JP2009127131A - コーティング装置及び電極アセンブリの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】容易に組み立てられる安定したコーティング装置と、コーティング装置を費用効率高く製造する方法を提供する。
【解決手段】電極アセンブリ１２は複数のガス分配要素２を備えており、ガス分配要素２は、処理ガスを分配して、基板１９の表面の上方に均質なプラズマＰをもたらす。ガス分配要素２は、同様又は同一の構成を有するモジュールである。従って、ガス分配要素は、電極アセンブリへの組み込みに先立って特定の機械で製造することができ、取扱いが容易である。ガス分配系の別の利点は、ガス分配要素２の構成により（小さなカセット又はタイル状に形成し得る）、電極アセンブリの構築が、慣用の電極アセンブリよりも安定していることである。
【選択図】図４

Description

本発明は、コーティング装置、特にはＰＥＣＶＤ（プラズマ化学気相蒸着）コーティング装置に関し、このコーティング装置は、基板をその内部で処理するための少なくとも処理チャンバと、前記処理チャンバ内に配置された、前記処理チャンバ内でプラズマを発生させる及び維持するための少なくとも電極アセンブリとを備え、前記電極アセンブリは、処理ガスを前記処理チャンバに送るための複数の流出口から成る配列を備えている。更に、本発明は、ＰＥＣＶＤコーティング装置のための電極アセンブリの製造方法に関する。

従来技術

数多くの技術用途において、薄層コーティングを、基板上に堆積させなくてはならない。薄層を堆積するために使用される方法の１つが、例えば太陽電池の製造における、ＰＥＣＶＤ（プラズマ化学気相蒸着）処理である。ＰＥＣＶＤ処理において、コーティング用生成物の気相は、プラズマによって発生させられる。層形成予備生成物を含有するガス状反応物質は、供給口を介して処理チャンバに供給される。

均質かつ均一なコーティングを基板上に堆積するためには、流出口を介して特定のガス流分配、例えば複数の流出口の全て又は一部を介した均質又は均一なガス流をもたらさなくてはならない。ガス流が流出口によって異なる値を有するように設定されることもあり、例えば、電極の縁部にある流出口と電極の中心にある流出口との間ではガス流量が異なる。このため、いわゆるシャワーヘッド型電極が、処理チャンバ内において、コーティング対象である基板表面の上方に配置され、シャワーヘッド型電極は、実質的に平面である電極プレート内に設けられた複数の開口部を有している。慣用のシャワーヘッド型電極プレートは、例えば円形、正方形又は長方形のシャワーヘッド型電極プレートとして、数々の形状のものが知られている。電極プレートは、様々な標準基板サイズに応じて、様々な標準サイズで提供されている。

大面積基板の表面上方で均質なガス供給を得るために、給ガス系は、中央給ガス点と複数のガス流出口のそれぞれとの間のコンダクタンス値が同じガス分配系を備えている。例えば、ガス分配系は、中央給ガス口と、電極プレートに設けられた複数の開口部の上流側に配置されたガス分配空間とを備えている。それぞれの開口部におけるガス圧は、電極プレート全体に亘ってのガス圧と同等であるべきである。

或いは、ガス誘導部を、中央給ガス口とガス流出口との間に設置し得る。実質的に、このガス誘導部は、中央給ガス口と複数のガス流出口のそれぞれとの間において、同一の直径と長さを有している。従って、２つの対称的な分岐部又はＨ形状の分岐部を用いることが好ましく、中央流入口と、この「Ｈ」の自由端に対称的に配置された流出口を有している。

欧州特許出願ＥＰ０７１０３４７３．０号及び対応する米国特許仮出願第６０／８９２９９９号には、均質なプラズマを基板表面上方にて発生させることができる新しい給ガス系が記載されている。

慣用のシャワーヘッド型電極における問題は技術的なものであり、従って、製造コストは電極のサイズと共に上昇する。特に、ガスの分配は、電極のサイズが大きくなるにつれてより複雑になり、安定性の問題が生じる可能性があり、又、大型のシャワーヘッド型電極の製造は、はるかに困難なものとなる。

