JPH08337876A - 反応ガス噴射ヘッド及び薄膜気相成長装置 - Google Patents

反応ガス噴射ヘッド及び薄膜気相成長装置

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JPH08337876A JP7168040A JP16804095A JPH08337876A JP H08337876 A JPH08337876 A JP H08337876A JP 7168040 A JP7168040 A JP 7168040A JP 16804095 A JP16804095 A JP 16804095A JP H08337876 A JPH08337876 A JP H08337876A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 濃度や成分の均一な混合ガスを流量や方向を
制御した状態で基板に向けて噴射することができる反応
ガス噴射ヘッドを提供する。 【構成】 薄膜気相成長装置に用いる反応ガス噴射ヘッ
ド５であって、反応ガスを導入する少なくとも２本以上
の反応ガス導入路２１ａ，２１ｂと、この反応ガス導入
路から導入された反応ガスを混合するガス混合室２６
と、このガス混合室２６の下流に設けられ、混合ガスを
一様な流れに整流して基板１１に吹き付けるノズル２９
とを有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は薄膜気相成長装置に係
り、特に、チタン酸バリウム／ストロンチウム等の高誘
電率薄膜を気相成長させるのに好適な反応ガス噴射ヘッ
ド及びこれを備えた薄膜気相成長装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体産業における集積回路の集
積度の向上はめざましく、現状のメガビットオーダか
ら、将来のギガビットオーダを睨んだＤＲＡＭの研究開
発が行われている。かかるＤＲＡＭの製造のためには、
小さな面積で大容量が得られる素子が必要である。この
ような大容量素子の製造に用いる誘電体薄膜として、誘
電率が１０以下であるシリコン酸化膜やシリコン窒化膜
に替えて、誘電率が２０程度である五酸化タンタル（Ｔ
a2Ｏ5 ）薄膜、あるいは誘電率が３００程度であるチタ
ン酸バリウム（ＢaＴiＯ3 ）、チタン酸ストロンチウム
（ＳrＴiＯ3 ）又はこれらの混合物であるチタン酸バリ
ウムストロンチウム等の金属酸化物薄膜材料が有望視さ
れている。
【０００３】このような金属酸化物薄膜を気相成長させ
る際には、１又は複数の有機金属化合物のガス原料と酸
素含有ガスとを混合し、一定の温度に加熱した基板に噴
射する。一般に、有機金属化合物ガスと酸素含有ガスの
混合ガスは反応抑制温度域が狭く、基板へ導く途中で温
度の不均一などがあると早期反応が起こりやすい。この
ため、有機金属化合物ガス導入管と、酸素ガス導入管と
を別々に基板近傍に導き、急速な均一混合化を図ること
により基板上に金属酸化物薄膜を成長させることが望ま
しい。
【０００４】このための装置として、例えば特開平５−
２９９３５１号公報あるいは特開平６−１０１３８号公
報に開示された技術がある。前者は、二重壁構造のホー
ンの壁間と内側壁とに導き、基板近くで混合するように
している。一方、後者は、原料ガスと酸素含有ガスをコ
ーン型ノズル内へノズル断面の接線方向に入射して、両
ガスの乱流を形成するようにしたものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の技
術においては、いずれも反応室内で原料ガスを酸素含有
ガスと混合させるため、ガス導入路内で反応が進行して
析出する事態は避けられるが、以下のような課題を残し
ている。特開平５−２９９３５１号公報の装置において
