching apparatus
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- 238000001312 dry etching Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims description 15
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 4
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は平行平板型ドライエツチング装置の電極板に関
する。
する。
[従来の技術]
従来から平行平板型ドライエツチング装置として第3図
に示す装置が知られている。
に示す装置が知られている。
エツチング室1の内部には、下部電極2と上部電極3と
が平行に対向配置されている。下部電極2の上にはウェ
ハ4が載置され、上部電極3には電極板5が取付けられ
ている。電極板5には、第4図に示すように複数のガス
吹き出し孔6が穿設されており、このガス吹き出し孔6
は等間隔で面内で一様に配設されている。
が平行に対向配置されている。下部電極2の上にはウェ
ハ4が載置され、上部電極3には電極板5が取付けられ
ている。電極板5には、第4図に示すように複数のガス
吹き出し孔6が穿設されており、このガス吹き出し孔6
は等間隔で面内で一様に配設されている。
この平行平板型ドライエツチング装置でウェハ4のエツ
チングを行なう際には、エツチング室1の外部から例え
ば、CHF、等のエッチャントガスをエツチング室1の
内部に導入し、電極板5のガス吹き出し孔6を介して電
極板らとウェハ4との間にガスを供給する。そして、上
部型fli3と下部電極2との間に高周波電力を印加す
る。これにより電極間に生じたプラズマでウェハ4のエ
ツチングが行なわれる。
チングを行なう際には、エツチング室1の外部から例え
ば、CHF、等のエッチャントガスをエツチング室1の
内部に導入し、電極板5のガス吹き出し孔6を介して電
極板らとウェハ4との間にガスを供給する。そして、上
部型fli3と下部電極2との間に高周波電力を印加す
る。これにより電極間に生じたプラズマでウェハ4のエ
ツチングが行なわれる。
[発明が解決しようとする課題]
上述した従来の平行平板型ドライエツチング装置では、
電極板のガス吹き出し孔が電極板に等間隔で均一に形成
されている。一方、ガスは電極板の中央部から供給され
る。このため、電極の外周部では、プラズマを内周部は
ど十分に封じ込めることができないので、高周波電力を
平行平板間に投入したときに、電極中央部に比べ電極外
周部のプラズマ密度が低くなる。
電極板のガス吹き出し孔が電極板に等間隔で均一に形成
されている。一方、ガスは電極板の中央部から供給され
る。このため、電極の外周部では、プラズマを内周部は
ど十分に封じ込めることができないので、高周波電力を
平行平板間に投入したときに、電極中央部に比べ電極外
周部のプラズマ密度が低くなる。
このように、ドライエツチング装置内でプラズマの密度
が不均一になると、例えば、イオンボンバード効果を積
極的に利用した反応性イオンエツチング(RIE)を行
なうと、プラズマ密度の低い電極外周部の直流バイアス
が高くなるため、ウェハ外周部のエツチング速度が速く
なる。
が不均一になると、例えば、イオンボンバード効果を積
極的に利用した反応性イオンエツチング(RIE)を行
なうと、プラズマ密度の低い電極外周部の直流バイアス
が高くなるため、ウェハ外周部のエツチング速度が速く
なる。
また、化学的エツチング効果を積極的に利用したプラズ
マエツチングを行なうと、プラズマ密度の高いウェハ中
央部のエツチング速度が速くなるというようにエツチン
グ速度の面内均一性に悪影響を及ぼすという問題点があ
った。
マエツチングを行なうと、プラズマ密度の高いウェハ中
央部のエツチング速度が速くなるというようにエツチン
グ速度の面内均一性に悪影響を及ぼすという問題点があ
った。
更に上述した従来の装置では、エツチング速度の面内不
均一性を排除するためのプロセス条件の合わせ込みが難
しく、このような合わせ込みを行なっても、電板板の不
均一な減り等によって、長期間にわたってエツチング特
性の均一性を維持出来ないという問題点があった。
均一性を排除するためのプロセス条件の合わせ込みが難
しく、このような合わせ込みを行なっても、電板板の不
均一な減り等によって、長期間にわたってエツチング特
性の均一性を維持出来ないという問題点があった。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、
ウェハに対するエツチングの均一性を向上させることが
できる平行平板型ドライエツチング装置の電極板を提供
することを目的とする。
ウェハに対するエツチングの均一性を向上させることが
できる平行平板型ドライエツチング装置の電極板を提供
することを目的とする。
[課題を解決するための手段]
本発明に係る平行平板型ドライエツチング装置の電極板
は、複数のガス吹き出し孔が形成された平行平板型ドラ
イエツチング装置の電極板において、その外周部の前記
ガス吹き出し孔によるガス吐出量が中央部の前記ガス吹
き出し孔によるガス吐出量よりも多いことを特徴とする
。
は、複数のガス吹き出し孔が形成された平行平板型ドラ
イエツチング装置の電極板において、その外周部の前記
ガス吹き出し孔によるガス吐出量が中央部の前記ガス吹
き出し孔によるガス吐出量よりも多いことを特徴とする
。
[作用]
本発明では、電極板の外周部のガス吹き出し孔の配設密
度及び孔径等が電極板の中央部のガス吹き出し孔のそれ
よりも大きくなるようにして、ガス吐出量が電極板の外
周部の方が中央部よりも多くなるように構成したから、
電極板の外周部にも中央部と同様にプラズマを十分に封
じ込めることができ、プラズマ密度を内外周で均一にす
ることができる。