発明の目的

従って、本発明の目的は、容易に組み立てられる安定したコーティング装置と、コーティング装置を費用効率高く製造する方法を提供することである。

技術的解決

この目的は、請求項１記載のコーティング装置及び請求項１１記載のコーティング装置の製造方法を提供することにより達成される。有利な実施形態は、従属項から得られる。

本発明によるコーティング装置、特にはＰＥＣＶＤコーティング装置は、基板をその内部で処理するための少なくとも処理チャンバと、前記処理チャンバ内に配置された、前記処理チャンバ内でプラズマを発生させる及び維持するための少なくとも電極アセンブリを備え、前記電極アセンブリは、処理ガスを前記処理チャンバに送るための複数の流出口から成る配列を備えている。前記電極アセンブリは、複数のガス分配要素を備え、前記ガス分配要素のそれぞれは、ガス分配系を含む。前記ガス分配要素は、平面パネル及び／又はカセット及び／又はタイル形状要素として形成される。

要素は、少なくとも部分的に、導電性材料から成る。これらの要素の形状は正方形又は長方形であることが好ましく、基板に面した側に複数の流出口が規則正しいパターンで並んでいる。

本発明のコーティング装置は、ＰＥＣＶＤコーティング処理、例えば、薄層シリコン太陽電池モジュールの製造において特に有利に使用することができる。太陽電池モジュールのシリコン層は、非常に大きいサイズの平面ガラス基板上に堆積される。コーティングを施す基板は、コーティングチャンバ内に配置され、コーティング装置の一部とみなされる。

複数のガス分配要素とは、少なくとも２つ、特にはより大きな数のガス分配要素を意味する。ガス分配要素は、本発明によるコーティング装置の一部である。

ガス分配要素は導電性材料から形成し、電極又は電極の少なくとも一部として機能させる。電極は、特には、カソードであってよい。コーティング装置の稼働中、例えば１３．６ＭＨｚ〜１００ＭＨｚの範囲の高周波電圧を電極及び／又はガス分配要素に印加する。

均質なガス分配は、中央給ガス口とガス分配要素の流出口との間の各流路に沿った流動抵抗が同程度又は実質的に同一である場合に得られる。均質なガス分配は、ガス分配要素の流出口の上流に圧段を設けることでも得られる。

通常、複数のガス分配要素は類似している又は同じものであるため、様々な電極サイズ及びアスペクト比の電極面の製造に使用し得る。標準的なガス分配要素（ガス分配モジュール）は、各種サイズの大面積電極の製造に使用し得る。

しかしながら、複数のガス分配要素は、異なるサイズ又は構成を有していてもよい。例えば、電極の縁部に近い領域において、電極の中央領域とは別のガス流量が必要とされることがある。このため、ガス分配要素が、電極の部位によって異なることがある。更に、電極の形状が、ガス分配要素のサイズを決定することがある。

標準的な要素を用いて、複数の異なるサイズの長方形の電極を組み立てることができる。異なるサイズを有する電極は、費用効率高く製造することができ、ＰＥＣＶＤ処理において、規則正しいパターンのガス流出口により、基板に均質なコーティングが施される。

標準的なガス分配要素は、製造が容易である。本発明による電極アセンブリは、効率的かつより短時間で、製造し、取り付けることができる。更に、ガス分配要素に不具合が生じた場合、電極アセンブリ全体を取り外して交換することなく、故障した要素を交換することができる。更に、本発明の電極アセンブリの安定性は、慣用のシャワーヘッド型電極と比較すると小さいユニットから成るガス分配系を設けることで向上する。更に、異なるサイズ及び／又は構成のガス分配要素を用いて、流出口に既定のガス流分配、ひいては電極表面上方に既定のガス分配をもたらすことができる。

好ましい実施形態において、前記ガス分配要素は、流入口と少なくとも１つの流出口を備えており、前記ガス分配系は、前記流入口と前記少なくとも１つの流出口との間に配置されており、前記流入口に送られた処理ガスを前記少なくとも１つの流出口に均質に供給するためのものである。特に、各ガス分配要素は、複数の流出口を備えている（例えば、２、４、６、１２、１６個等の開口部）。処理ガスは、規則的なパターンで配置された前記流出口を介して、前記処理チャンバのプラズマ領域へと均質に供給される。