は、混合位置が基板に近づけられるため、途中での生成
物発生は抑制できるが、広い基板面での成膜に必要とな
る一様なダウンフローが形成できないこと、ホーン形状
を構成するために一定の高さが必要となり、装置が肥大
化すること、等の問題があった。
【０００６】一方、特開平６−１０１３８号公報におい
ては、渦巻状の乱流を生じさせても両ガスは充分混合さ
れない。また、成膜させる基板に対してガス混合位置が
かなり上流に位置するため、基板に至る前に生成物が発
生し、基板上での成膜の品質を著しく損なう可能性があ
るという問題があった。特に、近年、生産性を高めるた
めに、基板の寸法を大きくし、さらに、基板を高速回転
させながら気相成長させるなどの方法が検討されてお
り、上記のような従来の方法ではこれらに対応すること
が困難であった。
【０００７】本発明は、上述した事情に鑑みて為された
もので、濃度や成分の均一な混合ガスを流量や方向を制
御した状態で基板に向けて噴射することができる反応ガ
ス噴射ヘッドを提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの請求項１に記載の発明は、薄膜気相成長装置に用い
る反応ガス噴射ヘッドであって、反応ガスを導入する少
なくとも２本以上の反応ガス導入路と、この反応ガス導
入路から導入された反応ガスを混合するガス混合室と、
このガス混合室の下流に設けられ、混合ガスを一様な流
れに整流して基板に吹き付けるノズルとを有することを
特徴とする反応ガス噴射ヘッドである。請求項２に記載
の発明は、上記ノズルが、上記ガス混合室に開口する絞
り部と、この絞り部に続いて徐々に拡径して形成された
ディフューザ部とを有することを特徴とする請求項１に
記載の反応ガス噴射ヘッドである。
【０００９】請求項３に記載の発明は、上記混合室の上
記導入ガスの開口部に対向する位置に、ガス流れを変え
る偏向面が形成されていることを特徴とする請求項１又
は２に記載の反応ガス噴射ヘッドである。請求項４に記
載の発明は、上記偏向面が、上記開口部から上記絞り部
に向かうに従い断面積が小さくなるように設定されてい
ることを特徴とする請求項３に記載の反応ガス噴射ヘッ
ドである。請求項５に記載の発明は、上記偏向面が円錐
面であることを特徴とする請求項３又は４に記載の反応
ガス噴射ヘッドである。請求項６に記載の発明は、上記
偏向面は平坦面であることを特徴とする請求項３又は４
に記載の反応ガス噴射ヘッドである。
【００１０】請求項７に記載の発明は、上記反応ガス導
入路が、互いに平行に配置されていることを特徴とする
請求項１ないし６のいずれかに記載の反応ガス噴射ヘッ
ド。請求項８に記載の発明は、上記反応ガス導入路は、
互いに所定角度で交差する位置に配置されていることを
特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の反応ガ
ス噴射ヘッドである。請求項９に記載の発明は、上記ノ
ズルはガス混合室毎に設けられていることを特徴とする
請求項１ないし８のいずれかに記載の反応ガス噴射ヘッ
ドである。請求項１０に記載の発明は、上記ガス混合室
とノズルが一体のノズル構造体として形成されているこ
とを特徴とする請求項１ないし９のいずれかに記載の反
応ガス噴射ヘッドである。請求項１１に記載の発明は、
上記ノズル構造体が複数設けられていることを特徴とす
る請求項１０に記載の反応ガス噴射ヘッドである。
【００１１】請求項１２に記載の発明は、上記ノズル構
造体が同一ノズル盤に配置されていることを特徴とする
請求項１１に記載の反応ガス噴射ヘッドである。請求項
１３に記載の発明は、上記ノズル盤と、反応ガス導入路
からの反応ガスを各ガス混合室へ導くガス導入路が形成
された分配盤とが積層されて構成されている請求項１２
