JPH02198138A - 平行平板型ドライエッチング装置の電極板 - Google Patents

平行平板型ドライエッチング装置の電極板

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JPH02198138A
JPH02198138A JP1885189A JP1885189A JPH02198138A JP H02198138 A JPH02198138 A JP H02198138A JP 1885189 A JP1885189 A JP 1885189A JP 1885189 A JP1885189 A JP 1885189A JP H02198138 A JPH02198138 A JP H02198138A
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JP
Japan
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electrode plate
electrode
dry etching
etching apparatus
gas
Prior art date
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Pending
Application number
JP1885189A
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English (en)
Inventor
Yasunobu Tsukamoto
塚本 泰信
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Publication of JPH02198138A publication Critical patent/JPH02198138A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は平行平板型ドライエツチング装置の電極板に関
する。
[従来の技術] 従来から平行平板型ドライエツチング装置として第3図
に示す装置が知られている。
エツチング室1の内部には、下部電極2と上部電極3と
が平行に対向配置されている。下部電極2の上にはウェ
ハ4が載置され、上部電極3には電極板5が取付けられ
ている。電極板5には、第4図に示すように複数のガス
吹き出し孔6が穿設されており、このガス吹き出し孔6
は等間隔で面内で一様に配設されている。
この平行平板型ドライエツチング装置でウェハ4のエツ
チングを行なう際には、エツチング室1の外部から例え
ば、CHF、等のエッチャントガスをエツチング室1の
内部に導入し、電極板5のガス吹き出し孔6を介して電
極板らとウェハ4との間にガスを供給する。そして、上
部型fli3と下部電極2との間に高周波電力を印加す
る。これにより電極間に生じたプラズマでウェハ4のエ
ツチングが行なわれる。
[発明が解決しようとする課題] 上述した従来の平行平板型ドライエツチング装置では、
電極板のガス吹き出し孔が電極板に等間隔で均一に形成
されている。一方、ガスは電極板の中央部から供給され
る。このため、電極の外周部では、プラズマを内周部は
ど十分に封じ込めることができないので、高周波電力を
平行平板間に投入したときに、電極中央部に比べ電極外
周部のプラズマ密度が低くなる。
このように、ドライエツチング装置内でプラズマの密度
が不均一になると、例えば、イオンボンバード効果を積
極的に利用した反応性イオンエツチング(RIE)を行
なうと、プラズマ密度の低い電極外周部の直流バイアス
が高くなるため、ウェハ外周部のエツチング速度が速く
なる。
また、化学的エツチング効果を積極的に利用したプラズ
マエツチングを行なうと、プラズマ密度の高いウェハ中
央部のエツチング速度が速くなるというようにエツチン
グ速度の面内均一性に悪影響を及ぼすという問題点があ
った。
更に上述した従来の装置では、エツチング速度の面内不
均一性を排除するためのプロセス条件の合わせ込みが難
しく、このような合わせ込みを行なっても、電板板の不
均一な減り等によって、長期間にわたってエツチング特
性の均一性を維持出来ないという問題点があった。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、
ウェハに対するエツチングの均一性を向上させることが
できる平行平板型ドライエツチング装置の電極板を提供
することを目的とする。
[課題を解決するための手段] 本発明に係る平行平板型ドライエツチング装置の電極板
は、複数のガス吹き出し孔が形成された平行平板型ドラ
イエツチング装置の電極板において、その外周部の前記