カセット内に、ガス分配系が設けられる。ガス分配系は、少なくとも１つの（中央）給ガス流入口と、給ガス流入口と流出口との間に延びる分岐部を有する導入部の系を備え得る。給ガス流入口と流出口との間が同じ流動抵抗となるようにガス分配系を構成することが好ましい。要素は複数のガス導入部を有していてよく、ガス導入部は１つ以上の層に分岐した部位を備えている。特に、給ガス流入口と複数の流出口のそれぞれとの間の流路は、同じ長さと直径のプロファイルを有し得る。

特に、電極アセンブリは、給ガス口と、前記ガス分配要素の前記流入口に接続される流出ポートとを有する誘導系、並びに前記誘導系の前記給ガス口と前記流出ポートとの間に配置された少なくとも分岐部とを備えている。ガス分配要素に処理ガス流を供給する誘導系は、（単一の）中央給ガス口を有していることが好ましい。

ガス分配要素と同様に、誘導系も、例えばＥＰ０７１０３４７３．０及びＵＳ６０／８９２９９９に開示されるように、処理ガスを基板表面の上方で均質かつ均一に分配するために誘導部及び分岐部を備え得る。コーティング装置のガス分配要素は、コーティングチャンバ内において、電極表面の上方で処理ガスを既定通りに分配するように構成及び配列し得る。

前記誘導系の前記給ガス口と前記流出口との間の流路の流動抵抗は、実質的に同じであり、つまり誘導系の給ガス口とガス分配要素の流出口との間でガスがとり得る異なる経路の全てについて、流動抵抗は一定である。

別の好ましい実施形態において、誘導系は、前記誘導系の給ガス口と前記流出口との間の流路に配置された少なくとも１つの圧段を備えている。特に、圧段は、ガス分配要素の流入口の上流に配置される。

本発明の別の実施形態において、ガス分配要素は、前記流入口と前記流出口との間に少なくともガス分配空間を備えているため、前記流出口における圧力はどの流出口でも実質的に同じである。例えば、各ガス分配要素は、（中央）給ガス流入口と、処理チャンバの内部に面した側の、規則正しいパターンに配列された複数の流出口とを備えている。ＰＥＣＶＤプラズマコーティング処理にむけて均質なプラズマを発生させるために、ガス分配空間が給ガス流入口と流出口との間には設けられており、ガスを複数の流出口全体に亘って均質に分配する。この実施形態において、複数の流出口上の圧力及び／又はガス流量は、実質的に一定でなくてはならない。

特に、前記電極アセンブリは、前記ガス分配要素を前記電極アセンブリにて支持するためのフレームを備えている。電極面全体と実質的に同じ大きさのサイズを有していなくてはならない唯一の構成部品がフレーム要素であり、フレーム要素は複数のガス分配要素を支持している。各ガス分配要素は、一種のカセットとして設計し得る。多数のカセットが構成され、フレームに嵌め込まれる。フレームはエンドプレート、例えば、処理チャンバの壁部を形成するプレートに固定し得る。

フレームは、ガス分配系の縁部近くに配列された、処理ガスを処理チャンバ内に供給する及び／又は処理ガスを処理チャンバから除去するためのガス開口部を備え得る。

フレームは、区画を形成するフレーム要素を備えていてよく、１つ以上のガス分配要素が各区画に挿入される。フレーム要素はケースを形成し、互いに隣り合って配置されたガス分配要素を収容する。

別の好ましい実施形態において、電極アセンブリは、少なくとも電極プレートを備える。電極プレートは、並べられたカセットの最上部に取り付けることができる。電極プレートと並べられたカセットとが、コーティング装置の電極を形成する。電極アセンブリはアノードアセンブリであってもよいが、通常はカソードアセンブリである。電極プレートは、ガス分配要素の流出口から処理チャンバへと流れるガスのための開口部パターンを有し得る。特に、電極プレートは、前記ガス分配要素の最上部に配置することができ、前記電極プレートは、プラズマ発生・維持区域に面している。