に記載の反応ガス噴射ヘッドである。請求項１４に記載
の発明は、上記分配盤は、盤面に沿った方向に延びる溝
が形成された板状部材と、盤面に交差する方向に延びる
交差路が形成された板状部材とを有して構成されている
請求項１３に記載の反応ガス噴射ヘッドである。請求項
１５に記載の発明は、上記ノズル及び／又はガス混合室
を所定の温度に保つ熱媒体流路が形成されている請求項
１ないし１４のいずれかに記載の反応ガス噴射ヘッドで
ある。請求項１６に記載の発明は、請求項１ないし１５
のいずれかに記載の反応ガス噴射ヘッドと、上記ノズル
が開口する反応室と、該反応室内に基板を保持する基板
保持機構とを有することを特徴とする薄膜気相成長装置
である。
【００１２】
【作用】請求項１に記載の発明においては、反応ガス導
入路から導入された少なくとも２種以上の反応ガスがガ
ス混合室で混合され、さらにノズルから基板に吹き付け
られる。反応ガス、つまり原料ガスと酸化ガスを混合室
で強制的に混合するので、混合ガスの濃度や成分が不均
一となることがなく、混合場所がノズル直近であるの
で、基板上に成膜する前段階での反応が抑制されてコン
タミ発生が防止され、成膜の信頼性が向上する。請求項
２に記載の発明においては、ノズルにガス混合室に続く
絞り部及びこれに続くディフューザ部が設けられている
ので、ここで一様な流れに整流され、方向や圧力が制御
されて基板に向けて噴射される。
【００１３】請求項３に記載の発明においては、混合室
の偏向面に導入路の開口部から噴射されたガスが当たっ
てその流れが変えられ、乱流が形成されて反応ガスどう
しの均一な混合が促進される。請求項４に記載の発明に
おいては、反応ガスが乱流を形成しながら混合する過程
で、徐々に絞り部に導かれる。請求項５に記載の発明に
おいては、反応ガスが円錐面に当たって乱流が形成され
る。請求項６に記載の発明においては、反応ガスが平坦
面に当たって乱流が形成される。請求項７に記載の発明
においては、互いに平行に配置された反応ガス導入路か
ら反応ガスが導入され、反応ガスは偏向面に当たってか
ら混合される。
【００１４】請求項８に記載の発明においては、互いに
所定角度で交差する位置に配置された反応ガス導入路か
ら反応ガスが導入され、混合室内で直接に流れが当たっ
て混合され、あるいは、偏向面に当たってから混合され
る。請求項９に記載の発明においては、ノズル毎に混合
室が設けられており、混合したガスが滞留することなく
ノズルに導かれる。請求項１０に記載の発明において
は、ノズル構造体の一方の面にガス混合室が、他方の面
にディフューザ部がそれぞれ外側に向けて拡径するよう
に形成され、板厚中央部にこれらを結ぶ絞り部が形成さ
れる。このように単一部品として構成されるので、部品
点数が増えず、組立も容易となる。請求項１１に記載の
発明においては、複数のノズルから均一に混合されかつ
整流された反応ガスが噴射される。広い面積を持つ基板
に好適である。請求項１２に記載の発明においては、部
材の一方の面にガス混合室が、他方の面にディフューザ
部がそれぞれ外側に向けて拡径するように形成され、板
厚中央部にこれらを結ぶ絞り部が形成され、このような
ユニットが同一ノズル盤に平面的に配置される。構造が
簡単で、製造、組立が容易である。請求項１３に記載の
発明においては、反応ガス導入路からの反応ガスは、分
配盤に形成された分配路を介してノズル盤の各混合室に
導かれる。
【００１５】請求項１４に記載の発明においては、第１
分配盤の水平導入路を盤面に開口する溝として、第２分
配盤の交差導入路を盤面に貫通する孔として形成すれば
加工が容易に行われる。請求項１５に記載の発明におい
ては、熱媒体流路に流れる熱媒体によってガス混合室及
びノズルが所定の温度、例えば２５０〜２６０゜Ｃに保
たれ、反応ガスが事前に反応したり凝縮することが防止