度及び孔径等が電極板の中央部のガス吹き出し孔のそれ
よりも大きくなるようにして、ガス吐出量が電極板の外
周部の方が中央部よりも多くなるように構成したから、
電極板の外周部にも中央部と同様にプラズマを十分に封
じ込めることができ、プラズマ密度を内外周で均一にす
ることができる。
このように、上下電極間のプラズマ密度が均一になるこ
とにより、上下を極間にかがる直流バイアスは、電極面
内でほぼ均一となり、化学的エツチング効果もほぼ均一
となる。
とにより、上下を極間にかがる直流バイアスは、電極面
内でほぼ均一となり、化学的エツチング効果もほぼ均一
となる。
また、反応性イオンエツチングの場合には、直流バイア
スによるイオンボンバード効果と、化学活性種による化
学エツチング効果とにより、エツチングが進められるが
、上記効果により、電極面内でイオンボンバード効果と
化学的エツチング効果とを均一にできるなめ、被エツチ
ングウェハの面内均一性をより高めることが可能となる
。
スによるイオンボンバード効果と、化学活性種による化
学エツチング効果とにより、エツチングが進められるが
、上記効果により、電極面内でイオンボンバード効果と
化学的エツチング効果とを均一にできるなめ、被エツチ
ングウェハの面内均一性をより高めることが可能となる
。
更に、上下電極内のプラズマ密度が均一になることによ
り、電極に対するエツチング均一性も向上するため、エ
ツチングの高均一性を長期間にわたって維持することが
できる。
り、電極に対するエツチング均一性も向上するため、エ
ツチングの高均一性を長期間にわたって維持することが
できる。
[実施例コ
以下、添付の図面を参照して本発明の実施例について説
明する。
明する。
第1図は本発明の第1の実施例に係る平行平板型ドライ
エツチング装置の電極板を示す図である。
エツチング装置の電極板を示す図である。
この実施例では、電極板11の外周部に向かうに従って
配置密度が増加するように多数のガス吹き出し孔12が
形成されている。この電極板11は、例えば直径120
mm程度の大きさで、孔径0.3mm程度のガス吹き出
し孔12が内周部約151!1m間隔、外周部的5mm
間隔で100個程変形成されたものとなっている。
配置密度が増加するように多数のガス吹き出し孔12が
形成されている。この電極板11は、例えば直径120
mm程度の大きさで、孔径0.3mm程度のガス吹き出
し孔12が内周部約151!1m間隔、外周部的5mm
間隔で100個程変形成されたものとなっている。
上述のようにガス吹き出し孔12が配置された電極板1
1を使用した本実施例に係るドライエツチング装置によ
れば、電極外周部へのエツチングガスの供給量を電極中
央部より多くすることができる。平行平板型構造のドラ
イエツチング装置の場合、従来構造では電極中央部が電
極外周部よりも、プラズマ密度が高くなるが、本実施例
に係る電極を使用することにより、従来よりも、電極外
周部でのプラズマの発生量を増加させることができ、上
部及び下部電極間のプラズマ密度を均一に保つことがで
きる。
1を使用した本実施例に係るドライエツチング装置によ
れば、電極外周部へのエツチングガスの供給量を電極中
央部より多くすることができる。平行平板型構造のドラ
イエツチング装置の場合、従来構造では電極中央部が電
極外周部よりも、プラズマ密度が高くなるが、本実施例
に係る電極を使用することにより、従来よりも、電極外
周部でのプラズマの発生量を増加させることができ、上
部及び下部電極間のプラズマ密度を均一に保つことがで
きる。
本実施例に係る電極板を用いることにより、高均一性(
バラツキ10%以下)を、例えば、5万枚処理以上の長
時間にわたって維持することが可能である。
バラツキ10%以下)を、例えば、5万枚処理以上の長
時間にわたって維持することが可能である。
第2図は本発明の第2の実施例に係る平行平板型ドライ
エツチング装置における電極板を示す図である。
エツチング装置における電極板を示す図である。
この実施例では、電極板21の外周部に向かうに従って
、ガス吹き出し孔22の孔径が大きくなっている。
、ガス吹き出し孔22の孔径が大きくなっている。
この実施例においても、電極の外周部に電極の中央部よ
りも多量のエツチングガスを供給することができるので
、先の実施例と同様に、プラズマ密度の電極中央部集中
を防止することができ、エツチング特性の均一化を図る
ことができる。
りも多量のエツチングガスを供給することができるので
、先の実施例と同様に、プラズマ密度の電極中央部集中
を防止することができ、エツチング特性の均一化を図る
ことができる。
本実施例の場合、例えば配置間隔を約10mmとして、
最内周のガス吹き出し孔の径を0.25mm、最外周の
ガス吹き出し孔の径を0.5mmに設定するのが好適で
ある。
最内周のガス吹き出し孔の径を0.25mm、最外周の
ガス吹き出し孔の径を0.5mmに設定するのが好適で
ある。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明によれば、ドライエツチン
グ装置の電極板のガス吹き出し孔を電極板の中央部のも
のよりも外周部のものの方がガス吐出量が多くなるよう
に形成しているので、高周波電力投入時のプラズマ密度
を上部及び下部電極間にて均一化することができる。
グ装置の電極板のガス吹き出し孔を電極板の中央部のも
のよりも外周部のものの方がガス吐出量が多くなるよう
に形成しているので、高周波電力投入時のプラズマ密度
を上部及び下部電極間にて均一化することができる。
従って、エツチングの均−性及び安定性を大幅に向上さ
せることができる。
せることができる。
第1図は本発明の第1の実施例に係るドライエツチング
装置の電極板の平面図、第2図は本発明の第2の実施例
に係るドライエツチング装置の電極板の平面図、第3図
はドライエツチング装置の模式図、第4図は従来のドラ
イエツチング装置の電極板の平面図である。 1;エツチング室、2;下部電極、3;上部電極、4;