本発明による、ＰＥＣＶＤコーティング装置のための電極アセンブリの製造方法は、
ａ）フレームを用意し、
ｂ）平面パネル及び／又はカセット及び／又はタイル形状要素として形成された複数のガス分配要素を用意する工程を含み、前記ガス分配要素は、少なくとも１つの流入口と少なくとも流出口とを備えており、本方法は、
ｃ）前記複数のガス分配要素を前記フレームに配置し、固定する工程を更に含む。

ガス分配要素の面の形状は、正方形又は長方形であってよい。ガス分配要素のガス流出口には、特に、ガス分配要素のたった１つの流入口を通して処理ガスが供給される。電極アセンブリの各ガス分配要素の流入口には、給ガス系によってガスが供給され、給ガス系は、例えば、ガス分配要素の流入口に流出ポートを接続させるための、流出ポートを有する配管を備えている。ガス分配要素の製造及び取り付けは、効率的かつ短時間で行うことができる。

本方法は、処理ガスを給ガス口から前記ガス分配要素の前記流入口に送るためのガス誘導系を設ける工程を更に含み得る。コーティングチャンバの内部からガスを除去する場合、流出口が処理チャンバからガスを除去し、流入口が排気口であってよい。

本方法は、前記ガス分配要素に複数の流出口を設ける工程を更に含む。

モジュール式のガス分配要素を備えた構造により、電極の製造が容易になる。電極面全体に亘って延びる、大型構成部品は１つしか必要ない。この構成部品、例えば電極プレートは、複数のガス分配要素を受け止める。各要素は比較的小さく、残りの要素と同じ構成を有している。従って、カセットは、小型の機械を用いて同時に形成し得る。これにより、電極アセンブリの製造コストが削減される。

本発明の更なる特徴、構成及び利点は、特定の実施形態についての以下の説明から明らかとなる。
本発明によるガス分配系の平面図である。 本発明による給ガス系の別の実施形態の平面図である。 本発明による電極アセンブリ１２の概略断面図である。 本発明による別の電極アセンブリの断面図である。

発明の実施形態

図１は、本発明によるガス分配系１の第１の実施形態を示している。ガス分配系１は、フレーム３に嵌め込まれた複数のガス分配要素２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ、２ｅ、２ｆ、２ｇ、２ｈを備えている。

ガス分配要素２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ、２ｅ、２ｆ、２ｇ、２ｈは、同一又は同様の構造を有している。これらのガス分配要素は、カセット様本体部と、その中に組み込まれたガス分配系４を有している。ガス分配系４は、第１ガス分配要素２ａについてのみ描かれているが、同じ系は、残りのガス分配要素２ｂ、２ｃ、２ｄ、２ｅ、２ｆ、２ｇ、２ｈにも組み込まれている。

ガス分配系４は、中央流入口５、Ｈ形状誘導系６、及び４つの流出口７を備えている。流入口５に送られたガスの流動抵抗は、流入口５と４つの流出口７のそれぞれとの間で同じである。従って、均質かつ均一なガス分配が、流出口７に面した基板表面の上方で行われる。本発明の実施形態において、ガス分配系及び基板は、４：２のアスペクト比の長方形である。

更に、ガス分配系１は、処理ガス混合物をガス分配要素２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ、２ｅ、２ｆ、２ｇ、２ｈに送る誘導系を備えている。この誘導系は、中央給ガス口８、第１分岐部９、及び第２分岐部１０を備えている。分岐部は、異なる層に位置させ得る。中央給ガス口８と分岐部９、１０との間には誘導部が設けられ、この誘導部において、中央給ガス口８と、ガス分配要素２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ、２ｅ、２ｆ、２ｇ、２ｈの流入口５に接続された流出ポートとの間の流動抵抗は同じである。このように、ガス分配系１の全面に亘って、処理ガスを均一に分配することができる。

フレーム３は、ガス分配系１の縁領域においても均一なガス分配を確保するための、処理ガスを処理チャンバに放出するための追加の流出口１１を備え得る。

本発明において、ガス分配要素２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ、２ｅ、２ｆ、２ｇ、２ｈは、並べて配列され及び取り付けられるモジュール式要素であり、給ガス系を形成する。