される。請求項１６に記載の発明においては、反応ガ
ス、つまり原料ガスと酸化ガスをノズル直近の混合室で
強制的に混合し、絞り部及びこれに続くディフューザ部
で一様な流れに整流し、均一な濃度及び成分の混合反応
ガスを、方向や圧力を制御した流れとして反応室内の基
板に向けて噴射し、品質と歩留まりのよい成膜を高能率
で行なう。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の一実施例について添付図面を
参照しながら説明する。なお、各図中同一符号は同一又
は相当部分を示す。
【００１７】図１は、本発明の反応ガス噴射ヘッドを組
み込んだ薄膜気相成長装置Ａを示す。この薄膜気相成長
装置においては、釜状の容器１と支持台２で囲まれて反
応室３が構成されている。反応室３は気密に構成され、
生成ガスを排気する排気孔４が設けられ、また、容器壁
には熱媒体流路が形成されて容器壁や室内を所定温度に
保つようにしている。容器１の頂部には反応噴射ヘッド
５が装着され、支持台２の中央開口部には筒状部６が設
けられてこの中を基板支持部材（ステージ）７が昇降す
るようになっている。筒状部６には、ゲート８を有する
搬送路９が形成され、ロボットアーム１０により基板１
１を出し入れするようになっている。筒状部６の下側に
は、ステージ７を昇降させる駆動機構１２が設けられて
いる。ステージ７には基板１１を所定反応温度に加熱す
るヒータ１３が設けられている。
【００１８】図２は、この発明の第１実施例の反応ガス
噴射ヘッド５を示すもので、この実施例では、反応ガス
噴射ヘッド５が一つの混合室とノズルを有する構成とな
っている。この反応ガス噴射ヘッド５は、反応ガス（原
料ガス、酸化ガス）を導入する導入路２１ａ，２１ｂが
形成された分配盤２２と、ノズル構造体２３とが接合さ
れて構成され、ガス導入路２１ａ，２１ｂにはそれぞれ
の反応ガス供給管２４ａ，２４ｂが接続されている。
【００１９】ノズル構造体２３には、その一方の面に、
円錐面状の壁（偏向面）２５ａを持つガス混合室２６
が、他方の面にやはりテーパ壁を持つディフューザ部２
７がそれぞれ外側に向けて拡径するように形成され、板
厚中央部にこれらを結ぶ直管状の絞り部２８が形成され
ている。絞り部２８とディフューザ部２７がノズル２９
を構成し、ノズル２９とガス混合室２６がノズル構造体
２３を構成している。導入路２１ａ，２１ｂは混合室２
６の円錐面２５ａに対向する位置に開口して形成されて
いる。
【００２０】このように構成された反応ガス噴射ヘッド
においては、反応ガス、すなわち、原料ガスと酸化ガス
が、図示しない供給源から供給管２４ａ，２４ｂと導入
路２１ａ，２１ｂを介して混合室２６内に各々所定量噴
射され、偏向面２５ａに当たって偏向させられる。原料
ガスは、例えばＢa（ＤＰＭ）2 、Ｓr（ＤＰＭ）2 及び
Ｔi（i−ＯＣ3Ｈ7）4 等の有機金属溶液が混合されて気
化され、Ａr等のキャリアガスと混合させられたもので
あり、酸化ガスは、Ｏ2 ，Ｎ2Ｏ ，Ｈ2Ｏ等の酸素含有
ガスにオゾナイザにより生成されたオゾン（Ｏ3）を含
むようにされたものである。
【００２１】反応ガスは、混合室２６の偏向面２５ａに
当たって中央側に向けて偏向させられ、乱流を形成しな
がら混合室２６中央で合流して均一な混合が促進され、
絞り部２８からディフューザ部２７に導かれ、整流され
て反応室３中に所定量噴射される。反応室３内では、原
料ガスと酸化ガスとが反応して、チタン酸バリウムある
いはチタン酸ストロンチウム等の金属酸化物分子が形成
され、半導体等の基板１１上に金属酸化物薄膜が成長し
て堆積する。反応が終了したガスや余剰ガスは、生成ガ
ス排気孔４を介して反応室３から排出される。
【００２２】本発明の反応ガス噴射ヘッドから噴射され