ガス吹き出し孔によるガス吐出量が中央部の前記ガス吹
き出し孔によるガス吐出量よりも多いことを特徴とする
[作用] 本発明では、電極板の外周部のガス吹き出し孔の配設密
度及び孔径等が電極板の中央部のガス吹き出し孔のそれ
よりも大きくなるようにして、ガス吐出量が電極板の外
周部の方が中央部よりも多くなるように構成したから、
電極板の外周部にも中央部と同様にプラズマを十分に封
じ込めることができ、プラズマ密度を内外周で均一にす
ることができる。
このように、上下電極間のプラズマ密度が均一になるこ
とにより、上下を極間にかがる直流バイアスは、電極面
内でほぼ均一となり、化学的エツチング効果もほぼ均一
となる。
また、反応性イオンエツチングの場合には、直流バイア
スによるイオンボンバード効果と、化学活性種による化
学エツチング効果とにより、エツチングが進められるが
、上記効果により、電極面内でイオンボンバード効果と
化学的エツチング効果とを均一にできるなめ、被エツチ
ングウェハの面内均一性をより高めることが可能となる
更に、上下電極内のプラズマ密度が均一になることによ
り、電極に対するエツチング均一性も向上するため、エ
ツチングの高均一性を長期間にわたって維持することが
できる。
[実施例コ 以下、添付の図面を参照して本発明の実施例について説
明する。
第1図は本発明の第1の実施例に係る平行平板型ドライ
エツチング装置の電極板を示す図である。
この実施例では、電極板11の外周部に向かうに従って
配置密度が増加するように多数のガス吹き出し孔12が
形成されている。この電極板11は、例えば直径120
mm程度の大きさで、孔径0.3mm程度のガス吹き出
し孔12が内周部約151!1m間隔、外周部的5mm
間隔で100個程変形成されたものとなっている。
上述のようにガス吹き出し孔12が配置された電極板1
1を使用した本実施例に係るドライエツチング装置によ
れば、電極外周部へのエツチングガスの供給量を電極中
央部より多くすることができる。平行平板型構造のドラ
イエツチング装置の場合、従来構造では電極中央部が電
極外周部よりも、プラズマ密度が高くなるが、本実施例
に係る電極を使用することにより、従来よりも、電極外
周部でのプラズマの発生量を増加させることができ、上
部及び下部電極間のプラズマ密度を均一に保つことがで
きる。
本実施例に係る電極板を用いることにより、高均一性(
バラツキ10%以下)を、例えば、5万枚処理以上の長
時間にわたって維持することが可能である。
第2図は本発明の第2の実施例に係る平行平板型ドライ
エツチング装置における電極板を示す図である。
この実施例では、電極板21の外周部に向かうに従って
、ガス吹き出し孔22の孔径が大きくなっている。
この実施例においても、電極の外周部に電極の中央部よ
りも多量のエツチングガスを供給することができるので
、先の実施例と同様に、プラズマ密度の電極中央部集中
を防止することができ、エツチング特性の均一化を図る
ことができる。
本実施例の場合、例えば配置間隔を約10mmとして、
最内周のガス吹き出し孔の径を0.25mm、最外周の
ガス吹き出し孔の径を0.5mmに設定するのが好適で
ある。
[発明の効果] 以上説明したように、本発明によれば、ドライエツチン
グ装置の電極板のガス吹き出し孔を電極板の中央部のも
のよりも外周部のものの方がガス吐出量が多くなるよう
に形成しているので、高周波電力投入時のプラズマ密度
を上部及び下部電極間にて均一化することができる。
従って、エツチングの均−性及び安定性を大幅に向上さ
せることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1の実施例に係るドライエツチング
装置の電極板の平面図、第2図は本発明の第2の実施例
に係るドライエツチング装置の電極板の平面図、第3図
はドライエツチング装置の模式図、第4図は従来のドラ
イエツチング装置の電極板の平面図である。 1;エツチング室、2;下部電極、3;上部電極、4;
ウェハ 5,11,21 ;電極板、6゜12.22;
ガス吹き出し孔

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)複数のガス吹き出し孔が形成された平行平板型ド
    ライエッチング装置の電極板において、その外周部の前
    記ガス吹き出し孔によるガス吐出量が中央部の前記ガス
    吹き出し孔によるガス吐出量よりも多いことを特徴とす
    る平行平板型ドライエッチング装置の電極板。
JP1885189A 1989-01-27 1989-01-27 平行平板型ドライエッチング装置の電極板 Pending JPH02198138A (ja)

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