ウェハ 5,11,21 ;電極板、6゜12.22;
ガス吹き出し孔
装置の電極板の平面図、第2図は本発明の第2の実施例
に係るドライエツチング装置の電極板の平面図、第3図
はドライエツチング装置の模式図、第4図は従来のドラ
イエツチング装置の電極板の平面図である。 1;エツチング室、2;下部電極、3;上部電極、4;
ウェハ 5,11,21 ;電極板、6゜12.22;
ガス吹き出し孔
Claims (1)
- (1)複数のガス吹き出し孔が形成された平行平板型ド
ライエッチング装置の電極板において、その外周部の前
記ガス吹き出し孔によるガス吐出量が中央部の前記ガス
吹き出し孔によるガス吐出量よりも多いことを特徴とす
る平行平板型ドライエッチング装置の電極板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1885189A JPH02198138A (ja) | 1989-01-27 | 1989-01-27 | 平行平板型ドライエッチング装置の電極板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1885189A JPH02198138A (ja) | 1989-01-27 | 1989-01-27 | 平行平板型ドライエッチング装置の電極板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02198138A true JPH02198138A (ja) | 1990-08-06 |
Family
ID=11983053
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1885189A Pending JPH02198138A (ja) | 1989-01-27 | 1989-01-27 | 平行平板型ドライエッチング装置の電極板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02198138A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5324411A (en) * | 1991-09-20 | 1994-06-28 | Toshiba Ceramics Co., Ltd. | Electrode plate for plasma etching |
EP1061155A1 (en) * | 1998-03-06 | 2000-12-20 | Tokyo Electron Limited | Vacuum processing apparatus |
EP1079423A1 (en) * | 1998-04-09 | 2001-02-28 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for gas processing |
US6872259B2 (en) | 2000-03-30 | 2005-03-29 | Tokyo Electron Limited | Method of and apparatus for tunable gas injection in a plasma processing system |
JP2007059306A (ja) * | 2005-08-26 | 2007-03-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理方法および装置 |
JP2011508460A (ja) * | 2008-01-14 | 2011-03-10 | 北京北方微▲電▼子基地▲設▼▲備▼工▲芸▼研究中心有限▲責▼任公司 | プラズマ処理装置及びガス分配器 |
JP2011526966A (ja) * | 2008-07-03 | 2011-10-20 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 原子層堆積装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5684478A (en) * | 1979-12-10 | 1981-07-09 | Matsushita Electronics Corp | Apparatus for plasma treatment |
-
1989
- 1989-01-27 JP JP1885189A patent/JPH02198138A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5684478A (en) * | 1979-12-10 | 1981-07-09 | Matsushita Electronics Corp | Apparatus for plasma treatment |
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EP1061155A4 (en) * | 1998-03-06 | 2004-07-07 | Tokyo Electron Ltd | VACUUM TREATMENT DEVICE |
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US8747556B2 (en) | 2008-07-03 | 2014-06-10 | Applied Materials, Inc. | Apparatuses and methods for atomic layer deposition |
US9017776B2 (en) | 2008-07-03 | 2015-04-28 | Applied Materials, Inc. | Apparatuses and methods for atomic layer deposition |
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