た反応ガスは、事前に混合室２６で強制的に混合させら
れており、絞り部２８とディフューザ部２７を有するノ
ズル２９により整流されて均一なダウンフローとなって
基板１１面に吹き付けられるので、コンタミのない高品
質の成膜が高速度で行われる。また、この実施例では、
混合室２６の偏向面２５ａを円錐面としており、簡単な
加工工程で、かつ充分な強制混合作用を果たす。
【００２３】図３は、この発明の反応ガス噴射ヘッドの
他の実施例を示すもので、混合室の形状を変えたもので
ある。すなわち、混合室２６の内壁を円錐面ではなく、
球面２５ｂに形成している。また、図４は、ガス混合室
２６を、水平方向断面が長方形の角錐台状に形成し、す
なわち平坦面２５ｃを偏向面としたものである。これら
の混合室の形状や大きさは、所要の噴射条件を考慮して
適宜に選択されてよい。
【００２４】図５ないし図８は、複数のノズル構造体４
２が同一のノズル盤３７に設けられている反応ガス噴射
ヘッド５の実施例であり、大きい基板１１に対して均一
なガスフローを与えることができる例である。この反応
ガス噴射ヘッド５は、図６にその断面を示すように、上
側の３層の板状部材３１，３２，３３で反応ガスを各ガ
ス混合室に分配する分配盤３４が構成され、その下側に
複数のガス混合室３５とノズル３６の対が平面的に配置
されたノズル盤３７が設けられている。
【００２５】ノズル盤３７の個々のガス混合室３５やノ
ズル３６の構造は第１実施例と同様である。この例で
は、ノズル盤３７を直接加工してガス混合室３５とノズ
ル３６を形成しているが、例えば両者を形成したユニッ
ト部品を組み込んで構成してもよい。
【００２６】分配盤３４は、酸化ガスを供給管２４ａか
ら各ガス混合室３５の対応位置に導びく分配路３８が形
成された第１の板状部材３１と、原料ガスを供給管２４
ｂから各ガス混合室の対応位置に導びく分配路３９が形
成された第２の板状部材３２と、これらの分配路３８，
３９と各混合室３５とを結ぶ貫通孔（導入路）４０，４
１が形成された第３の板状部材３３とが積層されて構成
されている。第２の板状部材３２にも、第１の板状部材
の分配路３８と各混合室３５を結ぶ貫通孔４０が形成さ
れている。第１及び第２の板状部材３１，３２の分配路
３８，３９は、下側に開口する断面矩形の溝として形成
されており、第２及び第３の板状部材３２，３３によっ
て貫通孔４０，４１以外の箇所が覆われて導入路が構成
されている。
【００２７】図８は、これらの分配路３８，３９、貫通
孔４０，４１、ガス混合室３５及びノズル３６の平面的
配置を示すもので、各分配路３８，３９は、供給管２４
ａ，２４ｂへの接続口から枝状に分岐して延びて形成さ
れている。この分配路３８，３９の配置は、ノズル盤３
７のノズル３６及びガス混合室３５の配置に対応してお
り、その位置に導かれていればどのように分岐させても
よい。また、供給管２４ａ，２４ｂへの接続口の位置や
数も適宜に設定してよい。板状部材の積層には、溶接、
圧接、ボルトによる締結、接着等適宜の方法が採用され
る。
【００２８】このように構成された反応ガス噴射ヘッド
５においては、供給管２４ａ，２４ｂから供給された原
料ガスや酸化ガスが分配路３８，３９、貫通孔（導入
路）４０，４１を通して個々のガス混合室３５に導かれ
て混合され、絞り部４３とディフューザ部４４で整流さ
れて噴射される。ノズル３６がノズル盤３７に均等に分
散配置されているので、基板１１に対して広い範囲にわ
たって制御されたガス流れが形成され、歩留まりの良い
成膜を高速度で行うことができる。
【００２９】また、この実施例では、反応ガスの導入路
を、溝が形成された板状部材と、所定位置に貫通孔が形
成された板状部材との組み合わせで構成しているので、
複雑な配置の流路を簡単な加工で製作することができ
る。この実施例では、原料ガスと酸化ガスの２種の反応