図２は、本発明によるガス分配系１の第２の実施形態を示している。構成は、第１の実施形態のものと同様である。但し、第２の実施形態のガス分配系１は、６つのガス分配要素２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ、２ｅ、２ｆを備えている。このガス分配要素２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ、２ｅ、２ｆは、アスペクト比３：２を有する領域を覆うように構成されている。ガス分配要素２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ、２ｅ、２ｆの流入口５への均一なガス供給を確保するために、中央給ガス口８と分岐部９を備えた誘導系が設けられ、ガスは３つの誘導部に放出され、３つの誘導部のそれぞれにおいて、分岐部９とガス分配要素２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ、２ｅ、２ｆの流入口５との間の流動抵抗は同じである。ガス分配要素２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ、２ｅ、２ｆは、モジュール式要素である。

図３は、本発明による電極アセンブリ１２の概略断面図である。

電極アセンブリは、複数のガス流出口１８を有するガス流出プレート１５を備えている。ベース要素１３は、処理ガスをガス分配要素２に供給するためのガス供給チャネル２０を有するガス供給系を備えており、ガス分配要素２は、ガス流出プレート１５とベース要素１３との間に挟持されている。各ガス分配要素２は、ガス分配系、例えばガス分配要素２の材料本体部に形成された導管系２１（ガス分配要素２の１つについてのみ図示）を備えている。ガス分配要素２は比較的大きく構成されているため、慣用のシャワーヘッド型電極と比較すると、電極のガス分配部位における熱伝達、ひいては電極の冷却が良好に行われる。

各ガス分配要素２は、ガス分配系、つまりベース要素１３を通してガス流出プレート１５の流出口１８に供給された処理ガスを分配するためのチャネル系を備え得る。電極アセンブリ１２で使用のガス分配要素２は、同一であっても又は異なるサイズ等の異なる構成を有していてもよい。各ガス分配要素２又はガス分配要素２の群は、フレーム要素１６の間に挿入し得る。フレーム要素１６は、ガス分配要素２を挿入するための区画を有するケースを形成し得る。

モジュール式ガス分配要素２を有する、本発明による、ＰＥＣＶＤ処理のための電極配列１２は、慣用の電極よりも取り付けが容易である。更に、ガス分配要素２の製造は、一体型電極に設けられたガス分配系の製造よりも容易である。

図４は、本発明による電極アセンブリ１２の一部の断面図である。

電極アセンブリ１２は、ベースプレート１３、分離プレート１４、及び電極プレート１５を備えている。電極プレート１５は、フレーム部材１６を含む。固定要素１７は、電極プレート１５をベースプレート１３に固定するために取り付けられている。

更に、電極アセンブリ１２は、上述されたように、複数のガス分配要素２を備えている。ガス分配要素２は、同様又は同一の構成を有するモジュールである。これら複数の要素は、処理ガスを、電極プレート１５に設けられた開口部１８に均質に供給するためのガス分配系を形成するように構成されている。従って、ＰＥＣＶＤコーティング処理によりコーティングされる基板１９の表面の上方でガスは均一に分配され、ひいては均一なプラズマＰが発生する。このようにして、均一なコーティングを、基板１９上に堆積することができる。

全てのガス分配要素２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ、２ｅ、２ｆ、２ｇ、２ｈが同一又は同様の構成を有しているとの事実により、ガス分配要素は、本発明による電極アセンブリへの組み込みに先立って特定の機械で製造することができ、又、容易に取扱うことができる。ガス分配系１の別の利点は、ガス分配要素２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ、２ｅ、２ｆ、２ｇ、２ｈの構成により（小さなカセット又はタイル状に形成し得る）、本発明による電極アセンブリの構築が、慣用の電極アセンブリよりも安定していることである。

Claims (13)