ガスを用いているが、複数種の原料ガスを用いる場合は
３つ以上の分配路が必要となり、これに応じて板状部材
を増やせばよい。
【００３０】図９及び図１０は、この発明の第３実施例
を示すもので、反応ガス噴射ヘッド５の内部に熱媒体の
流路５１を形成して、ヘッド５の温度を一定に保つよう
にしたものである。すなわち、ノズル盤５２は、側壁５
３を有する上板５４と下板５５と、その間に嵌め込まれ
た複数のノズル構造体５６とから構成されている。ノズ
ル構造体５６は、ガス混合室５７、絞り部５８、ディフ
ューザ部５９が形成された筒状の部材で、上下端部に上
板５４及び下板５５と接するフランジ６０，６１が形成
されている。上板５４と下板５５の間に形成されたノズ
ル構造体５６を取り囲む空間が適当に仕切られて熱媒体
流路５１が形成され、これに配管６２を介して媒体供給
源が接続されている。
【００３１】熱媒体は、図９に示すように反応室３を取
り囲む容器１、支持台２、筒状体６等にも熱媒体配管６
２を介して供給されており、その一部が反応ガス噴射ヘ
ッド５に供給されるようになっている。熱媒体配管６２
には、熱媒体を所定温度に加熱するヒータ６３と、ポン
プ等の抽送手段６４が設けられている。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、原料ガスと酸化ガスを混合室で強制的に混合し、濃
度や成分を均一としてからノズルにより整流して基板に
噴射するので、基板に成膜する前段階での反応が抑制さ
れてコンタミ発生が防止され、成膜の信頼性が向上する
とともに、圧力や方向を制御して対象基板の大きさや成
膜される材質に適合したガスフローを提供できる。ま
た、ノズルと混合室を一体化したノズル構造体を構成で
きるので、ガス混合の促進が簡単な構造、コンパクトな
装置で達成でき、装置全体のコスト削減に寄与する。ま
た、複数ノズルを集合させたノズル盤を構成することに
より、広い範囲で基板に対して垂直で一様なダウンフロ
ーを形成することができ、大きいサイズのウエハへの対
応が可能となり、生産能率の向上と歩留り向上が達成で
きる。また、ノズル盤を加熱する熱媒体流路を簡単な構
造で組み込むことができ、これによって、反応ガスの温
度に対する安定条件の厳しい高誘電率の誘電体薄膜の形
成への対応も容易である、
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例の薄膜気相成長装置の概略を示
す断面図である。
【図２】本発明の第１実施例の反応ガス噴射ヘッドの断
面図である。
【図３】本発明の反応ガス噴射ヘッドの第２の実施例の
断面図である。
【図４】本発明の反応ガス噴射ヘッドの第３の実施例の
断面図である。
【図５】本発明の反応ガス噴射ヘッドの第４の実施例の
下斜視図である。
【図６】図５のＶＩ断面図である。
【図７】図５のＶＩＩ断面図である。
【図８】（ａ）ないし（ｄ）は、図５のそれぞれａ，
ｂ，ｃ，ｄ矢視図である。
【図９】本発明の他の実施例の薄膜気相成長装置の構成
図である。
【図１０】本発明の反応ガス噴射ヘッドの第５の実施例
の断面図である。
【符号の説明】
３ 反応室 １１ 基板 ２１ａ，２１ｂ，４０，４１ 導入路 ２３，４２，５６ ノズル構造体 ２５ａ，２５ｂ，２５ｃ 偏向面 ２６，３５，５７ ガス混合室 ２７，４４，５９ ディフューザ部 ２８，４３，５８ 絞り部 ２９，３６ ノズル ３４ 分配盤 ３７，５２ ノズル盤 ５１ 熱媒体流路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 塚本 究 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内 (72)発明者 福永 由紀夫 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内 (72)発明者 本郷 明久 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 薄膜気相成長装置に用いる反応ガス噴射
    ヘッドであって、 反応ガスを導入する少なくとも２本以上の反応ガス導入
    路と、 この反応ガス導入路から導入された反応ガスを混合する
    ガス混合室と、 このガス混合室の下流に設けられ、混合ガスを一様な流
    れに整流して基板に吹き付けるノズルとを有することを
    特徴とする反応ガス噴射ヘッド。
  2. 【請求項２】 上記ノズルは、上記ガス混合室に開口す
    る絞り部と、この絞り部に続いて徐々に拡径して形成さ
    れたディフューザ部とを有することを特徴とする請求項
    １に記載の反応ガス噴射ヘッド。
  3. 【請求項３】 上記混合室には、上記導入ガスの開口部
    に対向する位置にガス流れを変える偏向面が形成されて
    いることを特徴とする請求項１又は２に記載の反応ガス
    噴射ヘッド。
  4. 【請求項４】 上記偏向面は、上記開口部から上記絞り
    部に向かうに従い断面積が小さくなるように設定されて
    いる請求項３に記載の反応ガス噴射ヘッド。
  5. 【請求項５】 上記偏向面は円錐面であることを特徴と
    する請求項３又は４に記載の反応ガス噴射ヘッド。
  6. 【請求項６】 上記偏向面は平坦面であることを特徴と
    する請求項３又は４に記載の反応ガス噴射ヘッド。
  7. 【請求項７】 上記反応ガス導入路は、互いに平行に配
    置されていることを特徴とする請求項１ないし６のいず
    れかに記載の反応ガス噴射ヘッド。
  8. 【請求項８】 上記反応ガス導入路は、互いに所定角度
    で交差する位置に配置されていることを特徴とする請求
    項１ないし６のいずれかに記載の反応ガス噴射ヘッド。
  9. 【請求項９】 上記ノズルはガス混合室毎に設けられて
    いることを特徴とする請求項１ないし８のいずれかに記
    載の反応ガス噴射ヘッド。
  10. 【請求項１０】 上記ガス混合室とノズルが一体のノズ
    ル構造体として形成されていることを特徴とする請求項
    １ないし９のいずれかに記載の反応ガス噴射ヘッド。
  11. 【請求項１１】 上記ノズル構造体が複数設けられてい
    ることを特徴とする請求項１０に記載の反応ガス噴射ヘ
    ッド。
  12. 【請求項１２】 上記ノズル構造体が同一ノズル盤に配
    置されていることを特徴とする請求項１１に記載の反応
    ガス噴射ヘッド。
  13. 【請求項１３】 上記ノズル盤と、反応ガス導入路から
    の反応ガスを各ガス混合室へ導くガス導入路が形成され
    た分配盤とが積層されて構成されている請求項１２に記
    載の反応ガス噴射ヘッド。
  14. 【請求項１４】 上記分配盤は、盤面に沿った方向に延
    びる溝が形成された板状部材と、盤面に交差する方向に
    延びる交差路が形成された板状部材とを有して構成され
    ている請求項１３に記載の反応ガス噴射ヘッド。
  15. 【請求項１５】 上記ノズル及び／又はガス混合室を所
    定の温度に保つ熱媒体流路が形成されている請求項１な
    いし１４のいずれかに記載の反応ガス噴射ヘッド。
  16. 【請求項１６】 請求項１ないし１５のいずれかに記載
    の反応ガス噴射ヘッドと、上記ノズルが開口する反応室
    と、該反応室内に基板を保持する基板保持機構とを有す
    ることを特徴とする薄膜気相成長装置。
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