1. 基板（１９）をその内部で処理するための少なくとも処理チャンバと、
   前記処理チャンバ内に配置された、前記処理チャンバ内でプラズマを発生させる及び維持するための少なくとも電極アセンブリ（１２）とを備え、
   前記電極アセンブリは（１２）、処理ガスを前記処理チャンバに送るための流出口（７）の配列を備えているコーティング装置、特にはＰＥＣＶＤコーティング装置であり、
   前記電極アセンブリ（１２）は、複数のガス分配要素（２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ、２ｅ、２ｆ、２ｇ、２ｈ）を備え、
   前記ガス分配要素（２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ、２ｅ、２ｆ、２ｇ、２ｈ）のそれぞれはガス分配系を含み、
   前記ガス分配要素（２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ、２ｅ、２ｆ、２ｇ、２ｈ）は、平面パネル及び／又はカセット及び／又はタイル形状要素として形成されることを特徴とするコーティング装置。
2. 前記ガス分配要素（２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ、２ｅ、２ｆ、２ｇ、２ｈ）は、流入口（５）と少なくとも１つの流出口（７）とを備えており、
   前記ガス分配系は、前記流入口（５）と前記少なくとも１つの流出口（７）との間に配置されており、前記流入口（５）に送られた処理ガスを前記少なくとも１つの流出口（７）に均質に供給するためのものであることを特徴とする請求項１記載のコーティング装置。
3. 前記電極アセンブリ（１２）は、給ガス口（８）と、前記ガス分配要素（２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ、２ｅ、２ｆ、２ｇ、２ｈ）の前記流入口（５）に接続される流出口とを有する誘導系、並びに前記誘導系の前記給ガス口（８）と前記流出口との間に配置された少なくとも分岐部（９、１０）を備えていることを特徴とする前記請求項のいずれか１項記載のコーティング装置。
4. 前記誘導系の前記給ガス口（８）と前記流出ポートとの間の流路の流動抵抗は、実質的に同じであることを特徴とする請求項３記載のコーティング装置。
5. 前記誘導系は、前記誘導系の前記給ガス口（８）と前記流出ポートとの間の流路に配置された少なくとも１つの圧段を備えていることを特徴とする請求項３又は４記載のコーティング装置。
6. 前記ガス分配要素（２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ、２ｅ、２ｆ、２ｇ、２ｈ）は、前記流入口と前記流出口（７）との間に少なくともガス分配空間を備えているため、前記流出口（７）における圧力は実質的に同じであることを特徴とする前記請求項のいずれか１項記載のコーティング装置。
7. 前記電極アセンブリ（１２）は、前記ガス分配要素（２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ、２ｅ、２ｆ、２ｇ、２ｈ）を前記電極アセンブリ（１２）にて支持するためのフレーム（３）を備えていることを特徴とする前記請求項のいずれか１項記載のコーティング装置。
8. 前記フレーム（３）は、前記ガス分配系（１）の縁部近くに配列された、処理ガスを前記処理チャンバ内に供給する及び／又は処理ガスを前記処理チャンバから除去するためのガス開口部（１１）を備えていることを特徴とする請求項７記載のコーティング装置。
9. 前記電極アセンブリ（１２）は、少なくとも１つの電極プレート（１８）を備えている前記請求項のいずれか１項記載のコーティング装置。
10. 前記電極プレート（１５）は、前記ガス分配要素（２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ、２ｅ、２ｆ、２ｇ、２ｈ）の最上部に配置され、前記電極プレート（１５）は、プラズマ発生・維持区域（Ｐ）に面していることを特徴とする請求項９記載のコーティング装置。
11. ＰＥＣＶＤコーティング装置のための電極アセンブリ（１２）の製造方法であり、
    ａ）フレーム（３）を用意し、
    ｂ）平面パネル及び／又はカセット及び／又はタイル形状要素として形成された複数のガス分配要素（２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ、２ｅ、２ｆ、２ｇ、２ｈ）を用意する工程を含み、
    前記ガス分配要素（２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ、２ｅ、２ｆ、２ｇ、２ｈ）は、少なくとも流入口（５）と少なくとも流出口（７）とを備えており、
    ｃ）前記複数のガス分配要素（２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ、２ｅ、２ｆ、２ｇ、２ｈ）を前記フレーム（３）に配置し、固定する工程を更に含む製造方法。
12. 前記方法が、処理ガスを給ガス口（８）から前記ガス分配要素（２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ、２ｅ、２ｆ、２ｇ、２ｈ）の前記流入口（５）に送るためのガス誘導系を設ける工程を更に含むことを特徴とする請求項１１記載の方法。
13. 前記方法が、前記ガス分配要素（２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ、２ｅ、２ｆ、２ｇ、２ｈ）に複数の流出口を設ける工程を更に含むことを特徴とする請求項１１又は１２記載の方法。

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